Eletrnica

Aula 06 CIN-UPPE

Amplificador bsico (classe A)

Amplificador bsico
um circuito eletrnico, baseado em um componente ativo, como o transistor ou a vlvula, que tem como funo amplificar um sinal de entrada e suas variaes (corrente e tenso). Esta amplificao ser refletida em uma carga Rc, de onde o sinal amplificado retirado.

http://myspace.eng.br/eng/ampclas1.asp#clas_a

Amplificador bsico
R1, R2, R3 e RC so usados para polarizao do transistor

Sinal de entrada

Polarizao Sinal efetivo em N

Filtra sinal DC

C1, atua como filtro, para evitar que variaes de tenso em R3 afetem a freqncia de operao do circuito.

Componente DC e CA

Amplificador bsico

Amplificador com transistor Polarizao CC (visto na aula 4) Acoplamento CA Aps a polarizao do transistor no ponto Q, prximo ao centro da reta de carga, podemos aplicar uma tenso CA na base do transistor. Esta tenso amplificada e aparece no coletor do transistor com a mesma forma da onda da base. Observem que nesta configurao o sinal invertido na sida
VCC C2 RL RG C1

CE

Anlise CA

Acoplamento com capacitores

O capacitor em circuitos que trabalham com sinais AC podem ser usados para duas funes bsicas:
Permite que apenas os sinais CA sejam transmitidos pelo circuito amplificador. Curto circuitar sinais CA acima de determinada freqncia. (filtro).

Esta caracterstica est diretamente associada ao valor da reatncia capacitiva do capacitor:

XC = 1/2fC

Esta frmula mostra que a reatncia inversamente proporcional ao valor da freqncia. Ou seja, quanto maior for a freqncia menor ser a reatncia capacitiva. Assim: Para sinais DC os capacitores funcionam como circuitos abertos. Para sinais CA, de alta freqncia, os capacitores funcionam com curto-circuito.

Anlise CA

Acoplamento com capacitores

Funo do capacitor
Em baixa freqncia o capacitor atua como um circuito aberto I = 0 Em alta freqncia o capacitor conduz, deixando passar a componente alternada do sinal (CA) I = VG/(RG+R2) Est corrente a corrente mxima que pode circular no circuito, considerando-se que a reatncia capacitiva tende a zero em alta freqncias.(reatncia capacitiva tende a zero)

VG

Anlise CA

Acoplamento com capacitores

Em um circuito CA o valor do capacitor deve ser tal que o mesmo deve agir como curto (valor relativo pequeno de resistncia) na menor freqncia de operao desejada.
Exemplo: Se desejamos amplificar sinais de 20 a 20 KHz, devemos dimensionar o capacitor para que ele funcione como curto circuito a partir de 20 Hz. O capacitor neste estgio (ou seja a reatncia capacitiva) deve interferir o mnimo possvel na corrente do circuito (trabalhar em curto circuito). Isto significa que sua reatncia capacitiva deve ser baixa. Em geral, este valor, deve ser no mximo 10% do valor da resistncia da malha:

XC < 0,1 (RG+R2)

Anlise CA

Acoplamento com capacitores

Corrente no circuito RC: I = V/Z => I = VG/ (R2+XC2) Para XC < 0,1 R Com R = RG+R2
XC

I = VG/ (R2+0,1R2) I = 0,995 VG/R

I = VG/ 1,01R2 =>

Esta corrente apenas 1% menor que a corrente mxima do circuito, dada por I = VG/R, afetando o mnimo o comportamento do circuito. Assim, podemos tratar um capacitor como em curto-circuito quando sua reatncia for pelo menos 10 vezes menor que a resistncia total do circuito.

Capacitor de desvio (bypass)

Neste tipo de circuito, o capacitor colocado em paralelo com o resistor. O efeito prtico deste circuito desviar a corrente do resistor em freqncias altas, atravs do efeito de curto-circuito, criando um terra virtual. Neste caso, a tenso sobre o resistor cai para zero (em altas freqncias). Terra CA

A alta freqncia de quina:

fh frequncia na qual o capacitor se comporta como curto-circuito, ou melhor, sua reatncia capacitiva chega a aproximadamente 10% da impedncia a qual o capacitor est acoplado.

Amplificador bsico

Amplificador com transistor (Exemplo) - Classe A (emissor Comum) Anlise CA

VCC C2 RL RG C1

CE

Anlise CA

Para se fazer a anlise CA necessrio: Eliminar as fontes DC. Curto-circuitar todos os capacitores. Combinar os resistores, R1, R2, substituindo-os pelo seu equivalentes (RB).
Combinar R4 e RL

zi ii vi
R1 R2

Modelo CA de um transistor R4 RL

iC vo zo

Parmetros de Anlise - CA

Impedncia de entrada (Zi) Impedncia de sada (Zo) Ganho de tenso (Av) Ganho de corrente (Ai)

ii vi Zi

Modelo CA de um transistor

io Zo vo
RL

Av = vo/vi Ai = io/ii

Modelo de um BJT para pequenos sinais

Modelo re do transistor
Este modelo emprega um diodo e uma fonte de corrente controlada para modelar o transistor na regio de interesse. Este modelo sensvel ao valor cc de operao do amplificador.

