Electrnica Analgica I Manual de Prcticas

Laboratorio 3
Caracterizacin del transistor MOS




1. Introduccin

El transistor MOS es el dispositivo semiconductor ms utilizado en circuitos
integrados. En este experimento obtendr las caractersticas I-V de operacin del
transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET). Tambin
utilizar algunos mtodos bsicos para extraer los parmetros del dispositivo que se
requieren para propsitos de diseo y simulacin de circuitos.


2. Objetivos

Obtener experimentalmente las caractersticas corriente-voltaje del MOSFET. Extraer
de estas mediciones el valor de los parmetros fsicos de operacin ms importantes:
el voltaje de umbral, la transconductancia del proceso y la resistencia de salida.


3. Material para la prctica

Componentes:
Resistores: 1k x 1 (5%, W).
Transistores MOS: CD4007 x 1.

Instrumentos:
Fuente de alimentacin.
Multmetro digital x 2.












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4. Marco Terico

La figura 1 muestra el smbolo de los transistores MOS canal-n y canal-p, identificando
las terminales de compuerta (G), drenaje (D), fuente (S) y sustrato (B). En la mayora
de los casos, la terminal de sustrato no se utiliza intencionalmente. Sin embargo, sta
terminal siempre debe estar polarizada adecuadamente para prevenir efectos no
deseados en la operacin del transistor. En el MOSFET de canal-n, la terminal de
sustrato se debe mantener en todo momento conectada al voltaje ms negativo del
circuito. De manera similar, en el MOSFET de canal-p, sta terminal debe mantenerse
conectada al voltaje ms positivo. Cuando es fsicamente posible, la terminal de
sustrato es unida a la terminal de fuente.


MOSFET canal n MOSFET canal p

Figura 1. Smbolos de circuito para los MOSFET

Un MOSFET puede ser caracterizado por dos parmetros bsicos: Kn y Vt. La figura 2
muestra las caractersticas de entrada y de salida del transistor MOS. El modelo de
gran seal del MOSFET est dado como sigue. En la regin de saturacin:

( ) ( )
DS t GS
n
D
v V v
K
i + = 1
2
2


para 0 < (vGS Vt) < vDS


(1)

En la regin de triodo:

( )
(

|
|

\
|
=
2
2
DS
DS t GS n D
v
v V v K i

para vDS < (vGS Vt)


(2)

donde Kn = (nCox)(W/L) es la transconductancia del proceso, n es la movilidad de los
portadores en el canal y Cox es la capacitancia de compuerta por micrmetro
cuadrado. W y L son el ancho y largo de la compuerta del transistor, respectivamente;
es denominado parmetro de modulacin de canal y es un parmetro de ajuste
altamente dependiente de la tecnologa utilizada. En una primera aproximacin, 0.
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Figura 2. Caractersticas del MOSFET: (a) entrada y (b) salida.

Como se muestra en la figura 2, el punto de operacin del transistor se determina por
VGSQ e IDQ. La derivada de la corriente de drenaje evaluada sobre el punto de operacin
Q est definida como la transconductancia de pequea seal, calculada como:

( )
DQ n t GSQ n
Q
gs
D
m
I K V V K
v
i
g 2 = =

=

(3)

Para un valor de VGSQ dado, el voltaje drenaje-fuente puede ser barrido,
proporcionando la caracterstica de salida del transistor que se muestra en la figura
2(b). La pendiente de la curva en la regin de saturacin determina la conductancia de
salida del transistor, obtenida como:

DQ
Q
D
o
ds
I
v
i
r
g
DS

= =
1


(4)



















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5. Prelaboratorio

En esta seccin utilizar PSpice para encontrar los principales parmetros del
transistor MOS, es decir; Kn, y Vt. Los siguientes pasos lo conducirn a realizar una
simple caracterizacin que le proporcionar esta informacin.

1. Configure en PSpice el circuito que se muestra en la figura 3(a), utilizando el
modelo proporcionado del transistor CD4007.



