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Anleitung zum Versuch

Kennlinien von Solarzellen


im Praktikum HALBLEITERPHYSIK
SS 2008
Wolfgang Limmer
Institut f ur Halbleiterphysik
1
1 Theoretische Grundlagen
1.1 Funktionsweise von Solarzellen [Sel 79]
Abbildung 1: Wirkungsweise einer Solarzelle [Sel 79].
Die Funktionsweise einer Solarzelle beruht auf dem photovoltaischen Eekt, der das
Entstehen einer elektrischen Spannung in einem Festkorper durch die Absorption von
Licht beschreibt. Diesem Eekt liegen drei Bedingungen zugrunde:
1) In einem Material entstehen durch die Absorption von Licht frei bewegliche elek-
tische Ladungstrager.
2) Durch ein internes elektrisches Feld werden die bei diesem Vorgang gleichzeitig
entstehenden positiven und negativen Ladugstrager raumlich getrennt.
3) Die getrennten Ladungstrager werden uber geeignete Kontakte zu einem Ver-
brauchswiderstand abgeleitet, an dem dann der entstehende Photostrom und die
Photospannung gemessen werden konnen.
Die Kennliniengleichung einer idealen Solarzelle lautet
I = I
s
_
exp
_
eU
akT
_
1
_
I
K
. (1)
I
s
: Sperrspannungssattigungsstrom, e : Elementarladung,
kT : Boltzmannkonstante multipliziert mit der absoluten Temperatur, a : Diodenfaktor,
I
K
: Photokurzschlustrom, I : Ausgangsstrom, U : Ausgangsspannung.
2 1 THEORETISCHE GRUNDLAGEN
Im Folgenden soll nun auf die drei Bedingungen des photovoltaischen Eektes am
Beispiel einer p-n Homokontaktzelle eingegangen werden.
1.2 p-n-

Ubergang
Elektrische Felder entstehen an besonderen Inhomogenitaten in einem Material bzw. an
Grenzachen zwischen verschiedenen Materialien oder im einfachsten Fall durch einen
p-n Kontakt zwischen einem p- und einem n-dotierten Bereich desselben Halbleiters
(Homokontakt).
F ugt man eine n- und eine p-Schicht zusammen, so diundieren Elektronen in die
p-Schicht und Locher in die n-Schicht, wo sie rekombinieren (Diusionsstrom der Ma-
joritatsladungstrager j
Diff
). Durch das elektrische Feld der ortsfesten ionisierten Do-
tierstoe wird ein Feldstrom j
Feld
in die entgegengesetzte Richtung erzeugt. Im ther-
mischen Gleichgewicht kompensieren sich diese Strome: j
Feld
+ j
Diff
= 0. Die Raum-
ladungszone (RLZ) an der Grenze enthalt keine beweglichen Ladungen mehr.
Abbildung 2: p-n-

Ubergang [B uc 90].
1.2 p-n-

Ubergang 3
Im Energiebandmodell betrachtet [Iba 90]:
a)
b)
c)
d)
Abbildung 3: p-n-

Ubergang im Bandermodell [Iba 90].


a) Banderschema der p- und n-Seite f ur den gedachten Fall einer totalen Entkopplung beider Seiten.
E
A
, E
D
bezeichnen die Grundzustande der Akzeptoren bzw. Donatoren, E
F
das Fermi-Niveau,
E
L
die Unterkante des Leitungsbandes und E
V
die Oberkante des Valenzbandes.
b) Im Fall der totalen Entkopplung liegen die Fermi-Niveaus in beiden Gebieten verschieden hoch.
Es handelt sich jedoch um ein und denselben Kristall, der nur einen abrupten Dotierungs uber-
gang aufweist. Das Fermi-Niveau als elektrochemisches Potential muss deshalb in beiden Kri-
stallhalften im thermischen Gleichgewicht gleich hoch liegen. Im Bereich der

Ubergangszone
muss sich deshalb eine Bandverbiegung einstellen. Im Rahmen dieser

Uberlegungen werden die
Verhaltnisse in der

Ubergangszone durch ein ortsabhangiges Makropotential V (x) beschrieben,
das die Verbiegung der Bandstruktur wiedergibt. Diese Beschreibung ist zulassig, da sich das
Potential V (x) nur schwach uber einen Kristallatomabstand andert. Der Kr ummung des Ma-
4 1 THEORETISCHE GRUNDLAGEN
kropotentials V (x) entspricht uber die Poisson-Gleichung

2
V (x)
x
2
=
(x)

0
eine Raumladung (x). V
D
: Diusionsspannung.
c) Die aus den ionisierten Storstellen sich ergebende ortsfeste Raumladung (x) im Bereich des
p-n-

Ubergangs.
d) Qualitativer Verlauf der Konzentrationen von ionisierten Akzeptoren N

A
, ionisierten Donatoren
N
+
D
, Lochern p und Elektronen n. n
i
bezeichnet die intrinsische Ladungstragerkonzentration. Es
ist der haug auftretende Fall betrachtet, dass im Kristallinneren Donatoren und Akzeptoren
fast vollig ionisiert sind.
Herleitung der Kennliniengleichung [Iba 90]
Wird eine zeitlich konstante, auere elektrische Spannung U an den p-n-

