INSTITUTO

TECNOLOGICO DE
OAXACA

PROYECTO DE APUNTES DE LA UNIDAD 1

MATERIA: FISICA IV




REALIZA
CATEDRATICO: INGENIERO VICTOR MANUEL FUENTES
RODRIGUEZ.


CARRERA: INGENIERIA ELECTRONICA.





CONTENIDO
1-Fundamentos de semiconductores
1.1 Estado Cristalino Redes Cristalinas y crecimiento de cristales en
Semiconductores
1.2 Materiales Semiconductores

1.3 Modelo de Enlace Covalente Semiconductores

1.4 Materiales Intrnsecos Materiales Extrnsecos

1.5 Modelo de Bandas de Energa

1.6 Distribucin FermiDirac y Distribucin Maxwell Boltzman

1.7 Nivel de Fermi en materiales intrnsecos y extrnsecos

1.8 Conductividad Movilidad Proceso de Difusin

1.9 Ecuaciones de Continuidad









1. FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES
1.1 Estado Cristalino Redes Cristalinas y crecimiento de
cristales en Semiconductores
Los cuerpos slidos estn formados por tomos densamente empaquetados con intensas
fuerzas de interaccin entre ellos. Los efectos de interaccin son responsables de las
propiedades mecnicas, trmicas, elctricas, magnticas y pticas de los slidos.
Una caracterstica importante de la mayora de los slidos es su estructura cristalina. Los
tomos estn distribuidos en posiciones regulares que se repiten regularmente de manera
geomtrica. La distribucin especfica de los tomos puede deberse a una variada gama de
fuerzas. Por ejemplo, algunos slidos como el cloruro de sodio o sal comn se mantienen
unidos por enlaces inicos debidos a la interaccin electrosttica entre los iones que
componen el material. En otros, como el diamante, los tomos comparten electrones, lo que
da lugar a los llamados enlaces covalentes.
Las sustancias inertes, como el nen, no presentan ninguno de esos enlaces. Su existencia
es el resultado de unas fuerzas de atraccin conocidas como fuerzas de Van der Waals, as
llamadas en honor al fsico holands Johannes Diderik van der Waals. Estas fuerzas
aparecen entre tomos neutros o molculas como resultado de la polarizacin elctrica. Los
metales, se mantienen unidos por lo que se conoce como gas electrnico, formado por
electrones libres de la capa atmica externa compartidos por todos los tomos del metal y
que definen la mayora de sus propiedades.
Estructura Cristalina
La Fsica del estado slido constituye una parte importante de la Fsica cuntica. Con su
ayuda podemos comprender las propiedades mecnicas, trmicas, elctrico-magnticas y
pticas propias de los slidos.
La existencia de la materia en un estado u otro depende de las condiciones de presin y
temperatura en las que se formaron. De la misma forma, estos parmetros condicionan la
formacin de la estructura interna del slido.
Cada elemento tiene sus propias curvas de cambio de fase, de manera que dependiendo del
elemento se necesitarn unas condiciones u otras para la formacin del slido o para
realizar cualquier otro cambio de fase. Dependiendo del alcance del orden espacial de la
estructura interna en la materia y su distribucin en la misma podemos distinguir entre:
- Mono cristal: Presenta una fuerte interaccin entre sus componentes los cuales
describen una mnima oscilacin con poca energa potencial. Las partculas estn
dispuestas de acuerdo a un orden en el espacio que est determinado de acuerdo con
una red estructural formada por la "recreacin" geomtrica de la celdilla unidad en
toda la estructura del slido. Presentan lo que se conoce como Anisotropa.
- Poli cristal: Est compuesto por diversas regiones en las que individualmente se
recrea un mono cristal aunque las disposiciones de cada una de estas regiones no
son simtricas entre s. Presenta lo que se llama Isotropa estadstica.
- Amorfos: No presentan una estructura o distribucin en el espacio, lo cual los
determina como una estructura espacial tridimensional no definida. No se trata de
una estructura cristalina.


Formas y propiedades del cristal
En rigor, esta clasificacin slo es aplicable a sustancias puras.
Pues bien, en los cristales, los tomos, los iones o las molculas se empaquetan dando
lugar a motivos que se repiten desde cada 5 Angstrom hasta las centenas de Angstrom (1
Angstrom = 10
-8
cm), y a esa repetitividad, en tres dimensiones, la denominamos red
cristalina. El conjunto que se repite, por traslacin ordenada, genera toda la red (todo
el cristal) y lo denominamos celdilla elemental o unidad.
Pero hay ocasiones en las que la repetitividad se rompe, no es exacta, y precisamente esa
caracterstica es lo que diferencia a los cristales de los vidrios o en general de los llamados
materiales amorfos (desordenados o poco ordenados).
En un modelo de slido en el que los tomos estn conectados entre s mediante una
especie de "muelles" (los cuales representaran la energa potencial que los une), la energa
interna del slido se compone de energa potencial elstica y energa cintica de sus
tomos. La presin es una medida del grado de compresin de sus tomos y la temperatura
una medida de la energa cintica interna del conjunto de los mismos. Esto nos permite
determinar que de acuerdo con las caractersticas externas del medio en que se encuentre,
permitirn al elemento en cuestin poder adoptar un estado u otro e incluso formar o no una
estructura cristalina. Sin embargo la formacin de una estructura cristalina no es un proceso
fijo en un mismo elemento, ya que incluso tratndose as las condiciones de formacin del
slido podran determinar dos estructuras cristalinas diferentes para un mismo elemento, la
cul otorga las propiedades tanto fsicas y elctricas como pticas al nuevo slido formado.
Por ejemplo, el carbono puede cristalizar en grafito en determinadas condiciones y en otras
cristaliza en el diamante, sin duda las caractersticas de uno frente a otro difieren bastante
para tratarse en ambos casos de carbono cristalizado.


Este proceso no slo es dependiente de la presin y la temperatura en s mismos, sino
tambin del tiempo aplicado en cada uno de dichos factores. De esta forma se sabe que la
formacin de cristales requiere un calentamiento del material a alta temperatura,
aproximadamente 200C, lo que se conoce como temperatura de cristalizacin, a partir
de la cual el elemento se funde para posteriormente, despus de un tiempo lo
suficientemente largo, cristalice. Al aadir temperatura al material, realmente le estamos
damos energa, permitiendo que las partculas que lo componen oscilen a mayor velocidad
con una mayor energa trmica, logrando que se funda (cambie al estado lquido). Luego
mediante un enfriamiento lento conseguimos dar tiempo a las partculas que, de forma
natural, tienden a retomar una forma geomtrica y ordenada en la red interna consiguiendo
as que se forme un cristal.
De igual forma, si repetimos el proceso pero aplicando un tiempo de enfriamiento
demasiado corto impedimos que las partculas pueda "re-colocarse" en una red cristalina
homognea haciendo as que la solidificacin de lugar a un amorfo.
El poli cristal es el caso ms tpico de los que puedan encontrarse en la naturaleza, ya que
un mono cristal es un caso que rara vez se da. Un cristal posee diferentes zonas que no
pueden homogeneizarse entre si, pero se puede hacer que sean como mono cristales
individuales en cada una de sus regiones.
Siguiendo el ejemplo del carbono, la cualidad de que un mismo elemento pueda cristalizar
en diferentes formas nos lleva al hecho de que es la red cristalina que forman la que
determina sus propiedades. En la naturaleza existen 14 tipos de redes cristalinas (otras ms
complejas son combinaciones de estas ms simples) que son conocidas como Redes de
Bravais.
Estas redes son organizaciones geomtricas tridimensionales en el espacio caractersticas de
las partculas del slido. As pueden estudiarse las distribuciones en la red de los elementos.
Por ejemplo: El fsforo(P) cristaliza en una estructura cbica, el hierro (Fe) en una bcc
("Body Center Cubic") y la plata (Ag) en una fcc ("Face Center Cubic"). Otros cristalizan
en redes compuestas como por ejemplo los elementos del grupo IV(C, Si, Ge...) o del III de
la tabla peridica que lo hacen en una estructura de tipo diamante, que es la combinacin
de dos redes fcc con una distancia interatmica de 1/4 de la diagonal.


Representacin de una celdilla en la disposicin geomtrica de sus partculas
Segn cada una de estas distribuciones, cada una de las partculas situadas en los nodos de
la estructura, contribuye en una parte a la formacin del nmero de tomos contenido en su
interior.
Estructuras peridicas
Un slido cristalino se distingue por el hecho de que sus tomos forman un cristal que
estn arreglados en forma peridica. Esto es, hay algunos arreglos bsicos que se repiten a
travs de todo el slido. A un patrn completo se le llama cristal. As el cristal aparece
exactamente el mismo en un punto como en otros puntos equivalentes, de esta manera se
descubre la periodicidad bsica o patrn. Sin embargo no todos los slidos son cristales
(Fig. ); Algunos no tienen estructura peridica (slidos amorfos) y otros estn compuestos
de muchas pequeas regiones de formas cristalinas en el material (slidos poli cristalinos).


