FABRICACIN DE CIRCUITOS INTEGRADOS

DAVID PAZMN RODRGUEZ Cdigo: 11105049 M3B

TRABAJO DE CONSULTA

ESCULEA TECNOLGICA INSTITUTO TCNICO CENTRAL MECATRNICA ELECTRNICA I BOGOT D.C. 2012

CONTENIDO

Introduccin 1. Tecnologa de Fabricacin 2. Pasos Generales de Fabricacin de un Circuito Integrado formado por Silicio como componente activo 2.1 Preparacin de la oblea 2.2 Oxidacin 2.3 Difusin 2.4 Implantacin de iones 2.5 Deposicin por medio de vapor qumico 2.6 Metalizacin 2.7 Fotolitografa 2.8 Empacado 3. Componentes Electrnicos ms usados en el diseo de circuitos 3.1 MOSFET 3.2 Resistencias 3.3 Condensadores 3.4 Transistor pnp lateral 3.5 Resistores de base p y de base estrecha 4. Bibliografa

INTRODUCCIN La fabricacin de circuitos integrados es un proceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas. Cada fabricante de circuitos integrados tiene sus propias tcnicas que guardan como secreto de empresa, aunque las tcnicas son parecidas. Los dispositivos integrados pueden ser tanto analgicos como digitales, aunque todos tienen como base un material semiconductor, normalmente el silicio.

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1. TECNOLOGIA DE FABRICACIN

La fabricacin de circuitos integrados a grande escala se explica a travs de un procedimiento VLSI (por sus siglas en ingls) con silicio estndar. Se presentan las caractersticas de los dispositivos disponibles en tecnologas de la fabricacin CMOS y BiCMOS, donde se analizarn los aspectos de diseo de los circuitos integrados que son distintos a los del diseo de circuitos discretos. Por consiguiente, entender las caractersticas del dispositivo es esencial al disear buenos VLSI a la medida o circuitos integrados para aplicaciones especficas. Este mtodo considera solo tecnologas que se basan en el silicio; ya que es el material ms popular, gracias a que posee una amplia variedad de compromisos costo desempeo. Desarrollos recientes en tecnologas de SiGe y silicio, sometido a esfuerzo, reforzarn an ms la posicin de los procesos de fabricacin que se basan en este elemento en la industria microelectrnica en los aos venideros.

El silicio es un elemento abundante que existe naturalmente en forma de arena. Puede ser refinado por medio de tcnicas bien establecidas de purificacin y crecimiento de cristales. El silicio tambin exhibe propiedades fsicas apropiadas para la fabricacin de dispositivos activos con buenas caractersticas elctricas, adems es fcil de oxidar para formar un excelente aislante SiO2 (vidrio). Este xido nativo es til para construir condensadores y MOSFET. Tambin sirve como barrera de proteccin contra la difusin de impurezas indeseables hacia el mineral adyacente de silicio de alta pureza. Esta propiedad de proteccin del oxido de silicio permite que sus propiedades elctricas sean fciles de modificar en reas predefinidas. Por consiguiente, se pueden construir elementos activos y pasivos

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en la misma pieza material (o sustrato). Entonces los componentes pueden interconectarse con capas de metal (similares a las que se utilizan en las tarjetas de circuito impreso) para formar el llamado circuito integrado monoltico, que es en esencia una pieza nica de metal.

2. PASOS GENERALES DE FABRICACIN DE UN CIRCUITO INTEGRADO FORMADO CON SILICIO COMO COMPONENTE ACTIVO

Los pasos de fabricacin bsica se pueden realizar muchas veces, en diferentes combinaciones y en diferentes condiciones de procedimiento durante un turno de fabricacin completo.

