3.dispositivos Electrónicos de Potencia

1
I I I . Dispositivos Electrnicos de potencia

DIODOS DE POTENCIA
2
Diodos de potencia
|
|
.
|
\
|
= 1
T
D
V
V
S D
e I I
q
Ecuacin de Schockley:
I
D
= Corriente a travs del diodo. [A]
I
S
= Corriente de fuga (o saturacin inversa)
10
-15
<I
S
<10
-6

VD= Voltaje del diodo [V].
q= Coeficiente de emisin o factor de
idealidad. Si el diodo es fabricado con
Germanio q=1 y con Si 1.1<q<1.8.
V
T
= Voltaje trmico para T=32C V
T
=26mV.

q
T K
V
T
*
=
3
Diodos de potencia
Construccin y caractersticas de los diodos de potencia.
Deben ser capaces de conducir grandes
cantidades de corriente entre A-K (decenas a
centenas de kiloamperios) con bajas perdidas de
potencia.

Cuando se polarizan en inverso deben ser
capases de soportar tensiones de varios
kilovoltios

4
Diodos de potencia
Caractersticas de los diodos de potencia polarizados en inverso.
DC Blocking Voltage V
RDC
: Mximo voltaje DC que
puede ser aplicado a un diodo en polarizacin inversa por
un periodo indefinido de tiempo. Este parmetro se utiliza
para seleccionar diodos de marcha libre en Conversores
DC a DC y Conversores DC a AC.

RMS reverse voltage V
RMS
: Es el voltaje RMS de una
seal sinusoidal (50 o 60 Hz) , que puede ser aplicada al
dispositivo . Este parmetro se emplea para seleccionar
diodos en aplicaciones de conversin de potencia AC a DC
(Rectificadores trifsicos y monofsicos controlados y no
controlados).

Peak Repetitive Reverse Voltage V
RRM
: Es el mximo
valor permisible de voltaje en inverso instantneo que
aparece peridicamente a travs de un dispositivo . Este
tipo de voltaje puede aparecer debido al proceso de
conmutacin en un conversor.

Peak Non-repetitive Reverse Voltage V
RSM
: Es el
mximo valor permisible del voltaje en inverso instantneo
que no se repite a travs del dispositivo. Tales transientes
de voltaje ocurren cuando se conmuta una lnea de
potencia (ejemplo cuando se abre o se cierra un
interruptor).
5
Diodos de potencia
Caractersticas de los diodos de potencia polarizados en inverso.
6
Diodos de potencia
Caractersticas de los diodos de potencia polarizados en Directo.
Maximum RMS Forward Current If
RMS
: Especifica la
mxima corriente RMS de una forma de onda aplicada al
dispositivo (generalmente una onda sinusoidal de medio
ciclo) bajo determinado rango de temperatura. Este valor
tambin determina las perdidas de potencia por
conduccin.

Maximum Average Forward Current If
AVM
:
Generalmente los diodos se emplean en circuitos
rectificadores para proporcionar corriente DC a una carga.
Esta especificacin da el mximo valor medio de corriente
de una onda sinusoidal de medio ciclo que fluir a travs del
diodo. El rango de corriente media de un diodo
decrementa con la reduccin del ngulo de conduccin
debido al incremento de corriente (FF=I
RMS
/I
AV
).

Los valores de IFRMS y IFAV son dados por el fabricante
en un punto especifico de temperatura, si la temperatura
incrementa ms halla de estos limites estos rangos tienden
a reducirse correspondientemente. Los fabricantes de
diodos proporcionan curvas del comportamiento de las
corrientes RMS y AV para varios rangos de temperatura.

7
Diodos de potencia
Caractersticas de los diodos de potencia polarizados en Directo.
Average Forward Power P
AVF
: Las perdidas de potencia
en un diodo ocurren durante el estado de conduccin. Los
fabricantes especifican las perdidas de potencia en directo
durante un ciclo de onda como una funcin de la corriente
media (I
AV
) para diferentes ngulos de conduccin.

Caractersticas de Conmutacin de los diodos de potencia.

