Tiene 4 en la ultima banda de valencia

ltima capa llena estabilidad (Aislante)

Forma enlaces covalentes Si
2

PROPIEDADES DEL ATOMO DEL SILICIO
Estabilidad del atmo
Enlace covalente del silicio
ESTRUCTURA DEL SILICIO MONOCRISTALINO
Se genera una red cristalina
Se vuelve un material mal conductor Si
2

Semi-conductor, sus propiedades varan en
funcin de sus condiciones.
Si T : Coeficiente de T negativo
La resistencia se divide por 2 cada 6C
mientras en el Germanio es cada 10C.
Una curiosidad es que el SiO
2
es aislante en casi
cualquier condicin, esto nos permitir aislar circuitos
de una manera fcil.
XIDO SILICIO
DOPADO DEL SILICIO
Electrn libre
Cristal tipo N
Hueco
5 en la banda de
valencia, por tanto
queda un electrn
libre
3 en la banda
de valencia, por
tanto queda un
hueco en la red
cristalina
Cristal tipo P
Conduce incluso a T ambiente, se ha vuelto conductor.
Cuantas ms impurezas mejor conductor.
La corriente de huecos es igual a la de electrones pero en sentido contrario.
Las concentraciones de dopantes son del orden de 1ppm.
No existe el Si puro por tanto en un tipo N tendremos algn tomo de B, a estos les
llamamos portadores minoritarios. Al revs pasa exactamente lo mismo.

DIODO SEMICONDUCTOR (Diode)
-
-
-
-
+
P N
+
+
+
ZONA
TRANSICIN
NODO
CTODO
NODO
CTODO
SMBOLO
Zona libre de cargas.
Solo quedan los iones fijos.
Fue descubierto accidentalmente el
los laboratorios Bell por Russel Ohl
en 1940
INCISO: Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I
+
-
V
I I
V
Corto
(R = 0)
+
-
V
I I
V
Abierto
(R = )
+
-
V
I I
V
Batera
+
-
I I
V
Resistencia
(R)
V
I
+
-
V
V
Fuente
Corriente
I
MOMENTO DE REFLEXIN:
A la vista de lo anterior y sin mas consideracin

Como debera ser la caracterstica de un diodo?
+
-
V
I
I
V
Dos trozos de material, relativamente buen conductor, podramos
pensar que debe comportarse como una resistencia bastante
pequea (idealmente un corto).
FALSO
I
P
N
POLARIZACIN DIRECTA:
LA CONSIDERACIN INTUITIVA ES BASTANTE CIERTA
+
-
Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se
ven empujados a "invadir" la zona de transicin.

La zona de transicin se ve reducida drsticamente.

La corriente se debe a mayoritarios y la corriente directa
puede llegar a ser importante.

La aproximacin de una resistencia pequea (idealmente
un cable es razonable)
P
N
POLARIZACIN INVERSA:
FALLA LA INTUICIN.
I
P
N
P
N
-
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se
ven empujados a "escapar" de la zona de transicin.

La zona de transicin aumenta drsticamente.

La corriente se debe a minoritarios y la corriente directa
ser muy pequea (idealmente nula).

La mejor aproximacin es un cable roto (falla la intuicin)
+
-
V
I
P
N
I
V
CARACTERSTICA DEL DIODO (CONCLUSIONES)
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y
bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable
roto)
PRESENTA UN
COMPORTAMIENT
O NO LINEAL !!
ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el
agua (corriente) en un nico sentido.
p n
nodo ctodo
A K
Smbolo
I
S
= Corriente Saturacin Inversa
K = Cte. Boltzman
V
D
= Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
I
D
= Corriente diodo

Silicio
Germanio
DIODO REAL
|
|
.
|

\
|
=

1
T K
q V
S D
D
e I I
V [Volt.]
0
1
0.25 -0.25
i [mA]
0.5
Ge
Si
V [Volt.]
0
1
0.25 -0.25
i [mA]
0.5
Ge
Si
0 1 -4
30
i [mA]
V [Volt.]
Ge
Si
DIODO REAL (Distintas escalas)
-0.8
-0.5
0
i [A]
V [Volt.]
-10
-0.5
0
i [pA]
V [Volt.]
Ge
Si
Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
I
V
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
I
V
Tensin de codo y
Resistencia directa
I
V
Ideal
I
V
Corriente de fugas con
Tensin de codo y
Resistencia directa
I
V
Curva real
(simuladore
s, anlisis
grfico)
DIODO: LIMITACIONES
I
V
Corriente mxima

Lmite trmico,
seccin del
conductor
Tensin inversa
mxima

Ruptura de la Unin
por avalancha
600 V/6000 A
200 V /60 A
1000 V /1 A
V
R
= 1000V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 1A Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 50 nA Corriente inversa

V
R
= 100V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 150mA Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 25 nA Corriente inversa
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
V
d
i
d
i
S
V
R
I
Omax
NOTA:
Se sugiere con un buscador
obtener las hojas de
caractersticas de un diodo (p.e.
1N4007). Normalmente
aparecern varios fabricantes para
el mismo componente.
DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).

En la zona Zener se
comporta como una fuente
de tensin (Tensin Zener).

Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.

Podemos aadir al modelo
lineal la resistencia Zener.

Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y
referencias.
I
V
Tensin
Zener
(V
Z
)

Lmite mximo

Normalmente,
lmite de potencia
mxima
DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin
PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta
longitud de onda. (p.e. Luz roja)
A K A K
DIODOS ESPECIALES
Fotodiodos (Photodiode)
0
i
V
i
opt
Los diodos basados en compuestos III-V,
presentan una corriente de fugas proporcional a la
luz incidente (siendo sensibles a una determinada
longitud de onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.
Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones
COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la
corriente de fugas proporcionales a la Temperatura y
pueden ser usados como sensores trmicos
i
0
V
T
1
T
2
>T
1
El modelo puede ser una fuente
de corriente dependiente de la
luz o de la temperatura segn el
caso
I = f(T)
DIODOS ESPECIALES
Clulas solares (Solar Cell)
i
V
V
CA
i
CC
Cuando incide luz en una unin PN, la
caracterstica del diodo se desplaza hacia el
4 cuadrante.

En este caso, el dispositivo puede usarse
como generador.
Paneles de clulas
solares
Zona
uso
DIODOS ESPECIALES
Diodo Varicap
(Varicap , Varactor or Tuning diode)
P
N
-
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
d
Dielctrico
La unin PN polarizada inversamente
puede asimilarse a un condensador de
placas planas (zona de transicin).

Esta capacidad se llama Capacidad de
Transicin (C
T
).

Notar, que al aumentar la tensin inversa
aumenta la zona de transicin. Un efecto
parecido al de separar las placas de un
condensador (C
T
disminuye).

Tenemos pues una capacidad
dependiente de la tensin inversa.

Un diodo Varicap tiene calibrada y
caracterizada esta capacidad.

Uso en equipos de comunicaciones (p.e.
Control automtico de frecuencia en
sintonizadores)
C
T

V
I

30 pF
10 V
DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado
efecto schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy
bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Cadas directas mas bajas (tensin de codo ~ 0.2 V).

Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de
Potencia

El efecto Schottky fue predicho
tericamente en 1938 por Walter H.
Schottky
DIODOS ESPECIALES
Diodo tunel y diodo GUNN (Gunn diode and Tunnel diode)
I
D

V
D

Zona de resistencia
negativa.
Efecto Tnel
Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (10
5

veces mayor).

Aparece un efecto nuevo conocido como efecto
tnel. (Descubierto por Leo Esaki en 1958).

Un efecto parecido (GUNN) se produce en una
cavidad tipo N de Ga As.

El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en
1962.

Los efectos se traducen en una zona de resistencia
negativa en la caracterstica directa del diodo.

Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de
microondas.

(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del
receptor del radar. Est presente en todos los
radares marinos actuales).
Diodo GUNN
ASOCIACIN DE DIODOS
DISPLAY
Diodo de alta tensin
(Diodos en serie)
Puente rectificador
+
-
+
-
Monofsico
Trifsico
APLICACIONES DE DIODOS
Detectores reflexin de espejo
Detectores reflexin de
objeto
Detectores de barrera
APLICACIONES DE DIODOS
Sensores de luz: Fotmetros
Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
LED
Fotodetector
LED azul

LED verde

LED rojo

Fotodiodo

Objetivo


LED

COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS
Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son
dispositivos no lineales.

Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!
Cuidado, no se puede aplicar el anlisis con complejos
V
E

V
S

V
E

R
V
MAX
MAX
V
EJEMPLO TPICO:
RECTIFICADOR
+
-
I
D

V
D

V
E

t
t
V
S

t
V
AC

V
E

V
CC

V
CC

COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS
Si POLARIZAMOS en una zona de funcionamiento, podremos aplicar el
principio de superposicin y sustituir el dispositivo por un equivalente lineal.
Hablaremos de:
Circuito de polarizacin
(Circuito de continua)
y de:
Circuito alterna
AQU SI, PODEMOS CONSIDERARLO UN ELEMENTO LINEAL!!
+
-
I
D

V
D

V
E

t
Equivalente
del diodo
V
S

V
S

t t
APLICACIN DEL EQUIVALENTE THEVENIN EN ELECTRNICA
Circuito
Lineal

(R, fuentes)
+
-
I
D
V
D
+
-
I
D
V
D
Equivalente
Thvenin
V
TH

R
TH

Circuito
Lineal
+
-
V
TH
= V
VACIO

Tensin Thevenin = Tensin de Vacio
Resistencia Thevenin
Anular fuentes
dependientes.

tensin = corto
corriente =
abierto
R
TH

TH
TH
R
V
TH
V
Caracterstic
a del diodo
Caracterstica del
circuito lineal
(RECTA DE CARGA)
PUNTO DE
FUNCIONAMIENT
O
I
V
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO
+
-
I
D
V
D
V
TH

R
TH

CIRCUITO
LINEAL
I
D

V
D

DIODOS: Propuesta para el alumno
Bsqueda en la web: Con ayuda de un buscador(Google o similar), se sugiere obtener y consultar hojas de
caractersticas (Datasheet) de diodos comerciales.

Es normal encontrar para cada referencia de componente, fabricantes distintos. Toda la informacin est
siempre en Ingles.

A continuacin se sugieren algunas referencias para la bsqueda. No obstante, con el trmino ingles (diode,
Zener diode, tunnel diode, etc) aparecen muchsimas referencias, catlogos completos, guas de seleccin,
etc.


1N4007 Diodo de Silicio
1N4148 Diodo de Silicio rpido (FAST)
OA91 Diodo de Germanio
HLMPD150 Diodo LED
BZX79C15 Diodo Zener
10MQ040N Diodo Schottky
OK60 Panel Solar
BB152 Diodo Varicap
MG1007-15 Diodo GUNN
AI201K Diodo Tunel
BPW21R Fotodiodo