Universidad del Azuay

Abril de 2010

Realizado por:
Roddy B. Aguilar Loayza

ELECTRNICA DE POTENCIA
Parte de la electrnica encargada del estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el procesado, control y conversin de la energa elctrica.

Partes de un equipo electrnico de Potencia

Un Circuito de Potencia.Compuesto de semiconductores de potencia y elementos pasivos, que conecta la fuente primaria de alimentacion con la carga. Un Circuito de Control.- Procesa la informacion proporcionada por el circuito de potencia y genera las seales de exitacion que determinan el estado de los semiconductores, controlados con una face y secuencia conveniente.

Caractersticas

Tener dos estados claramente definidos, de alta y de baja impedancia. Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con reducida potencia de control. Ser capaces de soportar altas tensiones cuando estn bloqueados y elevadas intensidades cuando estn en conduccin. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

Aplicaciones de la electrnica de potencia.

Consumo de Energa:

Aplicaciones ms usuales:

El 65% esta estinado a motores electricos El 20% est dedicado a sistemas de iluminacin El resto es consumidos por otros

Industriales: Electrolisis, alarmas, soldadura, robotica. Transporte: Carcadores de baterias, metro, electronica del auto. Distribucin: Fuentes de energia renovables, filtros activos. Aeroespaciales: almentacion de satlites y lanzaderas. Comerciales: calefaccin alimentacin de ordenadores y equipos. Domesticas: Refrigeradores, iluminacin, aire acondicionado.

Convertidores estticos de energa.

Los sistemas que transforman la energa suelen denominarse convertidores de energa y son circuitos electrnicos constituidos por un conjunto de elementos estticos formando una red que constituye un equipo de conexin y transmisin entre un generador y una carga. Se clasifican de la siguiente manera:

Rectificador no controlado. Rectificador controlado. Reguladores de C.A. Cicloconversores. Inversor. Convertidor CC/CC o Troceador.

Los tipos de dispositivos semiconductores de potencia usados como interruptores estaticos son: diodos, tiristores(SCR, TRIAC y GTO) y transistores(BJT, MOSFET e IGBT).

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Abril de 2010

DISPOSITIVOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA

Clasificacin

Controlados: Estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control externo. Semicontrolados: Se tiene control externo de la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo. Totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares BJT, los transistores de efecto de campo MOSFET, los transistores bipolares de puerta aislada IGBT y los tiristores GTO.

Diodos de Potencia
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, permite la circulacin de corriente en un nico sentido.
La tensin VF se refiere a la cada de tensin cuando el diodo est conduciendo esta cada depende de la corriente que circule. La tensin VR representa la tensin de ruptura del dispositivo o, lo que es lo mismo, la mxima tensin inversa que puede soportar el diodo cuando ste est bloqueado.
Si se supera el valor de tensin de ruptura especificado por el fabricante, el diodo puede llegar a destruirse por excesiva circulacin de corriente inversa.

En Rgimen Transitorio cabe destacar dos fenmenos.

1) Recuperacin Inversa: El paso de conduccin a bloqueo no se efecta instantneamente. El tiempo de recuperacin de un diodo normal es del orden de 10 s, siendo el de los diodos rpidos del orden de algunos nanosegundos. 2) Recuperacin Directa: En el proceso de puesta en conduccin, la respuesta del diodo es inicialmente de bloqueo a la corriente. Siendo esta respuesta quien provoca una sobre tensin Vfp, ocasionada por la modulacin de la conductividad del diodo durante la inyeccin de portadores minoritarios.

Tipos de Diodos

Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin directa muy pequea (0,3 V tpicos) para circuitos con tensiones reducidas de salida. No soportan tensiones inversas superiores a 50 100 V. Diodos de recuperacin rpida: Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinacin con interruptores controlables, donde se necesitan tiempos de recuperacin pequeos. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de amperios, estos diodos poseen un tiempo de recuperacin inversas (trr) de pocos nanosegundos. Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea: La tensin en el estado de conduccin (ON) de estos diodos es la ms pequea posible, y como consecuencia tienen un trr grande, el cual es nicamente aceptable en aplicaciones de la frecuencia de lnea. Estos diodos son capaces de bloquear varios kilovoltios y conducir varios kiloamperios. Se pueden conectar en serie y/o paralelo para satisfacer cualquier rango de tensin o de corriente.