Ubergang ge-
legt, so wird das thermische Gleichgewicht gestort. Da aufgrund der Verarmung die
RLZ zwischen d
p
und d
n
einen wesentlich hoheren elektrischen Widerstand besitzt
als die Zonen auerhalb des

Ubergangs, fallt bei auen anliegender Spannung U fast
der gesamte Betrag von U uber der RLZ ab, d.h. das Banderschema bzw. der Po-
tentialverlauf andert sich nur in der RLZ, auerhalb bleiben E
L
(x), E
V
(x) und V (x)
konstant.
a) Ortsabhangigkeit der
Raumladungsdichte
(x), die aus ionisierten
Akzeptoren N

A
und
Donatoren N
+
D
gebildet
wird. Der (gestrichelte)
reale Verlauf wird
durch den rechteckigen
Verlauf angenahert.
b) Verlauf der elektrischen
Feldstarke E
x
(x).
c) Potentialverlauf V (x)
im Bereich des p-n-

Ubergangs.
Abbildung 4: Ortsabhangiger Verlauf von (x), E
x
(x) und V (x) [Iba 90].
1.2 p-n-

Ubergang 5

Uber der RLZ fallt statt der Diusionsspannung V


D
(im Gleichgewicht U = 0V ) der
Wert V
n
()V
p
() = V
D
U ab. Bei Polung in Durchlarichtung erhoht sich in der
RLZ die Tragerkonzentration (Abb. 5b). Die Fermi-Niveaus weit auerhalb der RLZ
unterscheiden sich gerade um die der auen angelegten Spannng U entsprechenden
Energie eU (Abb. 5a). In der RLZ, wo kein thermisches Gleichgewicht mehr herrscht,
kann im Grunde kein Fermi-Niveau mehr deniert werden. Bendet sich der stationare
Zustand wie hier angenommen jedoch nahe am thermischen Gleichgewicht, so ist
naherungsweise weiterhin eine Beschreibung mit der Boltzmann-Statistik moglich, nur
m ussen jetzt formal zwei sog. Quasi-Fermi-Niveaus f ur Elektronen (Abb. 5a punktiert)
und f ur Locher (Abb. 5a gestrichelt) eingef uhrt werden.
Abbildung 5: Der p-n-

Ubergang bei Anlegen einer Spannung U in Durchlass- bzw. Sperrichtung


[Iba 90].
Naherung: Innerhalb der RLZ konnen Rekombinationsprozesse vernachlassigt werden,
daher gen ugt es, im Folgenden die

Anderung der Diusionsstromdichten am Rande der
RLZ bei x = d
p
und x = d
n
zu betrachten.
F ur die Storung des thermischen Gleichgewichts ist die

Anderung der Diusionsstrome
verantwortlich, wahrend der Einuss der aueren Spannung U auf die Feldstrome ver-
nachlassigt werden kann (sog.Diusionsstrom-Naherung). Wir betrachten daher im
6 1 THEORETISCHE GRUNDLAGEN
Folgenden den Einuss von U auf den Locher-Diusionsstrom j
p
. Die Rechnung f ur
Elektronen verlauft vollig analog. F ur x d
n
gilt:
Kontinuitatsgleichung:
p
t
=
p p
n

1
e
j
p
x
, (2)
Diusionsgleichung:
j
p
= eD
p
p
x
. (3)
Aus den Gln. (2) und (3) folgt:
p
t
= D
p

2
p
x
2

p p
n

p
= D
p

2
(p p
n
)
x
2

p p
n

p
. (4)
Stationarer Fall:
p
t
= 0

2
(p p
n
)
x
2
=
1
D
p

p
(p p
n
) , (5)
p(x) p
n
= [p(d
n
) p
n
] exp
_
_
(x d
n
)
_
D
p

p
_
_
. (6)

p
: Lebensdauer der Locher,
L
p
=
_
D
p

p
: Diusionslange f ur Locher, langs der die

Uberschuss-Locherkonzen-
tration p(x) p
n
um den Faktor exp(-1) abnimmt,
D
p
: Diusionskonstante f ur Locher,
e : Elementarladung.
Abbildung 6: Ortsabhangigkeit der Locherkonzentration p(x) im vorgespannten p-n-

Ubergang auer-
halb der RLZ des thermischen Gleichgewichts (x > d
n
); Ausschnittsvergoerung in Abb. 5b f ur Polung
in Durchlarichtung [Iba 90].
1.2 p-n-

Ubergang 7
Aus Gl. (6) bzw. Abb. 6 folgt:

p
x

x=d
n
=
p(d
n
) p
n
L
p
. (7)
Die Boltzmann-Statistik liefert f ur die Locherkonzentration p(d
n
) bei anliegender Durch-
laspannung U:
p(d
n
) = p
p
exp
_
e
V
D
U
kT
_
= p
n
exp
_
eU
kT
_
, (8)
p(d
n
) p
n
= p
n
_
exp
_
eU
kT
_
1
_
. (9)
Aus Gl. (7) und (9) in Gl. (3) folgt:
j
p
|
x=d
n
=
eD
p
L
p
p
n
_
exp
_
eU
kT
_
1
_
. (10)
Eine analoge Rechnung liefert f ur den von Elektronen getragenen Diusionsstrom:
j
n
|
x=d
p
=
eD
n
L
n
n
p
_
exp
_
eU
kT
_
1
_
. (11)
F ur den gesamten Diusionsstrom uber den p-n-

