n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n.

El primero se denomina transistor npn, en tanto que el ltimo recibe el nombre de transistor pnp. Ambos se muestran en la figura con la polarizacin de cd adecuada. En el captulo
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo encontraremos que la polarizacin de cd es necesaria para establecer una regin de operacin apropiada para la amplificacin de ca. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al material emparedado de tipo p o n. En los transistores que se muestran en la figura, la relacin entre el ancho total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa emparedada es tambin considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el nmero de portadores "libres". En la polarizacin que se muestra en la figura, las terminales se han indicado mediante letras maysculas,

E para el

emisor, C para el colector y B para la base. Una justificacin respecto a la eleccin de esta notacin se presentar cuando estudiemos la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor de unin bipolar) se aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyeccin en el material polarizado opuestamente. Si slo uno de los portadores se emplea (electrn o hueco), se considera que el dispositivo es unipolar

En fsica y qumica, la configuracin electrnica es la manera en la cual los electrones se estructuran o se modifican en un tomo, molcula o en otra estructura fsico-qumica, de acuerdo con el modelo de capas electrnico, en el cual las funciones de ondas del sistema se expresa como un producto de orbitales antisimetrizado.1 2 Cualquier conjunto de electrones en un mismo estado cuntico deben cumplir el principio de exclusin de Pauli al

ser partculas idnticas. Por ser fermiones (partculas de espn semientero) el principio de exclusin de Pauli nos dice que esto es funcin de onda total (conjunto de electrones) debe ser antisimtrica.3 Por lo tanto, en el momento en que un estado cuntico es ocupado por un electrn, el siguiente electrn debe ocupar un estado cuntico diferente. En los tomos, los estados estacionarios de la funcin de onda de un electrn en una aproximacin no relativista (los estados que son funcin propia de la ecuacin de Schrdinger en donde es el hamiltoniano monoelectrnico correspondiente; para el caso general hay que recurrir a la ecuacin de Dirac de la mecnica cuntica de campos) se denominan orbitales atmicos, por analoga con la imagen clsica de los electrones orbitando alrededor del ncleo. Estos estados, en su expresin ms bsica, se pueden describir mediante cuatro nmeros cunticos: n, l, m y ms, y, en resumen, el principio de exclusin de Pauli implica que no puede haber dos electrones en un mismo tomo con los cuatro valores de los nmeros cunticos iguales. De acuerdo con este modelo, los electrones pueden pasar de un nivel de energa orbital a otro ya sea emitiendo o absorbiendo un cuanto de energa, en forma de fotn. Debido al principio de exclusin de Pauli, no ms de dos electrones pueden ocupar el mismo orbital y, por tanto, la transicin se produce a un orbital en el cual hay una vacante.

Limites de operacion Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la cual asegurara que los valores nominales mximos no sean excedidos y la seal de salida exhibe una distorsin mnima. Una regin de este tipo, se ha definido para las caractersticas de transistor de la figura 3.22. Todos los lmites de operacin se definen sobre una tpica hoja de especificaciones de transistor descrita en la seccin 2.6. Algunos de los lmites se explican por s mismos, como la corriente mxima de colector (denominada, por lo general, en la hoja de especificaciones, como corriente continua de colector) y el voltaje mximo de colector a emisor (abreviada a menudo como

vCeo.) Para el

transistor de la figura 3.22, ICmx se especific como de 50 mA y como de 20 V. La linea vertical de las caractersticas definida como

vCeo vCEsat

especifica la mnima vCE que puede aplicarse sin caer en la regin no lineal denominada regin de saturacin.

El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas elctricas lineales que son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las seales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energa realizado a travs de fuentes de tensin externas denominadas fuentes de alimentacin o fuentes de polarizacin. Las fuentes de alimentacin cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la regin lineal y suministrar energa al transistor de la que parte de ella va a ser convertida en potencia (amplificacin). Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point). En transistor del circuito de la figura 1.8.a est polarizado con dos resistencias y una fuente de tensin en continua VCC. En este circuito se verifica que

Al transistor se lo puede montar en emisor comn (EC), base comn (BC) o colector comn (CC). Cada una de estas configuraciones posee ventajas y desventajas una respecto de las otras, siendo la de emisor comn la mas recurrida a la vez que es la de mejor respuesta en la mayor parte de las aplicaciones. Cada configuracin obtiene diferentes coeficientes de ganancia en tensin (GV), as como diferentes impedancias tanto de entrada como de salida.

A continuacin vemos un resumen de las principales caractersticas de cada uno de los tres posibles montajes:

Montaje E. C. B. C. C. C.

G. V. Alta Alta <1

Desfasaje (V) 180 0 0

Ze media baja alta

Zs media alta baja

El montaje en Base Comn posee una mayor ganancia de tensin frente a los otros dos. Tambin tiene baja impedancia de entrada, lo que lo hace bastante inadecuado para operar en circuitos de baja frecuencia (B. F.). Con un montaje en Colector Comn logramos una muy baja distorsin sobre la seal de salida y, junto con el montaje en Base Comn, es bastante idneo a la hora de disear adaptadores de impedancia. Amplificacin: Es la aplicacin prctica mas importante para la que se usan los transistores. El diagrama muestra una etapa amplificadora en emisor comn:

Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe tener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturacin - Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mnima (prcticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) mximo (casi igual al voltaje de alimentacin). Ver la zona amarilla en el grfico - Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic) mxima y un voltaje colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios). Ver zona en verde en el grfico

Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser bajo o mejor an, cero. Para lograr que el transistor entre en saturacin, el valor de la corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga que se est operando entre encendido y apagado (funcionamiento de interruptor) Si se conoce cual es la corriente que necesita la carga para activarse (se supone un bombillo o foco), se tiene el valor de corriente que habr de conducir el transistor cuando este en saturacin y con el valor de la fuente de alimentacin del circuito, se puede obtener la recta de carga. Ver grfico anterior. Esta recta de carga confirma que para que el transistor funcione en saturacin, Ic debe ser mximo y VCE mnimo y para que est en corte, Ic debe ser el mnimo y VCE el mximo.*