En un diodo real el tiempo de transicin del estado de bloqueo al estado de conduccin y viceversa es finito. El
comportamiento del voltaje y la corriente del diodo durante los periodos de conmutacin son importantes debido a las
siguientes razones:

Durante el proceso de conmutacin de un diodo existen voltajes y corrientes a travs de l. Por lo tanto durante cada
conmutacin (de conduccin a bloqueo o viceversa) del diodo existen perdidas de energa. Cuando la frecuencia de
conmutacin se aumenta aumentan las perdidas de potencia en el dispositivo.
8
Diodos de potencia
Caractersticas de Conmutacin de los diodos de potencia. (De estado de bloqueo a estado de conduccin)
El V
fr
(Voltaje de recuperacin en
directo) generalmente lo especifica el
fabricante en la hoja tcnica del
dispositivo como una funcin de la
rata de crecimiento de corriente a
travs del dispositivo di/dt. Este
parmetro generalmente esta dentro
del rango de 10 a 30 V. el tiempo de
recuperacin en directo t
fr
tpicamente
es alrededor de 10uS.
9
Diodos de potencia
Caractersticas de Conmutacin de los diodos de potencia. (De estado de conduccin a estado de bloqueo)
El tiempo de recuperacin en inverso es el tiempo requerido para
que los portadores minoritarios se recombinen con las cargas
opuestas y queden neutralizados .
El t
rr
esta compuesto por dos tiempos. El tiempo t
4
se debe al
almacenamiento de cargas en la regin de agotamiento de la unin
PN y representa el tiempo comprendido desde el cruce con cero
hasta el pico de corriente en sentido inverso I
rr
, y t
5
se debe al
almacenamiento de carga en la masa del material semiconductor
dt
di
t Irr t t t
rr 4 5 4
= + =
rr
rr
rr rr rr rr rr rr
t
Q
I t I t I t I Q
2
2
1
2
1
2
1
5 4
= = + =
Por lo general t
5
es despreciable con t
4
luego t
4
=t
rr
dt
di
Q Irr
dt di
Q
t
rr
rr
rr
2
/
2
= =
10
Diodos de potencia
11
Tipos de Diodos de potencia
12
13
14
15
16
Caractersticas tcnicas de Diodos de potencia
17
18
19
20
21
SCR

SCR: RECTIFICADOR CONTROLADO POR SILICIO
Caractersticas:

Dispositivo UNIDIRECCIONAL el cual tiene las siguientes aplicaciones:
Rectificador: aprovechando que el dispositivo es unidireccional se utiliza como diodo.
Regulacin: Mediante el control de disparo se puede manipular la potencia o la
corriente media de salida.
Amplificacin: con corrientes pequeas de compuerta se pueden tener corrientes
apreciables entre nodo y ctodo.

22
SCR

FUNCIONAMIENTO DEL SCR
1. Modo de bloqueo en directo: VAK>0; IG= 0.
2. Modo de bloqueo en inverso: VAK<0; IG 0.
3. Modo de conduccin : VAK>0; IG > 0.
El SCR Puede dispararse por:

1.Tensin directa: VAK Ico
2. Derivada de la tensin dv/dt.
La union PN presenta cierta
capacitancia, luego si VAK
bruscamente la capacitancia se carga
con:
I= C.dV/dt
Y si I es muy elevada el SCR se
dispara.

3. Efectos de temperatura: La corriente
de fuga aumenta con la temperatura.

4.Efecto transistor

5. Efecto fotoelctrico

23
SCR

MODO DE BLOQUEO EN INVERSO VAK<0
Los diodos U
1
y U
3
estn polarizados en inverso y U
2
en directo.
La corriente del diodo viene dada por:

( )
S
kt qv
S S3 S1 A
I 1 e I I I I ~ = = =
24
SCR

MODO DE BLOQUEO EN DIRECTO VAK>0
Las uniones U
1
y U
3
estarn polarizadas en directo y U
2
en inverso. La
nica corriente que circula por el dispositivo es la inversa de
saturacin del diodo formado en la unin U
2
IS2.
25
SCR