Modelo hbrido equivalente do transistor

Os parmetros hbridos (V e I) so definidos em um ponto de operao do transistor.

Ambos os modelos so usados para anlise CA de um BJT

Operao em pequeno sinal

O ponto de operao de um amplificador (ponto Q) importante, desde que este representa o ponto de funcionamento DC do amplificador.
Q (ponto de operao) IB

Q (ponto de operao)

VBE

Distoro da onda
(indesejvel p/amplificadores de alta fidelidade)

Modelo re do transisor (modelo CA)

Configurao emissor comum

IC = IB C B IB E IE

IC = IB

IE =(+1)IB IB (>>1)

Modelo re do transisor (modelo CA)

Clculo da Impedncia de entrada (Zi)

Clculo em funo de ib e vbe Resistncia entre base e emissor(diodo) C i i =i B B iC = IB re

zi

vi

vbe

re IE
E

zi = re

Zi = vi/ii=vbe/iBiE.re/iB= iB.re/iB= .re

re = 25mV/IE a 50 mV/ IE

Resistncia CC e CA

Resistncia CC no transistor: RCC = V/I, onde V a tenso do diodo base-emissor (0,7V) e I a corrente de operao do transistor. Exemplo para IE = 1mA, RCC = 0,7V/1 mA = 700 Resistncia dinmica CA do transistor: Esta resistncia a variao da tenso base-emissor dividida pela variao de corrente no emissor. RCA = vBE/ iE Exemplo para vBE = 1m V e iE = 40 A,

RCA = 1mV/40 A = 25 Regra prtica:

A resistncia CA aplicada a todos os transistores varia de acordo com a temperatura de operao do transistor. Para 25 oC: Esta equao se baseia em uma juno base-emissor perfeita e depende da temperatura de operao do transistor. Este efeito resistivo ocorre dentro do transistor. RCA = 25mV/ IE ou re = 25mV/IE a 50 mV/ IE

Modelo re do transisor (modelo CA)

Clculo da impedncia de sada (zo)

Clculo em funo de ic e vce Inclinao = ic/ vce = 1/ro

Baixa impedncia

ic vce

Q
vce

Alta impedncia ic

Quanto maior for a inclinao menor ser a impedncia de sada. Como trabalhamos em geral na regio onde ic muito pequeno, a impedncia de sada muito grande, no ponto de Operao (ponto Q). ic c ro zo v ce e

Modelo re do transisor (modelo CA)

zi zo
RL

Ganho de tenso (ro ): Av = vo/vi= IB.RL/ iB.re= RL/re

Ganho de corrente(ro ): Ai = io/ii= ic./ iB== hfe

Parmetros de anlise CA do transistor para pequenos sinais:

- Impedncia de entrada (Zi)= re (re = 25mV/IE) p/25 oC - Impedncia de sada (Zo)= ro - Ganho de tenso (Av)= vo/vi= IB.RL/ IB.re= RL/re - Ganho de corrente (Ai)= io/ii= ic./ IB== hfe

Modelo hbrido

Um circuito eltrico formado por elementos lineares pode ser representado por um nico dispositivo denominado quadriplo, de modo a ser modelado matematicamente.

As quatro variveis envolvidas no modelo (i1,i2,v1,v2 ) podem ser relacionadas entre si atravs de funes lineares, ficando duas variveis independentes e duas dependentes. O tipo de modelo que fixa a tenso de entrada v1 e a corrente de sada i2 como variveis dependentes e a corrente de entrada i1 e a tenso de sada v2 como variveis independentes denominado modelo hbrido h. Para relacionar essas tenses e correntes, o quadriplo deve ser formado por quatro parmetros internos, definindo assim duas funes lineares da seguinte forma:

http://dc146.4shared.com/doc/-Qg_UB-Y/preview.html

Modelo de transistor BJT para pequenos sinais CA modelo hbrido equivalente

O modelo DC, em geral utilizado para polarizao de transistores, no consegue representar adequadamente as pequenas variaes CA. Em BJT, existem 4 parmetros de interesse: iB, iC, vBE,vCE Onde iB e vCE so variveis independentes do sistema, enquanto que ic e vBE so varivies dependentes.