Ubergang ergibt sich:


j(U) =
_
eD
p
L
p
p
n
+
eD
n
L
n
n
p
_
_
exp
_
eU
kT
_
1
_
, (12)
I(U) = I
S
_
exp
_
eU
kT
_
1
_
, I
S
= A
_
eD
p
L
p
p
n
+
eD
n
L
n
n
p
_
, (13)
mit der Querschnittsache A des p-n-

Uberganges. Dies ist die Kennliniengleichung f ur


eine ideale p-n Diode. Im Normalfall kommt jedoch der sog. Diodenfaktor a hinzu, der
die bisher vernachlassigte Rekombination am p-n Kontakt ber ucksichtigt:
I(U) = I
S
_
exp
_
eU
akT
_
1
_
. (14)
F ur die spatere Betrachtung der Photospannung in Abschnitt 1.5 ist es von Nutzen,
I
S
als Funktion der Temperatur auszudr ucken. Aus
p
n
=
n
2
i
N
+
D
, n
p
=
n
2
i
N

A
, D
p
=
L
2
p

p
, D
n
=
L
2
n

n
, (15)
n
2
i
= 32
_

2
m
n
m
p
h
4
_
3/2
(kT)
3
exp
_

E
g
kT
_
, (16)
8 1 THEORETISCHE GRUNDLAGEN
wobei m
n
und m
p
die eektiven Masse der Elektronen bzw. Locher bezeichnen, folgt
I
S
= 32Ae
_

2
m
n
m
p
h
4
_
3/2
_
L
p

p
N
+
D
+
L
n

n
N

A
_
(kT)
3
exp
_

E
g
kT
_
= I
S0
exp
_

E
g
kT
_
.
(17)
I
S0
ist material-, dotierungs-, temperatur- und lebensdauerabhangig.
Abbildung 7: Kennlinie eines p-n-

Uberganges [Iba 90].


1.3 Absorption von Photonen in Halbleitern [Sel 79]
Der nachste zu behandelnde Punkt ist die Entstehung von freien Ladungstragern durch
die Absorption von Licht. Ausgangspunkt ist das Absorptionsgesetz,
I(x) = (1 R) I
0
exp( x) , (18)
welches die Schwachung der Lichtintensitat I beim Durchgang durch die Materie an-
gibt. (R : Reektivitat, : Absorptionskoezient, [] = cm
1
, I
0
: Intensitat des
einfallenden Strahles.)
Treen Photonen gen ugend hoher Energie auf ein Halbleitermaterial, so werden Elek-
tron aus dem Valenzband uber die Energiel ucke E
g
ins Leitungsband gehoben. Sowohl
das negativ geladene Elektron im Leitungsband als auch das wie eine positive Ladung
wirkende Loch im Valenzband konnen sich dann quasifrei im Material bewegen. Jedes
Photon kann in einem Halbleiter hochstens ein Elektron-Loch-Paar erzeugen. Photonen
mit einer Energie h < E
g
gehen verloren. F ur sie ist der Halbleiter transparent. Die so
entstandenen freien Ladungstrager werden, sofern sie bis zum p-n-

Ubergang gelangen,
durch das am p-n-

Ubergang vorhandene EFeld getrennt und tragen zum Photostrom


bei. Um das Sonnenlicht moglichst ezient zu absorbieren, muss die Halbleiterschicht
gen ugend dick sein. Die meisten der verwendeten Halbleiter haben im sichtbaren Spek-
tralbereich ein sehr hohes Absorptionsvermoge , so dass bereits d unne Schichten (nur
1.3 Absorption von Photonen in Halbleitern [Sel 79] 9
wenige m dick) ausreichen, um den groten Teil des Sonnenlichts zu absorbieren (di-
rekter Halbleiter). Eine Ausnahme macht das Silizium, bei dem die Absorption nur
langsam mit der Photonenenergie ansteigt (indirekter Halbleiter). Bei Si sind daher
groere Schichtdicken notig (bei einkristallinem Si etwa 300 m).
Abbildung 8: Spektrale Abhangigkeit des Absorptionskoezienten f ur verschiedene Halbleiterma-
terialien. Energie des steilen Abfalls = Groe des Bandgaps [B uc 90].
Abbildung 9: Spektrale Verteilung des Sonnenlichts [Wil 79].
Die Sonnenstrahlung fallt auf die Erde mit einer Strahlungsdichte von etwa 140 mW/cm
2
.
Diese auerhalb der Erde gemessene Leistung (AM0 = Air Mass Zero) wird auf einen
10 1 THEORETISCHE GRUNDLAGEN
Wert von ungefahr 100 mW/cm
2
durch Absorption und Streuung geschwacht, wenn die
Strahlung die Atmosphare auf k urzestem Weg durchlauft, d.h. beim Stand der Sonne
im Zenit und bei klarem Wetter (AM1 = Air Mass 1). Wegen der groeren zu durch-
querenden Schichtdicke bei tiefer stehender Sonne und durch Tr ubung der Atmosphare
ist die auf der Erde gemessene Strahlungsdichte jedoch meist wesentlich geringer.
Da jedes absorbierte Photon genau ein Elektron-Loch-Paar erzeugt, ist die Absorpti-
onsrate gleich der Generationsrate g(x) f ur elektrische Ladungen. Die Absorptionsrate
nimmt exponentiell mit der Eindringtiefe ab. Bei den spateren Betrachtungen wird je-
doch als Vereinfachung angenommen, dass die Generationsrate g(x) auf der gesamten
Dicke d der Solarzelle konstant gleich N/d ist, wobei N die Anzahl der pro cm
2
und
pro Sekunde einfallenden Photonen mit h > E
g
ist.
Abbildung 10: Konstante Erzeugungsrate g(x) = N/d [Sel 79].
1.4 Photostrom [Sel 79]
F ur einen moglichst groen Photostrom m ussen zwei Forderungen erf ullt sein:
1) Es m ussen moglichst viele Elektron-Loch-Paare durch das Sonnenlicht erzeugt
werden.
2) Diese Paare m ussen durch das innere E-Feld getrennt werden, da nur getrennte
Ladungstrager zum Photostrom beitragen.
Diese beiden Forderungen haben wir in den vorhergehenden Punkten erlautert.
Eine Bestrahlung unter AM1 Bedingungen entspricht einem eintreenden Strom von
etwa 6 10
17
Photonen pro cm
2
und pro Sekunde. Dies sollte eine maximale Photo-
stromdichte von 80 bis 20 mA/cm
2
ergeben, je nach Groe der Energiel ucke zwischen
1,0 und 1,7 eV. Die Mewerte liegen jedoch bedeutend niedriger. Bei einer Si-Zelle mit
E
g
=1,1 eV liegt die Photostromdichte nur bei 35 mA/cm
2
. Dies liegt v.a. daran, dass
nicht alle lichterzeugten Elektron-Loch-Paare das E-Feld erreichen, sondern vorher re-
kombinieren und f ur den Photostrom verlorengehen. In diesem Zusammenhang soll der
Weg der Paare zum Feldbereich betrachtet werden:
Die Minoritatstrager werden durch das E-Feld am Kontakt beschleunigt und von den
Majoritatstragern getrennt. Auerhalb der