MODO DE CONDUCCION VAK>0 y IG>0
El tiristor, idealmente, se comporta como
un cortocircuito (V
AK
del orden de 1 a 2 V).
CO E C
I I I + =o
( )
CO E B
I I 1 I = o
( )
CO1 A 1 B1
I I 1 I = o
CO2 K 2 C2
I I I + =o
G A K
I I I + =
( )
2 1
CO2 CO1 G 2
A
1
I I I
I
o o
o
+
+ +
=
Del Modelo de dos transistores Como IB1 = IC2
Cuando (o
1
+ o
2
) se aproxima a 1,
la divisin tiende a , por lo que I
A

tiende a aumentar sin lmite,
pasando el dispositivo al estado
ON.
26
SCR

CURVA CARACTERISTICA DEL SCR
27
SCR

TERMINOLOGIA EMPLEADA EN LAS HOJAS DE
ESPECIFICACIONES TECNICAS DEL SCR
V
DRM
: Tensin de pico repetitivo en
bloqueo directo. (Repetitive peak off-
state voltage). Es el maximo valor de
voltaje en directo el cual puede ser
aplicado activar el dispositivo sin
daarlo

V
DSM
: Tensin de pico no repetitivo en
bloqueo directo. (Non -repetitive peak
off - state voltage).

V
DWM
: Tensin mxima directa en
estado de trabajo. (Crest working off -
state voltage).
V
RRM
Tensin inversa de pico repetitivo.
(Repetitive peak reverse voltage). Representa el
maximo voltaje aplicado al dispositivo en inverso
el cual no produce daos sobre el mismo.

V
T
Tensin en extremos del tiristor en
estado de conduccin. (Forward on - state
voltage).

V
D
Tensin en extremos del tiristor en
estado de bloqueo directo. (Continuous off -
state voltage).

28
SCR
V
R
Cada de tensin inversa en extremos
del tiristor. (Reverse off - state voltage).

V
GT

Tensin de disparo de puerta. (Ten-sin
de encendido). (Gate voltage to trigger).

V
GNT

Tensin de puerta que no provoca el
disparo. (Non - triggering gate voltage).
V
RGM

Tensin inversa de puerta mxima. (Peak
reverse gate voltage).
V
BR
Tensin de ruptura. (Breakdown voltage).
I
T(AV)

Corriente media. (Average on - state
current).
IT(RMS)
Intensidad directa eficaz. (R.M.S. on
state current).

I
TSM
Corriente directa de pico no repetitiva.
(Peak one cycle surge on - state current).

I
TRM
Corriente directa de pico repetitivo.
(Repetitive peak on - state current).

I
RRM

Corriente inversa mxima repetitiva.
(Corriente inversa). (Reverse current).

I
L

Corriente de enganche. (Latching current). Despus de
encendido el dispositivo se debe mantener el pulso de
compuerta, hasta que la corriente entre nodo y ctodo alcance
este nivel, de lo contrario el dispositivo retornara a estado de
bloqueo
I
H

Corriente de mantenimiento. (Holding current). La
corriente entre nodo y ctodo se debe reducir a este
valor para apagar el dispositivo

I
DRM
Corriente directa en estado de bloqueo.
(Off - state current).
29
SCR

I
GT

Corriente de disparo de puerta. (Gate
current to trigger).

I
GNT
Corriente de puerta que no provoca el
disparo. (Non-triggering gate current).

I
TC

Corriente controlable de nodo.
(Controllable anode current). (Para el
caso de tiristores GTO).

P
GAV
Potencia media disipable en la puerta.
(Average gate power dissipation).

P
GM

Potencia de pico disipada en la puerta.
(Peak gate power dissipation).

P
tot
Potencia total disipada. (Full power
dissipation).

T
stg

Temperatura de almacenamiento. (Storage
temperature range).

T
j
Temperatura de la unin. (Juntion
temperature).

R
th j-mb
;

R
j-c
; R
uJC
Resistencia trmica unin - contenedor.
(Thermal resistance, Junction to ambient).

R
th mb-h
; R
c-d
Resistencia trmica contenedor - disipador.
(Thermal resistance from mounting base to
heatsink).

30
SCR

R
th j-a
; R
j-a
; R
uJA
Resistencia trmica unin - ambiente.
(Termal resistance juntion to ambient
in free air).
t
d
Tiempo de retraso. (Delay time).

