Fuentes pticas

Componente activo
Fuentes de ancho de banda

Fuentes monocromticas

Fuentes Monocromticas

El laser y el LED puede modularse directamente a las altas velocidades de transmisin requerida, con tan baja excitacin y tan baja salida.

Eleccin en Funcin del Sistema

LED
Para distancias cortas y medias con anchos de banda escasos no sean factores limitativos.

Laser
Ofrece un mejor rendimiento anchos de banda grandes y largos enlaces. (Amplifica la luz)

Requerimientos Principales

a) El tamao y la configuracin compatibles con el de la fibra. b) Linealidad en la caracterstica de conversin de energa. c) Emitir luz a longitudes de onda idneas para la fibra. d) Gran capacidad de modulacin. e) Suficiente potencia ptica de salida y eficiencia de acoplamiento. f) Directivo. g) Funcionamiento estable con la temperatura. h) Bajo consumo de energa.

Generaciones de fuentes de comunicaciones pticas

Primera Generacin
Lseres y LEDs de AlGaAs. 850 nm . Fibras MM de ndice gradual.

Quinta Generacin
Amplificadore pticos. 1700 nm.

Segunda Generacin
Lseres y fotodetectores de fosfato de indio. 1300 nm. Fibra MM y SM.

Tercera Generacin

Lser Monomodo (InGaAsP). 1550 nm. Fibras SM.

Cuarta Generacin
Amplificadores pticos. 1625 nm.

Absorcin y Emisin de Radiacin

La frecuencia absorbida o emitida depende de la diferencia de energa E entre los niveles energticos. = . E= =
Absorcin de Radiacin
Un tomo absorbe un fotn pasando al estado de energa mayor 2 El efecto de absorcin ocurre cuando un cuerpo que emite un espectro continuo se le interpone un gas antes de llegar la luz al espectroscopio.

Emisin de Radiacin
El tipo de emisin va a depender por tanto de cmo haya absorbido la energa la molcula.

Emisin Espontanea
Un tomo en un nivel de energa mayor decae al estado de energa menor E1 emitiendo un fotn de frecuencia .

Emisin inducida
Un tomo en un nivel de energa mayor es forzado a decaer al estado de energa menor E1 por la presencia de una radiacin resonante (de frecuencia =(E2-E1)/h) emitiendo un fotn de frecuencia .

Inversin de Poblacin
Todos sus tomos salten a su estado excitado. Cuando un tomo excitado enva fuera un fotn, puede impactar ms tomos excitados y causar una pequea avalancha de ms fotones.

PARA LA CONSIDERACION DE FUENTES OPTICAS NOS VASAREMOS EN LA SIG. PROPIEDAD DE ESTOS MATERIALES.

UN CRISTAL SEMICONDUCTOR QUE NO TIENE IMPUREZAS SE DICE QUE ES INTRINSECO.

BANDA DE CONDUCCION

BANDA DE VALENCIA
ELECTRONES HUECOS

LA FIGURA A NOS MUESTRA LA BANDA DE VALENCIA Y DE CONDUCCIN LAS CUALES SE VEN SEPARADAS POR LA BARRERA DE POTENCIAL DE SEPARACION (GAP) Y LA CANTIDAD DE ELECTRONES Y HUECOS ES IGUAL. LA FIGURA B NOS REFLEJA EL COMPORTAMIENTO CORRESPONDIENTE A LA PROBABILIDAD DE FERMI-DIRAC. RECORDAR QUE LA EXITACIN TERMICA DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR PROVOCA EL DESPRENDIMIENTO DE ELECTRONES Y GENERACION DE HUECOS.

6.3.1a ECUACION DE LA DISTRIBUCION FERMI-DIRAC

DONDE: K=1.3805x10^-23 J/K ; CONSTANTE DE BOLTZMAN EF= NIVEL DE FERMI E= NIVEL DE ENERGIA T= TEMPERATURA EN K P(E) = PROBABILIDAD

AHORA, DOPAREMOS EL MATERIAL INTRINSECO CON ATOMOS DE CUALQUIER OTRO MATERIAL.

DE ESTA FORMA, SE OBTENDRA UN MATERIAL EXTRNSECO CREANDO MAS ELECTRONES LIBRES.

DONDE SE DONAN LAS IMPUREZAS, SE GENERAN NIVELES DEBAJO DE EL NIVEL DE CONDUCCIN Y DONDE SE ACEPTAN IMPUREZAS LOS NIVELES SE GENERAN ARRIBA DEL NIVEL DE VALENCIA.