Ubergangszone ist kein Feld vorhanden. La-
dungstrager, die in diesem Bereich entstehen, m ussen durch Diusion, die durch ein
1.4 Photostrom [Sel 79] 11
Konzentrationsgefalle in beiden Bereichen des p-n Kontaktes bewirkt wird, zum Feld-
gebiet gelangen, wo sie dann abgesaugt werden. Die f ur diese Diusion benotigte Zeit
betragt ca. 10 s. Der Konzentrationsgradient kommt durch eine Minoritatsladungs-
tragerkonzentration zustande, die im Inneren des Halbleiters durch die Lichtabsorption
aufgebaut wird. Diese wird am p-n-

Ubergang selbst sehr klein, da ja dort die Ladungs-


trager sofort abgesaugt werden.
Eine wichtige Rolle spielt dabei der Begri der Diusionslange, welche die Strecke
bezeichnet, die die Minoritatstrager im Mittel zur ucklegen, bevor ihre Konzentration
durch Rekombination mit den Majoritatstragern auf den eten Teil abgesunken ist.
Die Diusionslange sollte also moglichst gro sein.
Betrachtung des Diusionseektes f ur Elektronen im p-Gebiet (siehe Abb. 11):
Kontinuitatsgleichung:
dn(x)
dt
= g(x)
n(x) n
0

1
e
j
n
(x)
x
. (19)
Diusionsgleichung:
j
n
(x) = eD
n
(n(x) n
0
)
x
. (20)
Einsetzen von Gl. (20) in Gl. (19) liefert eine DGL 2. Ordnung:
dn(x)
dt
= g(x)
n(x) n
0

n
+D
n

2
(n(x) n
0
)
x
2
. (21)
Statische Gleichgewichtskonzentration:
dn(x)
dt
= 0 ,
N
d
= g(x) ,
n(x) n
0
=
N
d

n
+D
n

2
(n(x) n
0
)
x
2
(22)
Randbedingungen (siehe Abb. 11b):
n(x) n
0
= 0 f ur x = 0 und
(n(x) n
0
)
x
= 0 f ur x = d . (23)
Allgemeine Losung:
n(x) n
0
= A
1
exp
_
x
L
n
_
+A
2
exp
_

x
L
n
_
+
n
N
d
. (24)
Nach Einsetzen der Randbedingungen:
n(x) = n
0
+
N
d

n

_
1 cosh
_
d x
L
n
_
/ cosh
_
d
L
n
__
. (25)
12 1 THEORETISCHE GRUNDLAGEN
a) Ladungstragerkonzentration am p-n Kontakt im ther-
mischen Gleichgewicht. Im

