TRANSISTORES

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Historia

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Modos de Trabajo

Funcionamiento Tipos de Conexin

Tipos

Glosario

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Referencias

 Historia Concepto Funcionamiento Interruptor abierto Interruptor cerrado Tipos de Conexin Multivibrador Flip-Flop (Biestable)

T R A N S I S T O R E S

Modos de Trabajo Regin activa directa Regin activa inversa Regin de corte Regin de saturacin

Tipos Bipolares De efecto de Campo HEMT y HBT

Fototransistores

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Historia del Transistor

El desarrollo de la electrnica y de sus mltiples aplicaciones fue posible gracias a la invencin del transistor, ya que este super ampliamente las dificultades que presentaban sus antecesores, las vlvulas. En efecto, las vlvulas, inventadas a principios del siglo XX, haban sido aplicadas exitosamente en telefona como amplificadores y posteriormente popularizadas en radios y televisores.

Transistor y Vlvula

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Historia del Transistor

Uno de los mayores inconvenientes de las vlvulas, era que consuman mucha energa para funcionar. Esto era causado porque calientan elctricamente un filamento (ctodo) para que emita electrones que luego son colectados en un electrodo (nodo), establecindose as una corriente elctrica. Luego, por medio de un pequeo voltaje (frenador), aplicado entre una grilla y el ctodo, se logra el efecto amplificador, controlando el valor de la corriente, de mayor intensidad, entre ctodo y nodo.

Lmpara incandescente de Thomas Edison

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Historia del Transistor

Los transistores, desarrollados en 1947 por los fsicos Shockley, Bardeen y Brattain, resolvieron todos estos inconvenientes y abrieron el camino, mismo que, junto con otras invenciones como la de los circuitos integrados potenciaran el desarrollo de las computadoras. Y todo a bajos voltajes, sin necesidad de disipar energa (como era el caso del filamento), en dimensiones reducidas y sin partes mviles o incandescentes que pudieran romperse.
Fotografa del primer transistor construdo por W. Shockley, J. Bardeen y W. Brattain (1947)

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Concepto del Transistor

El transistor es un dispositivo electrnico, semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavarropas automticos, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorecentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

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Caractersticas
Los materiales empleados para su elaboracin son, entre otros, el Germanio y el Silicio, porque tienen la propiedad de que puede acelerarse grandemente el movimiento de los electrones por medio de una corriente elctrica. El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vaco. En cuanto a su estructura, se encuentran formados por tres elementos:

Emisor: que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al ctodo en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas. Base: que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la rejilla ctodo en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.

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Caractersticas
Colector: que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la placa en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.
Posee amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin). Sirve como generador de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia). Permite la conmutacin, actuando en interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas). Es detector de radiacin luminosa (fototransistores) El consumo de energa es sensiblemente bajo.

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Funcionamiento Bsico
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor.

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. De tales criterios se establece:

IE > IC > IB ; IE = IB + IC

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Tipos de Conexin
Multivibrador
Es un circuito oscilador capaz de generar una onda cuadrada. Segn su funcionamiento, los multivibradores se pueden dividir en dos clases: 1. De funcionamiento continuo, de oscilacin libre: genera ondas a partir de la propia fuente de alimentacin. 2. De funcionamiento impulsado: a partir de una seal de disparo o impulso sale de su estado de reposo. En su forma ms simple son dos simples transistores realimentados entre s. Usando redes de resistencias y condensadores en esa realimentacin se pueden definir los periodos de inestabilidad.

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Tipos de Conexin

Flip-Flop (Biestable):
Es un multivibrador capaz de permanecer en un estado determinado o en el contrario durante un tiempo indefinido. Esta caracterstica es ampliamente utilizada en electrnica digital para memorizar informacin. El paso de un estado a otro se realiza variando sus entradas. Dependiendo del tipo de dichas entradas los biestables se dividen en: 1. Asncronos: slo tienen entradas de control. 2. Sncronos: adems de las entradas de control posee una entrada de sincronismo o de reloj. Si las entradas de control dependen de la de sincronismo se denominan sncronas y en caso contrario asncronas. Por lo general, las entradas de control asncronas prevalecen sobre las sncronas.

