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Operao fsica dos diodos

Juno pn em circuito aberto

Corrente de Difuso ID: pelo fato da concentrao de lacunas ser alta na regio p e baixa na regio n, as lacunas se difundem atravs da juno do lado p para o lado n. De modo similar, os eltrons se difundem atravs da juno do lado n para o lado p. Regio de Depleo: lacunas se difundem na regio n e desaparecem (se recombinam), eltrons se difundem na regio p e desaparecem (se recombinam). Assim, ocorrer a formao de uma regio de cargas descobertas prxima a juno: surgimento de um campo eltrico E que se ope difuso de lacunas na regio n e eltrons na regio p.

Juno pn em circuito aberto

Corrente de Deriva IS: Lacunas geradas termicamente no material n se difundem pela borda da regio de depleo e sofrem o efeito do campo eltrico e so orientadas para o lado p. Eltrons minoritrios gerados termicamente no material tipo p se difundem pela borda da regio de depleo e so acelerados pelo campo eltrico nessa regio para o lado n. A soma dos movimentos gerados pelas lacunas e eltrons sobre o efeito do campo eltrico gera a corrente de deriva IS.

I D =I S

Juno pn em circuito aberto

Equilbrio e Tenso da Barreira: se ID>IS, mais cargas fixas estaro descobertas de ambos os lados da juno, a camada de depleo se tornar mais larga e o valor de tenso sobre ela aumentar. Isso, por sua vez, far com que ID diminua at que seja atingido o equilbrio com ID=IS. Por outro lado, se IS>ID, ento a quantidade de carga fixas em descoberto diminuir, a camada de depleo se tornar mais estreita e a tenso nela diminuir. Isso faz com que ID aumente at que o equilbrio ID=IS seja atingido.

I D =I S

Juno pn em circuito aberto

A tenso interna: Sem a aplicao de uma tenso externa, a tenso Vo da juno pn pode se deduzida como sendo dada por:

V 0 =V T ln N A N D /ni

Largura da Camada de Depleo: se denotarmos a largura da regio de depleo no lado p por xp e no lado n por xn, a condio de igualdade de cargas pode ser expressa por:

x n / x p =N A /N D 0,1 mW dep=x n x p 1 m

Juno pn polarizao reversa

A fonte de corrente I no sentido reverso e com I<IS: pelo circuito externo, eltrons deixam o material n e lacunas deixam o material p. Resultado: aumento das cargas fixas positivas descobertas em n e das cargas fixas negativas descobertas em p, e conseqente aumento da regio de depleo, na tenso Vo e diminuio da corrente de difuso ID. Como IS no depende da tenso Vo (ionizao trmica), temos no equilbrio:

I S I D =I

Juno pn na regio de ruptura

A fonte de corrente I no sentido reverso e com I>IS: dois mecanismos possveis de ruptura so possveis, o efeito zener e o efeito avalanche. Esses efeitos so provocados pelo aumento da camada de depleo e conseqente elevao do campo eltrico. Ruptura Zener: o campo eltrico na camada de depleo aumenta at o ponto capaz de quebrar uma ligao covalente e gerar um par eletron- lacuna. Os eltrons gerados sero acelerados pelo campo eltrico para o lado n e as lacunas para o lado p, constituindo uma corrente reversa que sustenta I. Ruptura Avalanche: os portadores de minoritrios que cruzam a regio de depleo sob a influencia do campo eltrico ganham energia cintica suficiente para quebrar as ligaes covalentes dos tomos que eles colidem, gerando um efeito avalanche onde a tenso permanece quase constante e a corrente reversa sustenta I.

Juno pn na polarizao direta

A fonte de corrente I no sentido direto: pelo circuito externo, eltrons deixam o material p e lacunas deixam o material n. Resultado: fornecimento de portadores majoritrios em ambos os lados da juno pelo circuito externo, na diminuio da camada de depleo e da tenso da barreira (Vo) e no aumento do transporte de lacunas para o material n e eltrons para o material p (Difuso). Portanto, a corrente de difuso ID aumenta at que o equilbrio seguinte seja atingido, por:

I S I D =I

Juno pn na polarizaao direta

A menor regio de depleo e a alta concentrao de portadores majoritrios promove a injeo de portadores minoritrios pela juno pn, provocando uma concentrao desses portadores nas proximidades da barreira. A distribuio do excesso de portadores minoritrios d origem ao aumento na corrente ID > IS.