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CARACTERISTICAS Y DISPOSITIVOS DE ACTIVACIN DE LOS IGBTs

Freddy Guillen M Electronica de Potencia, UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA, Cuenca-Ecuador fguillenm@est.ups.edu.ec

AbstractEn este documento se especica las caractersticas de los IGBTs tales como su estructura, curva caracterstica, operacin, modelo de circuito equivalente, dispositivos de encendido y apagado, en conjunto con gracas y ejemplos.

I. INTRODUCCION los dispositivos semiconductores de potencia disponibles en el mercado pueden ser categorizados en tres grupos:

los dispositivos como diodos que pueden ser encendidos o apagados por la accin del circuito. los dispositivos como tiristores y triacs que pueden ser encendidos mediante el control del GATE pero que requieren la implementacin de circuito separado para apagarlos. dispositivos como transistores bipolares, "Gate Turn Off thyristors (GTO)" y MOSFETs de potencia, que pueden ser encendidos y apagados por una seal al GATE.

El grupo nal de dispositivos es el preferido en la electrnica de potencia por su circuito pequeo, pero tienen sus ventajas y desventajas. por ejemplo los GTOs soportan altos voltajes y altas corrientes pero estn limitados a bajas frecuencias de trabajo (unos pocos KHz) y necesitan control de GATE de alta potencia. los transistores BJT ofrecen un manejo ms sencillo que los GTOs pero estn limitados a bajos voltajes (<1500). mientras que los MOSFETs ofrecen una frecuencia alta de trabajo (100KHz tpico) y son muy fciles de manejar pero estn limitados a pequeos voltajes y corrientes. durante la pasada dcada un nuevo grupo de dispositivos de potencia que combinaba las tecnologas de T, bipolares y MOSFETs se empez a comercializar, entre ellos encontramos a los "MOS controlled bipolar decives", IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los MCTs (MOS Controlled Thyristors ), estos tipos de dispositivos ofrecen las mejores caractersticas de los T. bipolares y MOSFETs. II. ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DEL IGBT. LA ESTRUCTURA INTERNA DE CAPAS p Y n DEL IGBT SE ENCUENTRA EN LA FIG.1 En un modo normal de operacin, el colector es ms positivo respecto al emisor y si el GATE est en potencial cero respecto al emisor, no existe ujo de corriente desde el colector hacia el emisor. cuando el potencial del GATE

Figure 1.

ESTRUCTURA INTERNA DEL IGBT

aumenta respecto al emisor, los electrones son atrados hacia la zona p por debajo del oxido del GATE y eventualmente invierte su polaridad del tipo p al tipo n. esta capa de inversin provoca un canal n- desde una capa n+ hacia la capa n-. Los electrones se inyectan desde el contacto del emisor n + en la regin N-reduciendo as el potencial de esta regin y la polarizacin directa p + n-unin desde el lado del colector, Por lo tanto los agujeros se inyectan desde el colector en la capa n siendo este el proceso de encendido(Fig. 2). El exceso de huecos y electrones en la regin n- reduce el resistividad de esta regin. Esto se conoce como "modulacin de conductividad" lo cual reduce la resistencia del dispositivo cuando esta prendido. III. CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN IGBT. Fig. 3a y 3b muestra un circuito equivalente de un IGBT representando su estructura interna. Como se ha mencionado antes, el IGBT tiene cuatro capas (pnpn) al igual que un tiristor y puede ser representado como

Figure 2.

Proceso de encendido del IGBT

Figure 3.

Circuito Equivalente el IGBT

IV. PARMETROS DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA. transistores PNP y NPN y debido a que la regin n- es comn a ambos, la la base de cada transistor est efectivamente conectada al colector de la otra. El MOSFET de potencia se conecta entonces a travs de la base y el colector del transistor PNP. La RMOD representa la resistencia de base n- que es fuertemente modulada. RB es la resistencia lateral de difusin emisor base p- y si la ganancia del bucle de la combinacin de transistores PNP y NPN es mayor que uno, entonces el IGBT se comporta como un tiristor sin de control de GATE y tal situacin podra ser destructivo para el dispositivo y para evitar ello diversas caractersticas estn incluidas en el diseo del IGBT, tales como:
Figure 4. PARAMETROS DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.

Reducir al mnimo el valor de RB por la difusin de p +. ii) La inclusin de una capa amortiguadora n + que permite que la ganancia del transistor PNP pueda ser controlada La inclusion de un capa n+ que permite que la ganancia del transistor PNP pueda ser controlada. El control de la ganancia del transistor PNP mediante la irradiacin de electrones.

V. CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA.

El transistor NPN es as desconectado y RB es despreciable, la g.3c muestra un circuito equivalente ignorando estos dos componentes. la combinacin de un transistor PNP con un MOSFET de potencia de canal n, vendra a ser un transistor NPN con un control de base por voltaje, siendo este el smbolo del IGBT.

En estado cerrado debe tener la capacidad de conducir corrientes altas, con una cada de voltaje que tienda a cero, al igual que la resistencia que se ocasiona debe tender a cero y poca prdida de potencia. Debe abrirse y cerrarse de manera veloz para poder trabajar con altas frecuencias para que de esta manera tengamos tiempos cortos, tiempo de demora (td), Tiempo de subida (tr), tiempo de almacenamiento (ts), tiempo de cada (tf), todos estos tiempos deberan ser cercanos a cero. Debe tener un gran didt que tienda a innito, es decir que el semiconductor debe manejar corrientes elevadas a la hora de conducir. Debe tener un gran dvdt que tienda al innito para que el dispositivo soporte cambios bruscos de voltaje.

