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Lista

de ejercicios dispositivos semiconductores: 1) Ejercicios 2.8 y 2.11 capitulo 2 libro-texto. 2) Calcule las energas (en J y eV) de los fotones con las siguientes longitudes de onda: - 150 nm, 450 nm, 800 nm, 2000 nm. 3) Calcule las longitudes de onda de electrones con las siguientes energas cinticas: - 50 eV, 500 eV, 5 keV. 4) Calcule la corriente elctrica generada a partir de un metal de funcin trabajo de 1.5 eV, iluminado por un lser de 700 nm con 8 mW de potencia ptica. Considere que la eficiencia de conversn ptica-electrnica es de 70%. 5) Dos metales A y B, de funciones trabajo de 1 y 2 eV respectivamente son iluminados por un lser de 800 nm. Los dos metales pueden ser usados para generar una corriente elctrica a travs del efecto fotoelctrico? 6) Calcule los valores dos 3 primeros niveles de energa de un pozo de potencial infinito de ancho L = 100 , haciendo el calculo a partir de la ecuacin de Schrndinger independiente del tiempo. Dibuje tambin las densidades de probabilidad de encontrar el electrn para los 3 niveles. 7) Suponga que un fotodetector es hecho en un semiconductor a partir de un pozo de potencial infinito. Calcule el ancho del pozo para que el detector sea capaz de absorber fotones de 500 nm entre el estado fundamental y el primero estado excitado. Calcule la probabilidad de ubicar el electrn entre 0 y L/4 en el primero estado excitado. 8) Considere dos hilos de cobre separados slo por la capa de xido de superficie (~ 5 nm espesor). Clsicamente como el xido es un aislante no debera haber ninguna corriente elctrica debera pasar entre los dos hilos. Suponga que para electrones en el hilo de cobre, el xido de superficie puede ser aproximado por una barrera de potencial de 10 eV. Cul es la probabilidad de transmisin de los electrones a travs de la barrera, si la energa cintica de ellos es de 7 eV? Cul es la probabilidad de transmisin si la barrera fuera cambiada para un espesor de 1 mm? 9) Suponga que un diodo emisor de luz (LED), a ser empleado en focos traseros como luz de freno (633 nm) debe ser construido a partir de un semiconductor que puede ser modelado a partir de un pozo de potencial infinito. Calcule el ancho del pozo para que el diodo sea capaz de operar con la emisin de inters entre el nivel fundamental y el primero nvel excitado. Calcule la prxima emisin posible a partir del nvel fundamental,.