Diodo Shockley

Smbolo del diodo Shockley.

Grfica V-I del diodo Shockley Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado apagado al de conduccin, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar la tensin de conmutacin, denominada Vs. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado apagado, se disminuye la corriente hasta la corriente de mantenimiento, denominada Ih. En ese instante el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). La tensin inversa deavalancha es denominada Vrb. Este dispositivo fue desarrollado por William Bradford Shockley tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley.

1. Diodo Shockley Mauricio romero 2. El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo. Est constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una estructura pnpn. Acta como un interruptor: est abierto hasta que la tensin directa aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra y permite la conduccin. La conduccin contina hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor especfico 3. CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una corriente muy pequea hasta que se alcance la tensin de ruptura ( V RB ). En polarizacin positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza un valor de tensin V B0 . Una vez alcanzado este punto, el diodo entra en conduccin, su tensin disminuye hasta menos de un voltio y la corriente que pasa es limitada, en la prctica, por los componentes externos. La conduccin continuar hasta que de algn modo la corriente se reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento I H . La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarizacin directa tiene un lmite impuesto por el propio componente ( I MAX ), que si se supera llevar a la destruccin del mismo. Por esta razn, ser necesario disear el circuito en el que se instale este componente de tal modo que no se supere este valor de corriente. Otro parmetro que al superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es V RB , ya que provocara un fenmeno de avalancha similar al de un diodo convencional. 4. 5. simbolos 6. El diodo de 4 capas o diodo Shockley maneja aplicaciones como: Osciladores y Dispositivos de Disparo a SCR . Aplicaciones Practicas del Diodo Shockley: Uso descontinuado en la actualidad Tiristores Bidireccionales Bidireccional: Conducen en ambos sentidos

DIODO SHOCKLEYEl estudio de los tiristores comienza con un dispositivo semiconductor llamado diodo de cuatro capas,tambin conocido como diodo PNPN, o diodo Shockley en honor a su inventor, William Shockley. Unailustracin simple de la estructura del diodo Shockley que se puede encontrar comnmente en los librosde texto, es la que consiste en cuatro capas de materiales semiconductores en configuracin P-N-P-N,la cual se ilustra en la siguiente figura. Figura 1. Estructura del Diodo Shockley Desafortunadamente esta figura no ayuda mucho a comprender el cmo y porque se comporta de lamanera en que lo hace. Por lo cual para fines didcticos se analizar una estructura que guardaequivalencia con su estructura original. Figura 2. Circuito Equivalente a transistores Mostrado de esta manera, se asemeja a un par de transistores bipolares interconectados, uno del tipo PNy o t r o d e l t i p o N P N . D i b u j a d o u t i l i z a n d o s i m b o l o g a e s q u e m t i c a s t a n d a r d , y r e s p e t a n d o l a s concentraciones del dopaje de los materiales semiconductores, no ilustradas en la figura 2, el diodoShockley puede ilustrarse en la siguiente figura. Figura 3. estructura Cristalina, Circuito Equivalente y smbolo

Para analizar el comportamiento del diodo Shockley, debemos conectarlo a una fuente de alimentaciny colocarle una resistencia de carga. Lo cual se ilustra a continuacin. Figura 4. Circuito para analizar comportamiento Sin voltaje aplicado, es obvio que no existe circulacin de corriente. Conforme el voltaje de la fuente seincrementa gradualmente, an as todava no habr circulacin de corriente debido a que ninguno de lostransistores est en posibilidad de conducir corriente, ambos se encuentran en circuito abierto. Paraentender esta situacin recuerde que para llevar un transistor bipolar a su estado de conduccin senecesita una corriente circulando a travs de la unin base-emisor. Como puede observarse en la figura4, la corriente de base del transistor inferior es controlada por el transistor superior y la corriente debase del transistor superior es controlada por el transistor inferior. En otras palabras, ninguno de lostransistores puede entrar en conduccin hasta que el otro entre en conduccin.En condiciones ideales este estado de no conduccin debera de conservarse debido a que ninguno delos transistores puede

entrar en conduccin sin importar el nivel de voltaje aplicado.En condiciones reales sin embargo , los transistores tienen un valor mximo de voltaje entre colector-emisor que pueden soportar antes de que se produzca la conduccin de corriente, a este voltaje se leconoce como voltaje de ruptura. Una vez que uno de los transistores entra en conduccin ocasiona queel otro transistor tambin entre en conduccin alcanzando ambos la saturacin por el efecto de laretroalimentacin positiva y se mantienen en este estado de conduccin mientras no se desconecte lafuente de alimentacin.Entonces puede deducirse que podemos hacer que un diodo Shockley entre en conduccin aplicndoleun nivel de voltaje adecuado entre sus terminales, lo cual ocasionar que uno de los transistoresinternos entre en conduccin y ocasionar que el otro transistor entre en conduccin y se mantienen enese estado indefinidamente.Para hacer que el diodo deje de conducir, debemos disminuir el voltaje aplicado entre sus terminales,sin embargo se observa que an reduciendo dicho voltaje por debajo del valor que fue necesario parahacerlo entrar en conduccin el diodo sigue en estado de conduccin. La solucin a esta situacin esbajar el voltaje a un nivel donde la corriente que fluya ya no es la suficiente para mantener el efecto deconduccin, en este punto, uno de las transistores dejara de conducir y ocasionar que el otro transistortambin deje de conducir. Este fenmeno se conoce como Histresis.

Si dibujamos la secuencia de eventos descritos y graficamos el comportamiento de las seales deCorriente y Voltaje, el efecto de Histresis es evidente. En la figura 5, se observa el circuito con unaseal de cero voltios aplicados. Figura 5. Cero Voltaje = Cero Corriente Despus empezamos a incrementar gradualmente el voltaje aplicado, la corriente en el circuito esp r c t i c a m e n t e c e r o d e b i d o a q u e n o s e h a a l c a n z a d o e l v o l t a j e d e r u p t u r a p a r a n i n g u n o d e l o s transistores, como se aprecia en la figura 6. Figura 6. Voltaje aplicado, sin corriente Cuando el voltaje de ruptura de un transistor es alcanzado, este comenzar a conducir sin importar queno exista corriente de base que lo ocasione. Normalmente este tipo de operacin destruira el transistor,pero las uniones de cristales que conforman un diodo Shockley son diseadas para soportar este tipo deabuso, de manera similar a la forma en que un diodo zener es construido para soportar un voltaje deruptura inverso sin sufrir dao fsico. Figura 7. Ms voltaje, conduccin.