Electronique Analogique

ACADEMIE INTERNATIONALE MOHAMMED VI DE LAVIATION CIVILE

CHAPITRE IV. TRANSISTOR A EFFET DE CHAMPS

I. Effet de champs jonction JFET
Le schma de principe d'un transistor effet de champ JFET canal n est donn par la figure 4.1 Il comprend deux parties fondamentales, un canal de silicium type n dont les extrmits sont dites Drain et Source et deux zones de type p formant la grille. Dans son utilisation la plus courante, le drain sera port un potentiel positif par rapport la source, alors la grille (pour un canal n) sera porte un potentiel ngatif ou nul par rapport la source ce qui polarisera en inverse les jonctions PN (Grille-Canal) produisant ainsi deux zones de charge d'espace (zone de dpltion ou zones dpeuple) autour des jonctions. Ces zones ne contiennent pas de porteur, donc elles sont isolantes et leur profondeur augmente avec Vgs et aussi mais d'une faon asymtrique avec VDS puisque VDS=VDG+VGS Plus cette profondeur augmente plus le canal sera 'trangl'. 1) Si VDS=0, quelque soit la valeur de Vgs, on aura toujours VGS=VGD, donc la zone de dpltion

Vgs

G Substrat P
zone dpeuple

S Canal n
zone dpeuple

Substrat P

Vds Fig. 4.1 : JFET canal N

aura la mme largeur tout le long du canal. 2) Pour VDS > 0, la tension inverse de la jonction est VGS du cot source et VGD=-VDS+VGS du cot du drain soit |VGD|=|VDS|+|VGS|, donc la zone de dpltion sera plus large de ce cot et de ce fait le canal sera plus troit. 3) Regardons ce qui se passe si on prend VGS=0 (grille et source court-circuites) et on fait augmenter VDS progressivement. On observe (Fig. 4.2) que pour les valeurs faibles de VDS, un courant ID proportionnel VDS circule dans le canal qui se comporte donc comme une rsistance RDS. Au fur et mesure que VDS augmente, le canal s'trangle du cot du drain car VDS=VDG, il arrive un moment o la largeur du canal devient tellement troite qu'il se produit un phnomne de saturation (*) du courant ID, qui n'augmente quasiment plus mme si on continue d'augmenter VDS. La tension VDS qui provoque ce phnomne est dite tension de pincement Vp . Le courant ID correspondant est not IDSS et la rsistance du canal avant pincement est note RDSon. 4) Si on refait la mme chose mais cette fois ci avec une tension VGS non nulle, au dbut, pour VDS=0, on a VGD=VGS, ce qui donne une zone de dpltion rgulire le long de tout le canal qui, ainsi, voit sa largeur rduite. Ds que VDS commence augmenter, ID augmente proportionnellement mais avec, cette fois, une pente plus faible car la rsistance du canal est plus leve. Au fur et mesure que VDS augmente, le canal s'trangle du cot du drain car VDG=VDS+|VGS| . Au moment o VDG=Vp, le canal est pinc et il y a saturation du courant ID. Remarquons que le pincement se fait pour une valeur de V'p de VDS infrieure Vp :

(*) Des tudes ont montr que cela est du une saturation de la vitesse des lectrons dans la zone trangle

M. KCHIKACH

Electronique Analogique

ACADEMIE INTERNATIONALE MOHAMMED VI DE LAVIATION CIVILE

V'p = Vp - |VGS| = Vp + VGS

ID ID
V'p=Vp+Vgs 1 Rdson

Vds=Vp

Idss

Vgs=0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2 -2.4 Vds Vp

Vgsoff

Vgs

Fig. 4.2 : Courbes caractristiques d'un FET canal N

(4.1) 5) Si maintenant on applique une tension VGS=-Vp, mme pour VDS nulle, le canal est pinc sur toute sa longueur. Il ne peut y avoir de courant ID mme si on fait augmenter VDS, on dit que le FET est bloqu. Pour viter toute confusion (*) on notera VGSoff la valeur de VGS qui bloque le transistor et Vp la valeur de VDS qui provoque la saturation de courant ID pour VGS=0.