Cristalinas Amorfas Poli cristalinas
El arreglo peridico de tomos en un cristal se llama red cristalina. Las redes
cristalinas determinan no solamente las propiedades mecnicas del cristal sino que tambin
las propiedades elctricas
La red de diamante.
Los semiconductores como el silicio y el germanio tienen una estructura cristalina cubica
centrada en las caras, pero con una disposicin especial ya que se forma de dos estructuras
cubicas centradas en las caras, estando una de estas desplazada, con respecto a la otra, a lo
largo de la diagonal del cubo en una distancia igual a la cuarta parte de su longitud, la cual
se denomina estructura de diamante.


Pero nosotros veremos dos materiales muy importantes en la electrnica que son el silicio
y el germanio son los dos semiconductores mas utilizados en esta rea mas el primero que
el segundo

El carbono, el silicio y el germanio, elementos del grupo IVa de la tabla peridica, pueden
formar estructuras cristalinas en las que los tomos comparten los 4 electrones de valencia
con 4 tomos vecinos. A travs de estos enlaces covalentes cada tomo completa los 8
electrones de su ltimo nivel. Estos cristales son aislantes perfectos a 0K, pues todos los
electrones estn fuertemente atrapados en los enlaces covalentes de la estructura. El silicio
cristaliza en fase cbica, con los tomos dispuestos en las caras, aunque es posible
identificar un patrn tetradrico ms pequeo. Por simplicidad se suele utilizar una
representacin plana de la estructura.





Crecimiento de cristales en Semiconductores

El trmino epitaxia (del griego epi, sobre, taxis, orden) apareci por primera vez hace
aproximadamente 50 aos. Este trmino se refiere a un proceso de crecimiento orientado de
una pelcula sobre un substrato, que puede ser del mismo material que la pelcula
(homoepitaxia) o bien de un material diferente (heteroepitaxia). A los procesos de
cristalizacin de pelculas sobre la superficie de un substrato se les llama, en forma
genrica, mtodos de crecimiento epitaxial de cristales.

El progreso de la tecnologa de los dispositivos de estado slido desde la invencin del
transistores 1948 ha dependido no solamente del desarrollo de los conceptos de dispositivos
sino tambin del desarrollo o mejoramiento de los materiales. Por ejemplo, el hecho de que
los circuitos integrados se puedan construir hoy es el resultado de un desarrollo
considerable en el crecimiento de purezas, el cristal elemental del Si al inicio y a mediados
de 1950. Los requerimientos del grado de crecimiento de los cristales semiconductores
fueron ms notorios que para cualquier otro material.
En la tecnologa actual de crecimiento de hetero estructuras lser las tcnicas de
crecimiento epitaxial son utilizadas de manera extensiva. Estas tcnicas ocupan un lugar
muy importante en la tecnologa de semiconductores relacionada con el diseo de circuitos
integrados, as como de dispositivos semiconductores entre los que se cuentan
fotodetectores, fotodiodos y transistores de alta frecuencia. Dependiendo de la forma de
transportar el material a crecer desde la fuente hasta el substrato, todos los procesos
epitaxiales se dividen en tres tipos: (a) epitaxia por fase lquida, (b) epitaxia por fase
gaseosa, (c) epitaxia por haces moleculares

Epitaxia por fase lquida (LPE)
En el mtodo epitaxial por fase lquida la cristalizacin de las capas crecidas tiene lugar a
partir de una solucin saturada con un material semiconductor, en la que se utiliza un
solvente previamente escogido. Para el crecimiento de capas epitaxiales semiconductoras
de los grupos III-V y las soluciones slidas que se obtienen es muy cmodo utilizar en
calidad de solvente el Ga y el In. Estos elementos tienen temperaturas de fusin bajas, y
adems entran en la composicin de las pelculas crecidas, por lo que la necesidad de
introducir dopantes se reduce al mnimo. Tanto el Ga como el In tienen presin de vapor
muy baja en el intervalo de temperatura que generalmente es utilizado en el proceso de
crecimiento por el mtodo de fase lquida. Adems, estos dos elementos se pueden obtener
muy puros y a las temperaturas usuales de crecimiento ni el Ga ni el In interaccionan con el
grafito, material del cual estn hechos generalmente los contenedores de las fases lquidas.

El mtodo epitaxial por fase lquida fue utilizado por primera vez por H. Nelson para el
crecimiento de uniones p-n en base al GaAs (1963). Analicemos primeramente el proceso
de crecimiento epitaxial por fase lquida tal y como lo describi Nelson. Para el crecimiento
de una capa de GaAs es necesario en primer lugar preparar una solucin saturada de As en
Ga. La manera ms sencilla de preparar tal solucin es la de poner en contacto a una
determinada temperatura Ga fundido y un cristal de GaAs. El cristal de GaAs puede ser
tomado en una cantidad mayor que la que se necesita, ya que a la solucin slo pasar la
cantidad de tomos de As que corresponda a la solubilidad de ste en el Ga a una
temperatura dada. A propsito, es importante sealar que el nmero de tomos disueltos de
As corresponde exactamente el nmero de molculas de GaAs que pasan a formar parte de
la fase lquida. Posteriormente se pone en contacto esta solucin con el substrato. Nelson
dispuso el substrato y la solucin en diferentes partes del contenedor de grafito como se
muestra en la figura 1. Este contenedor de grafito se introduce en un reactor de cuarzo a
travs del cual se hace circular hidrgeno purificado. La utilizacin del hidrgeno permite
eliminar las pelculas de xido que casi siempre estn presentes en la superficie del material
que se utiliza como solvente (en nuestro caso el Ga), as como sobre la superficie del
substrato y del material utilizado para saturar la fase lquida. La existencia de estas
pelculas de xido no permite que haya un buen contacto entre el substrato y la solucin, o
como se dice, no se moja el substrato por la fase lquida.








El reactor se localiza dentro de un horno, con ayuda del cual se calienta la solucin hasta la
temperatura deseada. Al alcanzar la temperatura necesaria, el horno se inclina y la fase
lquida cubre el substrato. Despus, la temperatura comienza a bajarse y, como
consecuencia de esto, crece una capa epitaxial sobre la superficie del substrato. El proceso
de crecimiento termina o se interrumpe en el momento en que el horno regresa a su
posicin inicial y la fase lquida se retira de la superficie del substrato El diseo
anteriormente descrito serva para realizar crecimientos epitaxiales de un sola capa. Para la
obtencin de estructuras ms complicadas que contengan varias capas con diferentes
composiciones, en la actualidad se utiliza un montaje de LPE (Liquid Phase Epitaxy, por
sus siglas en ingls) que contiene un bote de grafito de tipo panal, como se ilustra en la
fig. 2, y naturalmente que para crecer estas pelculas epitaxiales de diferentes materiales es
necesario conocer sus diagramas de fase, segn sea el caso, ya sean soluciones slidas
ternarias o cuaternarias.

Cabe sealar que la epitaxia por fase lquida, desde el punto de vista tcnico, es bastante
sencillo y por esto es posible realizar el montaje experimental en condiciones normales de
laboratorio. Precisamente, la tcnica de crecimiento por fase lquida revolucion las
posibilidades de la poca para mejorar los parmetros de dispositivos ya existentes y crear
otros nuevos en base a heteroestructuras de capas mltiples, como es el caso de los
heterolseres.