Ubergangsbereich fallt p
0
auf
die Minoritatstragerkonzentration p
0
im n-Bereich ab;
n
0
steigt auf die Majoritatstragerkonzentration n
0
im
n-Bereich.
b) Konzentration der Minoritatstrager als Funktion des
Ortes bei Beleuchtung. Am Rande des jeweiligen Gebie-
tes bei x = 0, x = werden die Minoritatstrager durch
das EFeld abgesaugt, wodurch dort deren Konzentra-
tion stark abfallt und ein entsprechender Konzentrati-
onsgradient zum p-n-Kontakt hin ensteht.
c) Durch die Konzentrationsgradienten entsteht eine
Stromdichte der Minoritatstrager j
n
bzw. j
p
, die zum
p-n-Kontakt hin anwachst. Im p-Bereich sind die Lauf-
richtung der Minoritatstrager und die Richtung des elek-
trischen Stromes wegen des negativen Vorzeichens der
Elektronenladung entgegengesetzt. Die Locherstrom-
dichte j
p
ist geringer als die der Elektronen aus der p-
Zone, da L
p
< L
n
angenommen wurde.
d) j
n
(0) = eN
L
n
d
tanh
_
d
L
n
_
(26)
Dargestellt ist der Betrag der Stromdichte j
n
(0) als
Funktion des Verhaltnisses von Absorptionslange 1/
(hier = d) und der Diusionslange L
n
. j
n
(0) ist der
Beitrag des Minoritatstragers im p-Gebiet zum Photo-
strom. Werden die Ladungstrager innerhalb der Diusi-
onslange erzeugt, so erreichen fast alle den p-n-Kontakt,
und j
n
(0) nahert sich j
n,max
. Ist dagegen 1/ wesent-
lich groer als L
n
, so wird j
n,max
nicht erreicht. Dies ist
wichtig f ur die Halbleitermaterialien mit kleinem (wie
Si). Hier muss wegen der groen Absorptionslange von
etwa 300 m, die zur volligen Absorption des Sonnen-
lichts notig ist, auch die Diusionslange entsprechend
gro sein.
Abbildung 11: Photostromerzeugung [Sel 79].
1.5 Photospannung [Sel 79] 13
Aus den Gln. (20) und (25) folgt schlielich:
j
n
(x) = eN
L
n
d

_
sinh
_
d x
L
n
_
/ cosh
_
d
L
n
__
. (27)

Ahnliche

Uberlegungen lassen sich f ur die Locher im n-Gebiet anstellen.
Bei der Herleitung des Photostroms wurde neben der konstanten Generationsrate
g(x) = N/d auerdem angenommen, dass die Minoritatstrager am Rande der RLZ
sofort entfernt werden und Rekombination am Kontakt vernachlassigt werden kann.
Der gesamte Photostrom berechnet sich dann aus
I
K
= A(j
n
(0) +j
p
(0)) N (28)
und ist somit proportional zur einfallenden Lichtintensitat.
Zusammenfassung: Es ist entscheidend, dass moglichst alle Photonen des Sonnenlichts
absorbiert werden und Elektron-Loch-Paare erzeugen, und dass moglichst alle Mino-
ritatstrager das Feldgebiet durch Diusion erreichen, d.h., dass deren Diusionslange
L
n
bzw. L
p
moglichst mindestens gleich der Absorptionslange 1/ f ur das Sonnenlicht
wird. Um einen moglichst groen Photostrom zu erhalten, muss ein Gleichgewicht zwi-
schen spektralem Verlauf der Absorptionskonstanten des Materials, der Dicke der
Schicht und der Diusionslange eingehalten werden.
1.5 Photospannung [Sel 79]
Aus Gl. (1) erhalt man f ur die Photoleerlaufspannung U
L
:
I = 0 U
L
=
akT
e
ln
_
I
K
I
S
+ 1
_

akT
e
ln
_
I
K
I
S
_
. (29)
Die Photospannung U
L
wachst logarithmisch mit dem Photostrom I
K
und
damit gema Gl. (28) logarithmisch mit der Bestrahlungsstarke.
Mit dem Sperrspannungssattigungsstrom von Gl. (17)
I
S
= I
S0
exp (E
g
/kT) (30)
folgt
U
L
= a
E
g
e

akT
e
ln
_
I
S0
I
K
_
. (31)
F ur I
K
< I
S0
(was in der Regel der Fall ist) ist U
L
bei Temperaturen T = 0 immer
kleiner als aE
g
/e und nimmt mit steigender Temperatur linear ab.
Bei guten Si-Solarzellen erreicht man bei Zimmertemperatur und AM1 Beleuchtung von
14 1 THEORETISCHE GRUNDLAGEN
100 mW/cm
2
etwas mehr als die Halfte von E
g
/e : U
L
= 0, 61 V, wobei E
g
= 1, 1 eV.
F ur moglichst groes U
L
wird groes E
g
benotigt, dies steht allerdings im Widerspruch
zur Bedingung eines kleinen Bandabstandes f ur groes I
K
.
Abbildung 12: Entstehung der Photospannung [Sel 79].
a) Das Halbleitermaterial ist charakterisiert durch die Energiel ucke E
g
, die Elektronenanitaten

p
,
n
, sowie die Austrittsarbeiten
p
,
n
und die Lage des Fermi-Niveaus.
p
und
n
sind
deniert als Dierenz zwischen dem Vakuumniveau E
vak
und dem unteren Rand des Leitungs-
bandes.
p
und
n
sind gleich der Dierenz E
vak
E
F
und abhangig von der Dotierung.
b) Bei kurzgeschlossenem p-n-Kontakt stellt sich E
F
auf beiden Seiten auf gleiche Potentialdie-
renz, d.h. zwischen den beiden Enden der Halbleiterbereiche kann keine Spannung abgegrien
werden. Es gilt:
eV
D
=
p

n
= E
g

p

n
(32)

p
,
n
: von der Dotierungskonzentration abhangiger Abstand des Fermi-Niveaus vom Rand des
LB (bzw. VB).
c) Die Minoritatstrager diundieren zum p-n-Kontakt und werden durch das