CUANDO LAS IMPUREZAS SON DONADAS, EL NIVEL DE FERMI ESTA ARRIBA DE LA DIVISION GAP Y A SU VEZ EL NIVEL DE DONACIN DE IMPUREZAS ESTA ARRIBA DEL NIVEL DE FERMI, POR LO QUE ESTA PARTE DEL SEMICONDUCTOR ES CARGADA EXCESIVAMENTE CON ELECTRONES; DE AH QUE SE LE DENOMINA A ESTA SECCIN TIPO N, ESTO SE MUESTRA EN LA FIGURA A. EN EL CASO CONTRARIO, CUANDO SE ACEPTAN LAS IMPUREZAS SE GENERAN UNA GRAN CANTIDAD DE HUECOS EN EL MATERIAL SEMICONDUCTOR, ESTO LE DA EL NOMBRE DE TIPO P Y SU NIVEL DE FERMI ESTA POR DEBAJO DE LA BANDA GAP Y A SU VEZ EL NIVEL DE ACEPTACION DE IMPUREZAS ESTA DEBAJO DEL NIVEL DE FERMI; COMO SE MUESTRA EN LA FIGURA B. POR LO TANTO, LA UNIN DE ESTOS MATERIALES GENERARAN UN DIODO.

UNA REGIN DE AGOTAMIENTO SE FORMA EN LA UNIJUNTURA (FIG A) ATRAVES DE LA RECOMBINACIN PORTADORA LA CUAL EFECTIVAMENTE DEJA LIBRE LA CARGA MOVIL DE PORTADORES (HUECOS Y ELECTRONES). ESTO ESTABLECE UNA BARRERA DE POTENCIAL ENTRE LAS REGIONES TIPO P Y TIPO N LA CUAL RESTRINGE LA INTERDIFUSIN DE MAYORIA DE PORTADORES DE SUS RESPECTIVAS REGIONES (FIG B). LA IDEA ES HACER UNA VALVULA ELECTRICA PARA CONDUCIR EN UN SOLO SENTIDO. EL ANCHO DE LA REGION DE AGOTAMIENTO Y DE ESTA MANERA LA MAGNITUD DE LA BARRERA DE POTENCIAL ES DEPEDIENTE DE LA CONCENTRACION DE PORTADORES (DOPAJE) EN AMBAS REGIONES CUALQUIER APLICACIN EXTERNA DE VOLTAJE. CUANDO UN VOLTAJE POSITIVO EXTERNO ES APLICADO A LA REGION P CON RESPECTO A LA TIPO N AMBOS DE REGIONES DE AGOTAMIENTO SE ENSANCHAN Y EL RESULTADO ES UNA BARRERA DE PORTENCIAL REDUCIDA.

EL AUMENTO EN LA CONCENTRACIN DE PORTADORES MINORITARIOS EN EL LADO OPUESTO DE LA REGION TIPO P-N DEL DIODO CONDUCE LA RECOMBINACION DE PORTADORES ATRAVS DE LA GAP LO CUAL NOS DARA UNA EMISIN DE FOTONES.

EN EL MATERIAL SE MUESTRA EL ESTADO INICIAL DE LOS ELECTRONES EN LA BANDA DE CONDUCCIN PARA EL MATERIAL TIPO P ASI COMO EL ESTADO INICIAL DE LOS HUECOS EN LA BANDA DE VALENCIA PARA EL MATRIAL TIPO N QUE SON POBLADOS POR LA INYECCION DE PORTADORES LOS CUALES SE RECOMBINAN ATRAVES DE LA GAP. LA ENERGIA LIBERADA POR LOS ELECTRONES-HUECOS = BANDA GAP. EL EXCESO DE ESTOS PORTADORES HACEN UN DECREMENTO RADIAL O NO RADIAL. NO RADIAL= LIBERACION DE ENERGIA EN FORMA DE VIBRACIONES Y CALOR. RADIAL= LIBERACION DE ENERGIA EN FORMA DE FOTONES. LA ENERGIA DEL FOTON ES APROX. IGUAL A LA DE LA GAP:

ES LA EMISION DE LUZ RESULTANTE DE LA APLICACIN DE UN CAMPO ELECTRICO.

EMISIN DE LUZ EN EL DIODO P-N

6.3.3.1 GAP DIRECTA E INDIRECTA EN LOS SEMICONDUCTORES.

DONDE : h= 6.6256x10^-34 J s; CTE. DE PLANCK k= VECTOR DE ONDA

LA ENERGIA MAXIMA DE LA BANDA DE VALENCIA OCURRE AL MISMO VALOR DEL ELECTRON MOMENTO COMO LA ENERGIA MINIMA DE LA BANDA DE CONDUCCION.

