Sie sind auf Seite 1von 10

ESCUELA POLITCNICA DEL EJRCITO

DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

ELECTRNICA DE POTENCIA

Laboratorio # 1

Tema: Transistores BJT

Integrantes:
-

Fernando Barahona.

Jos Parreo.

Sandra Ponce.

Fecha: Martes, 24 de Abril, 2012.

Sangolqu Ecuador

CONTENIDO O INDICE
Laboratorio # 1 .............................................................................................................................. 1
CONTENIDO O INDICE ............................................................................................................. 2
TEMA: ............................................................................................................................................ 3
NOMBRE DEL PROYECTO .......................................................................................................... 3
LOCALIZACIN DEL PROYECTO ................................................................................................. 3
DIAGNOSTICO Y PROBLEMA.......................................................................................................... 3
IDENTIFICACION, DESCRIPCION Y DIAGNOSTICO DEL PROBLEMA ........................................... 3
LINEA BASE ................................................................................................................................ 3
ALCANCE.................................................................................................................................... 3
OBJETIVOS ..................................................................................................................................... 3
OBJETIVO GENERAL ................................................................................................................... 3
OBJETIVOS ESPECIFICOS ............................................................................................................ 4
MARCO TEORICO ........................................................................................................................... 4
TEORIA ....................................................................................................................................... 4
CALCULOS DE LAS PERDIDAS DE POTENCIA .............................................................................. 7
SIMULACIONES .......................................................................................................................... 8
Datos de los tiempos de conmutacin Simulados vs. Calculados. ............................................ 9
CONCLUSIONES ............................................................................................................................. 9
RECOMENDACIONES ................................................................................................................... 10
BIBLIOGRAFIA .............................................................................................................................. 10

TEMA:
TRANSISTORES BJT

NOMBRE DEL PROYECTO


Determinacin terica de las prdidas de potencias en un circuito de conmutacin con
un transistor BJT, y comparacin de sus tiempos de conmutacin tericos con los
simulados.

LOCALIZACIN DEL PROYECTO


El proyecto es un proyecto nicamente terico (por clculos) y simulado, por lo que es
un proyecto nicamente de aprendizaje y la aplicacin (que seria indirecta) podra tener
cualquier forma, y por tanto cualquier localizacin.

DIAGNOSTICO Y PROBLEMA
IDENTIFICACION, DESCRIPCION Y DIAGNOSTICO DEL PROBLEMA
Cuando se necesita realizar una conmutacin mediante un circuito con un transistor
BJT, la potencia disipada es algo importante, puesto que en circuitos de alta potencia, la esta
no es despreciable y es algo importante a tomar en cuenta tanto para optimizar los recursos,
como para refrigerar adecuadamente el circuito.
Tambin es importante tomar en cuenta que los datos calculados tericamente no son
exactos, por lo que es necesario realizar una simulacin, para comprobar que los valores
sean lo mas exactos a los que se aplicaran.

LINEA BASE
El proyecto incluye el anlisis de las prdidas de potencia en un circuito de conmutacin
con un transistor BJT, as como la comparacin entre los valores de los tiempos de
conmutacin obtenidos con clculos con los simulados.

ALCANCE
El proyecto definitivamente esta hecho para implementarse, y por tanto nos sirve para
saber que esperar de un circuito real de estos. Entonces tambin sera bueno obtener los
datos reales y compararlos con los calculados y los simulados para obtener mayor
informacin acerca del comportamiento de estos circuitos.

OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL

Analizar y comprender el funcionamiento real de este tipo de circuitos.

OBJETIVOS ESPECIFICOS

Calcular las potencias perdidas en este circuito.


Simular el circuito y observar el comportamiento del mismo en sus
tiempos de conmutacin.
Comparar los tiempos de conmutacin simulados con los calculados.
Analizar esta informacin para llegar a conclusiones coherentes para ser
ms aptos para la implementacin de dicho circuito.

MARCO TEORICO
TEORIA

(Electrnica De Potencia. Muhammad H Rashid. Pag. 267-270)

CALCULOS DE LAS PERDIDAS DE POTENCIA

SIMULACIONES

Vcc

Vbb

R1
11

A
B

R2

Q1

BUP41
0.75

+88.8
Volts

Fig.1 Circuito simulado en Proteus

Fig.2 Seales obtenidas

Datos de los tiempos de conmutacin Simulados vs. Calculados.


Datos simulados:

Ton

Toff

Td
Tr
Tn
Ts
Tf
To

SIMULADOS
1.1 us
2.1 us
-5.9
3.2
--

CALCULADOS
0,5 us
1 us
-5 us
3 us
--

CONCLUSIONES

Los resultados simulados no son exactos con los calculados debido a que la apreciacion
de los instrumentos de simulacion no son lo suficientemente pequenas para medirlas
exactamente.
Las prdidas de potencia ser mayor en desactivacin, luego en conduccin,
almacenamiento, y por ultimo en desactivado ser casi nula.

RECOMENDACIONES

Siempre se necesita, calcular los datos, despues simularlos, corregir los datos, e
implementar. Incluso despus de implementar, volver a medir los datos, para corregir
de ser posible, el circuito, con la finalidad de que nuestro diseo antes de llegar a la
etapa de produccin, con la finalidad de que el mismo sea lo mas exacto y por lo tanto
funcional que pueda ser.
Para tomar en cuenta de la mejor forma posible hay que ver en que estado estar
nuestro circuito la mayor parte del tiempo (en el caso que nuestro conmutador
cambien mucho de estado), con la finalidad de calcular las perdidas de la mejor
manera.
Hay que tomar en cuenta las prdidas de potencia en los elementos de electrnica de
potencia, para analizar el consumo de potencia de la aplicacin, en caso de que estas
prdidas sean considerables comparadas con las de la aplicacin.

BIBLIOGRAFIA

Electrnica De Potencia. Muhammad H Rashid. Pearson (Ao: 2005, 3 edicin)


ISBN: 9702605326
Teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Robert L. Boylestad & Lous Nashelsky.
2003 8a edicin. ISBN 9702604362