2.1 Preparacin de la oblea El material inicial para los circuitos integrados modernos es el Silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro slido de color gris acero de 10 a 30 cm de dimetro y puede ser de 1m a 2m de longitud . Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400um a 600um de espesor, (1um es igual a 1x10-6 metros). Despus, se alisa la pieza hasta obtener un

acabado de espejo, a partir de tcnicas de pulimento qumicas y mecnicas. Las propiedades elctricas y mecnicas de la oblea dependen de la orientacin de los planos cristalinos, concentracin e impurezas existentes. Para aumentar la resistividad elctrica del semiconductor, se necesita alterar las propiedades elctricas del Silicio a partir de un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n excesivamente impurificado (baja resistividad) sera designada como material n+, mientras que una regin levemente impurificada se designara n-. 2.2 Oxidacin Se refiere al proceso qumico de reaccin del Silicio con el Oxgeno para formar Dixido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reaccin se necesitan de hornos ultralimpios especiales de alta temperatura. El Oxgeno que se utiliza en la reaccin se introduce como un gas de alta pureza (proceso de oxidacin seca) o como vapor (oxidacin hmeda). La Oxidacin hmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidacin seca produce mejores caractersticas elctricas. Su constante dielctrica es 3.9 y se le puede utilizar para fabricar excelentes condensadores. El Dixido de Silicio es una pelcula delgada, transparente y su superficie es altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una oblea oxidada la interferencia constructiva y destructiva har que ciertos colores se reflejen y con base en el color de la superficie de la oblea se puede deducir el espesor de la capa de xido. 2.3 Difusin Es el proceso mediante el cual los tomos se mueven de una regin de alta concentracin a una de baja a travs del cristal semiconductor. En el proceso de manufactura la difusin es un mtodo mediante el cual se introducen tomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar el proceso de difusin de impurezas se realiza a altas temperaturas (1000 a 1200 C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado. Las impurezas ms comunes utilizadas como contaminantes son el Boro (tipo p), el Fsforo (tipo n) y el Arsnico (tipo n). Si la concentracin de la impureza es excesivamente fuerte, la capa difundida tambin puede utilizarse como conductor.

Seccin Transversal de un Transistor Integrado: Idealizado(a) y real (b).

Perfil Tpico de Impurezas en un Transistor Monoltico Planar de Doble Difusin. N(x) en tomos / cm3 en escala Logartmica. 2.4 Implantacin de iones Es otro mtodo que se utiliza para introducir tomos de impurezas en el cristal semiconductor. Un implantador de iones produce iones del contaminante deseado, los acelera mediante un campo elctrico y les permite chocar contra la superficie del semiconductor. La cantidad de iones que se implantan puede controlarse al variar la corriente del haz (flujo de iones). Este proceso se utiliza normalmente cuando el control preciso del perfil del dopaje es esencial para la operacin del dispositivo.
Representacin Esquemtica de una unin pn

2.5 Deposicin por medio de vapor qumico Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionar qumicamente, lo cual conduce a la formacin de slidos en un sustrato. Las propiedades de la capa de xido que se deposita por medio de vapor qumico no son tan buenas como las de un xido trmicamente formado, pero es suficiente para que acte como aislante trmico. La ventaja de una capa depositada por vapor qumico es que el xido se deposita con rapidez y a una baja temperatura (menos de 500C). 2.6 Metalizacin Su propsito es interconectar los diversos componentes (transistores, condensadores, etc.) para formar el circuito integrado que se desea, implica la deposicin inicial de un metal sobre la superficie del Silicio. El espesor de la pelcula del metal puede ser controlado por la duracin de la deposicin electrnica, que normalmente es de 1 a 2 minutos. 2.7 Fotolitografa Esta tcnica es utilizada para definir la geometra de la superficie de los diversos componentes de un circuito integrado. Para lograr la fotolitografa, primeramente se debe recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada sustancia fotoendurecible que utiliza una tcnica llamada de giro; despus de esto se utilizar una placa fotogrfica con patrones dibujados para exponer de forma selectiva la capa fotosensible a la iluminacin ultravioleta. Las reas opuestas se ablandarn y podrn ser removidas con un qumico, y de esta manera, producir con precisin geometras de superficies muy finas. La capa fotosensible puede utilizarse para proteger por debajo los materiales contra el ataque qumico en hmedo o contra el ataque qumico de iones reactivos. Este requerimiento impone restricciones mecnicas y pticas muy crticas en el equipo de fotolitografa.

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Tcnica Fotolitogrfica: (a) Enmascarado y Exposicin a una Radiacin Ultravioleta, (b) Fotorresina, (c) Revelado

2.8 Empacado Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips terminados, cada chip puede contener de 10 a 108 o ms transistores en un rea rectangular, tpicamente entre 1 mm y 10 mm por lado. Despus de haber probado los circuitos elctricamente se separan unos de otros (rebanndolos) y los buenos (pastillas) se montan en cpsulas (soportes). Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las terminales del paquete al patrn de metalizacin en la pastilla; por ltimo, se sella el paquete con plstico o resina epxica al vacio o en una atmsfera inerte.