Epitaxia por fase gaseosa
(MOCVD)
A este mtodo tambin se le conoce con el nombre de mtodo de reacciones por
transportacin qumica. Una gran cantidad de las ms diversas reacciones qumicas son
reversibles. Esto es, que si ocurre una reaccin entre las substancias A y B formando un
compuesto AB, entonces tambin puede tener lugar el proceso inverso, es decir, la
descomposicin de este compuesto en sus componentes originales A y B. Tal reaccin
reversible se escribe de la siguiente manera:



La reaccin indicada con la flecha de izquierda a derecha se llama directa. La reaccin que
va de derecha a izquierda recibe el nombre de inversa. Si las reacciones directa e inversa
ocurren a una misma velocidad, entonces en el sistema se alcanza un estado de equilibrio
qumico. En este estado la relacin de concentraciones de los componentes que participan
en el proceso es constante. Los parmetros fundamentales que inciden en el equilibrio
qumico son la temperatura, la presin y la concentracin. Supongamos que aumentamos la
concentracin de las substancias inciales A y B en el sistema qumico en equilibrio
descrito arriba. Entonces, la velocidad con que se forma el producto AB tambin aumenta,
por consiguiente el equilibrio ocurre de izquierda a derecha. Ahora bien, imaginemos que la
descomposicin del producto AB en el sistema por nosotros considerado, es decir, la
reaccin inversa, tiene lugar con absorcin de calor; a tal reaccin se le llama endotrmica.
En este caso el aumento de la temperatura del sistema desplaza su equilibrio hacia la
formacin de las substancias originales, es decir, de derecha a izquierda. De la misma
manera, el aumento de la presin en el sistema desplaza el equilibrio hacia las substancias
que se forman cuando se reduce la distancia entre las molculas de la fase gaseosa. De aqu
se desprende que, cambiando los parmetros externos de un sistema qumicamente en
equilibrio, se puede desplazar el equilibrio de ste ya sea hacia la formacin del producto
de la reaccin o bien hacia la formacin de las substancias originales. Casi todas las
reacciones qumicas se pueden clasificar por su fase. Si todos sus componentes se
encuentran en una sola fase, entonces estas reacciones se llaman homogneas. Si por el
contrario los componentes de la reaccin se encuentran en diferentes fases, entonces stas
reciben el nombre de heterogneas.
Supongamos que en una reaccin heterognea el componente A se encuentra en la fase
slida y el B en la gaseosa, entonces el producto de su interaccin ser unan substancia
gaseosa. Si las velocidades de las reacciones directa e inversa alcanzan sus mximos
valores a diferentes temperaturas, esto se puede representar de la siguiente manera:


Si la diferencia entre las temperaturas T1 y T2 no es muy grande, lo que en la realidad es
frecuente, entonces en el sistema analizado es bastante sencillo obtener un transporte
qumico. La ilustracin de tal proceso se muestra en la figura 3. En este dibujo, en la regin
de la fuente se encuentra el componente slido A por el cual se hace pasar un flujo del
componente B. Debido a que en la regin de la fuente se mantiene una temperatura T1
entre A y B ocurre una reaccin directa con la formacin de un producto gaseoso AB.
Despus de desplazarse a la regin de condensacin donde la temperatura ya es T2, este
producto se disocia para formar sus componentes originales. Las reacciones qumicas de
transporte son procesos heterogneos reversibles con la participacin de una fase gaseosa
que conduce a la formacin de un producto gaseoso intermedio; con su ayuda se puede
realizar el transporte de una substancia entre dos regiones reactivas.


Naturalmente que la substancia A puede contener diferentes impurezas. Es frecuente que el
producto gaseoso de la reaccin se evapore con ms facilidad que los compuestos de
impurezas contenidos en el componente slido A. De esta manera, como resultado de la
realizacin de una reaccin qumica de transporte, en la regin de condensacin va a
depositarse el componente A ms limpio que como se encontraba en la regin de la fuente
B. En otras palabras, con ayuda de tales reacciones qumicas de transporte es factible llevar
a cabo limpieza de materiales. Si durante el proceso de transporte en una reaccin qumica
se introduce un substrato en la zona de condensacin, entonces el componente transportado
A va a depositarse parcialmente en este substrato. Las partculas de A, adsorbidas por la
superficie del substrato, pueden alinearse de tal manera que comiencen a crear escaloncitos
que a su vez generen un crecimiento del cristal por capas

Con frecuencia en los procesos reales para realizar este tipo de transporte heterogneo se
utiliza un gas inerte que en su flujo lleva a los componentes de la anterior reaccin. Para el
crecimiento de pelculas epitaxiales en base a los compuestos III-V se utilizan algunas
modificaciones del proceso de cristalizacin. Este proceso se ilustra en la figura 4; como se
ve aqu existen dos regiones bien definidas, una donde se encuentra el proveedor a
temperatura ms elevada (800-850 C) y otra donde tiene lugar la deposicin a una
temperatura menor (700 750 C). En la regin proveedora se tiene el Ga fundido y en la
receptora el substrato
El proceso es ms fcil de reproducir cuando entre las costras y el flujo de gas se establece
un equilibrio dinmico. En el caso contrario la relacin del Ga y el As en el flujo es
inestable.




Figura 4. Mtodo clorhdrico de transporte

Sin embargo, hoy en da tanto en los laboratorios de investigacin como en la industria lo
que se utiliza ms ampliamente es la epitaxia por gas llamada deposicin por vapor de
compuestos metal orgnicos (MOCVD por sus siglas en ingls). El mtodo se basa en la
descomposicin trmica o pirolisis, es decir, en un proceso de reacciones qumicas
irreversibles.
En esta tecnologa lo esencial es el control preciso de la velocidad y composicin del flujo
que se realiza con ayuda de una computadora. En la actualidad la epitaxia por fase gaseosa
que utiliza CMO es uno de los principales mtodos de crecimiento de cristales que se
aplican en la tecnologa de materiales y dispositivos
Semiconductores.

Epitaxia por haces moleculares
(MBE)

En principio, esta epitaxia (MBE, por sus siglas en ingls) es el resultado del
perfeccionamiento de un antiguo mtodo que ampliamente se utiliza para el depsito de
pelculas metlicas; nos referimos a la evaporacin de metales en el vaco. Sin embargo, es
importante sealar que las pelculas metlicas se pueden obtener con relativa facilidad por
evaporacin en un vaco de 10-5-10-7 mm Hg. Los primeros intentos en obtener pelculas
epitaxiales de materiales semiconductores mostraron que, a diferencia de los metales, es
necesario tener un vaco ms elevado. Por esta razn, la utilizacin de la MBE comenz a
principio de los aos 70 con la aparicin de equipo capaz de obtener alto vaco. De esta
manera, el montaje experimental del MBE debe contar en primer lugar con bombas que
puedan asegurar un alto vaco del orden de 10-10 mm Hg en la cmara de crecimiento
(figura 7). Para producir haces moleculares de Al, In, y Ga se utilizan como fuente estos
mismos metales, pero libres de impurezas. Los haces moleculares de los elementos del
grupo V en los primeros equipos de MBE frecuentemente se obtenan evaporando los
respectivos compuestos binarios del sistema III-V (por ejemplo GaAs, InP).


El proceso de crecimiento del cristal en bastante medida depende de la temperatura del
substrato, de aqu que ste sea uno de los parmetros tecnolgicos ms importantes en la
epitaxia por haces moleculares que debe controlarse con mucha exactitud. La velocidad
tpica de crecimiento por MBE es del orden de una capa atmica por segundo; en el caso
del GaAs, una capa de 1 micra tardara 1 hora en crecer. Por otro lado, en los modernos
equipos de MBE se utilizan en calidad de materiales-fuente compuestos metal orgnicos
gaseosos anlogos a los utilizados en MOCVD. Estos compuestos pueden mezclarse en las
proporciones requeridas e introducirse a las celdas donde a altas temperaturas tiene lugar la
disociacin de los materiales. Esta variante del MBE, que recibe el nombre de epitaxia por
haces moleculares con fuente gaseosa, es de hecho la unin de dos tecnologas epitaxiales:
la de MBE y de MOCVD. Esta versin permite hacer el cambio de los cilindros que
contienen los materiales que sirven como fuentes de emisin sin necesidad de abrir la
cmara de crecimiento y por lo tanto sta puede permanecer con alto vaco un tiempo ms
prolongado.

CONCLUSION DE LAS EPITAXIAS POR DIFERENTES MEDIOS

Las tres tecnologas analizadas (epitaxia por fase lquida, por fase gaseosa y por haces
moleculares) se utilizan para fabricar lseres semiconductores, as como otros tipos de
dispositivos. De estas tres tecnologas la primera que se utiliz en la obtencin de
materiales semiconductores fue la epitaxia por fase gaseosa. Con ayuda de este mtodo, a
principios de los aos 60 se crecieron pelculas de GaAs y InP, as como soluciones slidas
GaAs1-yPy. Despus de algunos aos se lleg a la conclusin que para obtener
heterolseres era necesario utilizar soluciones slidas AlGa1-yAs, ya que en este sistema se
pueden disear heterouniones ideales. Mediante el proceso de transporte gaseoso del cloro,
como ya se seal, no es posible crecer pelculas que contengan Al por la alta actividad
qumica de este elemento. Aun as, a finales de los aos 60 se realizaron con xito los
primeros crecimientos de la solucin slida AlxGa1-xAs por el mtodo de epitaxia por fase
lquida y posteriormente LPE lleg a ser la principal tecnologa epitaxial de crecimiento de
las diferentes heteroestructuras del sistema AlA-GaAs.

