IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique

Page 1/19 L. LUBRANO 2000

Amplification Linaire Transistor Bipolaire


1 - Structure gnrale dun circuit damplification :



X
v
i

'

Lamplification ne concerne que le signal alternatif.

Signal continu : POLARISATION (point de repos)

Signal alternatif : AMPLIFICATION (point de fonctionnement qui se dplace autour de sa position de repos)

Lamplification est LINEAIRE si A, le gain de lamplificateur se met sous la forme : A
X
X

2
1
.
On parle de SATURATION si X
1
augmente mais X
2
reste constant, dans ce cas A
X
X

2
1
.

2 - Diffrents types damplificateurs :

Ces types sont fonction de la nature de X
1
et X
2
. Il existe quatre types damplificateurs

2-1 Amplificateur de tension X v X v A A
v 1 1 2 2
; et .


Lamplificateur de tension est idal si :
v A e
v g 2
. .
v
e R
r R
e r R
g i
g i
g g i 1

+
si pp .
v
A v R
R R
A v R R
v L
o L
v o L 2
1
1

+
si pp
Donc v A e
v g 2
. si les deux conditions
prcdentes sont respectes.
Signal amplifier
Amplificateur
Charge
Source de puissance
(Fournie par E0)
(Bas niveau)
X
1
X
2
(Haut niveau)


IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 2/19 L. LUBRANO 2000
2-2 Amplificateur de courant X i X i A A
i 1 1 2 2
; et .




Lamplificateur de courant est idal si :
i A i
L i g
. .

On a :
L
L
R
v
i
2
.




Donc : i
v
r
v
R
v
R
R
r
i
R
r
i r R
g
g i i
i
g
i
g
g i
+ +

_
,

_
,

1 1 1
1 1
1 1 si ff .


A i
v
R
v
R
v
R
R
R
i
R
R
i R R
i
o L L
L
o
L
L
o
L o L
.
1
2 2 2
1 1 + +

_
,
+

_
,
si ff


Donc i A i
L i g
. si les deux conditions prcdentes sont respectes.


2-3 Amplificateur transconductance X v X i A g
m 1 1 2 2
; et (La TRANSCONDUCTANCE).


Lamplificateur transconductance est idal
si : i g e
L m g
. .

v
e R
r R
e r R
g i
g i
g g i 1

+
si pp

L
L
R
v
i
2
.


g v
v
R
v
R
v
R
R
R
i
R
R
i R R
m
o L L
L
o
L
L
o
L o L
.
1
2 2 2
1 1 + +

_
,
+

_
,
si ff

Donc i g e
L m g
. si les deux conditions prcdentes sont respectes.



IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 3/19 L. LUBRANO 2000
2-4 Amplificateur transrsistance X i X v A R
m 1 1 2 2
; et .(La TRANSRESISTANCE).



Lamplificateur transrsistance est idal
si : v R i
m g 2
. .







i
v
r
v
R
v
R
R
r
i
R
r
i r R
g
g i i
i
g
i
g
g i
+ +

_
,

_
,

1 1 1
1 1
1 1 si ff .

v
R i R
R R
R i R R
m L
o L
m o L 2
1
1

+
si pp .

Donc v R i
m g 2
. si les deux conditions prcdentes sont respectes.

3 - Paramtres considrer pour lutilisation dun Transistor Bipolaire en alternatif:

3-1 Les capacits de jonction

Si la jonction est polarise en sens direct C
D
: Capacit de diffusion.

Si la jonction est polarise en sens inverse C
T
: Capacit associe la charge despace.

Avec C C
D T
ff .

Dans le Transistor Bipolaire :

J
BE
est polarise en sens direct donc prsence dune capacit C
be

J
BC
est polarise en sens inverse donc prsence dune capacit C
bc


Donc on aura : C C
be bc
ff avec pour ordre de grandeur : C pF C pF
be bc
100 2 et 3 .
Ces capacits ont une impdance
1
C
.

En continu :
1
C
, et en B.F,
1
C
est trs leve.

Ces capacits sont en parallle sur des rsistances plus faibles et de ce fait peuvent tre ngliges, sauf dans le
cas dune utilisation haute frquence (F>1Mhz), o elles prennent une relles importance.


IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 4/19 L. LUBRANO 2000
3-2 La transconductance g
m
du transistor.

Pour avoir une amplification linaire, on considre dans le cas gnral des signaux alternatifs de faible
amplitude par rapport aux valeurs de repos.

Dans chaque branche du circuit, il existera un signal composite :

I t I i t I I t I dI t
c C c C c C c
( ) ( ) ( ) ( ) + + +
0 0 0
.

V t V v t V V t V dV t
ce CE ce CE ce CE ce
( ) ( ) ( ) ( ) + + +
0 0 0
.


Montage fondamental pour amplification Transistor Bipolaire :




Pour lamplification, on ne considrera que les
grandeurs alternatives, ici :

Tension dentre v t
be
( ) et Courant de sortie
i t
c
( ) .




t
t
i t
c
( )
v t
ce
( )
V
CE 0
I
C0
P
0
I
B
I
B0
I t
c
( )
V t
ce
( )

I i t
B b 0
+ ( )
V v t
BE b e 0
+ ( )
V v t
CE ce 0
+ ( )
I i t
C c 0
+ ( )

IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 5/19 L. LUBRANO 2000
Par dfinition la transconductance g
m
du transistor Bipolaire est gale : g
i t
v t
I
V
dI t
dV t
m
c
be
c
be
c
be

( )
( )
( )
( )

g
m
est dtermine graphiquement partir de la tangente au point de repos de la caractristique
I t f V t
c be
( ) ( ( )) .


Remarque :

La valeur de g
m
dpend de la position du point de repos, donc de I
C0
.
On admet que pour la polarisation I I
C E 0 0
.
J
BE
est polarise en sens direct donc I t I t I e
c e S
Vbe t
V
T
( ) ( ) .
( )


I I e dI t I e
dV t
V
g
dI t
dV t
I
V
C S
V
V
c
repos
S
V
V be
T
repos
m
c
be
repos
C
T
BE
T
BE
T
0
0
0 0
. ( ) .
( ) ( )
( )
et comme
On ne peut pas utiliser g
m
pour faire un calcul de polarisation ; cette grandeur est seulement utilisable avec
des grandeurs alternatives.


4 - Etude des gnralits sur le montage Emetteur Commun :

4-1 Circuit type


I t I i t I I t I I
c C c C M M C
( ) ( ) sin + +
0 0 0
avec Pour amplification linaire. pp

linaire. ion amplificat Pour avec sin ) ( ) ( 0 0 0 CE M M CE ce CE ce V V t V V t v V t V pp + +


















r
g
e
g
+
-
I t
b
( )
I t
e
( )
I t
c
( )
E
0
R
E
R
C
R
2
R
1
V t
1
( )
V t
2
( )
C
I
C
E

IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 6/19 L. LUBRANO 2000
4-2 Les deux circuits considrer pour les calculs :

Lamplification tant linaire, on peut utiliser le thorme de superposition. On traite dune part la composante
continue, et dautre part la composante alternative. Il faut donc considrer deux circuits, et deux schmas
quivalents diffrents.

4-2-1 Schma quivalent pour la composante continue :

Cest le circuit considrer pour faire le calcul
de la polarisation. On remplace tous les
condensateurs par des circuits ouverts
1 1
0 C

_
,
.







Equation de la Droite de Charge Statique (DCS) :
( ) E R R I V I
R R
V
E
R R
C E C CE C
C E
CE
C E
0
0
1
+ +
+
+
+


4-2-2 Schma quivalent pour la composante alternative :
On remplace les
condensateurs par des
courts-circuits (Attention
la valeur de limpdance
la frquence de travail), et
la source de tension
continue E
0
par ses
variations dE
0
. Le cas
chant, on tiendra compte
de la rsistance interne.
Si la source de tension
continue est
convenablement dcouple pour la frquence de travail, alors dE
0
0 .

Le signal alternatif ne voit pas la mme maille en sortie que le signal continu. R
E
disparu.

Equation de la Droite de Charge Dynamique (DCD) :

Lcriture de la loi dOhm dans la maille de sortie conduit :

dV t R dI t
ce C c
( ) . ( ) , donc ) ( . ) ( t i R t v c C ce .