T
r
Tiempo de subida (Rise time).
t
gt
; t
on
Tiempo de paso a conduccin. (Gate -
controlled turn on time).

t
q
; t
off
Tiempo de bloqueo, (Circuit -
commutated turn - off time).

di/dt
Valor mnimo de la pendiente de la
intensidad por debajo del cual no se
producen puntos calientes.

dv/dt
Valor mnimo de la pendiente de
tensin por debajo del cual no se
produce el cebado sin seal de
puerta.

(dv/dt)
C
Valor mnimo de la pendiente de
tensin por debajo del cual no se
produce el nuevo cebado del SCR
cuando pasa de conduccin a corte.
31
SCR

32
SCR

33
SCR

CARACTERISTICAS DE CONMUTACION
Los tiristores necesitan un tiempo para pasar de bloqueo a conduccin y
viceversa. Para frecuencias inferiores a 400Hz podemos ignorar estos efectos. En
la mayora de las aplicaciones se requiere una conmutacin ms rpida, por lo que
ste tiempo debe tenerse en cuenta.

A.- Tiempo de Encendido (t
ON
=Td+Tr)

Tiempo de retardo (Td)
Es el que trascurre desde que el flanco de ataque de la
corriente de puerta alcanza el 50% de su valor final,
hasta que I
A
alcanza el 10% de su valor mximo para
una carga resistiva.
Tiempo de ascenso (Tr)
Es el tiempo necesario para que I
A
pase del 10% al
90% de su valor mximo para una carga resistiva.
Podramos tambien considerar el paso de la cada de
tensin en el tiristor del 90% al 10% de su valor inicial.
34
SCR

CARACTERISTICAS DE CONMUTACION
B.- Tiempo de Apagado (t
OFF
)
Es el tiempo de paso conduccin a corte

Conclusiones:
Si en t
1
, se apaga el tiristor, la corriente disminuye siguiendo la pendiente dI/dt. La
tensin en el tiristor (que era V
A
) disminuye ligeramente.
35
SCR

METODOS DE DISPARO DE UN SCR
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar
polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo
suficiente-mente largo como para permitir que el tiristor alcance un valor de
corriente de nodo mayor que I
L
, corriente necesaria para permitir que el SCR
comience a conducir.
Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular
una corriente mnima de valor I
H

Por puerta.
Por mdulo de tensin. (V)
Por gradiente de tensin (dV/dt)
Disparo por radiacin.
Disparo por temperatura.
36
SCR

DISPARO POR PUERTA
Una vez disparado el dispositivo, se
perdemos el control del mismo por puerta. En
estas condiciones, si queremos bloquearlo,
debemos hacer que I
A
< I
H

FG
FG
I
V
R =
37
SCR

Circuitos Tpicos de disparo de SCR
38
SCR

Circuitos proteccin compuerta del SCR
D1= Permite solo aplicar pulsos positivos a la
compuerta.

R1= Limita la corriente de la compuerta y
amortigua la oscilacin transitoria.

Dg= Protege a la compuerta contra voltaje
negativo.

Rg= Aumenta la capacidad de dV/dt, reduce
el tiempo de apagado y aumenta las
corrientes de enganche y mantenimiento.

Cg= Elimina los componentes de ruido de
alta frecuencia, aumenta el dv/dt y el tiempo
de retardo de la compuerta.
39
SCR

DISPARO POR MODULO DE TENSION

Este mtodo se desarrolla en base a la estructura de un transistor: si se aumenta la
tensin colector - emisor, alcanzamos un punto en el que la energa de los
portadores asociados a la corriente de fugas es suficiente para producir nuevos
portadores en la unin de colector, que hacen que se produzca el fenmeno de
avalancha.