Finalmente, las tecnologas de crecimiento epitaxial aqu descritas tienen cada una de ellas
sus ventajas y desventajas, y en opinin de los autores stas continuarn perfeccionndose y
aplicndose para el crecimiento de las ms diversas estructuras.


1.2 Materiales Semiconductores
El termino semiconductor revela por si mismo una idea de sus caractersticas. El prefijo
semi suele aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos lmites.

El trmino conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga,
cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs de sus terminales.

Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presin de
una fuente de voltaje aplicada.

Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre
algn punto entre los extremos de un aislante y un conductor.
Un semiconductor es un elemento con valencia 4, lo que quiere decir que un tomo aislado
de semiconductor tiene 4 electrones en su rbita exterior o de valencia. El nmero de
electrones en la rbita de valencia es clave para la conductividad elctrica. Los conductores
poseen un electrn de valencia, los semiconductores tienen 4 y los aislantes 8 electrones de
valencia.

Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a
medida que se eleva la temperatura o bien por la adiccin de determinadas impurezas
resulta posible su conduccin. Su importancia en electrnica es inmensa en la fabricacin
de transistores, circuitos integrados, etc.
Germanio
El germanio es un ejemplo de semiconductor. En el centro se halla un ncleo con 32
protones. En este caso los electrones se distribuyen como sigue: 2 electrones en la primera
rbita, 8 en la segunda y 18 en la tercera. Los ltimos 4 electrones se localizan en la rbita
exterior o de valencia.

Fig. Estructura del Silicio Fig. Aspecto fsico
El material semiconductor ms ampliamente utilizado es el silicio. Un tomo aislado de
silicio tiene 14 protones y 14 electrones. Como puede apreciarse en la figura de la
izquierda, la primera rbita contiene 2 electrones, y la segunda contiene 8. Los cuatro
electrones restantes se hallan en la rbita exterior.


Fig. Estructura del Germanio Fig. Aspecto fsico



Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en rbita exterior de valencia.
Los conductores tienen 1 electrn de valencia y los aislantes 8 electrones de valencia.
Los 2 semiconductores que veremos sern el Silicio y el Germanio:

Como vemos los semiconductores se caracterizan por tener una parte interna con carga + 4
y 4 electrones de valencia.
Electrones y huecos. Generacin y recombinacin
A temperatura ambiente algunos electrones adquieren suficiente energa para liberarse de
los enlaces. Cuando esto ocurre queda un electrn libre que puede moverse por la red
cristalina, y un hueco (electrn ausente en el enlace covalente) que tambin se desplaza.
El movimiento del hueco es en realidad el paso de electrones de enlaces covalentes
adyacentes, pero se interpreta como el movimiento de una partcula ficticia de carga
elctrica positiva. El movimiento de ambos tipos de partculas ser aleatorio a travs de la
estructura cristalina.


Figura 2: Movimiento de electrones y huecos en el semiconductor

Cuando un electrn libre y un hueco coinciden en un tomo, se produce la recombinacin:
el electrn libre vuelve al enlace, desapareciendo ambos portadores (electrn libre y
hueco).
La velocidad con que se generan pares electrn-hueco crece con la temperatura, pues a
mayor energa media aumenta la probabilidad de que se rompa un enlace. Haciendo una
aproximacin lineal podemos escribir

Generacin trmica G=KG. T [1]
T=temperatura en
K [portadores/(K.segundo)]

La velocidad de recombinacin es a su vez proporcional a la concentracin de electrones ni
y a la concentracin de huecos pi, pues a mayor concentracin de uno u otro tipo aumenta
la probabilidad de que se encuentren. El subndice i hace referencia a que estamos
analizando el Silicio intrnseco, que equivale a decir Silicio puro, en contraposicin al
impurificado que veremos ms adelante.

Recombinacin R = KR.ni.p i [2]
con KR constante de proporcionalidad [portadores/(K.segundo)]


A cierta temperatura, se producirn KG. T y desaparecern KR.ni.p electrones y huecos por
segundo.

Las concentraciones ni y pi crecern hasta que generacin y recombinacin se equilibren es
decir:

En el equilibrio G = R KG.T=KR.ni.pi [3]

A temperatura ambiente la concentracin relativa de huecos y de electrones en el Silicio es
del orden de 10
-12
(10
-9
en el Germanio) y aproximadamente se duplica cada 10C.
ni = pi=10
-9

[4]

As a temperatura ambiente el silicio intrnseco conduce dbilmente, debido a estos
portadores libre


Material
n

cm
2
.V
-
1
.s
-1


p

cm
2
.V
-
1
.s
-1


.cm
Constant
e de red
x 10
-10
m

r
Densida
d (g.cm
-
3
)
Temp.
fusin
C
B.
prohibid
a
(eV)
Si 1350 480
2.5x10
5

5.43 11.8 2.33 1415 1.11
Ge 3900 1900 43 5.66 16 5.32 936 0.67


CONDUCTIVIDAD EN LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES









Cristales de silicio
Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando una
estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las
uniones entre tomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se
crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los tomos de Silicio.
Vamos a representar un cristal de silicio de la siguiente forma:



Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los tomos vecinos, de tal
manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como se ve en la figura.

La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que quedan
(aunque sean compartidos) con cada tomo, gracias a esta caracterstica los enlaces
covalentes son de una gran solidez.

Los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar fuertemente unidos en
los tomos.




El aumento de la temperatura hace que los tomos en un cristal de silicio vibren dentro de
l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que un electrn se puede liberar de
su rbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraer otro electrn, etc.



A 0 K, todos los electrones son ligados. A 300 K o ms, aparecen electrones libres

Esta unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo entre la
creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida".

Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto es una generacin de pares
electrn libre-hueco.



Segn un convenio ampliamente aceptado tomaremos la direccin de la corriente como
contraria a la direccin de los electrones libres.
.
1.3 Modelo de Enlace Covalente Semiconductores

Enlace
Se define como la fuerza de unin que existe entre dos tomos, cualquiera que sea su
naturaleza, debido a la transferencia total o parcial de electrones para adquirir ambos la
configuracin electrnica estable correspondiente a los gases inerte; es decir, el enlace es
el proceso por el cual se unen tomos iguales o diferentes para adquirir la configuracin
electrnica estable de los gases inertes y formar molculas estables.

Enlace covalente.
Enlace covalente es el enlace en el que dos tomos comparten dos electrones. Los enlaces
covalentes se forma cuando dos tomos comparten uno o ms pares de electrones.
Los tomos pueden formar distintos enlaces covalentes: En un enlace sencillo, dos tomos
se unen por medio de un par de electrones. En muchos compuestos se formar enlaces
mltiples, es decir, enlaces formados cuando dos tomos comparten dos o ms pares de
electrones. Si dos tomos comparten dos pares de electrones, el enlace covalente se
denomina enlace doble. Un triple enlace surge cuando dos tomos comparten tres pares de
electrones.
El enlace covalente se representa con una lnea recta que une a los 2 tomos, por ejemplo:
En otro tipo de elementos el proceso de ionizacin es ms costoso energticamente, pero
las posibilidades de que se alcancen estructuras de enlace estables entre ellos o con otros
materiales son asimismo altas si la energa del conjunto de tomos enlazados es menor que
la de los mismos aislados, sin que llegue a existir una ionizacin. Esto ocurre debido a que
dichos elementos pueden compartir electrones en sus ltimos orbitales ocupados, de modo
que cuando un tomo tenga sus ltimos orbitales llenos con electrones de otro vecino,
resulte una estructura electrnica similar a la del gas noble siguiente en la tabla peridica.
Los electrones compartidos dentro de un mismo orbital debern tener spines opuestos. Se
genera de esta forma un tipo de enlace muy estable, denominado enlace covalente, en el
que las fuerzas de ligadura estn vinculadas a la interaccin electromagntica y cuntica
entre los electrones compartidos y cada uno de los ncleos.

Caractersticas de un enlace covalente.

Es muy fuerte y se rompe con dificultad.
Si la diferencia de electronegatividades entre los 2 tomos es marcada, tenemos un
enlace polar y se favorecer la solubilidad de la substancia en solventes polares.
Si la diferencia de electronegatividades es poca, tenemos un enlace no polar y se
favorecer la solubilidad de la substancia en solventes no polares.

Existen varios tipos de enlace covalente de los cuales tenemos 3:
Polar
No polar
Coordinado


En un enlace covalente polar:
los pares electrnicos estn compartidos desigualmente.
tiene algn grado de polaridad ya que los tomos no son tomos idnticos y por lo
tanto no atraen igualmente a los electrones.
La distribucin asimtrica de la densidad electrnica est distorsionada en la
direccin del tomo ms electronegativo.
Este tipo de enlaces se cumple en algunas molculas diatmicas heteronucleares, ya que
contiene dos clases de tomo.