Si on observe le rseau de caractristique ID=f(VDS)Vgs=Cte, on s'aperoit qu'on peut distinguer deux modes de fonctionnement du FET : Pour VDS < V'p, le FET se comporte comme une rsistance, d'o l'appellation Zone rsistive ou Zone Ohmique de cette rgion : V R R DS = DSON I D = DS avec (4.2) R DS 1 + VGS Vp O R DS

Vp V 2.I DS 1 + GS Vp

et Vp=-Vgsoff

Pour VDS > V'p, Le courant ID ne dpend quasiment pas de VDS. Cette rgion est dite Zone de saturation :
V I D = I DSS 1 GS (4.3) VGSOFF I.1 Polarisation dun JFET Le fait de se donner un point de fonctionnement Qo (VDSo,IDo) dtermine parfaitement la valeur Vgso de Vgs ainsi que la droite de charge VDD=RDID+VDS+RSID qui doit passer par le point Qo et couper l'axe Vds au point Vdd. Vgso peut tre dtermine graphiquement ou calcule partir de l'quation (4.3), do: I Do VGSo = VGSoff 1 (4.4) I DSS
VDD VDSo (4.5) I Do RD+RS peut aussi tre dtermine graphiquement puisque la droite de charge coupe l'axe ID au point VDD/(RD+RS). R D + RS =
(*)

L'quation de la droite de charge fournit la valeur de RD+RS :

Bien que tout le monde soit peut prs d'accord que Vgsoff= -Vp, certains auteurs donnent des valeurs diffrentes comme |Vgsoff| = Vp + 0.9 M. KCHIKACH 2

Electronique Analogique

ACADEMIE INTERNATIONALE MOHAMMED VI DE LAVIATION CIVILE

VGS = VG-VS ,Or VG est fix par la tension de polarisation de la grille. (en gnral VG=0, exemple : cas de la polarisation automatique, figure ci-contre) . Peu importe la valeur de VG du moment qu'elle soit connue. Cela nous permet de connatre la tension sur la source. VSo = VGSo-VG Or VSo = RS IDo Cela nous donne RS puis RD
Vdd Rd D
Ido Qo
.

Id Vdd Rd+Rs Vgs=0

S Rg Rs

Vgso

Vds

Fig. 4.3
Vds Vgs 0 G p S n D S n p D S D S 1 G 2 G 3 G

Vdso

Vdd

Fig. 4.4
4 G

p G

p G G G G

S -1

-2

-3

Fig. 4.5 I.2 Paramtres dynamiques dun JFET Si on s'intresse aux variations de courant et de tension autour d'un point de fonctionnement donn, on peut reprsenter le FET par les paramtres dynamiques gm et selon la relation : id = gm.vgs + 1/. vds
3

(4.6)
M. KCHIKACH

Electronique Analogique

ACADEMIE INTERNATIONALE MOHAMMED VI DE LAVIATION CIVILE

Avec gm = Id/Vgs Vds=Cte est la transconductance ou la pente du FET 1/ = Id/Vgs Vgs=Cte est la conductance de sortie du FET. On pose aussi =Vds/Vgs Id=Cte c'est le coefficient d'amplification. On a : = . gm En drivant l'expression de Id par rapport Vgs on obtient : 2I DSS V V gm = 1 GS = g mo 1 GS VGSOFF VGSOFF VGSOFF

(4.7)

(4.8)

I.2.1 Schma quivalent aux petits signaux Lorsque le transistor est utilis en amplificateur, il est polaris dans sa zone de pincement. Il faut donc tablir, comme dans le cas du transistor bipolaire, un modle adapt aux calculs dans le cas o les signaux appliqus au transistor sont variables et de faible amplitude autour du point de repos. Comme le courant de grille est toujours extrmement faible, la rsistance quivalente entre grille et source est considre comme infinie. Dans la zone de pincement, le courant entre D et S dpend uniquement de la valeur de VGS. Et suivant les valeurs de VDS et VGS, le canal entre D et S prsentera une rsistivit plus ou moins importante. On obtient donc le modle quivalent trs simple ci-dessous reprsent sur la Fig. 4.6, il traduit schmatiquement la relation gnrale : id = gm. Vgs +1/. Vds
G D

Vgs

gm.vgs

Vs

Remarque : Dans la plupart des cas, on considrera rDS trs importante et on la ngligera. I.3 Transistor MOS (Mtal Oxyde semi-conducteur) Le fonctionnement de ce genre de transistor est un peut similaire celui du JFET par le fait qu'ici aussi on va moduler le courant ID par la modulation de la largeur d'un canal conducteur. Ici, on ne se servira pas d'une jonction PN pour y arriver. La grille mtallique est isole du canal par une fine couche d'oxyde de silicium fortement isolant. Il existe deux types de transistors, MOS dpltion et MOS enrichissement. I.3.1 MOSFET enrichissement
S canal p
D G B S
isolant