La droite de charge dynamique passe par le point de repos P
0
et a pour pente
dI t
dV t R
c
ce C
( )
( )

1

r
g
e
g
+
-
I
B0
I
C0
V
CE 0
I
E0
I
C0
R
1
R
2
R
C
R
E
E
0

r
g
e
g
+
-
r
g
e
g
+
-
i t
b
( )
i t
c
( )
i t
c
( )
i t
b
( )
i t
e
( )
R
1
R
2
R
C
i t
e
( )
R
B
R
C
v t
ce
( )
v t
be
( )
Avec RB=R1//R2

IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 7/19 L. LUBRANO 2000
Pour tracer la DCD, on dtermine K qui est lintersection avec laxe V
CE
.



On passe de P
0
K par une
variation I t I
c C
( )
0
,

variation correspondant

V t R I t R I
ce C c C C
( ) ( )
0








Equation complte :

dI t
dV t R
dI t
R
dV t I t
R
V t cte
c
ce C
c
C
ce c
C
ce
( )
( )
( ) ( ), ( ) ( ) +
1 1 1
donc d' o

Dtermination de la constante :

On crit que la DCD passe par
0
0
0
CE
C
V
I
P , cest dire I t
R
V t I
V
R
c
C
ce C
CE
C
( ) ( ) + +

_
,

1
0
0



4-3 Attaque en courant - Attaque en tension :

On travaille sur le circuit vu par le signal alternatif.


r
g
e
g
+
-
r
g
e
g
+
-
i t
c
( )
i t
b
( )
R
C
R
1
R
2
i t
b
( )
i t
c
( )
R
C
R
B
v t
b e
( )
v t
c e
( )
R
i T

E
R R
C E
0
+
DCD pente
1
R
C
DCS pente
+
1
R R
C E
0
I
C 0
V
CE 0
V
CE 0
P
0
E
0
V t
ce
( )
I t
c
( )
R I
C C 0
R I
E C 0
K

IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 8/19 L. LUBRANO 2000
Attaque en courant :





i
e
r
g
th
th


rth R
iT
ff


i
v
r
i
v
r
v
R
v
r R
v
R
i
g
be
th
b
be
th
be
iT
be
th iT
be
iT
b
+ + +

_
,

1 1







Attaque en tension :



e
e R
r R
r r R
r R
r R
th
g B
g B
th g B
g B
g B

+

+
et / /

rth R
iT
pp

e r i v v R i
th th b be be iT b
+ or


( ) donc e r R i R i e v
th th iT b iT b th be
+








i
g
) ( t ib
) ( t ic
C R
t h r
) ( t v be
) ( t v ce
i T R
Source de NORTON

+
-
i t
b
( )
i t
c
( )
R
C
v t
b e
( )
v t
c e
( )
R
i T
r
t h
e
t h
Source de Thvenin

IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 9/19 L. LUBRANO 2000
Comparaison :

Pour lattaque en courant, on considre i
b
qui introduit une faible distorsion sur la tension de sortie v
ce
.

t
t
t
i t
c
( )
i t
b
( )
v t
c e
( )
V t
c e
( )
I t
c
( )
V
C E 0
I
C 0
I
B 3
I
B 0
I t
b
( )
V t
b e
( )
t
V
B E 0
I
B 2
I
B 1
(Distorsion car lgre pente)
P
0
DCD


Pour lattaque en tension, on considre v
be
qui introduit une distorsion notable par le passage de v i
be b
, et
qui sajoute celle de lattaque en courant.



t
t
t
i t
c
( )
i t
b
( )
v t
c e
( )
V t
c e
( )
I t
c
( )
V
C E 0
I
C 0
I
B 3
I
B 0
I t
b
( )
V t
b e
( )
t
V
B E 0
I
B 2
I
B 1
(Grande Distorsion car non linarit)
P
0
DCD

IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 10/19 L. LUBRANO 2000
4-4 Ecrtage :
Tension de sortie TOTALE : V t V v t
ce CE ce
( ) ( ) +
0

Sous linfluence du signal alternatif, le point de fonctionnement quitte sa position de repos P
0
et se dplace sur
la DCD, de pente
1
R
C
.
Les limites de son dplacement (pour une amplification) sont M
1
et M
2
.
Pour viter le phnomne dcrtage, il faut choisir le point de repos P
0
au milieu du segment M
1
M
2
.