En un enlace covalente no polar:

Los electrones compartidos estn igualmente atrados por ambos ncleos de y por
tanto pasan iguales tiempos cerca de cada ncleo.
La densidad electrnica es simtrica con respecto a un plano perpendicular a la lnea
entre los dos ncleos.
Esto es cierto para todas las molculas diatmicas homonucleares, tales como H2,
O2, N2, F2 Y Cl2, porque los dos tomos idnticos tienen electronegatividades idnticas.
Por lo que podemos decir: los enlaces covalentes en todas las molculas diatmicas
homonucleares deben ser no polares.
Enlaces covalentes no polares


Enlace covalente coordinado.

En este tipo enlace tambin se combinan los orbitales de las capas de valencia de ambos
tomos para formar uno solo que contiene a los 2 electrones; la diferencia con los enlaces
anterior es que slo uno de los tomos aporta los 2 electrones y queda con carga positiva.
El enlace covalente coordinado se representa con una flecha que sale del tomo que cedi
el par de electrones:
N H
Enlace covalente coordinado



Entonces podemos decir que el enlace covalente:
Se debe a la comparticin de electrones, que experimentan atracciones de
aproximadamente la misma magnitud, entre 2 o mas tomos, la que provoca una rebaja de
energa y por lo tanto el sistema resultante es mas estable, que los tomos por separado

1.4 Materiales Intrinsecos Materiales Extrinsecos

Bueno como ya vimos en el tema pasado los semiconductores son materiales cuya
conductividad vara con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores o como
aislantes. Existen dos tipos de semiconductores los intrnsecos y los extrnsecos.

Semiconductor intrnseco.
Los materiales intrnsecos son aquellos semiconductores que han sido cuidadosamente
refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan puro como se
puede obtener a travs de la tecnologa moderna.

Tambin puede decirse que es el material cuya caracterstica principal es tener una
configuracin estable, es decir todos los tomos que forman el cristal de germanio o silicio
comparten sus electrones por medio de enlaces covalentes cumpliendo la ley del octeto y
as conservando su estabilidad.
Los Semiconductores Intrnsecos son aquellos materiales que presentan una conductividad
nula a bajas temperaturas, pero que pueden ser dbilmente conductores a temperatura
ambiente, debido a que la anchura de la Banda Prohibida no es elevada, y por lo tanto, la
agitacin trmica proyecta algunos electrones desde la Banda de Valencia a la de
Conduccin, lo que hace que la resistividad del material, con ser alta no sea infinita.
Algunos de los semiconductores intrnsecos, o en estado de mxima pureza ms conocidos
son el Silicio (Si), el Germanio (Ge), o el Arseniuro de Galio (AsGa).
La Tabla 2 muestra la anchura de la Banda Prohibida para los mismos.
En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la
corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se
producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones
libres como huecos con lo que la corriente total es cero.
La tensin aplicada en la figura forzar a los electrones libres a circular hacia la derecha
(del terminal negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la izquierda.
Entonces como vimos son aislantes prcticamente en condiciones normales o ambiente
entonces podemos preguntarnos
QUE HAY QUE HACER PARA QUE UN CRISTAL DE Ge Y EL Si INTRINSECO
CONDUZCA CORRIENTE ELECTRICA, O SEMICONDUZCA?
Hay tres formas:
1. Mantener o dejar a un cristal de Ge o Si, intrnseco a la temperatura ambiente normal
que seria de unos 22 grados C. Aunque su conduccin va a ser muy dbil que
prcticamente seria cero y seria un aislante ya que si se le incrementa la temperatura seria
un mejor conductor
Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento
sustancial en el numero de electrones libres en el material. Para el Si a temperatura
ambiente existen aproximadamente 1.5 x 10
13
portadores libres en un cm
3
de material
intrinseco de Si. Para el Ge aproximadamente 2.5 x 10
13
potadores libres por cm
3
de
germanio intrinseco.
2. Exponindolo a la energa lumnica esto es iluminar al cristal de Ge o Si, puro.
Se dice qu los materiales semiconductores como el Ge y el Si, que muestran una reduccion
de resistencia con el incremento de la tgemperatura, tienen un coeficiente de temperatura
negativo.
3. Agregndole impurezas ( sea mezclando con otros materiales)
Entonces para el caso numero tres tenemos el Dopado de un semiconductor
Caso 1
Impurezas de valencia 5 (Arsnico, Antimonio, Fsforo). Tenemos un cristal de Silicio
dopado con tomos de valencia 5.


Los tomos de valencia 5 tienen un electrn de ms, as con una temperatura no muy
elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5 electrn se hace electrn libre. Esto es,
como solo se pueden tener 8 electrones en la rbita de valencia, el tomo pentavalente
suelta un electrn que ser libre.
Siguen dndose las reacciones anteriores. Si metemos 1000 tomos de impurezas
tendremos 1000 electrones ms los que se hagan libres por generacin trmica (muy
pocos).
A estas impurezas se les llama "Impurezas Donadoras". El nmero de electrones libres se
llama n (electrones libres/m3).




Caso 2
Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con
tomos de valencia 3.





Los tomos de valencia 3 tienen un electrn de menos, entonces como nos falta un electrn
tenemos un hueco. Esto es, ese tomo trivalente tiene 7 electrones en la orbita de valencia.
Al tomo de valencia 3 se le llama "tomo trivalente" o "Aceptor".
A estas impurezas se les llama "Impurezas Aceptoras". Hay tantos huecos como impurezas
de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generacin trmica (muy pocos). El nmero de
huecos se llama p (huecos/m3).


Entonces al agregarle las impurezas este material intrnseco se convierte en un material
extrnseco ya sea tipo p o tipo n dependiendo del dopado que se le de.
Semiconductores extrnsecos.
Los semiconductores extrnsecos, son aquellos en que se ha introducido un elemento
contaminante, llamado impureza, generalmente del grupo III o V de la tabla peridica, que
cambia drsticamente las propiedades de conduccin del material intrnseco, reduciendo
enormemente la resistividad del mismo. La razn para que suceda tal cosa es que si el
material contaminante es del tipo III (Boro: B, Aluminio: Al, Galio: Ga o Indio: In), los
tomos de dicho material, anclados en fallos de tipo ausencia en la red cristalina del
semiconductor intrnseco, completan solamente tres enlaces covalentes, quedando un
enlace covalente incompleto, que puede ser completado por un electrn de un orbital vecino
de un tomo de Si con una pequea aportacin de energa del entorno. Si esto sucede, se
genera una ausencia en el orbital abandonado, que se denomina hueco, y que puede migrar
fcilmente por todo el cristal. As, la consecuencia de impurificar con este tipo de
materiales, llamados aceptadores, es la aparicin de un hueco por cada tomo de impureza
introducido en el cristal. Los huecos pueden conducir la corriente en forma similar a los
electrones, pues manifiestan una movilidad clara ante los campos elctricos, movindose en
sentido del campo. En realidad su movimiento viene definido por los saltos de los
electrones de enlace de un orbital a otro vecino.
Semiconductor tipo n
Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras"(N
d
), que son impurezas
pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n,
reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina
"portadores minoritarios".
Cuando las impurezas aadidas son predominantemente del grupo V-A de la
tabla peridica (fsforo (P), arsnico (As), antimonio (Sb)), el semiconductor se
denomina tipo N y las impurezas se denominan donantes. Los tomos de este
grupo poseen en su ltima capa 5 electrones. As por ejemplo, si un tomo de Si,
por ejemplo, es sustituido por un tomo de As, tras formar los 4 enlaces
covalentes con los 4 tomos de Si vecinos, queda un electrn del tomo de As sin
emparejar y por lo tanto tan dbilmente ligado al tomo de As, que a temperatura
poco por encima del 0 K quedar libre, es decir, ocupando un nivel de la BC.
Como esto ocurrir con cada tomo de impureza de As, en la BC tendremos,
adems de los electrones debidos a la generacin de pares, un electrn por cada
tomo de impureza donante, o sea, que tendremos ms electrones en la BC que
huecos: n > p. As pues, los portadores mayoritarios son los electrones y los
minoritarios son los huecos. En la prctica, en los SC tipo N los electrones de la
BC son en su mayora donados por los tomos de impureza donante, hasta el
punto que se puede suponer que n N
d
, siendo N
d
la densidad de impurezas
donantes (n de tomos de impureza en 1 cm
3
).
Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde
entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batera.



