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Frhling 2004 - Einfhrung in die Materialwissenschaft

17.03.2004

Prfung Einfhrung in die Materialwissenschaft Teil A (Prof. Gauckler) Frage 1: a) Welche vier Bindungsarten in Festkrpern kennen Sie? (1 Punkt) b) Unterteilen Sie die Bindungen in starke und schwache Bindungen. (1 Punkt) c) Geben Sie fr jede Bindungsart ein Material als Beispiel an, bei dem der jeweilige Bindungstyp besonders wichtig ist. (2 Punkte) d) Wieso fhlt sich Metall klter an als Kunststoff? (1 Punkt) Frage 2: a) Skizzieren Sie das Bohrsche Atommodell und erklren Sie es kurz. (1 Punkt) b) Was sind Balmersche Linien und wie kommen sie zustande? Erklren Sie anhand einer Skizze! (2 Punkte) c) Welche Erweiterung brachte De Broglie in das Bohrsche Atommodell ein? (1 Punkt) d) Was besagt das Pauliprinzip? (1 Punkt) Frage 3: a) Was sind Halbleiter? (1 Punkt) b) Was ist der Unterschied zwischen einem intrinsischen und einem extrinsischen Halbleiter? Geben Sie jeweils auch ein Beispiel. (2 Punkte) c) Was versteht man unter einem n bzw. einem p - Typ Halbleiter? (1 Punkt) d) Wie knnen Sie herausfinden, welcher Typ Halbleiter vorliegt? (1 Punkt) Frage 4: a) Wissen Sie, wie man durchsichtiges Metall herstellen kann? Begrnden Sie. (1.5 Punkte) b) Wie wrden Sie Diamant von Glas unterscheiden? Nennen Sie vier Mglichkeiten! (2 Punkte) Frage 5: Fr welchen Wellenbereich im sichtbaren Lichtspektrum ist ZnTe mit einer Bandlcke von 2.26 eV ein Photonenleiter? (3 Punkte) Frage 6: Bei welcher Temperatur wird das Energieniveau von 5.60 eV bei Silber (EF = 5.48 eV) zu 25% gefllt sein? (3.5 Punkte)

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17.03.2004

Prfung Einfhrung in die Materialwissenschaft Teil B (Prof. Uggowitzer) Frage 1: Wir untersuchen einen Stahl mit eutektoider Zusammensetzung: a) Welche Phasen liegen bei 800C vor? (1 Punkt) b) Berechnen Sie die Mengenanteile (in Gramm) von und Fe3C von 1 kg Stahl bei 727C und bei Raumtemperatur. (3 Punkte) c) Skizzieren Sie schematisch das Gefgebild bei Raumtemperatur. (1 Punkt)

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Frage 2: a) Geben Sie eine qualitative Beschreibung der Entwicklung der Mikrostruktur (mit Gefgeskizzen) bei langsamer Abkhlung einer Lotlegierung (Pb-Sn) mit 10 Gew.-% Sn bei 300C, 200C, 100C und Raumtemperatur. (5 Punkte)

Frage 3: Welche Hrtungsmechanismen fr metallische Werkstoffe kennen Sie? Beschreiben Sie deren Wirkungsweisen. (6 Punkte) Frage 4: Zwei verschiedene Sthle mit gleichem E-Modul (Youngs modulus) werden in einem Zugversuch getestet. Stahl 1 zeigt dabei eine hhere Zugfestigkeit (tensile strength) als Stahl 2. Beide Sthle haben zudem dieselbe Zhigkeit (toughness). Zeichnen und begrnden Sie mit Hilfe obiger Angaben die entsprechenden Spannungs-DehnungsDiagramme der beiden Stahlsorten. (3 Punkte) Frage 5: a) Nachfolgender Arrhenius-Plot zeigt die Diffusion von Kohlenstoff in -Fe (bcc). Berechnen Sie die entsprechende Aktivierungsenergie (2 Punkte)

b) c)

Wie hoch ist die Diffusionsgeschwindigkeit von Kohlenstoff in -Fe (bcc) bei 400C, wenn Do=220*10-6 m2/s ist? (2 Punkte) Die Aktivierungsenergie fr die Selbstdiffusion (Volumendiffusion) von Fe in -Fe betrgt 240 kJ/mol. Fr die Korngrenzendiffusion liegt die Aktivierungsenergie deutlich tiefer. Begrnden Sie weshalb. (2 Punkte)