Il y a deux types dcrtages :

E
R R
C E
0
+
DCD pente
1
R C
DCS pente
+
1
R R
C E
0
P
0
E
0
V t
c e
( )
I t
c
( )
I
C 0
V
CE 0
V
CE 0
R I
C C 0
R I
E C 0
M
1
M
2
V
CE S A T
E
R R
C E
0
+
DCD pente
1
R C
DCS pente
+
1
R R
C E
0
P
0
E
0
V t
ce
( )
I t
c
( )
I
C 0
V
CE 0
V
CE 0
R I
C C 0
R I
E C 0
M
1
M
2
V
CE S A T
Ecrtage par Saturation Ecrtage par Blocage

4-5 Influence de la frquence dutilisation :

r
g
e
g
+
-
R
C
R
1
R
2 R
E
E
0
V
S O R T I E
C
I
C
E

Dans un montage Transistor Bipolaire, on trouve :

Les capacits des jonctions du transistor : C et C
be bc
.
Les capacits du montage : C C
E I
et . (On a le choix de la valeur)
IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 11/19 L. LUBRANO 2000
Gain en tens ion
Frquence
A
0
TBF
HF
BF ou MF
Prise en compte
des capacits
extrieures C I et CE
Ici on nglige
C
I
, C
E
et C
be
, C
bc

Pris e en compte
de Cbe , Cbc
f1 f2
f f
1 2
et : frquences de coupure.

En Basse Frquence (B.F) : faibles trs
1
et
1
et
1
et
1
f 2 1
I E bc be C C C C
f f .

En Trs Basse Frquence (T.B.F) :
f et reste trs grands, et et ne sont plus trs faibles.
1
f
C C C C
be bc E I
1 1 1 1



En Haute Frquence (H.F) :
f et ne sont plus trs grands , et et restent trs faibles.
2
f
C C C C
be bc E I
1 1 1 1



4-6 Etablissement dun Schma quivalent BF (ou MF) du Transistor Bipolaire :

4-6-1 Paramtres Hybrides (En alternatif)

Equation de fonctionnement du transistor en alternatif :

Il existe donc par dfinition 4 paramtres hybrides :

h h
ie 11
, h h
fe 21
, h h
re 12
, h h
oe 22




Dtermination des paramtres hybrides : On peut les dterminer en fonction du point de repos.
? Si v
ce
0, alors V t
ce
( ) 0 donc V t Cte V
ce CE
( )
0
(Point de repos)

De (1) on tire : h
v
i
V t
I t
ie
be
b
v
be
b
V V
ce ce CE

0
0

( )
( )
: h
ie
est donc analogue une rsistance.

De (2) on tire : h
i
i
I t
I t
fe
c
b
v
c
b
V V
ce ce CE

0
0

( )
( )
: h
fe
est donc sans unit cest le GAIN en COURANT.


v h i h v
be ie b re ce
+ (1)

i h i h v
c fe b oe ce
+ (2)
IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 12/19 L. LUBRANO 2000
? Si i
b
0 , alors I t
b
( ) 0 donc I t Cte I
b B
( )
0
(Point de repos)

De (1) on tire : h
v
v
V t
V t
re
be
ce
i
be
ce
I I
b b B

0
0

( )
( )
: h
re
est donc sans unit.

De (2) on tire : h
i
v
I t
V t
oe
c
ce
i
c
ce
I I
b b B

0
0

( )
( )
: h
oe
est donc analogue une admittance.
1
h
oe

_
,
est la
rsistance de sortie.

4-6-1-a : Dtermination graphique des paramtres hybrides

Les paramtres h
fe
et h
oe
seront
dtermins partir de la caractristique
de sortie.

h
I t
I t
fe
c
b
V V
ce CE

( )
( )
0


h
I t
V t
oe
c
ce
I I
b B

( )
( )
0
trs faible
car
1
h
oe
est leve.