D 0 1

CLK

Qi+1 0 1

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Modos de Trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser :
Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor - base y a una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es la regin de operacin normal del transistor para amplificacin. Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor - base y a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta regin es usada raramente.

Ver Grfico en la siguiente pgina

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Modos de Trabajo

Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC 0). Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE 0).

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Transistores Bipolares (BJT: NPN-PNP)

Transistores de Efecto de Campo ( JFET, MESFET, MOSFET )

Transistores HEMT y HBT

Fototransistores

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Transistores Bipolares
BJT de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Juncin Transistor). Son aquellos que utilizan la corriente como elemento de control para obtener la seal y su comportamiento como dispositivo conmutador.

Estos solo funcionan cuando estn en polarizacin directa (se dice que estn en saturacin) y en polarizacin inversa no funcionan (se dice que estn en corte). A base de estos se construyen los circuitos integrados y otros tipos de transistores.
El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.

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Transistores Bipolares

Pueden ser de dos tipos: NPN PNP

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas.

Su diferencia radica en la direccin del flujo de la corriente, indicada por la flecha que se ve en ambos grficos

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Transistores Bipolares

En principio es similar a dos diodos Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso).

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Transistores de Efecto de Campo

FET Transistor Efecto De Campo (del ingls, Field Effect Transistor) Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

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Transistores de Efecto de Campo

Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET, MOSFET y MESFET JFET ( del ingls, Junction Field Effect Transistor):

Tambin llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica.

G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source).

Canal P

Canal N

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Transistores de Efecto de Campo JFET

Cuando aumentamos la tensin en el diodo puerta-surtidor, las zonas de deplexin se hacen ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de surtidor a drenador tenga ms dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin, cuanto mayor es la tensin inversa en el diodo puerta-surtidor, menor es la corriente entre surtidor y drenador. Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deflexin van al drenador, por lo que la corriente de drenador es igual a la corriente de surtidor

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Transistores de Efecto de Campo

MOSFET (del ingls, Metal-Oxide-Semiconductor FET): Basado en la estructura MOS. (Metal-Oxide-Semiconductor) la cual consiste en un condensador, una de cuyas armaduras es metlica y llamaremos "puerta"; el dielctrico se forma con un xido del semiconductor del sustrato, y la otra armadura es un semiconductor, que llamaremos sustrato. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.

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Transistores de Efecto de Campo MOSFET

Se encuentran dos tipos de MOSFET: 1. MOSFET de Empobrecimiento: 1.1 Canal N Se diferencia del FET canal n en que el terminal de puerta, G, est aislado del canal de conduccin por una capa de xido de silicio SiO2. y existe un sustrato de semiconductor tipo p cuyo terminal habitualmente se conectar externamente al terminal de surtidor.

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Transistores de Efecto de Campo MOSFET

1.2 Canal P Posee la misma concepcin del MOSFET de empobrecimiento canal n. En el smbolo del MOSFET de empobrecimiento canal p la flecha cambia de sentido.

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Transistores de Efecto de Campo MOSFET

2. MOSFET de Enriquecimiento
Difiere del MOSFET de empobrecimiento en que no tiene la capa delgada de material n sino que requiere de una tensin positiva entre la compuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuerta a fuente, VGS, que atrae electrones de la regin de sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una VGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de oxido. Cuando la tensin alcanza el valor de umbral, VT, han sido atrados a esta regin los electrones suficientes para que se comporte como canal n conductor. No habr una corriente apreciable ID hasta que VGS excede VT.

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Transistores de Efecto de Campo MOSFET

2.1 MOSFET de Enriquecimiento Canal N

2.2 MOSFET de Enriquecimiento Canal P

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Transistores de Efecto de Campo

MESFET (del ingls, Metal Effect Semiconductor FET

Consiste en un canal conductor situada entre una fuente y desage en contacto con la regin, como se muestra en la siguiente figura. El portador de flujo desde la fuente a la fuga est controlada por una puerta de metal Schottky. El control de la canal se obtiene por la variacin de la anchura de agotamiento de la capa de metal debajo de los contactos que modula el espesor de la canal y, por ende, la realizacin de la actual.
Su ventaja clave es la mayor movilidad de los portadores en el canal y su desventaja es la presencia de la puerta de metal Schottky que limita con inters la tensin de polarizacin en la puerta.

