El primer dispositivo electrnico presentado se llama diodo. Las caractersticas se asemejan a las de un interruptor.

El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el smbolo y las caractersticas que se muestran en las figuras

R=V/I

En forma ideal, un diodo conduce corriente en la direccin definida por la flecha en el smbolo (POLARIZACIN DIRECTA) y actua como un circuito abierto para cualquier intento de establecer corriente en la direccin opuesta (POLARIZACIN INVERSA).

Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir corriente en una sola direccin. El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay conduccin.

Materiales semiconductores tipo N y tipo P. El prefijo semi se aplica a un rango de valores que se mueve entre dos lmites. El trmino conductor se aplica a los materiales que tienen la capacidad de que circule por ellos una gran cantidad de cargas elctricas "materiales conductores" en donde su conductividad sigma es muy alta, , en un conductor perfecto la conductividad es infinita = . Por ejemplo, el cobre, Cu, tiene una conductividad =5.96x107 Siemens/m, la plata Ag tiene una conductividad =6.3X107 Siemens/m, el oro Au tiene una conductividad =4.5X107 Siemens/m y el aluminio tiene una conductividad =3.8X107 Siemens/m, todas a 20 grados centgrados.

Un aislante o un dielctrico es un material que tiene una muy pobre capacidad de conduccin ya que su conductividad sigma es muy pequea o cercana a cero, 0. En un dielctrico perfecto la capacidad de conduccin es nula o no existe ya que su conductividad, es igual a cero, =0. Entonces, un semiconductor es un material cuya conductividad se ubica entre los lmites de la conductividad de un dielctrico y de un conductor.

Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten, pero no se transfieren. Un enlace covalente consiste en un par de electrones (de valencia) compartidos por dos tomos. El mtodo ms sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en calentar el cristal. Los tomos efectan oscilaciones cada vez ms intensas que tienden a romper los enlaces y liberar as los electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un semiconductor, ms enlaces se rompen, ms electrones son liberados y mejor podr conducir el semiconductor.

Los materiales tipo P se crean aadiendo elementos de impurezas (tomos) que tengan tres electrones de valencia.

Material Intrnseco de Silicio Cristal de Silicio altamente purificado

Material Extrnseco tipo N Cristal de Silicio "dopado" o impurificado con tomos de Arsnico: "tomos "Donadores" de electrones Las impurezas difundidas con cinco Material Extrnseco tipo P electrones de valencia se denominan Cristal de Silicio "Dopado" o tomos donadores. Los materiales tipo N impurificado con tomos de Galio: se crean aadiendo elementos de tomos "Aceptores" de electrones impureza (tomos) que tengan cinco Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia, "Pentavalentes". electrones de valencia se denominan tomos aceptores.

En un material tipo N el electrn se denomina portador mayoritario y el hueco se denomina portador minoritario. Cuando el quinto electrn (electrn sobrante) de un tomo donador abandona al tomo padre, el tomo que permanece adquiere una carga positiva neta: a ste se le conoce como ion donador . En un material tipo P el hueco se denomina portador mayoritario y el electrn se denomina portador minoritario. Cuando un hueco es ocupado por un electrn, el tomo adquiere una carga positiva neta: a ste se le conoce como ion aceptor .

Material tipo N

Material tipo P

Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. Regin de Agotamiento o de Deplexin En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en o cerca de la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento o de Deplexin por la ausencia de portadores.

Modelo matemtico del diodo.

El modelo matemtico del diodo se define por la ecuacin: Donde K=11,600/=Constante de Boltzmann
( = 1 para diodos de Ge y = 2 para diodos de Si)

TK = TC + 273 ID = Corriente del diodo en polarizacin directa IS = Corriente de saturacin inversa VD = Voltaje del diodo

Especificaciones o parmetros del diodo

Los diodos, como todos los componentes electrnicos, tienen especificaciones o caractersticas que establece el fabricante. Algunas de ellas son: 1. El voltaje directo VF (a una corriente u temperatura especfica). 2. Mxima Corriente Directa IF (a una temperatura especfica). 3. Corriente de Saturacin Inversa IR (a voltaje y temperatura especficos). 4. Voltaje inverso Nominal VPI o VBR (a temperatura especfica). 5. Mximo nivel de disipacin de Potencia PDmx (a temperatura). 6. Capacitancias parsitas. 7. Tiempo de recuperacin en sentido inverso trr. 8. Intervalo de temperatura de operacin.

Comportamiento de CD de un diodo
Anlisis por Recta de Carga. La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tiene un efecto importante sobre el punto de regin de operacin de un dispositivo (en este caso el diodo).

Si se aplica la ley de voltajes de Kirchoff: V - VD - VL = 0 V = VD + IDRL

El rectificador de media onda

La funcin de los circuitos rectificadores es convertir la energa elctrica de corriente alterna o c.a. en energa elctrica de corriente directa o c. d. La mayor parte de los circuitos electrnicos necesitan un voltaje de c.d. para trabajar. Debido a que el voltaje de lnea es alterno, lo primero que debe hacerse en cualquier equipo electrnico es convertir o rectificar" el voltaje de alterna (c.a.) en uno de directa (c.d.). La tarea de la "fuente" o fuente de alimentacin de cualquier equipo o aparato electrnico es obtener el o los niveles adecuados de c.d. a partir del voltaje de lnea (127 VRMS).

El transformador es un dispositivo que se utiliza para elevar o reducir el voltaje de CA, segn como sea necesario.

V1 = Voltaje en el devanado primario V2 = Voltaje en el devanado secundario N1 = # de vueltas en devanado primario N2 = # de vueltas en el devanado secundario Si la razn de vueltas es 6:1 y Vin es el voltaje de la lnea:

Formas de onda para el rectificador de media onda

El Vprom o Vcd de esta seal rectificada es,

Si Vm es mucho mayor que VT entonces Vcd 0.318Vm

Voltaje de entrada y voltaje promedio de salida en el rectificador de media onda.

Vpp = Valor pico a pico = 2Vp Vp = Valor pico Vpromedio = 0

Ejemplo). Dibuja la salida Vo y calcula el nivel de cd para el siguiente circuito, con

Vi = 20 sen wt volts y con diodo ideal.

Con el diodo conectado de esta manera, ste conduce nicamente en la parte negativa de Vi. Vcd = -0.318Vm = -0.318(20) Vcd = -6.36 volts

Ejemplo). Repita el inciso anterior si el diodo se sustituye por uno real de silicio. Solucin. Vcd = - 0.318(Vm - VT) Vcd = - 0.318(20 -0.7) Vcd = - 6.14V

El rectificador de onda completa

Se conocen y se utilizan dos configuraciones para rectificadores de onda completa. La primera de ellas es el "Puente" rectificador de onda completa:

Rectificador de onda completa utilizando Transformador con Derivacin Central

Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (Vm-VT) Para cada diodo: VPI 2Vm