Estudo Dirigido Transistores Bipolares

1. Transistor Bipolar Equaes Bsicas A figura abaixo apresenta a estrutura fsica de um transistor bipolar npn, constituido de trs regies: emissor (tipo n), base (tipo p) e coletor (tipo n). Os transistores bipolares possuem duas junes pn. A condio de polarizao destas junes define a regio de operao do transistor, conforme mostra a tabela 1. Tabela 1 - Regies de Operao do transistor
Regio de Operao ativa saturao corte Juno Base-emissor diretamente polarizada diretamente polarizada reversamente polarizada Juno Base-coletor reversamente polarizada diretamente polarizada reversamente polarizada

Figura 1 Estrutura fsica do transistor bipolar O transistor da figura 1 est polarizado na regio ativa, com a juno base-emissor polarizada diretamente pela fonte VBE, provocando a circulao de corrente por esta juno. Esta corrente formada por duas componentes: uma pequena corrente de buracos (iB1) proveniente da base e uma grande corrente de eltrons do emissor para a base. O valor de cada uma destas componentes da corrente de emissor proporcional concentrao de impurezas introduzida em cada regio, no processo de fabricao. A regio de emissor muito dopada (grande concentrao de impurezas doadoras de eltrons no transistor npn) e a regio de base pouco dopada (grande concentrao de impurezas aceitadoras de eltrons no transistor npn). Portanto, em um transistor npn, a corrente de emissor essencialmente constituda de eltrons. Os eltrons provenientes da regio de emissor atravessam, por efeito de difuso, a estreita regio de base. A polarizao reversa da juno base-coletor assegura a passagem destes eltrons para a regio de coletor. A corrente de coletor pode ser expressa como:
iC = I S e vBE / vT

onde IS a corrente de saturao reversa. Esta corrente muito pequena (entre 10-12 e 10-18 A) e seu valor proporcional a rea da juno base emissor, ou seja, proporcional capacidade de corrente do transistor. A corrente de saturao muito dependente da temperatura e dobra de valor a cada aumento de 5oC na temperatura. A figura 1 mostra que a corrente de base constituda por 2 pequenas componentes de corrente. Esta corrente de 50 a 200 vezes menor que a corrente de coletor.

iC = iB
O ganho denominado ganho de corrente em emissor comum. Como iE = iC + iB , temos:
i E = ( + 1)i B

As correntes de coletor e emissor so muito prximas, consequentemente, o ganho do transistor em base comum, prximo de 1.

iC = iE
Das expresses acima, podemos deduzir a relao entre estes ganhos:
= +1

Figura 2 - Smbolo e conveno de sinais para transistores a) npn e b) pnp Atividade 1 - Para o circuito abaixo, determine as tenses c.c. indicadas, considerando a) infinito e b) = 100.

2. Polarizao do Transistor Bipolar A figura 3.a mostra um circuito tpico usado para a polarizao do TBJ, alimentado por fonte nica. Na figura 3.b, o divisor de tenso foi substitudo por seu equivalente de Thevenin. A corrente de emissor pode ento ser calculada como:

IE =

VBB VBE RE + RB /( + 1)

Figura 3 - Polarizao do transistor bipolar com fonte nica Para fazer a corrente IE insensvel a variaes em e temperatura (VBE cai 2mV/oC), duas condies devem ser atendidas:

VBB >> VBE

RE >>

RB +1

O circuito da figura 4 pode ser usado quando o transistor alimentado por fontes simtricas. Observe que a expresso para a corrente de emissor a mesma apresentada acima.

Figura 4 - Polarizao com fontes simtricas Em circuitos integrados, geralmente, os transistores so polarizados por fontes de corrente construdas com circuitos espelho de corrente, como os da figura 5b.

Figura 5 - Polarizao com fonte de corrente Atividade 2: Resolva os problemas 5.90, 5.92 e 5.93 do livro texto.

3. Modelos de Pequenos Sinais Na anlise c.a. de amplificadores transistorizados, dois modelos so utilizados: o modelo pi e o modelo T. estes modelos so apresentados na figura 6.

Figura 6 - modelos de pequenos sinais do transistor: a) modelo pi e b) modelo T Os parmetros destes modelos dependem do ponto de operao do transistor e so definidos pelas expresses:
gm = IC VT r = VT = ( + 1)re IB

ganho de transcondutncia

re =

VT = I E gm VA IC

ro =

resistncia de sada

Observe que:

= g m r

Atividade 3: Resolva os exerccios 5.130. 5.141 e 5.143 do livro texto. Atividade 4: Faa a simulao destes circuitos usando o LTspice.Utilize o transistor BC547B.