Semiconductor tipo p
Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes.
Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones libres, los huecos son los
portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.

Cuando las impurezas aadidas son predominantemente del grupo III-A de la
tabla peridica (aluminio (Al), galio (Ga), indio (In)), el semiconductor se
denomina tipo P y las impurezas se denominan aceptantes. Los tomos de este
grupo poseen en su ltima capa 3 electrones. As por ejemplo, si un tomo de Si,
es sustituido por un tomo de Ga, tras formar los 4 enlaces covalentes con los 4
tomos de Si vecinos, queda un enlace sin completar. A temperatura poco por
encima del 0 K lo ocupar un electrn de la BV, que dejar un hueco la BV.
Como esto ocurrir con cada tomo de impureza de Ga, en la BV tendremos,
adems de los huecos debidos a la generacin de pares, un hueco por cada
tomo de impureza aceptante, o sea, que tendremos ms huecos en la BV que
electrones en la BC: p>n. As pues, los portadores mayoritarios son los huecos y
los minoritarios son los electrones. En la prctica, en los SC tipo P, los huecos
son en su mayora debidos a los tomos de impureza aceptante, hasta el punto
que se puede suponer que p N
a,
siendo N
a
la densidad de impurezas
aceptantes (n de tomos de impureza por cm
3
). Como hemos dicho la tasa de
generacin de pares, (T), (n de pares electrn-hueco generados por unidad
de tiempo) es nicamente dependiente de la temperatura. El proceso
antagonista, la recombinacin o aniquilacin de pares, es probabilstico y por lo
tanto la tasa de pares electrn-hueco aniquilados por unidad de tiempo, ser
proporcional al producto n.p. Cuando ambos mecanismos estn equilibrados
n.p = (T), con independencia del grado de impurificacin.

El proceso antagonista, la recombinacin o aniquilacin de pares, es
probabilstico y por lo tanto la tasa de pares electrn-hueco aniquilados por
unidad de tiempo, ser proporcional al producto n.p. Cuando ambos mecanismos
estn equilibrados n.p = (T), con independencia del grado de impurificacin.
Por lo tanto, para un SC intrnseco, se verificar que n= (T)
i
2
; y finalmente de
las dos relaciones anteriores se deduce la llamada ley de accin de masas:
n.p = n
i
2

As pues, para un SC tipo N real, se puede considerar que n N
d
y por la p n
i
2
/
N
d
y naturalmente n >> p; igualmente, para un SC tipo P, p N
a
y n n
i
2
/ N
a
y n
<< p.
Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo
hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se
recombinan con los electrones libres del circuito externo.



En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro
del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores
minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.


Generacin de pares electrn-hueco.
Los semiconductores intrnsecos experimentan procesos de rotura de enlaces de forma
espontnea a temperaturas superiores a los 0K cada vez que un electrn de un orbital en la
Banda de Valencia adquiere energa suficiente para saltar a la de Conduccin, segn se
muestra en la Figura 11.



Esta energa puede ser proporcionada por la agitacin trmica de la propia red cristalina, o
por fuentes externas de energa, como la luz, la radiacin ultravioleta, X o gamma. Si esta
rotura de enlaces no es un suceso infrecuente en trminos relativos respecto al nmero de
enlaces total del cristal, y adquiere dimensiones importantes, el cristal comienza a fundir,
por fallar la cohesin de la red que lo integra. La rotura de cada enlace genera un electrn
mvil en la Banda de Conduccin, y correspondientemente un hueco en la Banda de
Valencia. Esta es una diferencia fundamental entre los semiconductores intrnsecos y
extrnsecos. En los primeros los electrones y huecos se generan por pares en modo
continuado, mientras que en los segundos los electrones aparecen de forma inmediata en los
materiales impurificados con elementos donadores, y los huecos lo hacen de la misma
manera en los materiales impurificados con elementos aceptadores.

Recombinacin.
Junto con el proceso de generacin descrito en el sub apartado anterior, se produce as
mismo el fenmeno contrario, cuando un electrn procedente de la Banda de Conduccin
ocupa un estado libre en la Banda de Valencia, liberando la energa en exceso entre una y
otra en forma de un fotn generalmente en el infrarrojo o en el visible. Este hecho supone la
aniquilacin simultnea de un electrn mvil y del correspondiente hueco, y se denomina
Recombinacin.

1.5 Modelo de Bandas de Energa
El comportamiento de los electrones est regido por las leyes de la mecnica cuntica, por
lo tanto:
- Los electrones no pueden tener cualquier nivel de energa: los estados de energa
estn cuantificados. A un conjunto de niveles de energa muy cerca entre s se lo
denomina banda de energa y se la considera continua.
- No todas las bandas se ocupan uniformemente, sino que algunas tienen ms
probabilidades de ser ocupadas que otras, incluso hay bandas totalmente
desocupadas, o sea que la probabilidad de que un electrn tenga ese nivel de energa
es nula o muy cercana a cero.

Modelo simple
El modelo de Drude permita explicar el comportamiento como conductor de algunos
slidos basndose en la aplicacin de la teora cintica a los electrones en un slido. Sin
embargo este modelo era insuficiente a la hora de explicar el comportamiento de otros
materiales que hoy da se conocen como semiconductores. En respuesta al modelo de
Drude surgi el modelo de bandas energticas que, basndose en las distribuciones de los
electrones en sus orbitales a modo de regiones discretas, poda entenderse el
comportamiento de la conductividad en los materiales.
Usualmente, se presenta este esquema basado en el modelo atmico de Bohr y el principio
de exclusin de Pauli.
Supngase una red cristalina formada por tomos de silicio. Cuando los tomos estn
aislados, el orbital s (2 estados con dos electrones) y el orbital p (6 estados con 2 electrones
y cuatro vacantes) tendrn una cierta energa E
s
y E
p
respectivamente (punto A). A medida
que disminuye la distancia interatmica comienza a observarse la interaccin mutua entre
los tomos, hasta que ambos orbitales llegan a formar, por la distorsin creada, un sistema
electrnico nico. En este momento se tienen 8 orbitales hbridos sp con cuatro electrones
y cuatro vacantes (punto B). Si se contina disminuyendo la distancia interatmica hasta la
configuracin del cristal, comienzan a interferir los electrones de las capas internas de los
tomos, formndose bandas de energa (punto Z). Las tres bandas de valores que se pueden
distinguir son:
1. Banda de valencia. 4 estados, con 4 electrones.
2. Banda prohibida. No puede haber electrones con esos valores de energa en el
cristal.
3. Banda de conduccin. 4 estados, sin electrones.


Distribucin probabilstica de los electrones en las bandas
Los electrones no se distribuyen uniformemente en las diferentes bandas, sino que algunas
son ms probables a ser ocupadas que otras. La probabilidad de ocupacin de las bandas
est dada por la estadstica de Fermi-Dirac, y el parmetro ms importante es la energa de
Fermi.
Conductividad elctrica
La conduccin elctrica en un slido se presenta cuando el mismo tiene parcialmente llena
su banda de conduccin. Tambin hay conduccin elctrica cuando la banda de conduccin
est vaca y adems sta se traslapa con la banda de valencia.
La distancia que define la periodicidad de una red cristalina, determina el grado de
interaccin entre los electrones de los orbitales externos (valencia), de modo que las
Bandas de Conduccin y de Valencia pueden adoptar diferentes configuraciones,
dependiendo si quedan separadas por una Banda Prohibida, o si resultan solapadas (como
las diferentes situaciones que la Figura 7 refleja), as como por el grado de ocupacin de los
orbitales contenidos en cada capa. As, si la distancia de cristalizacin se correspondiese
con r1 las Bandas de Conduccin y de Valencia quedaran separadas por una Banda
Prohibida de valor Eg. Si la Banda de Valencia estuviese totalmente llena, y la de
Conduccin totalmente vaca, la situacin resultante quedara reflejada en la Figura 8.a y b.
Estos materiales no son conductores de modo espontneo. Si el valor de Eg supera los 2 eV,
el material tiende a ser aislante, ya que resultar difcil conseguir que algn electrn de la
Banda de Valencia salte a la Banda de Conduccin para que facilite el movimiento de
carga.



Figura 8. Tipos de materiales segn su distribucin de Bandas de Energa. La Banda de
Conduccin corresponde a energas E>Ec, mientras que la banda de valencia corresponde a
E<Ev. La Banda Prohibida se halla establecida para Ev E Ec.

