FSICA DE SEMICONDUCTORES

FSICA DEL ESTADO SLIDO

FC-UNI
julio 2009


ARTURO TALLEDO
DOCTOR EN FSICA
La Distribucin Maxwell Boltzmann
(*)

Dado un sistema de N partculas como las molculas de un gas en un
recipiente, el nmero de partculas en un nivel de energa E
i,
con
degeneracin g
i
es:
T /K E -
i
B i
e g A N =
i
donde A es una constante de normalizacin y K
B
es la constante de Boltzmann
Si la densidad de estados es g(E), entonces:
}
= dE g(E) e A N
T -E/K
B
}
= dE g(E) e E A E
T -E/K
B
total
Nmero total de partculas
Energa total del sistema de partculas
Es vlida para N partculas distinguibles que no obedecen principio de exclusin de
Pauli
(*) Ver: Solid -State and Semiconductor Physics por J.P. McKelvey
Estadstica Fermi Dirac
La probabilidad de que un estado de energa E sea ocupado por un
electrn a una temperatura T es:




1 e
1
(E) f
T )/K - (E
B
+
=


donde es el potencial qumico (depende de cada material) y K
B
la constante
universal de Boltzmann.

Si la densidad de estados es g(E), entonces:

}
= dE g(E) f(E) N
Nmero total de partculas
Energa total del sistema de partculas
Es vlida para N partculas indistinguibles que obedecen principio de exclusin de
Pauli
}
= dE g(E) f(E) E E
total
Estadstica Fermi Dirac
f (E)
CONCEPTO DE HUECO
E
e
E
h
K
e
K
h
E
h
(k
h
)
E
e
(k
e
)
k
e
k
h
e h
k k =
) k ( E ) k ( E
e e h h
=
h h e e
(k ) (k ) = v v
( )
e
*
e h
*
k m ) k ( m =
h
CONCEPTO DE HUECO

dt
d
dt
d
= =
k k
e
e h

E
e
E
h
k
e
k
h
La carga elctrica del hueco es positiva
Conductores, semicondutores y aislantes
BV
Conductores
semicondutores
aislantes
gap
gap
BV
BC
BC
BV
E
Conductores semicondutores y aislantes
Conductores semicondutores y aislantes
(a) aislantes, (b) metal o semimetal, (c) metal
Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
*
h
2 2
v
2m
k
) k ( E

=
*
e
2 2
g c
2m
k
E ) k ( E

+ =
( )
2 / 1
g
3/2
2
e
2
e
E E
2m
2
1
(E) g
|
.
|

\
|
=

( )
2 / 1
3/2
2
e
2
h
E
2m
2
1
(E) g
|
.
|

\
|
=

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
}
=
C2
C1
E
E
dE g(E) (E) f n
}

=
0
-
h h
dE (E) g (E) f p
Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
1/2
1/ 2
0
2
x
x e dx
t

=
}

( ) dE e E E e
2m
2
1
n
g
B B F
E
T E/K
2 / 1
g
T /K E
3/2
2
e
2 }

|
.
|

\
|
=

T /K E
T /K E
3/2
2
B e B g
B F
e e
2
T k m
2 n

|
.
|

\
|
=

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
}

=
0
-
h h
dE (E) g (E) f p
( )
T E/K T /K E
T E)/K (E T /K E - E
h
B B F
B F B F
e e
1 e
1
1 e
1
- 1 (E) f 1 f

~
+
=
+
= =
( )
2 / 1
3/2
2
e
2
h
E
2m
2
1
(E) g
|
.
|

\
|
=

T /K E -
3/2
2
B e B F
e
2
T k m
2 p
|
.
|

\
|
=

Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
p n =
|
|
.
|

\
|
+ =
e
h
B g F
m
m
Ln T K
4
3
E
2
1
E
( )
T /2K E 3/4
h e
3/2
2
B
i
B g
e m m
2
T k
2 n