Les paramtres h
ie
et h
re
seront dtermins partir de la caractristique dentre.


h
V t
I t
ie
be
b
V V
ce CE

( )
( )
0
. h
ie
pas trs
lev.

h
V t
V t
re
be
ce
I I
b B

( )
( )
0
, donc
h
V V
V V
re
BE BE
CE CE

3 1
3 1
est trs faible si

V t V t
be ce
( ) ( ) pp


V t
c e
( )
I t
c
( )
V
C E 0
I
C 0
I
B 3
I I
B B 2 0

I
B 1
I
C 3
I
C 1
I t
c
( )
V t
ce
( )

h
I I
I I
fe
C C
B B

3 1
3 1

I t
b
( )
V t
b e
( )
I
B 0
V
B E 3
I t
b
( )
V t
be
( )
V
B E 0
V
B E 1
V V
C E C E 2 0

V
C E 1
V
C E 3

IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 13/19 L. LUBRANO 2000
4-6-1-b : Schma quivalent du transistor en alternatif

v h i h v
be ie b re ce
+ Source de Thvenin pour le circuit dentre.

i h i h v
c fe b oe ce
+ Source de Norton pour le circuit de sortie qui se comporte en source de courant.

+
-
B
E E
C
h
i e
h v
re c e h i
fe b
1
h
o e
i
b
i
c
v
c e
v
b e


4-6-1-c : Ordre de grandeur des paramtres hybrides :
En toute rigueur les paramtres hybrides varient avec le point de repos.

h v h i h v h i h v h i
re be ie b re ce ie b re ce ie b
+

10
4
donc, car pp

Do le schma le plus utilis : (Vrai le type de transistor PNP ou NPN)

B
E E
C
h
i e
h i
fe b
1
h
o e
i
b
i
c
v
c e
v
b e
R
L
E-C

Si R
h h
L
oe oe
pp
1 1
10
5
avec

B
E E
C
h
i e
h i
fe b
i
b
i
c
v
c e
v
b e
R
L
E-C


IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 14/19 L. LUBRANO 2000
( ) h qqk v h i i h i i g V
ie be ie b c fe b c m be
1 3 k et or comme ,

alors, g
h
h
m
fe
ie
, ce qui conduit au schma suivant :

5 - Les Montages Amplificateurs :

5-1 Le montage Emetteur Commun (Vrai)




Les trois condensateurs du montage
sont choisis de faon se comporter
comme des courts-circuits la plus
basse frquence de travail de
lamplificateur.







Schma quivalent du montage en alternatif :

B
E E
C
h
i e
g v
m b e
i
b
i
c
v
c e
v
b e
E-C

r
g
e
g
+
-
R
C
R
1
R
2 R
E
E
0
V
1
C
I
C
E
R
L
V
2
C
0

r
g
e
g
+
-
i1
iL

IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 15/19 L. LUBRANO 2000
En utilisant les paramtres hybrides on obtient :

B
E E
C
h
i e
h i
fe b
1
h
o e
i
b
i
c
v
2
v
1
2 1//R R RB
r
g
e
g
+
-
L C ch R R R //

Ce circuit permet de calculer la valeur des amplifications en courant et en tension.

Travail demand :
Calculer lamplification en tension A
v
v
v

2
1
; (Rponse :
oe ch
ch
m v
h R
R
g A
+

1
)
Calculer lamplification en tension (composite) A
v
e
vc
g

2
; (Rponse :
) // (
// 1
1
2
ie B g
ie B
v
g
vc
h R r
h R
A
e
v
v
v
A
+
)
Calculer lamplification en courant
b
L
i
i
i
A ; (Rponse :
) 1 ( oe ch L
ch fe
i
h R R
R h
A
+
)
Calculer lamplification en courant (composite) A
i
i
ic
L
g
; (Rponse :
ie
ie B
i
g
b
b
L
ic
h
h R
A
i
i
i
i
A
//
)
Calculer la rsistance dentre du montage
1
1
i
v
RiM ; (Rponse : ie B iM h R R // )
Calculer la rsistance de sortie du montage
0
2

g e
L
oM
i
v
R ; (Rponse :
oe c
c
oM
h R
R
R
+

1
)
En rsum :
Amplification leve en tension et en courant ; Dphasage de entre lentre et la sortie.