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Transistores HBT y HEMT

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electrn Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinacin de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida. 1. HEMT Un HEMT es un transistor con un cruce entre dos materiales con diferentes lagunas de banda (es decir, una heterounin) como el canal en lugar de una n-dopada regin. Una combinacin es de uso comn con GaAs AlGaAs.

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Transistores HBT y HEMT

El efecto de este cruce es el de crear una capa muy delgada de la realizacin de los electrones con bastante elevada concentracin, dando el canal de resistividad muy baja (o dicho de otro modo, "de electrones de alta movilidad"). Esta capa es conocido como bidimensional de electrones del gas. Al igual que con todos los otros tipos de FETs, un voltaje aplicado a la puerta altera la conductividad de esta capa.

G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source).

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2. HBT
El transistor bipolar de heterounin (HBT) es una mejora de la salida del transistor bipolar (BJT), que puede manejar las seales de frecuencias muy altas de hasta varios cientos de GHz. Es comn en los circuitos modernos ultrarpida, en su mayora de radio (RF) de los sistemas. La principal diferencia entre el BJT y HBT es el uso de diferentes materiales semiconductores para el emisor y la base de las regiones, la creacin de una heterounin. El efecto es limitar la inyeccin de agujeros en la base de regin, ya que el posible obstculo en la banda de valencia es tan grande.

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Fototransistores
Es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn) Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).
Smbolo

Nota: es la ganancia de corriente del fototransistor.

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Fototransistores

Si se desea aumentar la sensibilidad del transistor, debido a la baja iluminacin, se puede incrementar la corriente de base (IB ), con ayuda de polarizacin externa. El circuito equivalente de un fototransistor, es un transistor comn con un fotodiodo conectado entre la base y el colector, con el ctodo del fotodiodo conectado al colector del transistor y el nodo a la base. En el grfico se puede ver el circuito equivalente de un fototransistor. Se observa que est compuesto por un fotodiodo y un transistor. La corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la base del transistor) se amplifica veces, y es la corriente que puede entregar el fototransistor.

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Glosario
Aislante elctrico: material con escasa conductividad elctrica.

nodo: Electrodo positivo.

Amplificador: un amplificador es un dispositivo que, mediante la utilizacin de energa externa, magnifica la amplitud o intensidad de un fenmeno fsico. Ctodo: Electrodo negativo del que parten los electrones. Condensador elctrico: es un conjunto de dos conductores, separados por un medio dielctrico, que sirve para almacenar cargas elctricas. Conductividad elctrica: es la capacidad de un cuerpo de permitir el paso de la corriente elctrica a travs de s. Tambin es definida como la propiedad natural caracterstica de cada cuerpo que representa la facilidad con la que los electrones pueden pasar por l. Conductor elctrico: es aquel cuerpo que puesto en contacto con un cuerpo cargado de electricidad transmite sta a todos los puntos de su superficie. Generalmente elementos, aleaciones o compuestos con electrones libres que permiten el movimiento de cargas. Conmutador: de circuitos es un elemento que establece una asociacin entre una entrada y una salida que perdura en el tiempo

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Glosario Corriente alterna: (abreviada CA en espaol y AC en ingls) a la corriente elctrica en la que la magnitud y direccin varan cclicamente. Corriente continua: (CC en espaol, en ingls DC, de Direct Current) es el flujo continuo de electrones a travs de un conductor entre dos puntos de distinto potencial.

Deplexin: zona de la unin de los semiconductores tipo p y tipo n. Debido a difusin, los electrones libres y los huecos se recombinan en la unin. As se crean los pares de iones con cargas opuestas a ambos lados de la unin. Esta zona carece de electrones libres y huecos.
Dielctricos: materiales que no conducen la electricidad, por lo que pueden ser utilizados como aislantes. Diodo: es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin.