E-Feld in den Majo-
ritatsbereich beschleunigt. Bei oenem Stromkreis werden sie nicht durch zuieende Ladungs-
trager kompensiert sie vermindern die RLZ.
Das elektrochemische Potential ist auf beiden Seiten verschieden und kann als Photoleerlauf-
spannung abgenommen werden. Diese kann nicht groer werden als V
D
.
1.6 Wirkungsgrad [Sel 79]
Die Kennlinie einer Solarzelle lautet, wie bereits gezeigt (a: Diodenfaktor) :
I = I
S
[exp {eU/akT} 1]
. .
Diodenkennlinie
I
K
..
Photostrom
. (33)
Legt man an eine unbeleuchtete Photodiode eine variable Spannung an, so misst man
an ihr die in Kap. 1.2 hergeleitete Diodenkennlinie. Bei Beleuchtung uberlagert sich
ein zusatzlicher Photostrom I
K
in Sperrichtung.
1.6 Wirkungsgrad [Sel 79] 15
Abbildung 13: Kennlinie einer Solarzelle [B uc 90].
Die Kennlinie wird also um I
K
in den vierten Quadranten verschoben, d.h. man
kann diesem Bauelement eine elektrische Leistung entnehmen. Die maximale Leistung
I
M
U
M
entspricht dem groten Rechteck, das man der I-U-Kennlinie im 4. Quadranten
einschreiben kann. Sie ist umso groer, je naher I
M
U
M
dem Produkt I
K
U
L
kommt.
Die Groe
F =
U
M
I
M
U
L
I
K
(34)
heit F ullfaktor und ist ein Ma f ur die Rechteckigkeit der Kennlinie. Beim F ullfaktor
F werden heute Werte bis zu 80% erzielt.
Der Wirkungsgrad ist der Quotient der maximal entnehmbaren Leistung zur einfal-
lenden Strahlungsleistung P
e
:
=
I
M
U
M
P
e
=
F I
K
U
L
P
e
. (35)
Bei Si-Zellen werden heute Wirkungsgrade bis zu 24% erreicht.
Der Wirkungsgrad einer Solarzelle wird durch folgende Verlustmechanismen beein-
usst:
Photonen mit h < E
g
setzen keine Ladungstrager frei.
Photonen mit h > E
g
tragen nur mit dem Teil der Energie bei, der zur

Uber-
windung von E
g
notig ist. Ein Elektron, das durch ein hochenergetisches Photon
ins Leitungsband gehoben wird, wird die

Uberschuenergie (h E
g
) als Warme
an das Kristallgitter abgeben und dabei an den unteren Rand des LB relaxieren,
bevor es zum p-n-

Ubergang diundiert und zum Photostrom beitragt.


Ein Teil der Photonen wird an der Oberache reektiert.
Geringe Diusionslange oder Rekombination an der Oberache, d.h. es werden
nicht alle erzeugten Ladungstragerpaare am p-n-Kontakt getrennt.
16 1 THEORETISCHE GRUNDLAGEN
U
L
erreicht nicht V
D
: eU
L
/aE
g
= Spannungsfaktor.
Verluste, bedingt durch Diodenfaktor a, Serienwiderstand und Shunt (siehe un-
ten).
1.7 Ersatzschaltbild einer Solarzelle [Sel 79]
Abbildung 14: Ersatzschaltbild einer Solarzelle [Sel 79].
Die reale Solarzelle lasst sich durch ein einfaches Ersatzschaltbild beschreiben:
Sie ist im wesentlichen ein Stromgenerator, der den Photostrom I
K
liefert, mit einer
parallel geschalteten Diode. Eine von auen angelegte Spannung U wird um den Span-
nungsabfall IR
S
am inneren Serienwiderstand R
S
vermindert, der durch den Bahnwi-
derstand des Halbleitermaterials und der Kontakte verursacht wird. Ein Shuntwider-
stand R
Sh
beschreibt auftretende Leckstrome an der nichtidealen n-p-Grenzache bzw.
am Rande der achenhaften Diode. Die Strom-Spannungskennlinie einer nichtidealen
Solarzelle wird durch folgende implizite Gleichung beschrieben:
I = I
S
{exp [e (U IR
S
) / (akT)] 1} + (U IR
S
) /R
Sh
I
K
. (36)
Abbildung 15: Einuss von Serien- und Shuntwiderstand auf die Kennlinie einer Solarzelle [Wil 79].
1.8 Heterokontaktzellen [Sel 79] 17
a) Bereits ein geringer Serienwiderstand acht das Knie der I U-Kennlinie ab und beeintrachtigt
dadurch den F ullfaktor. Bei groeren R
S
-Werten wird auch I
K
reduziert.
Bei guten Solarzellen wird der Serienwiderstand durch geeignete Dotierung des Grundmaterials
und durch geeignete Anordnung des oberen Kontaktgitters R
S
< 1 gehalten. (F liegt bei ca.
77%)
b) Ein Shunt beeinusst den F ullfaktor durch Abachen der Kennlinie; bei starkeren Leckstromen
auch die Leerlaufspannung. Gute Si-Dioden besitzen keinen merklichen Shunt. Dieser spielt in
D unnschicht-Zellen eine gewisse Rolle.
1.8 Heterokontaktzellen [Sel 79]
Bisher haben wir uns mit der Homokontaktzelle beschaftigt, also einer Solarzelle, die
sich aus einem p- und n-dotierten Bereich desselben Materials zusammensetzt.
Abbildung 16: Die Heterokontaktzelle [Sel 79].
Bei Heterokontaktzellen bestehen der p- und der n-Bereich aus verschiedenen Materia-
lien, daher sind auch die Energiel ucken E
g,n
und E
g,p
und die Elektronenanitaten
n
und
p
verschieden. Beim Kontakt solcher Materialien entstehen i.a. Diskontinuitaten
E
L
und E
V
im Verlauf des Leitungsbandes und des Valenzbandes. In dem hier
gewahlten Beispiel (
p
>
n
) tritt eine Spitze im Leitungsband E
L
=
p