3. COMPONENTES ELECTRNICOS MS USADOS EN EL DISEO DE CIRCUITOS 3.1 MOSFET Se prefiere el MOSFET canal n al MOSFET canal p. La movilidad de la superficie de electrones del dispositivo de canal n es de dos a cuatro veces ms alta a la de los huecos. Este transistor ofrece una corriente ms alta y una resistencia baja; as como una transconductancia ms alta. Su diseo se caracteriza por su voltaje de umbral y sus tamaos de dispositivos, en general, los MOSFET (tipo n o p) se disean para que tengan voltajes de umbral de magnitud similar para un proceso particular; por lo tanto, los circuitos MOSFET son mucho ms flexibles en su diseo.

3.2 Resistencias: Las regiones de distinta difusin tienen diferente resistencia. El pozo n en general se utiliza para resistencias de valor medio, mientras que las difusiones n+ y p+ son tiles para resistencias de valor bajo. Cuando se disea un valor real de una resistencia se hace a travs del cambio de la longitud y el ancho de las regiones difundidas. Todas las resistencias difundidas estn autoaisladas por las uniones pn polarizadas a la inversa. Sin embargo una desventaja es que estn acompaadas por una sustancial capacitancia parsita de unin que los hace no muy tiles en el uso de frecuencias altas. Adems, es posible que exista una variacin en el valor real de la resistencia cuando se aumenta el voltaje debido a un efecto llamado JFET. Para obtener un valor ms exacto, se recomienda que se fabrique con una capa de polisilicio que se coloca encima del grueso campo de xido. 3.3 Condensadores: Existen 2 tipos de estructura de condensador en los procesos CMOS, condensadores MOS y de interpolietileno. La capacitancia de compuerta MOS es bsicamente la capacitancia de compuerta a fuente de un MOSFET, la cual depende del rea de dicha compuerta; este condensador exhibe una gran dependencia del voltaje, para eliminar este problema, se requiere un implante n+ adicional para formar la placa inferior de los condensadores. Estos dos condensadores MOS estn fsicamente en contacto con el sustrato, lo que produce una gran capacitancia parsita en la unin pn en la placa inferior. El condensador interpoli exhibe caractersticas casi ideales pero a expensas de la incluir una segunda capa de polisilicio en el proceso CMOS, donde los efectos parsitos se mantienen al mnimo. Para los 2 tipos de condensadores anteriormente (interpoli y MOS), los valores de capacitancia pueden controlarse hasta un margen de error de 1%. Esta propiedad es extremadamente til para disear circuitos CMOS anlogos de precisin. 3.4 Transistor pnp lateral: Cuando se utilizan este tipo de dispositivos electrnico, el pozo n sirve como regin de base n con difusiones p+ como emisor y colector. La separacin de entre las dos difusiones determina el ancho de la base. Como el perfil de dopaje no est perfeccionado para las uniones basecolector, y como el ancho de la base est limitado por la resolucin de fotolitogrfica mnima, el desempeo de este dispositivo no es muy bueno. 3.5 Resistores de base p y de base estrecha: La difusin en la base p se puede utilizar para formar un resistor de base p directo. Como la regin de la base es, por lo general, de un nivel de dopaje relativamente bajo y con una profundidad de unin moderada, es adecuada para resistores de valor medio. Si se requiere un resistor de valor grande, se puede utilizar el de base estrecha; ya que exhiben malos coeficientes de tolerancia y temperatura pero una coincidencia relativamente buena.

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BIBLIOGRAFIA R. Boleystad y L. Nashelsky, Electrnica: Teora de Circuitos, Prentice-Hall. S. y. Smith, Circuitos Microelectrnicos (5 Edicin ed., pgs. 1050-1086). McGrawHill. http://www.edutecne.utn.edu.ar/microelectronica/02FABRICACION%20DE%20 CIRCUITOS%20INTEGRADOS.pdf http://es.wikipedia.org/wiki/Fabricaci%C3%B3n_de_circuitos_integrados