|
.
|

\
|
=

1/T
Estados de Impurezas
r 4
e
V(r)
0 r
2
=
(

|
|
.
|

\
|
=
2
0
4
0
0
e
2
r
d
) 2(4
e m -

m
m

1
E

0,01eV E
d
~
2 , 0
m
m
, 0 1
0
e
r
= ~
Estados de Impurezas
Ordenes de magnitud:
(

|
|
.
|

\
|
=
2
0
4
0
0
h
2
r
a
) 2(4
e m -

m
m

1
E

eV 0,01 E
a
=
Concentracin de portadores en
semiconductores extrnsecos
2
i
n p n =
( )
T /K E 3/2
h e
3
2
B B g
e m m
2
T k
4 p n

|
.
|

\
|
=

d
2
i
d
N
n
p N n = =
semiconductores extrnsecos tipo n
semiconductores extrnsecos tipo p
2
i
a
a
n
p N n
N
= =
Concentracin de portadores en
semiconductores extrnsecos
DIFUSIN DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES
Difusin bajo diferentes circunstancias: (a) un pulso de concentracin
n vs x en t = 0. Las flechas indican corrientes de partculas. (b) El
Ensanchamiento del pulso debido a la difusin en tres instantes sucesivos.
(c) Un pulso de electrones difundindose y trasladndose en un campo
elctrico. (d) La desaparicin del pulso debido a la recombinacin.
DIFUSIN DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES
Ley de Fick: Para una concentracin no uniforme , la corriente de
partculas J(nmero de partculas por unidad de rea y por unidad de
tiempo) est dado por:
x
n
D J
c
c
=
donde D es llamada la constante de difusin. Esta ley establece que la
corriente es proporcional al gradiente de concentracin.
En el caso de semiconductores el flujo por difusin de electrones y huecos
implica corrientes elctricas:
x
n
eD J
e e
c
c
=
x
p
eD J
h h
c
c
=
Usando mecnica estadstica se puede demostrar que:
e
T k
D
B

=
La ecuacin de difusin para un tipo de portador.

+
c
c
= E e p
x
p
D e J
Por ecuacin de continuidad:
|
.
|

\
|
c
c

c
c
=
c
c
=
|
|
.
|

\
|
c
c

E p
x x
p
D
x
J
e t
p
flujo

2
2
1

0
t
p p
t
p
in recombinac

=
|
|
.
|

\
|
c
c
No todos los portadores fluyen, algunos se recombinan:
in recombinac flujo
t
p
t
p
t
p
|
|
.
|

\
|
c
c
+
|
|
.
|

\
|
c
c
=
c
c

0
2
2
t

p p
E p
x x
p
D
t
p

|
.
|

\
|
c
c

c
c
=
c
c

Esta es la ecuacin de difusin.
Solucin en dos casos
1) Solucin estacionaria para campo igual acero.
0

0
2
2
=

c
c
t
p p
x
p
D
( )
2 / 1
/
0 1
, p - p p t D L Ae
D
L x
D
= =

2) Solucin estacionaria para campo diferente de cero.
0
2
1 1
2
1
2
=
c
c

c
c

D
L
p
x
p
D
E
x
p
D
EL
s s s Ae
D
L x
D
2
, 1 , p - p p
2 /
0 1

= + = =

Grafico de las dos soluciones
pr0 nr0
J J =
pr0 nr0
J J =
ng0 nr0
J J =
pg0 pr0
J J =
p n
p n
BV BV
BC BC
a
E
d
E
|
UNION p-n: Propiedad de rectificacin
Unin p-n
UNION p-n: Propiedad de rectificacin
) /
0
0
( ) (
T K eV
ng ng nr n
B
e eJ J J e I = =
) 1 ( ) (
/
0
0
= =
T K eV
pg pg pr p
B
e eJ J J e I
T K eV
B
e
/
nr0 nr0
0
J J =
ng0 ng
J J =
) 1 ( ) (
/
0 0
0
+ = + =
T K eV
pg ng p n n
B
e J J e I I I
) 1 ( ) (
/
0
0
= =
T K eV
ng ng nr n
B
e eJ J J e I
) 1 ( I I
/
0
0
=
T K eV
B
e
) - (1 I I
/
0
0
T K eV
B
e