n
und
ein entsprechender Sprung im Valenzband auf. Dies f uhrt zu einer Verminderung der
Diusionsspannung
eV
D
= E
g,p

p

n
(
p

n
) . (37)
Diese ist also bestimmt durch die kleinere der beiden Energiel ucken (hier im p-Typ)
und im Vergleich zum Homokontakt noch um (
p

n
) verringert.
Beispiele: CdS-Cu
2
S D unnschicht-Solarzelle, GaAlAs-GaAs-Zelle.
18 1 THEORETISCHE GRUNDLAGEN
1.9 Schottky-Solarzellen
Abbildung 17: Die Schottky-Kontakt-Zelle [Sel 79].
Bei der Schottky-Zelle nutzt man f ur die Trennung der Ladungstrager das E-Feld am
Kontakt eines Halbleiters mit einem Metall. Ein solches Feld kommt dann zustande,
wenn die Austrittsarbeit der Elektronen aus dem Metall groer ist als die aus dem
n-Halbleiter (
M
>
n
). Im Metall liegt E
F
im Leitungsband. Beim Kontakt mit
dem n-Halbleiter diundieren aus diesem Elektronen ins Metall, was eine an Elektro-
nen verarmte Randschicht verursacht, die zu einer Aufwolbung der Energiebander im
Halbleitermaterial und damit zu einem Diusionspotential f uhrt. An der Grenzache
konnen jedoch in Grenzachenzustanden unterhalb E
F
sehr viele negative Ladungen
gespeichert werden, welche die positive Raumladung im Halbleiter teilweise kompen-
sieren.
eV
D
=
M