40
SCR

Diseo de redes Snubber
Mtodo de la constante de tiempo
Mtodo resonante
41
SCR

Con ste mtodo se buscar el valor mnimo de la constante de tiempo (t) de la
dV/dt del dispositivo. Para ello, se basa en la figura:
El circuito RC llamado tambin amortiguador logra que el voltaje en el tiristor
aumente de manera exponencial
42
SCR

Con ste mtodo se buscar el valor mnimo de la constante de tiempo (t) de la dV/dt del
dispositivo. Para ello, se basa en la figura:
El circuito RC llamado tambin amortiguador logra que el
voltaje en el tiristor aumente de manera exponencial
Si L y L
S
son despreciables entonces aplicando ley de
kirchoff de voltajes se tiene:

}
= + + V t i R R dt t i
C
S
) ( ) ( ) (
1
S
V
S I R R S I
SC
S
= + + ) ( ) ( ) (
1
-1
C R R con
S
CV
S I
S
) (
/ 1
/
) ( + =
+
= t
t
t

e
t
CV
t i
t
t

= ) (
El voltaje que soporta el dispositivo entre las terminales de
nodo y ctodo esta dado por:

e
t
AK
VCR
V t V
t
t

= ) ( e e
t
S
t
AK
R R C
VR VCR
dt
dV
t t
t

+
= =
2 2
) (
43
SCR


2 2 2
) (
6321 . 0
) (
3778 . 0
) ( R R C
VR
R R C
VR
R R C
VR
dt
dV
S S S
AK
+
=
+
+
=
Evaluando dV
AK
/dt en t=0 y en t=t, se obtiene:
Finalmente la red snubber se disea a partir de:
1. La resistencia R
S
limita la corriente de descarga a travs del condensador a un valor deseado y se calcula
mediante la siguiente expresin:
TD
S
I
V
R
max
=
V
mx
= Voltaje en directo mximo. RS: Resistencia de la red Snubber
I
TD
= Corriente de descarga.
2. La capacitancia de la red snubber se calcula a partir de:
2
) (
6321 . 0
R R
dt
dV
VR
C
S
AK
+
=
V=V
mx
= Voltaje en directo mximo.
R
S
: Resistencia de la red Snubber
R: Resistencia de la carga.
dV
AK
/dt: Gradiente de tensin del dispositivo (dv/dt), esta valor se
especifica en la hoja tcnica del dispositivo.
3. Las perdidas en el circuito amortiguador se calculan a partir de:

S S S S
f V C P 5 . 0 = Toda la energa almacenada en el condensador se disipa en R
S
, luego
la potencia nominal de R
S
es igual a P
S
44
SCR

Ejemplo:

Se desea controlar un carga cuya R=5O, la inductancia parasita y de la carga son
despreciables. El sistema se conectar a una fuente de 200V, el dispositivo empleado para
este propsito presenta un gradiente de tensin de 100V/s . Determinar la red snubber.

Solucin, la corriente de descarga (I
TD
)se limitara a 100 A luego:
O = = = 2
100
200
max
A
V
I
V
R
TD
S
F
s X
V
V
R R
dt
dV
VR
C
S
AK
129 . 0
) 5 2 (
10 1
100
5 * 200
6321 . 0
) (
6321 . 0
6
2
=
O + O
O
=
+
=
45
SCR

Mtodo de Resonancia
Con este mtodo de clculo de los valores de R, L y C, trataremos de lograr que
el cto entre en resonancia. La forma de onda obtenida para dV/dt ser la
representada en la figura:
}
= + + + Vs dt t i
C
t i R R
dt
t di
L
S
S
) (
1
) ( ) (
) (
Aplicando ley de kirchoff de voltajes
n n
s
s
s
S
K
LC
S
L
R R
S
L V
S I
e e + +
=
+
+
+
=
2
1
/
) (
2
2
L
R R
LC
f
LC
f n
s
S S
2
2
1 1
2
+
=
= = =
t
t e
Para el clculo, el valor de dV/dt debe ser relacionado con el
valor de la frecuencia. Esto lo conseguimos basndonos en la
ecuacin de la tensin sinusoidal:
M
M
M
V
dt dV
f f V
dt
dV
Luego
t Sin V V
t
t
e
2
/
2
:
) ( *
= =
=
46
SCR

Para reducir el sobre impulso de voltaje aplicado al tiristor, la relacin de amortiguamiento o deber ser
seleccionada entre 0.5 y 1. Si la inductancia de carga es alta (que frecuentemente lo es) Rs es alto y Cs es
pequeo, para conservar el valor deseado de relacin de amortiguamiento.

Un valor grande de Rs reduce la corriente de descarga, y un valor pequeo de Cs reduce la perdida por el
amortiguador.

