UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO

FACULTAD DE INGENIERIA ESCUELA PROFESIONAL DE Ing. ELECTRONICA

CIRCUITOS ANALOGICOS 1
MODELO EBERS MOLL DEL TRANSISTOR BJT
Ing. Oscar Morales G.

Modelo Ebers Moll de un Transistor Bipolar

El modelo Ebers Moll es ideal para los transistores bipolares, que puede ser utilizado para operaciones en la Zona Activa, zona Inversa, en el modo de Saturacin y en el modo de Corte. Estos modos de operacin se pueden representar en un par de ejes coordenados. Para un transistor modelo NPN: + VBE significa que la juntura BE ha sido polarizada en directo. De igual manera, -VCB significa que la juntura CB ha sido polarizada en inverso. (Para un transistor PNP el diagrama es similar pero invirtiendo los subndices)

Este modelo es el predecesor de los programas modernos de simulacin electrnica , mejorando la aproximacin de los parmetro hbridos. Para su definicin y estudio, se puede comenzar con la representacin de tres bloques de semiconductor con dos uniones:

De acuerdo a esta representacin, se observan dos junturas, BE y BC, las cuales son uniones PN y pueden simbolizarse como diodos.

Este concepto nos permite realizar la prueba de transistores BJT con ayuda de un multmetro, prctica muy conocida en el Laboratorios de Electrnica.

Al polarizar en directo la juntura BE, se introducen cargas sobre la delgada regin de la base y mediante una polarizacin inversa en la juntura del colector, se recogen (colectan) las cargas no recombinadas formando una corriente considerable (IC), pero controlada por el circuito de inyeccin BE (Nn + N por polarizacin directa).

Np(x) = Npo+N(VBE/VT)( -X/Lh)

Como la regin de la base es muy delgada, adems de tener muy bajo dopaje Npo, la recombinacin en esta zona es muy pequea (IB = muy pequea). El resto, la gran mayora de cargas que aun no se recombinan, es atrada por la polarizacin inversa del colector (IC = grande)

De esta forma se establece la primera ley de Kirchhoff y la relacin de corrientes de un BJT:

IE = IB + IC = IC / IB = IC / IE
Estas corrientes se pueden representar en el circuito con diodos, quedando las primeras componentes del modelo, como:

Si consideramos una situacin similar para la juntura CB, se puede dar una representacin anloga como:

Los subndices F y R representan que los alfas () pertenecen a polarizaciones directas (F = FORWARD) e inversas (R = REAR) respectivamente. Dado que un diodo polarizado en directo tiene una corriente alta (F = 1) y, cuando est en polarizacin inversa la corriente es muy pequea y en sentido inverso ( VBC < VT , IC = Ico( 0 - 1) = - Ico , y <<1 )
El Modelo Ebers Moll representa al transistor por el equivalente de los dos diodos, segn las figs. 5 y 6, con las consideraciones siguientes:

Se pueden escribir nuevas ecuaciones de las corrientes del transistor BJT, como:
IC = IE + ICBo IC = [ IB + IC ] + ICBo IC ( 1 - ) = IB + ICBo IC = [ /(1 - ) ] IB + [1 / (1 - )] ICBo IC = IB + [ / ] ICBo

IC = IB + (1 + ) ICBo
IC = IB + ICEo En esta ltima ecuacin, se da cuenta que la corriente de fuga entre colector y emisor, con la base abierta, ICEo es igual a la corriente inversa de saturacin entre colector y base ICBo , multiplicada por (1 + ). Esto da cuenta de la no linealidad de las curvas de transferencia para valores bajos de corriente IC.

El diodo B-E se reemplaza por su equivalente con elementos idealizados:

m = = ( IC) / (IB)

Con esta frmula: IC = IB + ICEo y auxiliados por la malla de base, en la polarizacin; se pueden obtener los factores de estabilidad para los diferentes tipos de polarizacin de los BJT.

Por ejemplo, si consideramos una polarizacin por divisor de tensin en la base, con el siguiente equivalente:

Se puede escribir la ecuacin de polarizacin como: Vth = IB (Rth + RE) + V + IC (RE)

Reemplazando el equivalente de la corriente de base, usando el modelo Ebers - Moll:

IB = IC/ (1 /) ICBo Se puede conseguir que: (Vth V) + ( / ) ICBo (Rth + RE) IC = -----------------------------------------------Rth + (1 + ) RE

Los factores de estabilidad se obtienen por derivacin de la ecuacin anterior y son:

S1 = SI = IC / ICBo Que por aproximacin se puede establecer como: S1 = SI = 1 + Rth/RE

El Segundo factor y de menos importancia es S2 o SV , que resulta ser: S2 = SV = IC / V S2 = - 1/RE El tercer factor de estabilidad y el menos importante S3 = S, se calcula por aproximaciones, modificando la ecuacin de IC como: (Vth V) (/RE) + (1 + ) ICBo (Rth/RE + 1) IC = --------------------------------------------------------Rth/RE + (1 + ) Y, evaluando IC para un beta 1 as como para un 2, se puede hacer la resta y dividir entre la diferencia ( 1 2 ), consiguiendo: IC IC(1) - IC(2) S = --------- = ------------------- ( 1 2 )

Evaluando, respectivamente y simplificando se obtiene: IC(1) [ 1 + Rth/RE ] S = ------------------------------ = S3 1 ( 1 + 2 + Rth/RE ) Por supuesto, si se toma en cuenta los tres posibles efectos, en el peor de los casos (WORST CASE), cuando las tres variaciones se inclinen hacia el mismo lado (que es muy poco probable). Se puede evaluar el corrimiento total del punto de operacin como: IC = ICBo (S1) + V (S2) + (S3)

En el caso del equivalente en parmetros hbridos, se puede reflejar el diodo del emisor a variables de la base, quedando como:

IB

En este modelo se representa en forma completa al transistor: a) Tanto para continua con la tensin V y el efecto rectificante del diodo ideal, b) Como para seal alterna, con la resistencia de entrada hie = (1+) rE y el factor de transporte para la fuente de corriente controlada, c) Mas la corriente de fuga ICEo

Por lo expuesto, el Modelo Ebers - Moll, al representar completamente y en forma mas exacta a un transistor bipolar, se utiliza en los programas de simulacin electrnica con mucha frecuencia y con resultados muy halagadores; aparte de servir como agente para derivar los diferentes factores de estabilidad.