Figura 3. (a) Configuracin para simulacin en PSpice, (b) Esquemtico para medir las
caractersticas del transistor MOS canal-n y parmetros de pequea seal.

2. Realice una simulacin de CD, barriendo el voltaje VDS de 0 a 5V, utilizando
incrementos de 1mV, con un barrido secundario de VGS de 3 a 5V con incrementos de
1V. Esto generar una serie de cinco curvas caractersticas ID-VDS, similares a la de la
figura 2(b). Utilice estas grficas para encontrar un valor aproximado de ro y del
parmetro de modulacin de largo de canal , como se explica a continuacin.

a) Observe que cuenta con una curva como la que se muestra en la figura 4. Considere
dos puntos cualquiera a lo largo de la regin de saturacin de la curva (Q y Q en la
figura). Con esto tiene dos pares de puntos: VDS1-ID1 y VDS2-ID2.

b) Encuentre ro = VDS / ID = (VDS2 VDS1) / (ID2 ID1).

c) Finalmente encuentre = 1 / (roID VDS). Puede utilizar ya sea ID2 con VDS2 o ID1 con
VDS1.

3. Encuentre la impedancia de salida ro = VDS/ID para cada una de las cinco curvas
de la grfica. Posteriormente utilice el valor de ro para encontrar la magnitud de .
Presente una tabla con cada valor obtenido de ro y de .

4. Para encontrar Vt y Kn, simule un barrido del voltaje VGS de 0 a 5V, utilizando
incrementos de 1mV, con un barrido secundario de VDS de 3 a 5V que utilice
incrementos de 1V. Esto generar una serie de tres curvas caractersticas ID-VGS,
similares a la de la figura 2(a). Utilice cada una de estas curvas para encontrar el valor
aproximado del voltaje de umbral Vt y Kn, como se explica a continuacin.

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Figura 4. Ilustracin grfica para encontrar ro y por lo tanto .

(a) La caracterstica de entrada del MOSFET (ID-VGS en saturacin), como la que se
muestra en la figura 2(a), nos recuerda la curva de un diodo. Como ya se mencion, la
pendiente de la curva en un punto particular de operacin Q (IDQ, VGSQ) se denota
como gm y es llamada la transconductancia. Si se grafica la caracterstica de entrada en
un sistema de ejes cuadrtico-vs.-lineal, la curva resultante se vuelve una lnea recta.
Especficamente, si se grafica la ecuacin (1) en un plano x-y con

GS
v x = (5)

y

x
i
y
D
+
=
1


(6)

la caracterstica se vuelve ( )
t n
V x K y = 2 , es decir, una lnea recta con pendiente
2
n
K dx dy = e intercepcin con el eje x en Vt. Esto se ilustra en la figura 5.

(b) Usted cuenta con los datos de simulacin que permiten obtener una curva como la
de la figura 2(a). Grafquelos con x = v y ( ) x i y + = 1 (utilice el valor de encontrado
en el paso 2). Utilice Excel o MATLAB para encontrar la mejor lnea recta de ajuste a la
curva (consulte el tutorial de Excel). Luego, determine su pendiente y obtenga
( )
2
2 dx dy K
n
= . Obtenga Vt como el valor de x donde la lnea intercepta el eje-x.

5. Revise las hojas de datos de los dispositivos que se utilizarn en la prctica.

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Figura 5. Linearizacin de la curva ID-VGS de un MOSFET.