Luego:

( )
R
C
L
R y
L
C
S
S S
f
= = o
t
2
1
2
2
L
C R R
S s
n
2
+
= =
e
o
Definiendo la relacin de amortiguamiento o como:

47
TRI ACS (Tiristores de triodo bidireccional)
Elemento semiconductor de tres terminales , es la versin
BIDIRECIONAL del tiristor. El Triac se puede ver como dos SCR
complementarios en paralelo.
Las terminales MT1 y MT2 que
llevan corriente.
La terminal G se usa para disparar
el TRIAC. Para evitar confusin, se
ha convertido como practica
estndar especificar todas las
corrientes y voltajes usando MT1
como punto de referencia
48
TRI ACS
DEFINICION DE REGIONES DE TRABAJO DEL TRIAC
Como el triac puede conducir en ambas direcciones y se puede
disparar con seales positivas y negativas en la compuerta , se
definen cuatro modos posibles de disparo.

Los Triacs son mas sensibles en los cuadrantes I y III ,
significativamente menor en el cuadrante II y mucho menos
sensible en el cuadrante IV. No es recomendable trabajar los
TRIACS en el cuadrante IV.

Un importante hecho para recordar es que como un TRIAC
puede conducir en ambas direcciones, este tiene un breve
intervalo durante la cual la seal de corriente sinuidal esta pasando
atreves de cero entonces el recobra su estado de bloqueo.

Para cargas inductivas, existe un desplazamiento de fase entre
el voltaje y la corriente (Factor de potencia), haciendo que la
corriente caiga por debajo de IH y el triac pase a estado de
bloqueo, aqu existe un determinado voltaje el cual puede aparecer
atreves del triac, si este voltaje aparece muy rpidamente (dV/dt),
el triac puede pasar de estado de bloqueo a conduccin y se
pierde el control sobre el dispositivo. Para mantener el control
cuando se manejan cargas inductivas la rata de ascenso en voltaje
(dV/dt) debe ser limitada por una red RC conectada en paralelo al
triac.

49
GTO (Gate Turn-Off Thyristor)
La estructura bsica de un GTO es muy similar a la de un SCR . A diferencia que el GTO se
puede apagar directamente desde la compuerta invirtiendo la polaridad de la seal de control del
dispositivo.
The turn-on mode is similar to that of a standard thyristor.
The injection of the hole current from the gate forward biases the
cathode p-base junction, causing electron emission from the
cathode. These electrons flow to the anode and induce hole
injection by the anode emitter. The injection of holes and electrons
into the base regions continues until charge multiplication effects
bring the GTO into conduction
50
In order to turn off a GTO, the gate is reversed-biased with respect to
the cathode and holes from the anode are extracted from the p-base.
This is shown in Fig. As a result, a voltage drop is developed in the p-
base region, which eventually reverse biases the gate cathode
junction and cuts off the injection of electrons.
51
Static Characteristics a GTO
On-State Characteristics

In the on-state, the GTO operates in a similar manner to the thyristor. If the
anode current remains above the holding current level then positive gate
drive may be reduced to zero and the GTO will remain in conduction.
However, as a result of the turn-off ability of the GTO, it does possess a
higher holding current level than the standard thyristor and, in addition, the
cathode of the GTO thyristor is subdivided into small finger elements to
assist turn-off.
Is recommended that the positive gate drive not be removed during
conduction but held at a value IG.
ON
. where IG.
ON
. Is greater than the
maximum critical trigger current (IGT) over the expected operating
temperature range of the GTO thyristor.
52
Rate of Rise of Off-State Voltage (dv
T
/dt): The rate of rise of off-state voltage
(dv
D
/dt) depends on the resistance RGK connected between the gate and the
cathode and the reverse bias applied between the gate and the cathode.
This relationship is shown in Fig.
53
Gate Triggering Characteristics
The gate trigger current (IGT) and the gate trigger voltage (VGT) are both dependent on junction temperature Tj
as shown in Fig. 4.8. During the conduction state of the GTO a certain value of gate current must be supplied and
this value should be larger than the IGT at the lowest junction temperature at which the GTO operates. In dynamic
conditions the specified IGT is not sufficient to trigger the GTO switching from higher voltage and high di=dt. In
practice, a much higher peak gate current IGM (on the order of 10 times IGT) at Tj min is recommended to obtain
good turn-on performance.
54
GATE DRIVE CIRCUIT OF A GTO
55
BJ T DE POTENCI A
GATE DRIVE CIRCUIT OF A GTO
56
UJ T (UniJ unction Transistor)
Dispositivo de tres terminales, el cual absorbe baja potencia durante condiciones normales de operacin.
Es empleado para una amplia gama de aplicaciones, algunas de ellas Osciladores, circuitos de disparo,
generadores de diente de sierra, control de fase, circuitos temporizadores, redes biestables, y
alimentaciones reguladas de voltaje y corriente.
E: Terminal de emisor
B1: Terminal Base 1
B2: Terminal Base 2
La punta de la flecha en el emisor seala la direccin
del flujo convencional (huecos) cuando el dispositivo
est en el estado de polarizacin directa, activo o
estado conductor
Construccin Bsica UJT
Smbolo y arreglo de polarizacin
bsico para el UJT
57
Circuito Equivalente del UJT
R
B1
se representa variable, porque su magnitud varia con la corriente I
E.
Para transistores UJT, 5K R
B1
50
para un cambio correspondiente de 0 I
E
50 A