Tiristores
La conmutacin desde el estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin (ON) se realiza normalmente por una seal de control externa. La conmutacin desde el estado ON al estado OFF se produce cuando la corriente por el tiristor es ms pequea que un determinado valor, denominada corriente de antenimiento, (holding current), especfica para cada tiristor. Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores unidireccionales) y TRIACs (tiristores bidireccionales).

SCR (Rectificador Controlado de Silicio)

Es el dispositivo que permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulacin de corriente). Si hay una tensin VGK positiva, circular una corriente a travs de J3, con portadores negativos yendo del ctodo hacia la puerta. Por la propia construccin, la capa P donde se conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte de los electrones que atraviesen J3 tengan energa cintica suficiente para vencer la barrera de potencial existente en J2, siendo entonces atrados por el nodo. De esta forma, en la unin inversamente polarizada, la diferencia de potencial disminuye y se establece una corriente entre nodo y ctodo, que podr persistir an sin la corriente de puerta. Cuando la tensin VAK es negativa, J1 y J3 quedarn inversamente polarizadas, en cuanto que J2 quedar directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la unin J3 est entre dos regiones altamente dopadas, no es ca paz de bloquear tensiones elevadas, de modo que cabe a la unin J1 mantener el estado de bloqueo del componente.

Caracteristicas tensin-corriente
Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en conduccin, aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta. nicamente cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, el SCR pasar a estado de bloqueo. 1. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): sta condicin corresponde al estado de no conduccin en inversa, comportndose como un diodo. 2. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como un circuito abierto hasta alcanzar la tensin de ruptura directa. 3. Zona de conduccin (vAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un interruptor cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una corriente superior a la de enclavamiento. Una vez en conduccin, se mantendr en dicho estado si el valor de la corriente nodo ctodo es superior a la corriente de mantenimiento.

Activacin y bloqueo de los SCR

1. Disparo por puerta.- Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo. Disparo por mdulo de tensin.- Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrnicos. Disparo por gradiente de tensin.- Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente. Disparo por radiacin.- Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR. 2.

3.

4.

5.

Disparo por temperatura.- El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (a1+ a2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la

TRIAC
Es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos. Es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de arriba hacia abajo. La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo hacia arriba. Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as, controlar el tiempo que cada tiristor estar en conduccin con esto se puede controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume.

GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

Es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos transiciones: paso de bloqueo a conduccin y viceversa.

Principio de funcionamiento
Su caracterstica principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquearse a travs de seales adecuadas en el terminal de puerta G. El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo. Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el potencial del nodo, dando inicio a la corriente andica. Si sta corriente se mantiene por encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de puerta para mantenerse en conduccin.

La aplicacin de una polarizacin inversa en la unin puerta-ctodo puede llevar a la abertura o bloqueo del GTO.

Factores de funcionamiento del GTO

Facilidad de extraccin de portadores por el terminal de puerta esto es posible debido al uso de impurezas con alta movilidad. Rpida desaparicin de portadores en las capas centrales uso de impurezas con bajo tiempo de recombinacin. Esto indica que un GTO tiene una mayor cada de tensin en conduccin, comparado a un SCR de dimensiones iguales. Soportar tensin inversa en la unin puerta-ctodo, sin entrar en avalancha menor dopado en la regin del ctodo. Absorcin de portadores de toda la superficie conductora regin de puerta-ctodo con gran rea de contacto.

Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de bloquear tensionesinversa Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasar del estado OFF al estado ON. Por el contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el semiconductor dejar de conducir, pasando del estado de ON a OFF.

Transistores
En Electrnica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como interruptores. Los circuitos de excitacin (disparo) de los transistores se disean para que stos trabajen en la zona de saturacin (conduccin) o en la zona de corte (bloqueo). Tienen la ventaja de que son totalmente controlados. Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrnicos de potencia son:

BJT. MOSFET. IGBT.

BJT (Bipolar Junction Transistor)

Se trata de interruptores de potencia controlados por corriente.