Onde: vBE= f1(vCE,iB) iC = f2(vCE,iB)

iB vBE= f1(vCE,iB)

iC = f2(vCE,iB) vCE

V
CE

Modelo de transistor BJT para pequenos sinais - CA

VBE como funo de iB e vCE

Modelo de transistor BJT para pequenos sinais - CA

iC como funo de iB e vCE

Modelo de transistor BJT para pequenos sinais - CA

Considere os parmetros IB, IC, VBE, VCE do transistor operando no ponto Q (ponto de operao) iB = IB+iB vCE = VCE+vCE

As mudanas iB e vCE resultam nas mudanas CA de vBE e ic

que podem ser encontradas pela srie de Taylor na regio vizinha ao ponto Q, ou seja:

Modelo de transistor BJT para pequenos sinais - CA

As derivadas parciais so calculadas no ponto Q: Podemos denotar as mudanas CA em vBE e iC como vBE e iC por: vBE(IE+iB, VCE+iCE)=VBE+vBE iC(IE+iB, VCE+iCE)=iC+iC

Aplicando um pequeno sinal CA ns mudamos iB e vCE com pequenos valores iB e vCE que faz com que o transistor responda mudando vBE e IC, vBE e iCE.

Modelo de transistor BJT para pequenos sinais - CA

Respostas do transistor a sinais CA so dadas por:

As derivadas parciais so as inclinaes das curvas prximas ao

ponto de operao Q.

Modelo de transistor BJT para pequenos sinais - CA

Considerando as derivadas parciais prximas ao
Q. Definimos ento os parmetros: ponto de operao

Onde: hie - resistncia de entrada do transistor, dado em Ohms () hre - sem unidade (adimensional) - Representa a dependncia da curva IB-VBE do transistor sobre o valor de VCE. geralmente muito pequenas e muitas vezes negligenciada (presume-se zero) hfe - sem unidade (adimensional) (ganho de corrente) hoe condutncia de sada, dado em mhos (Siemens)

A resposta do transistor para pequenos sinais CA dado por:

Modelo hbrido (h)

Modelo equivalente da entrada do transistor

Modelo hbrido (h)

Modelo equivalente da sada do transistor

Modelo hbrido (h)

Modelo equivalente da entrada/sada do transistor

O modelo equivalente de pequeno sinal matematicamente vlido apenas para sinais de pequena amplitude. Os parametros h so fornecidos pelo fabricante do dispositivo. Estes parmetros podem mudar substancialmente dependendo do fabricante.

Modelo hbrido (h) - exemplo

Parmetros hbridos (tpicos) transistor 2N3904 Mnimo Maximo Medio

Modelo hbrido (h)

Desconsiderando o componente hre, o qual muito pequeno e usualmente ignorado em modelos analticos, chegamos a um modelo denominado hibrido-. Assim:

Ou melhor

Modelo hbrido (h)

Modelo hbrido- atravs de uma fonte de corrente controlada.

re

hie=hfe.re = .re

Exemplo - Amplificador Emissor Comum

Caractersticas: Inverso de fase em 180o entre os sinais de entrada e sada O capacitor de sada bloqueia a tenso CC No deve h tenso CA no emissor na freqncia de trabalho No h tenso CA na fonte de alimentao devido ao filtro da fonte.

VCC RC C1 C2

CE

Inverso de fase (180o)

Anlise do circuito

Modelo CA para circuito com polarizao por divisor e tenso:

ii
Vi

iC re io
Zo Zo =RC || ro

Zi

R1

R2

Zi =R || re
R=R1 || R2
a) b) c) d) e)

Calcular: re 25mV/IE (resistncia do emissor) Zo impedncia de entrada Zi impedncia de sada Ganho de tenso Av (Av = Vo/Vi) Ganho de corrente Ai (Ai = io/ii)

Impedncia de entrada Zi: Zi =R || re Onde R = R1||R2 = R1.R2/(R1+R2) Impedncia de sada Zo: Zo =RC || ro Ganho de tenso: Av = vo/vi Onde vo = iC. Zo = -(iB)(RC || ro) iB= vi/re Assim, vo=-(vi/re )(RC || ro) e Portanto: Av = vo/vi = - (RC || ro)/re Se ro>> RC Av = - RC/re

Ganho de corrente: (Thevenin-Norton) Ai = io/ii Onde io = (ro)(ib)/ (ro+RC) e ii = (RBB)(ib)/(RBB +re) Portanto: Ai = (ro)(ib). (RBB +re ) (RBB)(ib) . (ro+RC) Se considerarmos ro>> RC e RBB >> re Ai

*RBB=impedncia equivalente

Polarizao AC - problema
Este tipo de montagem, com a incluso de RE1 faz com que o circuito amplificador independa mais das caractersticas do transistor (re). A soluo com a adico de um resistor RE1 ao emissor, faz com que o sinal AC veja uma resistncia de emissor de RE1. Para o sinal DC, esta resistncia dada agora por RE =RE1+RE2. As frmulas para o amplificador emissor comum podem ser aplicadas aqui, substituindo rE por re+RE1 na determinao do ganho do amplificador, no modelo AC. Na anlise AC Cb remove RE2 do circuito.

Transistor
BC546, BC547