q: Relacin Intrnseca de apagado del dispositivo
( )
0 2 1 =
+ =
IE
BB
R R R B B
0
2 1
1
1
= =
+
=
E BB BB
B B
B
RB
I o Manteniend V V
R R
R
V q
0
1
2 1
1
=
=
+
=
E
I
RBB
RB
RB RB
RB
q R
BB
: Resistencia Interbase, para UJT comerciales esta dentro del
siguiente rango: 4K R
BB
10K

Para que el diodo comience a conducir es necesario que:

D BB P
V V V + =q
Aqu Vp representa el potencial de encendido de emisor
58
Caracterstica V vs I del UJT
De la caracterstica V vs I se concluye:

Para potenciales de emisor menores a V
P
, la
magnitud de I
E
nunca es mayor que I
E0
(medida en
A). La corriente I
E0
corresponde muy
cercanamente a la corriente de fuga inversa I
C0
de
un transistor bipolar convencional. (R.C)

Cuando V
E
=V
P
, el potencial de emisor caer con el
incremento I
E
, esto corresponde exactamente con el
decremento de la resistencia R
B1
para el incremento
de la corriente I
E
. (RRN)

Cuando se llega al punto del valle, cualquier
incremento en I
E
colocara al dispositivo en la regin
de saturacin.

59
Caractersticas de las hojas de especificaciones UJT 2N2646
60
APLICACIONES A LA ELECTRONICA DE POTENCIA
Circuitos de Disparo para SCR Recta de carga para
una aplicacin de disparo
CRITERIOS DE DISEO
1. R
E
se debe ser seleccionada para que asegure que la recta de carga que determina R
E
pase por las caractersticas
del dispositivo en la regin de resistencia negativa, por ejemplo a la derecha del punto pico, pero a la izquierda del
punto valle. Si no se garantiza que la recta de carga pase a la derecha del punto pico el UJT nunca se encender
Para garantizar esto se hace I
RE
=I
P
y V
E
=V
P,
Luego , para asegurar el disparo:
E R BB E
R I V V
E
=
P
P BB
E
I
V V
R

<
R
E
En el punto valle se tiene: I
E
=I
V
y V
E
=V
V
, por lo que V
V
=V
BB
-I
V
R
E
, para asegurar el apagado

V
V
E
I
V V
R

>
P
P BB
E
V
V BB
I
V V
R
I
V V
< <
El rango de RE se limita a:
61
Criterio Para seleccin de R1
La seleccin de R1 debe ser lo suficientemente baja para prevenir disparos indeseables en el tiristor. Por lo tanto,
R1 esta relacionado con el mximo voltaje de compuerta que no puede disparar el tiristor (VGD) en alguna
temperatura:

R2 se selecciona para dar estabilidad del circuito, esto porque V
P
decrece con la temperatura, la siguiente
ecuacin da una aproximacin al valor de R2 para compensar el dispositivo sobre un rango de temperatura de 40
a 100C.