Pricipio de funcionamiento y estrctura

En el caso de un transistor npn, los electrones son atrados del emisor por el potencial positivo de la base. Esta capa central es suficientemente fina para que la mayor parte de los portadores tenga energa cintica suficiente para atravesarla, llegando a la regin de transicin de J2, siendo entonces atrados por el potencial positivo del colector.

El BJT no soporta tensiones en el sentido opuesto porque la elevada concentracin de impurezas del emisor provoca la ruptura de J1 en bajas tensiones (5 a 20 V). La preferencia en utilizar el tipo NPN se debe a las menores prdidas con relacin a los PNP, lo cual es debido a la mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros, reduciendo, principalmente, los tiempos de conmutacin del componente.

Caractersticas estticas
Su principal ventaja es la baja cada de tensin en saturacin. Puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien diferenciadas

Corte: No se inyecta corriente a la base del transistor. ste se comporta como un interruptor abierto, que no permite la circulacin de corriente entre colector y emisor.
Activa: Se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta una determinada tensin entre colector y emisor. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base. Saturacin: Se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la vCE y conseguir que el transistor se comporte como un interruptor cuasi ideal.

Conexin Darlington
Se conectan varios transistores de una forma estratgica para aumentar la ganancia total del transistor.
Las principales caractersticas de esta configuracin son:
o o

Ganancia de corriente = 1 .(2+1) + 2 T2 no satura, pues su inversamente polarizada unin B-C est siempre

Tanto el disparo como el bloqueo son secuenciales. En el disparo, T1 entra en conduccin primero, dndole a T2 una corriente de base. En el bloqueo (apagado), T1 debe conmutar antes, interrumpiendo la corriente de base de T2.

La ventaja de este tipo de interruptores es que su cada de tensin en conduccin es bastante constante, si bien el precio que se paga es la complejidad del circuito de control, ya que es un semiconductor controlado por corriente.

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)

Los MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello se debe al aislamiento (xido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo.

Principio de funcionamiento y estructura

Cuando una tensin VGS > 0 es aplicada, el potencial positivo en la puerta repele los agujeros en la regin P, dejando una carga negativa, pero sin portadores libres. Cuando esta tensin alcanza un cierto valor umbral (VT), electrones libres presentes en la regin P son atrados y forman un canal N dentro de la regin P, por el cual se hace posible la circulacin de corriente entre D y S. Aumentando VGS, ms portadores son atrados, ampliando el canal, reduciendo su resistencia (RDS), permitiendo el aumento de ID. Este comportamiento caracteriza la llamada regin hmica.

Zonas de trabajo
Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que una determinada tensin umbral (VT), con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto. hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la tensin entre el drenador y la fuente es pequea, el transistor se comporta como un interruptor cerrado, modelado por una resistencia, denominada RON. Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una tensin drenador-surtidor elevada, ste se comporta como una fuente de corriente constante, controlada por la tensin entre la puerta y el surtidor. Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la potencia que pueden manejar es bastante reducida. Sin embargo, son los transistores ms rpidos que existen.

Otro de los inconvenientes de este tipo de transistores es que la resistencia en conduccin RON vara mucho con la temperatura y con la corriente que circula, con lo que no se tiene un comportamiento de interruptor casi ideal como en el caso de los

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas prdidas en conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por tensin relativamente sencillo. Funciona a centenas de kHz, en componentes para corrientes del orden de algunas decenas de Amperios. Tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas prdidas de conduccin en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningn problema de ruptura secundaria como los BJT. Ademas es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutacin del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.

Comparacin entre los diferentes transistores de potencia

Tabla de prestaciones y Regiones de utilizacin.

Prestaciones

Regiones de utilizacin

Caractersticas importantes en el diseo de circuitos de EP.

Bibliografa
-

Power Electronics: Converters, Applications and Design, Mohan, Undeland y Robbins, John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995.

Eletrnica de Potncia, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de Campinas, SP - Brasil.

Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso University, Valparaso Indiana. Prentice Hall.

"[eLeCtRoNiKa]", http://electronika2.tripod.com
"SCR", http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_scr/pag_scr.htm