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17.03.2004

Key Prfung Einfhrung in die Materialwissenschaft Teil A (Prof. Gauckler) Frage 1: a) Ionenbindung, Kovalente Bindung, Metallische Bindung, vdW Bindungen b) alles starke Bindungen, ausser vdW c) NaCl, Polyethylen, Aluminium, Kolloidsuspension d) Wrmeleitfhigkeit Metall > Kunststoff Frage 2: a) Protonen + Neutronen Kern umkreist von Elektronen mit definierten Bahnen b) EPhoton = h = hc/: Elektronen nehmen Energiequanten auf und geben sie wieder spontan ab -> Lichtemission bei elementspezifischen Wellenlngen c) Nach De Broglies Hypothese kann ein um den Atomkern kreisendes Elektron durch eine stehende Welle beschrieben werden. d) Zwei Elektronen knnen nicht gleichzeitig den selben Energiezustand einnehmen, sprich alle Quantenzahlen knnen nicht gleich sein. Frage 3: a) Durch thermische Anregungen oder auch Anregung durch Photonen lassen sich bei Halbleitern Elektronen aus dem Valenzband ber die Bandlcke ins Leitungsband befrdern, wodurch dann die elektrische Leitfhigkeit erzeugt wird und zunimmt. b) Intrinsisch (ohne Fremdatome): Si, Ge, extrinsisch (mit Fremdatomen dotiert): Si4+ dotiert mit B3+ c) n Typ: Elektronen verantwortlich fr Leitfhigkeit, p Typ: Lcher verantwortlich fr Leitfhigkeit d) Halleffekt Frage 4: a) Nicht mglich! Wechselwirkungen von metallischen Elektronen mit Licht absorbieren, bzw. reflektieren Wellen im sichtbaren Bereich komplett. b) XRD (Beugungsmuster), Hrte (Ritzen), Dichte (Archimedes), Brechungsindex, thermische Analyse (Schmelzpunkt), ... Frage 5:

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Frage 6:

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Prfung Einfhrung in die Materialwissenschaft Teil B (Prof. Uggowitzer) Frage 1: a) Bei 800C liegt nur eine Phase vor: -Fe (Austenit) b) Bei 727C:

m = m =

6.69 0.77 0.77 0.02 (1000 g) = 887.6 g ; mFe3C = (1000 g) =112.4 g 6.69 0.02 6.69 0.02

Bei RT: c)

6.69 0.77 0.77 0 (1000 g) = 884.9 g ; mFe3C = (1000 g) = 115.1g 6.69 0 6.69 0

100% Eutektikum (Perlit; Umwandlung aus -Fe). Lamellen aus -Fe und Fe3C.

Frage 2: Bei 300C: Bei 200C: Bei 100C: Bei RT:

Zweiphasenraum; Schmelze und -Pb Einphasenraum; -Pb Zweiphasenraum; -Pb und -Sn Zweiphasenraum; -Pb und -Sn (etwas mehr Sn-Phase als bei 100C)

Frage 3: 4 Hrtungsmechanismen (siehe Schlusstestatprfung Februar 2004): - Mischkristallhrtung: Verzerrung des Kristallgitters durch Einbau von Fremdatomen; Behinderung der Versetzungsbewegung - Feinkornhrtung: Korngrenzen wirken als Barrieren fr Versetzungen: Versetzungsaufstau an den Korngrenzen - Ausscheidungs- / Teilchenhrtung: Teilchen und nicht schneidbare Ausscheidungen (inkohrent) behindern die Versetzungsbewegung. - Kaltverformung: Durch die hohe Versetzungsdichte behindern sich die Versetzungen gegenseitig am Weiterlaufen. Es kann zur Ausbildung von Versetzungsknoten (Lomer-Cottrell Barrieren) kommen. Frage 4: - gleicher Anstieg im elastischen Bereich (E-Modul) - Stahl 1 hat eine hhere Zugfestigkeit aber geringere Bruchdehnung als Stahl 2 - die Flche unter der Spannungs-Dehnungskurve der beiden Sthle muss gleich sein (Zhigkeit). Frage 5: a) Steigung der Geraden: -Q/R; Q=122 kJ/mol (s. Fig. 5-13); Herauslesen aus Grafik: Q~114 kJ/mol -6 2 b) D=Do*exp(-Q/RT); Q=122kJ/mol; Do=220*10 m /s; T=673K -14 2 D=7.5*10 m /s c) Leerstellen bilden die Voraussetzung fr Diffusion. Die Aktivierungsenergie fr Diffusion setzt sich demnach aus einem Term fr die Leerstellenbildung und einem Term fr die Leerstellenwanderung zusammen. Da bei der Korngrenzendiffusion keine zustzlichen Leerstellen mehr gebildet werden mssen, ist die Aktivierungsenergie deutlich kleiner als bei der Volumendiffusion.

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