Para el Carbono (C) cristalizado en forma de diamante el vano energtico de Eg es de
unos 5 eV, y en este caso, como la Banda de Conduccin tiene sus estados desocupados, y
la Banda de Valencia tiene los suyos ocupados completamente el material ser fuertemente
Aislante, porque no puede conducir corriente de arrastre (inducida por un campo elctrico
externo). Si la Banda de Conduccin y la Banda de Valencia quedan separadas por
distancias energticas de alrededor de 1 eV, como es el caso del Silicio (Si), algunos estados
en la Banda de Conduccin pueden ser ocupados por electrones que hayan saltado desde la
Banda de Valencia (esto significa que se han salido de su posicin de enlace habitual, o que
han roto el enlace), y en este caso el material ser dbilmente conductor, pero slo a partir
de una cierta temperatura, ya que a 0K el material ser totalmente aislante. A este tipo de
materiales se le denomina Semiconductores. Si la distancia de cristalizacin corresponde al
caso r2 da lugar a un solapamiento de la Banda de Conduccin y la de Valencia, y en este
caso los electrones pueden moverse con total libertad, pues romper un enlace para conducir
requiere muy poca energa, y a temperaturas fuera de los 0K esto sucede de forma natural,
como en la Figura 8.c, y el material es de tipo Conductor. Un caso aadido contempla la
posibilidad de que las Bandas de Conduccin y de Valencia se hallen separadas, pero la
Banda de Conduccin tenga parte de sus estados ocupados, como en la Figura 8.d, de modo
que en tal caso el material sera tambin Conductor de modo espontneo a cualquier
temperatura.
1.6 Distribucion FermiDirac y Distribucion Maxwell
Boltzman

Distribucin de Fermi-Dirac

El problema que nos interesa resolver se formulara de la siguiente manera:
dentro de una banda permitida, por unidad de volumen, y a una temperatura T,
queremos averiguar cuntos electrones tienen energas comprendidas entre E y
E+dE. Supongamos que conocemos la densidad de estados de energa
permitidos, S(E), o sea, el nmero de estados permitidos por unidad de intervalo
energtico. En este caso el nmero de estados para un intervalo de energa
comprendido entre E y E+dE ser:
dS(E) = S(E).dE (8.2)
Supongamos que tambin conociramos la probabilidad de que un nivel de
energa E est ocupado por un electrn a la temperatura T. Esta probabilidad,
ser funcin en general de la energa y de la temperatura. Es la denominada
funcin de Fermi, F(E). Ahora, el nmero de electrones con energas
comprendidas E y E+dE ser:
dn(E) = N(E). F(E).dE (8.3)
En donde N(E) es la densidad de estados
F(E) es la funcin de Fermi Dirac
dn(E) es la concentracin de electrones de conduccin por metro cubico cuya
energa se encuentra entre E +dE
Para obtener el nivel de fermi podemos empezar, supondremos que las bandas de
conduccin y de valencia con sus respectivos portadores electrones y huecos, tienen un
comportamiento simtrico. Ms concretamente supongamos dos intervalos estrechos entre
Ec y Ec+dE en la banda de conduccin y entre Ev y Ev-dE e en la banda de valencia.
En los semiconductores, el nivel de fermi estar forzosamente entre la banda de conduccin
y la banda de valencia.
La funcin de Fermi Dirac F (E) est dada por la relacin:

F(E) = 1/(1+
(E-E
F
)/kT
)


Fig. funcin de Fermi Dirac

En donde:
k= constante de Boltzman, 1.38x10
-23
j/k
T=temperatura en k
E
f
=Energa especifica, nivel Fermi

En donde F(E) es la probabilidad de que un estado cuantico de energa E sea ocupado por
un electron.
Tambien la funcion de probabilidad de fermi dirac recpresenta o especifica la afraccion de
todos los estados de energa E(eV), en electron volt, ocupado bajo condiciones de equilibrio
termico.
F (E) es el nivel de Fermi Dirac o energa caracterstica para el cristal en eV. Representa los
estados de energa con un 50% de probabilidad de ser ocupados o llenados por un electrn
si no existiera la banda prohibida.
Para temperatura ambiente kT = 0.3eV y de esta manera:

F (E) = 0 si E-E
F
>> 0.03
F (E) = si E-E
F <<
0.03
*Ningn electrn puede tener energa ms alta que el nivel de fermi cuando la temperatura
es cero absoluto.
*La probabilidad de un estado de energa este ocupado es de 0.5 cuando la temperatura es
superior a 0k.
A temperatura de cero absoluto (T=0k) no hay agitacin trmica y el nivel de Fermi se
ubica entre la banda de conduccin y la banda de valencia como se indica en la fig. .

Nivel de fermi para T=0K

Pero a temperatura ambiente algunos electrones se excitan a altas energas y algunos
estados cercanos al fondo de la banda de conduccin Ec se llenarn. Simultneamente,
cerca del valor mximo de la banda de valencia Ev, la probabilidad de acupancia es menor
que la unidad ya que algunos electrones han escapado a la banda de conduccin rompiendo
sus enlaces covalentes. Para una temperatura T = 1000 K se tendr una concentracin n
de electrones en la banda de conduccin y una concentracin de huecos p en la banda de
conduccin



Fig. Nivel de Fermi para T=1000 K


Distribucin Maxwell Boltzman

Distribucin de la carga segn la energa: aproximacin de Maxwell-Boltzman.
Un conjunto de partculas cargadas sometidas a un potencial conservativo, como el
generado por el conjunto de iones de la red cristalina a la que dichas partculas se hallan
ligadas (supongmoslas electrones en la banda de conduccin), se comportan como las
partculas de un gas sometidas a un potencial gravitatorio, como sera el caso de las
molculas gaseosas que integran la atmsfera terrestre.
El conjunto de electrones que se mueven por la banda de conduccin, o el de huecos por la
de valencia, muestran un comportamiento similar al de las partculas gaseosas de la
atmsfera bajo ciertas condiciones, ya que por un lado se ven sometidos a la atraccin o
repulsin que sufren los electrones o huecos por parte de la red de iones anclados de los que
se desprendieron, y por otro, los principios de interaccin electromagntica entre unas
partculas y otras les hace repelerse entre s, apareciendo esta interaccin en forma de una
especie de presin del gas de portadores. La distribucin resultante es prcticamente
idntica a la de Maxwell-Boltzmann1, y se puede formular como:




siendo ni la densidad volumtrica de electrones en la Banda de Conduccin en relacin a la
densidad volumtrica de estados disponibles en la citada banda Nc (nmero mximo de
electrones por unidad de volumen que podran caber en la Banda de Conduccin), mientras
que Ec es la energa del fondo de la Banda de Conduccin, y Ei es una energa de
referencia que se conoce como nivel de Fermi, y que mide la proporcin en que las Bandas
de Conduccin y Valencia se hallan ocupadas o vacas. Este nivel est situado en la zona
prohibida, hacia el centro de la misma en los semiconductores intrnsecos.
Por su parte la densidad de huecos en la Banda de Valencia viene dada por una expresin
similar:


1 Realmente la distribucin de estados en las bandas de conduccin o valencia sigue la
estadstica de Fermi-Dirac, pero cuando el nivel de referencia de Fermi se halla alejado ms
de 0,1 eV del fondo de la Banda de Conduccin o del tope de la Banda de Valencia, la
aproximacin de Maxwell-Boltzmann presenta un error menor que un 2%. Donde Nv es la
mxima densidad de huecos potencialmente disponible, y Ev es el nivel energtico del
techo de la Banda de Valencia. Por su parte Nc y Nv dependen de las masas efectivas de los
electrones y de los huecos, y de la temperatura a que se halle el material. Por ello, el
producto de ambas cantidades es una constante que depende de la temperatura:




ya que la diferencia de energas entre el fondo de la Banda de Conduccin y el techo de la
Banda de Valencia es una cantidad constante, que se denomina Ancho de la Banda
Prohibida:
Eg = Ec Ev

1.7 Nivel de Fermi en materiales intrnsecos y extrnsecos

Para un material Intrnseco.
En el semiconductor intrnseco. Es importante notar que las relaciones obtenidas para n y p
son validas para los dos tipos de materiales semiconductores, intrnsecos y extrnsecos para
el caso de los materiales intrnsecos se tiene que:

n
i
= n
p

Nc
-(E-Ec)/kT
= Nv
-(EF-Ev)/kT

resolviendo esta ecuacin exponencial se obtiene la siguiente expresin:


E
F
= (Ec +Ev)/2 kT Ln Nc/Nv

Puesto qu la masa efectiva del electrn libre y un hueco son la misma, Nc = Nv, por lo
tanto:


E
F
= (Ec +Ev)/2

Lo que indica que el nivel de Fermi se ubica en el centro de la banda prohibida.