FOTON LIBERADO POR LA RECOMBINACION DE LOS PORTADORES CON UNA ENERGIA IGUAL A LA GAP. TIEMPO DE VIDA DE UN PORTADOR MINORITARIO ANTES DE LA RECOMBINACIN:

DIAGRAMA MOMENTO-ENERGIA

LA CONSERVACION DEL MOMENTO REQUIERE LA EMISION DE UN FENON ESTA PARTICULA HACE LENTO EL PROCESO DE RECOMBINACION EN COMPARACION CON LOS DE BANDA PROHIBIDA DIRECTA.
TIEMPO DE VIDA DE LA RECOMBINACION:

SE RECIBE UN ESTIMULO EXTERNO PARA EMITIR FOTONES.

DESPUES DE EMITIR EL FOTON EL MATERIAL RETOMA UN ESTADO MENOS EXCITADO

LOS FOTONES EMITIDOS TIENE FASE ENERGIA Y DIRECCION SIMILAR AL FOTON ORIGEN

PRODUCE LUZ MONOCROMATICA Y UNA AMPLIFICACION YA QUE TODO FOTON GENERADO INCIDE EN OTRO

ES UNA UNIN ENTRE DOS SEMICONDUCTORES, CUYA BANDA (BANDA PROHIBIDA) ES DIFERENTE.

ISOTIPO

PROPORCIONA UNA BARRERA POTENCIAL DENTRO DE LA ESTRUCTURA QUE ES TIL PARA EL CONFINAMIENTO DE PORTADORES MINORITARIOS EN UNA REGIN ACTIVA PEQUEA

ANISOTIPO

MEJORA LA EFICIENCIA DE MODO DE CONDUCCIN INYECCIN DE HUECOS Y DIFERENTE (P-N) ELECTRONES

LOS MATERIALES P-N SON IDNEOS YA QUE POR LAS CARACTERSTICAS DE SU ESTRUCTURA SON SATISFACTORIOS PARA LA INYECCIN DE PORTADORES.

LA EFICIENTE ELECTROLUMINISCENCIA. ESTOS DISPOSITIVOS DEBERN TENER UNA ALTA PROBABILIDAD DE RADIACIN Y EFICIENCIA CUNTICA INTERNA.
EMISIN TIL DE LONGITUD DE ONDA. DISEADOS PARA OBTENER UN HAZ DE LUZ DE ENTRE 0.8 Y 1.7 MICRMETROS.

Por lo general separados por algunas dcimas de nanmetros [m] y se dice que el lser es multimodo.

Los modos de orden superior laterales provocan un ensanchamiento de los picos de modo longitudinal debido a subpicos

La correcta geometra de la banda inhibe la aparicin de modos de orden superior y esto limita la anchura de la cavidad ptica dejando un nico modo lateral que da el espectro de salida provocando que solo los modos longitudinales puedan ser observados y representan un espectro de salida tpico de un laser de inyeccin multimodo muy buena.

La fabricacin de los lser multimodo de inyeccin con modo lateral nico se logran a partir de la geometra lineal. Existen dos tipos de fabricacin de ste tipo de lser que son: A) Implantacin de regiones fuera de lnea con protones (protones aislados de lnea)

Para lograr que sea altamente resistivo y tiene propiedades trmicas superiores

B) xido o unin P-N aislado

Realiza una difusin selectiva a travs de la regin de superficie de tipo n con el fin de llegar a las capas de tipo p

Ambas tienen una regin activa de Arseniuro de Galio (GaAs) limitada por una regin de Arseniuro de Galio y Aluminio (AlGaAs) siendo sta tcnica aplicada especialmente para lseres usados en regin de onda ms corta. Ninguna de las dos tcnicas limita toda la radiacin y la corriente hacia la regin de banda y la propagacin se produce a ambos lados de la banda.

En la prctica los diodos laser presentan una relacin entre potencia ptica y corriente diferente a la ideal en donde sta caracterstica no es lineal y presenta torceduras. Esto se puede dar de dos tipos:
A-El primer tipo resulta de

cambios en el modo lateral dominante o superior debido a la accin del laser. un pico pero esto es debido a defectos de la estructura del cristal.
NOTA: Ambos mecanismos afectan a las distribuciones de intensidad de campo cercano y lejano (patrones) obtenidos a partir del lser.

B- El segundo tipo involucra

Los recientes acontecimientos en la fabricacin de laser multimodo usando arseniuro de galio y aluminio se han centrado en tres reas principales:

1.- Reducir el umbral de corriente requerida a

temperatura ambiente y por tanto el consumo de energa del dispositivo.

distribucin estrecha, cerca de la intensidad de campo para eficientar el acoplamiento de la luz emitida a la Fibra ptica y eliminar torceduras a la salida por efectos de corriente.

2.- Obtener una forma estable, esto implica una

3.- Aumentar la fiabilidad de los dispositivos.

Mientras ms ancho de banda queremos se debe tener un mayor umbral de corriente lo cual provoca una menor potencia de salida, creando conflictos en la regin activa del laser.