Drenador: se conoce a una conexin de los componentes electrnicos.

Dispositivo: se utiliza como sinnimo de aparato. Electrodo: Extremo de un cuerpo conductor en contacto con un medio del que recibe o al que transmite una corriente elctrica.

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Glosario Electroimn: es un tipo de imn en el que el campo magntico se produce mediante el flujo de una corriente elctrica, desapareciendo en cuanto cesa dicha corriente. Electrnica: Campo de la ingeniera y de la fsica aplicada relativo al diseo y aplicacin de dispositivos, por lo general circuitos electrnicos, cuyo funcionamiento depende del flujo de electrones para la generacin, transmisin, recepcin y almacenamiento de informacin. Esta informacin puede consistir en voz o msica (seales de voz) en un receptor de radio, en una imagen en una pantalla de televisin, o en nmeros u otros datos en un ordenador o computadora. Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Frecuencia: es una medida para indicar el nmero de repeticiones de cualquier fenmeno o suceso peridico en una unidad de tiempo. Fuentes de energa: son elaboraciones naturales ms o menos complejas de las que el hombre puede extraer energa para realizar un determinado trabajo u obtener alguna utilidad.

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Glosario Galvanmetros: son aparatos que se emplean para indicar el paso de corriente elctrica por un circuito y para la medida precisa de su intensidad.

Interruptor: es un dispositivo para cambiar el curso de un circuito.

Lmpara incandescente: llamada tambin lamparita, bombilla, bombillo, bombita de luz, ampolleta o foco, es un dispositivo que produce luz mediante el calentamiento por efecto Joule de un filamento metlico, hasta ponerlo al rojo blanco, mediante el paso de corriente elctrica. En la actualidad, tcnicamente son muy ineficientes ya que el 90% de la electricidad que utilizan la transforman en calor. El invento de la lmpara es atribuido habitualmente a Thomas Alva Edison, quien contribuy a su desarrollo produciendo, el 21 de octubre de 1879, una bombilla prctica y viable, que luci durante 48 horas ininterrumpidas. Oscilador: es un sistema capaz de crear perturbaciones o cambios peridicos o cuasiperidicos en un medio, ya sea un medio material (sonido) o un campo electromagntico (ondas de radio, microondas, infrarrojo, luz visible, rayos X, rayos gamma, rayos csmicos). Polarizacin: es el proceso por el cual en un conjunto originariamente indiferenciado se establecen caractersticas o rasgos distintivos que determinan la aparicin en l de dos o ms zonas mutuamente excluyentes, llamadas polos.

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Glosario Radiofrecuencia: tambin denominado espectro de radiofrecuencia o RF, se aplica a la porcin menos energtica del espectro electromagntico, situada entre unos 3 Hz y unos 300 MHz. Las ondas electromagnticas de esta regin del espectro se pueden generar aplicando corriente alterna a una antena. Rectificador: es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en corriente continua. Rel: es un dispositivo electromecnico, que funciona como un interruptor controlado por un circuito elctrico en el que, por medio de un electroimn, se acciona un juego de uno o varios contactos que permiten abrir o cerrar otros circuitos elctricos independientes Semiconductor: es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre un amplificador es un dispositivo que, mediante la utilizacin de energa externa, magnifica la amplitud o intensidad de un fenmeno fsico. Tensin elctrica: diferencia de potencial o voltaje, es una magnitud fsica que impulsa a los electrones a lo largo de un conductor en un circuito cerrado. La tensin entre dos puntos de un campo elctrico es igual al trabajo que realiza dicha unidad de carga positiva para transportarla desde dos puntos.

