Circuitos Eletrnicos I (ELE 0511)

Transistores de efeito de campo - 1

Diodos Dispositivos de 2 terminais

Dispositivos de 3 terminais

uso de tenso ou corrente entre 2 dos terminais para controlar a corrente no terceiro terminal. Ii vi Controlador de corrente Operao como chave vO

Principais dispositivos de 3 terminais:

Transistores de efeito de campo (Field Effect Transistors)

JFET

(Junction Field Effect Transistor)

MOSFET (Metal Oxyde Field Effect Transistor)

Transistores bipolares de juno TBJ (Bipolar junction transistor)

Transistor JFET (Junction Field Effect Transistor)

JFET Canal N

JFET Canal N

Operao do JFET para valores pequenos de vDS

Drain N

Gate
P P Source +

iD

vGS = 0 vGS = -V vGS = -2V vGS = -3V vDS Tenso se pinch off

N +

Operao do JFET para valores crescentes de vDS

ro rd (1 VGS

VP

Curva de transferncia para o JFET

Estrutura do MOSFET

Dimenses: Comprimento do canal (L) = 32nm a 3m (tecnologia atual) W = 20nm a 100m Espessura da camada de SiO2 = 2 a 5nm

Sem tenso na porta

R = 1012

Parmetros importantes do MOSFET

Parametros Comprimento do canal Channel Length - (L) Largura do canal Channel Width - (W) Espessura do xido - (tOX) Oxide permittivity (OX) Electron Mobility (n)

lacunas

Lacunas livres repelidas da regio do substrato sob a porta, deixando a regio depleta de portadores. Regio de depleao repleta de ligaes covalentes de cargas negativas associadas aos tomos aceitadores (descoberta por causa das lacunas que foram empurradas para dentro do substrato) Tenso positiva atrai eletrons da regio n+ da fonte e do dreno.

Quando for acumulado um nmero suficiente de eletrons prximos superfcie do substrato sob a porta, uma regio N criada conectando as regies da fonte e do dreno (canal)

Aplicando uma tenso entre dreno e fonte haver circulao de corrente pelo canal devido aos eletrons livres.

Esse dispositivo chamado MOSFET canal N ou NMOS.

Um MOSFET canal N formado em um substrato tipo P. O canal criado pela inverso da superfcie do substrato do tipo P para o tipo N. O canal muitas vezes chamado de canal de inverso e o MOSFET chamado de MOSFET de inverso.

O valor mnimo de tenso VGS na porta para formar o canal chamada tenso de limiar(threshold - VT) e da ordem de 0,5V a alguns volts.
Porta e canal formam um capacitor de placas paralelas campo eltrico atua na direo vertical controlando a quantidade de cargas no canal determina a condutividade (que circula pelo canal).

Operao com baixos valores de VDS

Condutncia do canal proporcional ao excesso de tenso (VGS VT), tambm conhecida como tenso efetiva ou sobretenso de conduo - VOV).

FETs operando como resistores

RON

1 W nCox VGS VTH L

FETs operando como resistores

Atenuador

Filtro ativo

CAG

Operao com valores altos de VDS

Mantendo VGS constante para um valor maior do que VT.

VDS aparece como uma queda de tenso ao longo do canal.

A tenso ao longo do canal aumenta a partir da fonte (S), 0V, at o dreno (D), VDS, portanto o canal no mantem uma profundidade uniforme ao longo do seu comprimento, estreitando-se medida que se paroxima do Dreno (resistividade vai aumentando medida que se aproxima do Dreno).

No final do canal, prximo ao Dreno, a profundidade diminui para prximo de zero (diz-se que o canal est estrangulado pinched off) Aumentando VDS alm desse valor, o efeito pequeno sobre a forma do canal e a corrente do canal se mantm constante a partir de Vds = VGS - VT

Regies de operao do MOSFET

Regio de limiar

Vgs < VT - Regio de corte MOSFET no conduz VT < VDS < Vgs - VT Regio de triodo Para baixos valores de VGS o MOSFET opera como um resistor VDS > Vgs VT Regio de saturao iD permanece constante independente do valor de VDS

Provinha Considere um transistor NMOS tipo enriquecimento com VT = 2,5 V. Preencha a tabela abaixo indicando em que regio o transistor est operando (triodo, saturao, transio (ou limiar), corte).

VGS (V) VDS (V) Regio de operao 4,5 0,8 3,0 0,5 -7,0 -9,5 2,8 2,0 1,7 14 6,0 2 7,5 5,0 3,0 5,0 -1,0 -2,0