Puesto que se trata de un material intrnseco, se tiene igual concentracin de huecos y
electrones por lo que:

np = n
i
2


En donde n
i
2
representa la concentracin intrnseca.
Esta concentracin es independiente del nivel de fermi y depende dela temperatura y de la
energa prohibida Eg = Ec-Ev. La concentracin intrnseca se indica por:


n
i
2
= A
0
T
3

-EGO/k







La funcin de distribucin de Fermi-Dirac, que da la probabilidad de ocupacin, o la
fraccin de estados ocupados.

NIVEL DE FERMI PARA SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

Est comprobado que las caractersticas de un semiconductor depende de la concentracin
de electrones libres y huecos.
Las expresiones para las concentraciones de huecos p y de electrones n son validas
para semiconductores intrnsecos y extrnsecos.
Los nicos parmetros que cambian en estas concentraciones con las impurezas es el nivel
de fermi E
F
. Con el objeto de ver como E
F
depende de la temperatura y de la concentracin
de impurezas, recordemos que en el caso de materiales intrnsecos, E
F
se ubica en la mitad
del espacio de la banda prohibida, indicando igual concentracin de huecos y electrones
libres. Si una impureza de tipo donador se agrega al cristal, luego, a una temperatura y
suponiendo que todos los tomos donadores se ionizan, los primeros estados N
D
en la
banda de conduccin se llenarn. Por lo tanto ser mas difcil para los electrones de la
banda de valencia puedan saltar la banda prohibida por agitacin trmica.
Consecuentemente el nmero de pares electrn- hueco generado por agitacin trmica para
esa temperatura ser reducido.
Debido a que el nivel fermi es una medida de la probabilidad de ocupancia de los estados
de energa probables, est claro que E
F
debe moverse cercano a la banda de conduccin
para indicar que muchos de los estados de energa en esa banda estn ocupados por los
electrones donadores y pocos huecos existen en la banda de valencia. Esta situacin se
ilustra en la siguiente para un material tipo n y tipo p.









Fig. Nivel de Fermi para un material tipo n Fig. Nivel de Fermi para un material tipo p


El mismo argumento nos lleva a la conclusin que E
F
debe moverse del centro de la banda
prohibida cercana a la banda de valencia para un material tipo p.


1.8 Conductividad Movilidad Proceso de Difusin

CONDUCTIVIDAD EN UN MATERIAL SEMICONDUCTOR.
Por cada par de electrn hueco creado se forman partculas portadoras de carga. Una es
negativa de movilidad de
n
y la otra es positiva de movilidad
p
. Estas partculas se
mueven en direcciones opuestas en un campo elctrico , debido a que son signos
opuestos, la corriente de cada uno es en la misma pero de sentido contrario. Por lo tanto la
densidad de corriente J se da por

J = (n
n +
p
p)
e =


n= Magnitud de la concentracin de electrones libres (Negativo)
Magnitud de la concentracin de huecos (positivo)
= conductividad
En donde
= (n
n +
p
p)

Para un semiconductor puro:
n = p = ni en donde ni es la concentracin intrnseca.
En el germanio puro, a temperatura ambiente, hay alrededor de un par de electrn hueco
por cada 2x10
9
tomos de Germanio. Con el incremento. Con el incremento de la
temperatura, se incrementa la conductividad, por incremento de la produccin de pares de
electrn huecos.
La relacin intrnseca se expresa por:

n
i
2
= AoT
3
e
-EG0/kT



Los semiconductores generalmente poseen dos tipos de portadores, los cuales se mueven en
sentidos opuestos cuando se aplica un campo elctrico, y en un semiconductor puede haber
fuertes variaciones locales de concentracin y portadores, las cuales a su vez dan lugar a
desplazamientos locales de carga a travs de un mecanismo de difusin. Este mecanismo de
trasporte, que tiene una gran importancia en el funcionamiento de los diodos y transistores.

PROCESO DE DIFUSION.
Adems de la corriente de conduccin el movimiento de cargas en un material semiconductor
se puede llevar acabo mediante un mecanismo llamado difusin, ordinariamente no
encontrado en los metales.
Se vera mas adelante que es posible tener una concentracin no uniforme de partculas en un
semiconductor. Bajo estas circunstancias la concentracin de huecos p varia con la distancia x
en el semiconductor y ah existe un gradiente de concentracin dp/dx en la densidad de
portadores. La existencia de un gradiente implica que, si una superficie imaginaria se traza en
el semiconductor, la densidad de huecos de uno de los lados de la superficie es mayor que la
densidad sobre el otro lado de la superficie. Los huecos estn en un movimiento desordenado
o aleatorio como resultado de su energa trmica, de esta manera los huecos seguirn
movindose hacia atrs y hacia a delante de esta superficie. Se puede esperar que en un
intervalo de tiempo dado, mas huecos atravesaran la superficie del lado de mayor
concentracin al lado de mayor concentracin luego en direccin inversa este flujo neto de
carga atreves de la superficie constituye un flujo de corriente. Se debe notar que este flujo
neto de carga no es el resultado de repulsin neta entre cargas de igual signo, si no
simplemente es el resultado de un fenmeno esttico. Esta difusin es exactamente anloga a
lo que ocurre en un gas neutro si un gradiente de concentracin existe en el contenido en el
contenedor o recipiente del gas. La densidad Ip de corriente de huecos es proporcional al
gradiente de concentracin, y se da por.
dx
dp
eD I
p p
=
En donde Dp(m
2
/s) se llama la constante de difusin de huecos. Una ecuacin similar existe
para la densidad de corriente de difusin para el electrn.
dx
de
eD I
n n
=
Ya que ambas difusin y movilidad son fenmenos termodinmicos estticos, D y, no son
independientes.
La relacin entre ellos se da por la ecuacin de Einstein.
T
n
n
p
p
V
D
D
= =


Donde
600 , 11
T
e
T
k V
T
= =
A temperatura ambiente (300k)
=39D
1.9 Ecuaciones de Continuidad
Est comprobado que si se perturba el equilibrio de las concentraciones en un material
semiconductor, la concentracin de huecos y electrones varia con el tiempo. En forma
general, sin embargo, la concentracin de portadores en el cuerpo de un semiconductor es
una funcin de ambos tiempo y distancia. Esta relacin funcional es controlada o gobernada
por la ecuacin de continuidad. Esta ecuacin se basa en el principio de que la carga no
puede ser creada ni destruida. Si consideramos un elemento infinitesimal de volumen de
rea A y longitud dx dentro del cual la concentracin media de huecos es p.


si Tp es el tiempo de vida media de los huecos, luego P/Tp es igual a los huecos por segundo
perdidos por recombinacin por unidad de volmenes (recombinacin de huecos). Si e es
carga electrnica, luego, a causa de la recombinacin, el numero de Coulombs por segundo
decrece dentro del volumen y es igual.
a
T
p
dx e
seg
coulomb
A =
Si g es la carga de generacin trmica de pares de electrn hueco por unidad de volumen, el
numero de coulomb por segundo se incrementa dentro del volumen (generacin de pares de
electrones huecos) y es igual a
b dxg e
seg
coulomb
A =
En general la corriente variara con la distancia dentro del material semiconductor. Si la
corriente que entra al al volumen en x es I y sale en x+dx es I+dI el numero de
coulomb/segundo decrece dentro del volumen.
Coulomb/seg=dI
A causa de estos tres efectos enumerados de densidad de huecos debe cambiar con el tiempo
y el numero total de coulomb/segundo se incrementa dentro del volumen y es igual a
d
seg
coulomb
dt
dp
dx e = A

Ya que la carga se puede conservar
e dI dxg e
T
p
dx e
dt
dp
dx e
p
A + A = A

La corriente de huecos es la suma de la corriente de difusin y la corriente de fuga, es decir:
f p Ape
dt
dp
AeDp I e + =

En donde E es la intensidad del campo elctrico dentro del volumen si el semiconductor esta
en equilibrio trmico con sus alrededores y no esta sujeto a un campo elctrico, la densidad de
huecos seria constante y de valor Po. Bajo estas condiciones dp/dt=0 e I=0 de esta manera
g=Po/Tp.
La ecuacin indica que la razn a la cual se genera trmicamente debe ser igual a la razn a la
cual los huecos se pierden debido a recombinaciones bajo condiciones de equilibrio.
Combinando las ecuaciones e, f, y g se obtiene la ecuacin de la conservacin de la carga o
ecuacin de la continuidad.
dt
E
pd
dt
p d
Dp
Tp
Po P
dt
dp ) (
2
+

=

Para un material n se obtendra.
x
PnE
p
x
p
Dp
Tp
Pno Pn
t
p
n
c
c

c
c
+

=
c
c ) (
2
2