La impedancia trmica debe ser pequea entre la unin interna y el exterior para transmitir calor al ambiente con ms facilidad. Necesita soportar corrientes de falla por largos tiempos.

Figure 5.

CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES

Figure 7.

Encendido y apagado de un IGBT y MOSFET.

Figure 6.

FAMILIA DE IGBTS

VI. ENCENDIDO Y APAGADO DE UN IGBT A. Control de GATE. Como se muestra en la g.4 el control de GATE cosiste en aplicar diferentes voltajes: 15 VOLTIOS PARA ENCENDER el IGBT atraves de S1 y 0 voltios PARA APAGAR el dispositivo atraves de S2, un efecto de rizado se puede observar en las formas de onda al momento de encendido y apagado, el voltaje de GATE es un escaln. El voltaje de DRAIN esta rizando o fallando durante el switcheo, el voltaje de GATE tambin riza durante el switcheo el mismo que se le conoce como voltaje MILLER (Vgm) y depende de la corriente que demanda el circuito, en la mayora de aplicaciones este voltaje est entre 4 y 6 voltios. B. ENCENDIDO Y APAGADO DE LOS IGBTS . Los MOSFETs y los IGBTs se encienden de manera similar obteniendo valores semejantes de respuesta como observamos en la g.5, pero como tambin podemos observar en la g.6 la seal de corriente al momento de apagar los dispositivos es diferente, la corriente en el IGBT cae lentamente (corriente de cola) a comparacin a la cada de corriente de los MOSFETs. C. PERDIDAS POR ENCENDIDO Y APAGADO DEL IGBT. El apagado de un IGBT puede ser separado en dos periodos distintos, como muestra la g.7 en el primer periodo, su comportamiento es similar al de un MOSFET. El incremento en el voltaje del DRAIN (DV/DT) es seguido por una corriente muy rpida de switcheo. Las perdidas en este periodo "dv/dt" depende a sobremanera de la velocidad en el crecimiento del voltaje. La segunda es el periodo de "corriente de cola" del

Figure 8.

Encendido de MOSFETS E IGBTS

IGBT, se produce cuando se apaga el IGBT y despus de que el dispositivo soporto voltajes altos. El total de prdidas se muestra en la g.7 D. AUMENTO DE LA VELOCIDAD DE ENCENDIDO DE UN IGBT. Las perdidas por apagado del IGBT pueden convertirse en un problema critico al momento de trabajar en altas frecuencias, en ese caso el dv/dt tiene que ser aumentado mediante el decremento de la resistencia de GATE. Las perdidas por apagado del IGBT son proporcionales al valor de la resistencia de GATE, como se puede observar en la g.8 al bajar una resistencia de 100 ohm a 10 ohm. Cabe recalcar que la corriente de cola del IGBT es totalmente independiente del valor de la resistencia de GATE. Podemos observar en la g.8 que con una resistencia de GATE de 47 ohm tenemos que las perdidas por encendido y por apagado son similares. La corriente de cola es constante, las prdidas del sistema se ven primordialmente afectadas por el dv/dt , en la g.9 podemos observar que se tienen unas prdidas que se reducen de 13 a 4 mj gracias al decremento de la resistencia de GATE de 100 a 10 ohms.

Figure 9.

Apagado de MOSFETS e IGBTS

Figure 11. Aumento de dv/dt mediante la reduccion de Rg para reducir las perdidas del IGBT.

Figure 12.

Graca Rg vs perdidas

Figure 10.

Perdidas por encendido y apagado del IGBT

E. LIMITADOR DE CORRIENTE CON MLTIPLES VOLTAJES DE GATE.

El circuito mostrado en el g. 10 muestra un circuito limitador de corriente para un IGBT . En operacin normal, 15 voltios son aplicados al GATE pero cuando una cobre corriente es detectada el voltaje del GATE es puesto en 6 voltios limitando la corriente del colector. El voltaje vce cae entre 2 o 3 voltios tpicos, pero este se incrementa cuando la corriente de colector aumenta, el zenner 1 (z1) es elegido para mantener el voltaje vce en el nivel de operacin. Cuando ocurre una sobre corriente el vce del igbt se incrementa, cuando el voltaje en el punto p sobrepasa el punto de corte de z1, z1 empieza a conducir, convirtindose en un tiempo t2, y el voltaje en p se mantiene, causando que d se polarice inversamente, y z2 se acciona provocando un enclavamiento en 6 voltios en el Gate del IGBT.

Figure 13.

Limitador de corriente con multiples voltajes de GATE.

VII. CONCLUSIONES. Los transistores de potencia tienen muchos parmetros que se debe tomar en cuenta al momento de disear un circuito de potencia. El conocimiento de los parmetros de potencia nos ayuda a elegir de manera correcta un dispositivo que se va a emplear, es decir el voltaje y la corriente que se va a usar, la frecuencia el tiempo de recuperacin inversa, el didt

, tambin el dvdt, Que son parmetros que van a denir el correcto funcionamiento de nuestras sistemas de potencia. R EFERENCES
[1] A New Isolated Gate and Base Drive for Power MOSFETs and IGBTs J.M. Bourgeois SGS-THOMSON Microelectronics application note AN461 [2] An Introduction To IGBT Operation, DINEX SEMICONDUCTOR,Application Note, AN450.3-4.1 July 2002 [3] ELEMENTOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA. PDF.