Fig. 4.6 : Schma quivalent en dynamique dun JFET

D
metal

n B

Fig. 4.7 : Transistors MOSFET (canal N et P) enrichissement

M. KCHIKACH

Electronique Analogique

ACADEMIE INTERNATIONALE MOHAMMED VI DE LAVIATION CIVILE

Id

Id

Vgb Vth Vth

Vgb-Vth

Vgb

ID

Vgb-Vth

ID

Vgb Vgb <= Vth Vds

|Vgb|

Vgb >= Vth Vds

Fig. 4.8 : Caractristiques des transistors MOSFET (canal N et P) enrichissement En l'absence de potentiel sur la grille un tel transistor ne comporte pas de canal de conduction donc ID=0, on dit que transistor est normalement bloqu. Les zones constituant le drain est la source forment avec le substrat deux jonction PN et selon la polarit de VDS, il y aura toujours une jonction polarise en inverse. Si on applique une tension VGB sur la grille par rapport au substrat, en vertu des lois de l'lectrostatique, une charge gale et oppos celle de la grille apparatra en face de la grille sur l'autre 'lectrode' qui n'est rien d'autre que la partie du substrat qui est juste en face de la grille. La premire quantit des porteurs constituant cette charge vont servir compenser la charge inhrente au type du semi-conducteur constituant le substrat. Lorsque toutes les charges sont compenses, des porteurs minoritaires sont cumuls et il y a cration d'un canal, on dit qu'il y a inversion de canal. Un courant ID apparat alors si une tension VDS non nulle est applique. La tension VGB partir de laquelle il y a inversion du canal est dite tension de seuil VTH, Cette tension dpend des caractristiques gomtriques et physique du transistor et de la diffrence de potentiel entre la source est le substrat : Vth ( VSB ) Vth ( 0) + 0. 5 VSB (4.9)

Pour les valeurs faibles de VDS, le canal se comporte comme une rsistance : 1 W R DS = avec k = (4.10) L 2 k ( VGS Vth ) O W est la largeur du canal, L sa longueur et une caractristique de la technologie. Pour les technologies actuelles, elle est de l'ordre de 2.5 3.5 A/V2. D'une faon similaire au JFET, le fait d'augmenter VDS, provoque la diminution de la largeur du canal du cot drain et il arrive un moment (|VDS| = |VGS-VTH|) o il y a pincement du canal donc saturation du courant ID., qui partir de cet instant dpend peu de VDS. Pour un canal P, la tension VDS doit tre ngative, sinon il n'y a pas de
5

M. KCHIKACH

Electronique Analogique

ACADEMIE INTERNATIONALE MOHAMMED VI DE LAVIATION CIVILE

saturation de ID. Avant saturation : I D 2 k ( VGS Vth ) VDS k ( VDS ) 2 Aprs saturation : I D k ( VGS Vth ) 2

(4.11) (4.12)

I.3.2 MOSFET dpltion Pour ce type de transistor, il existe un canal de conduction pour VGB=0, transistor normalement ON. Le fait de polariser la grille par rapport au substrat va selon la polarit de VGB, soit chasser les porteurs du canal; appauvrissement, soit les attirer; enrichissement. L aussi, la tension VDS doit tre ngative pour un canal P, sinon la zone de saturation de ID n'est jamais atteinte. Canal n canal p
D G B S G D B S

D
metal isolant

D
metal isolant

p B
Id

n
Fig. 4.9 : Transistors MOS dpltion

B
Id

Vgb Vth Vth

Vgb

Vgb-Vth

ID

ID

Vgb-Vth

Vgb< 0

Vgb>0
Vgb=0

Vgb=0 Vgb<0 Vds

Vgb> 0

Vds

Fig. 4.10 : Caractristiques des transistors MOS dpltion

6
M. KCHIKACH

Electronique Analogique

ACADEMIE INTERNATIONALE MOHAMMED VI DE LAVIATION CIVILE

1.3.3 Modle en hautes frquences Aux frquences plus leves, il faut tenir compte de la capacit rpartie entre le canal et la grille. Pour simplifier on peut modliser cette capacit rpartie en une capacit grille source et une capacit grille drain. A cause de l'paisseur W plus grande cot drain, CGS est toujours suprieur CGD.

Fig. 4.11 : Modle du MOSFET en hautes frquences Caractristiques techniques VT=Vp : Tension de pincement du transistor (parfois note VGSth). RDSon : Rsistance minimale entre Drain et Source lorsque le transistor est satur IDSS : Courant entre Drain et Source lorsque VGS=0. VDSon : Tension entre Drain et Source lorsque le transistor est satur. gm : Transconductance du transistor en siemens (S). : gain en courant du transistor ( aussi appel HFE). ton/toff : Temps de commutation ( passage bloqu-satur et satur-bloqu ) PD : Puissance maximale dissipe par le transistor (permet de dimensionner le dissipateur thermique si besoin est ). VGSBR : Tension maximale entre Grille et Source. CISS : Capacit d'entre en source commune (CISS = CGD + CGS)

M. KCHIKACH