=
UNION p-n: Propiedad de rectificacin
) - (1 I I
/
0
0
T K eV
B
e = ) 1 ( I I
/
0
0
=
T K eV
B
e
) - (1 I I
/
0
0
T K eV
B
e =
) 1 ( I I
/
0
0
=
T K eV
B
e
) - (1 I I
/
0
0
T K eV
B
e

=
UNION p-n: Propiedad de rectificacin
Unin p-n: Clculo de I
0
: corriente de saturacin
( )
pg0 ng0 0
J J I + = e
( ) 0 , p p - (x) p (x) p
/
0
n1 n0 n n1
> = =

=
x e
p
L x
x
- El campo elctrico est concentrado
en la unin misma.
- Discutimos primero la polarizacin positiva.
La barrera de potencial es reducida por eV
0
.
Huecos son inyectados desde regin p donde
son mayoritarios a regin n donde son
minoritarios.
- El exceso de concentracin de huecos en
la regin est dado por:
es el valor de la concentracin en equilibrio.
p
n0
Unin p-n: Clculo de I
0
La corriente es debida a la inyeccin y subsecuente difusin de portadores minoritarios
( )
T k eV
n
x
n
B
e p p
/
0
0
0
=
=
La barrera de potencial es reducida por eV
0
:

( ) ( ) 1
/
0
0
1
0
=
=
T k eV
n
x
n
B
e p p
( ) ( ) 0 , 1
/
/
0 1
0
> =

x e e p x p
p
B
L x
T k eV
n n
x
p
D
x
p
D J
n
p
n
p n p
c
c
=
c
c
=
1
Unin p-n: Clculo de I
0
( )
|
|
.
|

\
|
+ = + =
p
n p
n
p n
L
p D
L
n D
e e
0 0
pg0 ng0 0
J J I
( ) ( )
p
B
L x
T k eV
p
n p
x
n p
e e
L
p D e
I
/
/ 0
0
1
0

=
=
( ) ( )
p
B
L x
T k eV
n
p n
p
n p
x
n p
e e
L
n D e
L
p D e
e I
/
/ 0 0
0
1
0

=

|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
.
|

\
|
+ =
0 0
2
0
) ( I
n p
p
p n
n
i
n L
D
p L
D
T n e
Unin p-n: Clculo del potencial de contacto

T /K E
T /K E
3/2
2
B e B g
B F
e e
2
T k m
2 n

|
.
|

\
|
=

( ) T /K E E
n0
B F cn
e n

=
c
U
( ) T /K E E
p0
B F cp
e n

=
c
U
T K /
p0
n0
B 0
e
n
n
| e
=
E
F

|
|
.
|

\
|
=
2
i
0 n0
B
0
n
n
Ln
T k
p
p
e
|
|
|
.
|

\
|
~
2
i
B
0
n
N
Ln
T k
a d
N
e
|
V 3 , 0
0
= |
Para germanio con N
d
= N
a
= 10
16
cm
-3

EL ANCHO DE LA UNIN Y EL CAMPO ELCTRICO
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) x N x n x N x p e x
a d
+ =

) (
2
2
c
| x
dx
d
=
n
2
2
w x 0 , s s =
c
|
d n
eN
dx
d
0 x w - ,
p
2
2
s s =
c
|
a
p
eN
dx
d
(1) El campo es cero fuera de la unin
(2) El campo es continuo en el punto x = 0 (el centro de la unin)
(3) El potencial es continuo en x = 0 y lo escogemos igual a cero.
(4) La deiferencia de potencial entre los bordes de la unin es

0
|
Aproximacin: No hay portadores
EL ANCHO DE LA UNIN Y EL CAMPO ELCTRICO
( ) | |
2 / 1
0
/ 2 e N N N N w
a d d a n
+ = | c
a p d n
N w N w =
w
E
0
2
) 0 (
|
=

( ) | |
2 / 1
0
/ 2 e N N N N w
a d a d p
+ = | c
2 / 1
0
1 1 2
(

|
|
.
|

\
|
+ = + =
d a
p n
N N e
w w w
| c
El campo en x = 0
El transistor