Corriente de umbral dependencia de temperaturas. El umbral de corriente del lser depende de la temperatura de las uniones. Por estas razones, el lser de inyeccin de estado slido trabaja a menudo a temperaturas prximas al cero absoluto. Dependencia de la temperatura del umbral de densidad de corriente:

T -> temperatura absoluta del dispositivo T0-> coeficiente de temperatura de umbral.

Respuesta dinmica Los fenmenos transitorios ocurren mientras las poblaciones de electrones y fotones dentro de la estructura entrar en equilibrio. El retardo de conexin td puede durar 0,5 ns y la RO (oscilaciones de relajacion) para tal vez dos veces ese perodo. A velocidades de datos superiores a los 100 Mbits, este produce un deterioro grave de la forma del pulso. As, la reduccin de fd y la amortiguacin de las oscilaciones de relajacin es deseable.

Auto Pulsaciones.

Los lseres pulsados operan por perodos de tiempo muy cortos. Pueden producir extremadamente altos picos de potencia, pero solo por periodos cortos de tiempo. El tamao del pulso es habitualmente de unos pocos nanosegundos. Estas auto pulsaciones pueden ocurrir despus de varias horas de funcionamiento. Tanto transitorio, as como con continuas auto sostenidas pulsaciones se producen en el rango de frecuencia 0.2-4 GHz. La frecuencia de pulsacin se relaciona tanto con la vida de recombinacin espontnea de los portadores de aproximadamente 2 ns y el tiempo de vida del fotn en la cavidad (aproximadamente 10 ps).

Ruido. Las fuentes de ruido son: El ruido cuntico. La inestabilidad en operacin como torceduras en la salida de la luz contra la caracterstica de corriente y la pulsacin. - La reflexin de la luz de fondo en el dispositivo. Particin ruido en dispositivos multimodo. (seal a ruido de alrededor de 60 dB).

Los cambios de temperatura pueden provocar una variacin en la distribucin de los distintos modos longitudinales.

Modo de salto. Este comportamiento se produce en todos los lseres de inyeccin de modo nico y es una consecuencia de los aumentos de temperatura de la unin dispositivo. El modo de salto altera la salida de luz en contra de las caractersticas actuales del lser, y es responsable de las torceduras observadas en las caractersticas de muchos dispositivos de modo nico. La estabilizacin contra el modo de salto y cambio de modo se pueden obtener con disipacin de calor adecuada o de refrigeracin termoelctrica.

Espectro longitudinal de modo de salida de un lser de modo nico

Fiabilidad.

Degradacin catastrfica: es el resultado de un dao mecnico de las facetas de espejo y conduce al fallo lser parcial o completa. Es causada por la densidad de flujo promedio ptico dentro de la estructura en la faceta y por lo tanto puede ser limitada mediante el dispositivo en un modo pulsado. Degradacin gradual: causado por la energa liberada por la recombinacin no radiante portador. Es generalmente aceptado que esta energa aumenta defecto punto (e, g, vacantes e intersticiales) de desplazamiento que lleva a la acumulacin de defectos en la regin activa.

Inyeccin, acoplamiento laser y embalaje.

Diagrama esquemtico de un paquete compuesto para un lser de inyeccin con una lente de fibra.

La lente de fibra est montado en una ranura en V directamente en frente del chip lser y en ngulo recto con el cable flexible de fibra y da una eficiencia de acoplamiento de aproximadamente 30%. Todo el conjunto se incorpora en un paquete compuesto hermticamente sellada (para mayor fiabilidad) con un detector de monitor para control de retroalimentacin junto con algunos de los circuitos de control y de accionamiento. La potencia ptica se saca del paquete por medio de la antena espiral de fibra ptica que se hace pasar a travs del cierre hermtico. El detector monitor est montado detrs del chip lser y controla la potencia ptica que emerge de la cara posterior del dispositivo.

Laser no semiconductor.

Diagrama esquemtico de un extremo bombeado lser de Nd: YAG

El lser Nd: YAG es un sistema de cuatro niveles con un nmero de bandas de bombeo y transiciones fluorescentes. Los ms fuertes bandas de bombeo se encuentran en longitudes de onda de 0,75 y 0,81 m dando grandes transiciones lasing tiles en 1064 y 1,32 m. Propiedades: La operacin en modo individual cerca de 1,064 y 1,32 um, lo que es una fuente adecuada para los sistemas de modo nico. Una anchura de lnea estrecha .0.01 nm) que es til para reducir la dispersin en los enlaces pticos. Toda una vida potencialmente larga, aunque comparativamente pocos datos estn disponibles La posibilidad de que las dimensiones del lser se puede reducir para que coincida te de la fibra de Modo hormigueo paso.