Optoelectrnica

Grupo 611 Ceballos Pillado Karina Iveth Gastelum Snchez Jess Francisco

Definicin

La optoelectrnica es el nexo de unin entre los sistemas pticos y los sistemas electrnicos.

Los dispositivos pticos son aquellos que responden a la radiacin de la luz, o que emiten radiacin. Estos dispositivos responden a una frecuencia especfica de radiacin

Bsicamente hay tres bandas en el espectro ptico de frecuencias:

Infrarrojo
Longitudes muy largas

Visible
Longitudes aprox. entre los 400nm y 800nm Visible por el ojo humano

Ultravioleta
Longitudes muy cortas

No son vistas por el ojo humano

No son vistas por el ojo humano

Clasificacin de los dispositivos optoelectrnicos

Conversin de energa elctrica a energa radiante Conversin de energa radiante a energa elctrica
A estos dispositivos se les llama electroluminicentes

Este tipo de dispositivos a menudo son llamados fotodetectores

Electroluminiscentes
Al aplicarle una corriente a dichos dispositivos, los electrones se mueven del material N hacia el P y se combinan con los huecos.

Cuando los electrones se mueven del alto estado energtico de la banda de conduccin al bajo estado energtico de la banda de valencia, fotones de energa son liberados.

Ejemplos de dispositivos luminiscentes

LEDs (Light Emitting Diode)

IRLED (infrared LED)

Display LED

fotodetectores

La energa que entra al cristal de semiconductor excita a los electrones a niveles ms altos de energa, dejando huecos atrs. Posteriormente estos electrones y huecos se alejan unos de otros, conformando una corriente elctrica

Ejemplos de dispositivos fotodetectores

Fotoemisores: emiten electrones cuando existe energa radiante que incide sobre material sensible a dicha radiacin

Fototransistores

LASCR
Light Sensitive Sillicon Controlled Rectifier

Fotoconductores, que cambian su resistencia elctrica debido a la exposicin a energa radiante

Fotodiodo

Fotoresistor

Fotovoltaicos, los cuales generan un voltaje al exponerse a energa radiante

Fotocelda

El funcionamiento de un fototransistor es el siguiente: Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo, generando huecos y con ello una corriente de base que hace que el transistor entre en la region activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica elctricamente. Es por este motivo que a menudo el terminal correspondiente a la base est ausente del transistor. La caracterstica ms sobresaliente de un fototransistor es que permite detectar luz y amplificar mediante el uso de un slo dispositivo.

Construccin de los fototransistores

Fototransistores

Material

Tipo

Silicio

Germanio

NPN

PNP

El mtodo de construccin es el de difusin. Este consiste en que se utiliza silicio o germanio, as como gases como impurezas o dopantes. Por medio de la difusin, los gases dopantes penetran la superficie slida del silicio. Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido la difusin, se pueden realizar difusiones posteriores, creando capas de dopantes en el material. La parte exterior del fototransistor est hecha de un material llamado epoxy, que es una resina que permite el ingreso de radiacin hacia la base del transistor

Aplicaciones de los fototransistores

Este circuito muestra el principio de un seguidor, o control de posicin en el cual se utilizan dos fototransistores. Cuando exista una misma cantidad de radiacin de luz incidiendo sobre los dos transistores, el capacitor C se carga durante ambas medias ondas senoidales a travs de los transistores, con la misma carga pero polaridad opuesta. El voltaje resultante por lo tanto es aproximadamente cero. Cuando existe una radiacin desigual en los fototransistores, la seal diferencial es amplificada con el op amp, con el fin de energizar un motor, por ejemplo. En el semiciclo positivo de la onda de entrada, la corriente viaja por el diodo D1, por el fototransistor derecho, y por lo tanto aparece una carga neta positiva en el capacitor. Por el contrario, cuando viene el semiciclo negativo de la onda, el diodo D2 conduce, y aparece un voltaje negativo en el capacitor.

La figura muestra un amplificador DC utilizando fototransistores, y con compensacin de temperatura. El circuito contiene el fototransistor T1 empleado como fotodetector, y al fototansistor T2 oscurecido, empleado como referencia. La temperatura origina tambin que se generen corrientes en el fototransistor, por lo que se pueden obtener respuestas que no slo dependen de la luz. Se incluye el fototransistor T2 oscurecido, de manera que el operacional es comandado nicamente por una seal de diferencia. La dispersin entre especmenes de los fototransistores y del amplificador operacional se compensa por medio del potencimetro R1. La ganancia es fijada por la resistencia R2. Este circuito se emplea como amplificador de escaneo y como detector en acopladores optoelectrnicos.

Bibliografia

http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/o ptoelect/optot.htm ftp://ftp.ehu.es/cidira/dptos/depjt/Tecnologia/BKANGEL/03_Optoelectronica/Optoelectronica.PDF