n
eU
DS
. (38)
eV
D
ist um das Potential U
DS
einer Doppelschichtladung an der Grenzache reduziert.
Die Doppelschichtladung vermindert auch die Barrierenhohe
B
, die die Elektronen
vom Metall in den Halbleiter uberwinden m ussen. Schottky-Solarzellen weisen Wir-
kungsgrade von = 1 3% und Leerlaufspannungen von U
L
= 100 - 300 mV auf.
Eine Verbesserung wurde mit sogenannten MIS-Zellen (metal-insulator-semiconductor)
erzielt. Zwischen Metall und Halbleiter wurde eine d unne Isolatorschicht eingebracht
(Dicke 2,5 nm), die von Majoritatstragern durchtunnelt werden kann, was die Pho-
tospannung wesentlich erhoht. ( = 9%, U
L
= 0, 58 V)
1.10 Silizium-Solarzelle
Silizium besitzt uber den Bereich des Sonnenspektrums nur eine relativ schwache Ab-
sorption. Man benotigt daher mindestens eine Schichtdicke von 100 m, um den groten
Teil des auftreenden Sonnenlichtes zu absorbieren. Da die Diusionslange der pho-
toerzeugten Ladungstrager ebenfalls in dieser Groenordnung liegen muss, ist f ur das
Material eine gute Kristallqualitat erforderlich. Die herkommlichen Si-Solarzellen beste-
1.11 Andere einkristalline Zellen 19
hen daher aus etwa 300 m dicken Scheiben, die aus Si-Einkristallen herausprapariert
werden. Die Einkristalle sind p-leitend mit einer Tragerkonzentration von p = 10
17
cm
3
dotiert. Durch Diusion wird an der Oberache der einkristallinen Scheiben eine
etwa 0,20,5 m dicke, sehr hoch dotierte (n = 10
19
cm
3
) n-leitende Schicht erzeugt.
An dem dabei entstehenden p-n-Homokontakt ist die Umwandlung der Sonnenenergie
in einen Photostrom moglich, der uber einen Kontakt aus einer Ti/Ag/Pd-Legierung
abgeleitet wird. Der der Sonne zugewandte Kontakt ist als Kamm mit sehr d unnen
Zahnen ausgebildet. Si-Solarzellen erreichen Wirkungsgrade bis zu 24%.
1.11 Andere einkristalline Zellen
Verwendet man GaAs als Halbleitermaterial, so reichen aufgrund des hohen Absorpti-
onsvermogens bereits ca. 2 m dicke Schichten f ur die Absorption des Sonnenlichts aus.
Als unmittelbare Konsequenz werden jedoch die Elektron-Loch-Paare sehr nahe an der
Oberache erzeugt und gehen deshalb vermehrt durch Oberachenrekombination verlo-
ren, bevor sie den Feldbereich erreichen. Dies hat einen geringen Photostrom zur Folge.
Dies kann aber durch epitaktisches Aufwachsen einer ca. 1 m dicken, f ur das Sonnen-
licht transparenten GaAlAs-Schicht, unterbunden werden. Derartige GaAs-GaAlAs-
Zellen erreichen Wirkungsgrade bis zu 25%.
Weitere einkristalline Zellen:
CdSInP E
g
= 1,5 eV, = 14%
CdSCuInSe
2
E
g
= 1,1 eV, = 12%
2 Literatur
Iba 90 H. Ibach und H. L uth,
Festkorperphysik
(Springer Verlag, Berlin, 1990)
Sel 79 M. Selders und D. Bonnet,
Physik in unserer Zeit 10, 3 (1979) (sehr gut)
B uc 90 K. B ucher und J. Fricke,
Physik in unserer Zeit 21, 6 (1990) (gut, etwas knapper als [Sel 79])
Hov 75 H.J. Hovel,
Semiconductors and Semimetals, Vol 11, Solarcells
(Academic Press, New York, 1975) (als Einstieg ungeeignet, zur Vertiefung gedacht)
Wil 79 J.I.B. Wilson,
Solar Energy
(Wykeham Publications, London, 1979) (Kapitel 3 und 7 beeinhalten die Grundlagen)
20 3 STAND DER SOLARZELLEN-TECHNOLOGIE VON 1992 [MUN 92]
Win 85 G. Winterling,
Physik in unserer Zeit, 16, 2 (1985) (Weiterf uhrend : Amorphes Silizium)
Tya 91 M.S. Tyagi,
Introduction to Semiconductor Materials and Devices
(John Wiley & Sons, 1991)
Mun 92 U. Muntwyler,
Praxis mit Solarzellen
(Franzis Verlag, M unchen, 1992)
3 Stand der Solarzellen-Technologie von 1992 [Mun 92]
Zelle Struktur Diodentyp Wirkungsgrad [%]
Si Einkristall p-n-Homokontakt 23
Si Einkristall Schottky-Kontakt 12
Si Polykristall p-n-Homokontakt 10-14
Si Amorphe Schicht Schottky-Kontakt 15
GaAs Einkristall p-n-Homokontakt 25
GaAs-AlGaAs Einkristall p-n-Heterokontakt 22
CdS-InP Einkristall p-n-Heterokontakt 14
CdS-CuInSe
2
Einkristall p-n-Heterokontakt 12
CdS-CuInSe
2
Polykristalline Schicht p-n-Heterokontakt 7
Cu
2
-CdS Polykristalline Schicht p-n-Heterokontakt 10
CdTe-CdS Polykristalline Schicht p-n-Heterokontakt 5
CdSe Polykristalline Schicht Schottky-Kontakt 19
21
4 Versuchsaufbau
Di gi tal mul ti meter
(Strommessung)
Programmi erbare
Spannungsquel l e
COMPUTER
LASER
Netzgert
Kryostat
Photodi ode
Fi l ter
Strom I
S
p
a
n
n
u
n
g

U
Abbildung 18: Versuchsaufbau, wie er im Praktikum verwendet wird.
22 5 VERSUCHSDURCHF

UHRUNG
5 Versuchsdurchf uhrung
Zunachst soll die I(U)-Kennlinie einer Si-Solarzelle (Photodiode) unter verschiedenen
Bedingungen gemessen und mit berechneten Kurvenverlaufen verglichen werden.
I. Beleuchtungsabhangigkeit
1. Messung der I(U)-Kennlinie einer Si-Solarzelle bei 15 verschiedenen Beleuchtungs-
starken. Verwenden Sie zur Abschwachung der Lichtquelle die bereitgestellten
Neutralglaslter (Abschwachungsfaktor 1 1000).
2. Passen Sie die gemessenen Kennlinien mit dem theoretisch zu erwartenden I(U)-
Verlauf von Gl. (1) an. Sie erhalten dadurch jeweils den Sperrspannungssattigungs-
strom I
S
, den Diodenfaktor a und den Kurzschlustrom I
K
.
3. Tragen Sie die gemessene Leerlaufspannung U
L
und den Kurzschlustrom I
K
als
Funktion der Beleuchtungsstarke auf. Stimmt das Ergebnis mit der theoretisch zu
erwartenden Abhangigkeit uberein? Welche Auftragung ist zur

Uberpr ufung der
vermuteten Abhangigkeit jeweils am g unstigsten?
4. Bestimmen Sie f ur die gemessenen Kennlinien jeweils den F ullfaktor F.
II. Nichtideale Solarzelle
1. Simulieren Sie nichtideale Solarzellen durch Beschalten der vorhandenen (idealen)
Si-Solarzelle mit verschiedenen externen Serien- und Parallelwiderstanden.
2. Vergleichen Sie die experimentellen Ergebnisse wieder mit gerechneten I(U)-Kenn-
linien (siehe Gleichung (36)).
Messen Sie nun zum Vergleich die I(U)-Kennlinie einer groachigen (hochwertigen)
GaAs-Solarzelle und einer groachigen (minderwertigen) Silizium-Solarzelle unter Be-
leuchtung.
Versuchen Sie, die gemessenen Daten mit dem theoretischen Kurvenverlauf von Gl. (36)
anzupassen.