5-2 Le montage Emetteur Commun charge rpartie.
















r
g
e
g
+
-
R
C
R
1
R
2 R
E
E
0
V
1
C
I
R
L
V
2
C
0

IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 16/19 L. LUBRANO 2000
Schma quivalent du montage en alternatif :

En utilisant les paramtres hybrides on obtient :

B C
h
i e
h i
fe b
1
h
o e
i
b
i
c
v
2
v
1
R
B
r
g
e
g
+
-
R R
C L
/ /
E
R
E
v
b e
v
c e
i
b i
c
i i
b c
+
v
e

5-3 Le montage Base Commune

r
g
e
g
+
-
R
C
R
1
R
2 R
E
V
1
C
B
C
I
R
L
V
2
C
0
E
0

Les trois condensateurs du montage sont choisis de faon se comporter comme des courts-circuits la plus
basse frquence de travail de lamplificateur.
r
g
e
g
+
-
R R R
B

1 2
/ /
R
E
V
1
R R
C L
/ /
V
2
R
B

IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 17/19 L. LUBRANO 2000
Schma quivalent du montage en alternatif :

r
g
e
g
+
-
R
C
R
1
R
2 R
E
V
1
R
L
V
2
iL

En utilisant les paramtres hybrides on obtient :
B
E C
h
ie
i
b
i
c
v
2 v
1
R
E
r
g
e
g
+
-
R
L
h i
fe b
1
h
o e R
C
i i
e

1
i
g
i
c
iL
Rch=Rc//RL

Ce circuit permet de calculer la valeur des amplifications en courant et en tension.

Travail demand :
Si ncessaire, on considrera que
1
h
oe
est suffisamment grand pour pouvoir crire : i h i
c fe b
. Ce qui permet
donc de ngliger le courant qui circule dans
1
h
oe
.

Calculer lamplification en tension A
v
v
v

2
1
; (Rponse : ch m v R g A )
Calculer lamplification en courant A
i
i
i
i
i
L L
e

1
; (Rponse :
) 1 ( ) ( fe L c
fe ch
e
c
c
L
i
h R R
h R
i
i
i
i
A
+ + +
)
Calculer la rsistance dentre R
v
i
v
i
iT
e

1
1
1
( sur lmetteur ) ; (Rponse :
fe
ie
iT
h
h
R
+

1
)
Calculer la rsistance de sortie
0
2

g e
c
oT
i
v
R ( sur le collecteur ) ; (Rponse : ) (
'
'
1
oe
fe
ie
ie g
g
oe
oT
h
h
h
h r
r
h
R +
+
+ )
En rsum :
Amplification leve en tension, Amplification en courant 1 ;
Rsistance dentre faible et de sortie leve.
IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 18/19 L. LUBRANO 2000
5-4 Le montage Collecteur Commun

r
g
e
g
+
-
R
1
R
2 R
E
E
0
V
1
C
I
R
L
V
2
C
0

Les deux condensateurs du montage sont choisis de faon se comporter comme des courts-circuits la plus
basse frquence de travail de lamplificateur.

Schma quivalent du montage en alternatif :

r
g
e
g
+
-
R
1
R
2 R
E
V
1
R
L
V
2
iL

En utilisant les paramtres hybrides on obtient :

B
E
C
h i
fe b
1
h
o e
i
b i
e
v
2 v
1
R
B
r
g
e
g
+
-
R
L
h
i e
R
E
Rch=RE//RL

Ce circuit permet de calculer la valeur des amplifications en courant et en tension.

IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique
Page 19/19 L. LUBRANO 2000
Travail demand :
Si ncessaire, on considrera que
1
h
oe
est suffisamment grand pour pouvoir crire : i h i
c fe b
. Ce qui permet
donc de ngliger le courant qui circule dans
1
h
oe
.
Calculer lamplification en tension A
v
v
v

2
1
; (Rponse :
ch m
v
R g
A
1
1+ )
Calculer lamplification en courant A
i
i
i
L
b
; (Rponse :
) (
) 1 (
L E
E fe
b
e
e
L
i
R R
R h
i
i
i
i
A
+
+
)
Calculer la rsistance dentre R
v
i
iT
b

1
( sur la Base ) ; (Rponse :
L E
L E fe
ie iT
R R
R R h
h R
+
+ )
Calculer la rsistance de sortie
0
2

g e
e
oT
i
v
R ( Vue sur lmetteur ) ; (Rponse :
fe
B g ie
oT
h
R r h
R
+

1
) // (
)
En rsum :
Amplification en tension 1 , Amplification en courant leve ;
Rsistance dentre leve et de sortie faible.