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Glosario Unipolar: que tiene un solo polo Vlvula: artefacto o mecanismo que permite que algo circule en un solo sentido, pues impide el retroceso del fluido que circula por un conducto. La misma funcin desarrolla la vlvula termoinica, ya que permite que, en su interior, el flujo de electrones circule solamente en un sentido. Walter Schottky: El nombre de este cientfico alemn se encaja en la fsica de estado slido (efecto de Schottky, barrera de Schottky, contacto de Schottky, diodo de Schottky). Llevado en 1878, l era un contemporneo de Einstein y del mximo Planck. El suyo trabaja receptores estupendos incluidos del heterodino, teora del ruido, y el trabajo de radio del tubo tal como invencin del tetrodo, pero su contribucin ms importante a las microondas no es ninguna duda su investigacin del metal-semiconductor que rectifica las ensambladuras (publicadas en 1938), que es la base para el contacto de la puerta de todo el MESFETs.

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Galera
Imgenes

Representacin de circuitos mediante transistores

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Circuitos con Transistores

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Transistor

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Diversos transistores

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Realizacin de prcticas de laboratorio en programa ELECTRO

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Laboratorio de Fsica

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Se desea utilizar una salida de un sistema digital para gobernar un rel. Se ha dispuesto para ello del circuito de adaptacin que se muestra en la figura. Determinar los valores de R1 y R2 que aseguran que ambos transistores trabajan siempre en corte o saturacin sabiendo que Q1 y Q2 presentan una tensin de codo base-emisor de 0,6V y que la salida digital puede tomar cualquier tensin entre 0 y 0,4V para el 0 lgico y entre 3,8 y 5V para el 1 lgico.

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Con nivel lgico alto ambos transistores debern estar en saturacin. Con nivel bajo ambos estarn en corte.

Funcionamiento a nivel bajo:

Observando el transistor Q1 vemos que la tensin de entrada es insuficiente para hacerlo conducir.

Con el transistor Q1 en corte, Q2 no tiene corriente de base por lo que tambin se encuentra en corte.

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Funcionamiento a nivel alto: Para que Q2 est saturado se debe cumplir:

IC < .IB IB= 15 UBE R2 R2 < 2. 15 UBE IC2

Tomamos R2= 27 k

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Para conseguir que el transistor Q1 se encuentre tambin en saturacin:

La situacin ms desfavorable se tiene para la tensin de entrada de 3.8 V

IC < .IB

IB2= 15 0.6 = 533 A 27.103

R1 < 1. 3.8 0.6 = 600 k IB2
Tomamos R1= 560 k

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Referencias
http://www.ifent.org/lecciones/fet/default.htm http://www.gmelectronica.com.ar/catalogo/pag113.html http://www.slideshare.net/lazacer/transistores-157121/ http://www.fi.uba.ar/materias/7206/Semic.pdf

http://www.alegsa.com.ar/Dic/transistor.php
http://www.wikilearning.com/el_transistor_bipolar_bjt-wkccp-622-1.htm http://www.monografias.com/trabajos22/preparador-electronica/preparadorelectronica.shtml#transitor http://html.rincondelvago.com/transistor.html http://www.solomantenimiento.com/m_transistores.htm http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso0304/cce/practicas/encapsulados/encapsulados.htm

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http://images.google.co.ve/imgres?imgurl=http://es.geocities.com/kikop_2005/wpe10.gif&imgrefu rl=http://es.geocities.com/kikop_2005/Pagina3.htm&h=246&w=264&sz=2&hl=es&start=157&tbnid =7o_GgKWmOiy2hM:&tbnh=104&tbnw=112&prev http://es.wikipedia.org/wiki/Multivibrador http://es.wikipedia.org/wiki/Biestable http://images.google.co.ve/imgres?imgurl=http://www.geocities.com/onildo5/capit3/imag_cap3/co mp.jpg&imgrefurl=http://www.geocities.com/onildo5/capit3/01trans.htm&h=322&w=343&sz=16&h l=es&start=7&tbnid=97GaA_cq1OZPfM:&tbnh=113&tbnw=120&prev=/images%3Fq%3Dv%25C %25A1lvula%2By%2Btransistor%26gbv%3D2%26svnum%3D10%26hl%3Des http://www.tecnologiahechapalabra.com/tecnologia/genesis/articulo.asp?i=1793 http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

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Autor (as): Garca Rosales, Johana. Snchez Contreras, Darcy. Uzctegui Sayago, Florngel. Tutor: Ing. Pablo Labrador.