(min) 2 1
1
BB
GD
R R R
R
V
+ +
>
BB
V
R
q
4
2
10
=
Criterio Para seleccin de C
El tiempo de carga y descarga del condensador esta dado por:
C R
C R R
E E
*
* ) (
1 2
1
min
=
+ =
t
t
El tiempo de retardo (t
1
) y el tiempo del pulso estn dados por:
C R *
1 1
+ =t t
62
La frecuencia de oscilacin de la seal de salida esta dada por:
( )
1
1
1
1
* *
1
min
t
q
=
|
|
.
|
\
|
+
=
e E E
Log C R R
f
El ngulo de disparo del tiristor depender del periodo de retardo t
1
del oscilador, el cual esta dado
por:

o=et
1
63
Ejemplo 1.
Disear un circuito de disparo empleando un UJT para un rectificador de media onda controlado, la fuente
proporciona 120 Vrms a 60Hz. Los parmetros y rangos del UJT (2N2646) a Tj=25C estn dados por:

Maximum interbase voltage(V
BB
)= 35V
Maximum average power dissipation= 300mW
Range interbase resistance (R
BB
)= 4.7 to 9.1 K (typical 5.6K at VBB=12V.
Valley point current I
V
=4mA at V
BB
=20V
Intrisic standoff ratio, q=0.56 to 0.75 (0.63 typ)
Valley point voltage V
V
=2V at V
BB
=20V
Peak point current I
P
=5A (Maximum) at V
BB
=25V
The maximum gate voltage (V
GD
) that will not trigger on the SCR=0.18V

El ngulo de conduccin varia de 0 a 180, por lo tanto T=1/2f= 10ms.
i) De acuerdo a las caractersticas del UJT se selecciona VBB=12V, entonces:

ii) Vp=qV
BB
+0.7=0.63*12+0.7=8.26V

O ~ O =
> K K
mA I
V V
R
V
V BB
E
7 . 2 5 . 2
4
2 12
min
O =
<

K
X I
V V
R
P
P BB
E
888
10 5
56 . 7 12
6 max
El valor de RE esta dado por:
R
E
=R
Emax
-R
Emin
=888-2.7=885.3K
R
E
=1M y R
Emax
=1002,7K
64
iii) Seleccin de R2

O ~ O = = = K K
VBB
R 2 . 1 32 . 1
12 * 63 . 0
10000 10000
2
q
O ~ O <
+
<
+
< 100 55 . 103
18 . 0 12
) 5600 1200 ( 18 . 0
) (
(min) 2
1
GD BB
BB GD
V V
R R V
R
iv) Seleccin de C

El circuito se diseara para un mximo periodo de retardo de 10ms. El mximo periodo de retardo
corresponde a la mnima frecuencia del oscilador, el cual esta dado por:

F
X
C C R ms
e
e

q
t 01 . 0
63 . 0 1
1
log * 10 7 . 1002
10
1
1
log 10
3
2
max
=
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
= =

NOTA: Aunque un capacitor de 0.01uF puede ser seleccionado, el ancho de pulso de el pulso de disparo
puede ser pequeo (R
2
C=100*0.01=1uS). Sin embargo, esto no puede ser suficiente para disparar un
tiristor satisfactoriamente. Entonces este puede ser incrementado (alrededor de 5uS). Por otra parte, en
determinadas ocasiones el voltaje del pulso a travs de R1 no es suficiente para manejar el tiristor,
entonces el valor de R1 puede ser incrementado.
65
El mnimo periodo de retardo esta dado por:

ms uF K C R
e
0268 . 0 99 . 0 * 01 . 0 * 7 . 2
1
1
log * *
min min
= =
|
|
.
|
\
|
=
q
t
Lo cual corresponde a un ngulo de conduccin de:

~ = = = 4824 . 0 42 . 8 0268 . 0 * 50 * * 2 mRad m pi et o
Similarmente, el mximo periodo de retardo esta dado por:

ms uF K C R
e
967 . 9 99 . 0 * 01 . 0 * 7 . 1002
1
1
log * *
max max
= =
|
|
.
|
\
|
=
q
t
Lo cual corresponde a un ngulo de conduccin de:

~ = = = 4 . 179 13 . 3 967 . 9 * 50 * * 2 Rad m pi et o

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