6. Procedimiento

Nota: Los experimentos se desarrollarn utilizando el arreglo de transistores MOS CD4007,
que consiste de tres transistores canal-n y tres transistores canal p, interconectados de la
forma mostrada en la figura 6. Recuerde que el cuerpo del transistor canal-n (pin 7) debe
mantenerse al voltaje ms negativo del circuito; mientras que el cuerpo del canal-p (pin 14)
debe mantenerse al voltaje ms positivo. Tenga en cuenta que el CD4007 es un dispositivo
delicado. Para evitar daarlo, asegrese de apagar siempre la fuente antes de hacer cambios al
circuito y revise que el circuito est alambrado correctamente antes de aplicar energa. Los
clculos a mano y las simulaciones en PSpice que realice en ste y el siguiente laboratorio
dependen de las mediciones tomadas en una muestra particular del CD4007, as que si usted
es descuidado y lo daa, tendr que realizar cada medicin de nuevo.

Caracterizacin del MOSFET

1. En la figura 3(b) se muestra un esquema simple de polarizacin para el MOSFET de
canal-n, que utiliza VDD = 10V. Utilizando el CD4007, conecte el circuito de la figura
3(b). El resistor de 1k sirve para limitar ID a 10mA y mantener el voltaje VDS mayor o
igual a VGS para un amplio rango de valores de ID. Barra VGS de cero hasta un voltaje en
el que ID = 5mA. Registre los pares ID-VGS para al menos 20 valores diferentes con
nfasis alrededor del valor esperado de Vt. Haga una tabla de sus mediciones.

2. Fije el voltaje VGS al valor que le proporcione ID = 1mA y luego barra VDD de 0 hasta
10V, midiendo VDS. Mida la corriente ID y el voltaje VDS para al menos 20 valores
diferentes de VDD con nfasis en el rango de valores bajos de VDD (0-1V). Haga una
tabla de sus mediciones.

7. Reporte

1. Con los datos del paso 2 del procedimiento, haga una grfica de ID vs. VDS. Encuentre
el valor aproximado de , utilizando el mismo procedimiento del prelaboratorio.
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Figura 6. El arreglo de transistores MOS CD4007.

2. Con los datos del paso 1 del procedimiento, haga una grfica de ID vs. VGS. Encuentre
el valor aproximado de Vt y Kn, utilizando el mismo procedimiento del prelaboratorio.

3. Haga una tabla donde compare los valores de Kn, Vt y medidos de las
caractersticas de salida y de entrada con los obtenidos en el prelaboratorio. Comente
sobre las diferencias.

4. Forme un modelo SPICE para el MOSFET caracterizado. Utilice los parmetros Kn, Vt
y extrados de las mediciones. Nota: De las mediciones no hay manera de conocer
los valores de W y L. Lo que puede hacer es arbitrariamente asumir W = L (por
ejemplo, 5m cada uno) y poner el parmetro KP con el valor encontrado para Kn. Con
este simple truco, PSpice terminar utilizando el valor correcto para Kn.

5. Repita en simulacin las mediciones realizadas en el procedimiento de laboratorio
con el nuevo modelo y compare los resultados medidos con la simulacin. Haga un par
de grficas comparativas de las caractersticas de entrada y de salida del MOSFET. En
cada grfica se deben comparar las caractersticas obtenidas por simulacin con las
obtenidas experimentalmente.

6. La figura 7 muestra el circuito de polarizacin por divisor de voltaje. Construya el
circuito mostrado en la figura 4 en PSpice utilizando el modelo creado para su NMOS.
Utilizando los parmetros encontrados en los pasos previos, encuentre los valores de
los resistores de tal manera que el transistor est polarizado con ID = 1mA y VDS = 2V y
RD/RS = 10. La combinacin en paralelo de RG1 y RG2 debe ser mayor de 100k. Para
sus clculos puede ignorar el efecto de . Simule y compruebe sus resultados.



Figura 7. Amplificador basado en MOSFET.
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7. Anote sus conclusiones de cada una de las mediciones y de los resultados obtenidos.

8. Puntos extras: arme el circuito de polarizacin diseado en el paso 6 y compruebe
que obtiene el punto de polarizacin deseado.

7. BIBLIOGRAFA

[1] Circuitos Microelectrnicos. A. S. Sedra, K. C. Smith. Quinta Edicin. McGraw-Hill.