Caracterizacin elctrica de una celda solar de Silicio monocristalino mediante un Modelo Matemtico de optimizacin que maximiza la potencia elctrica

en las celdas solares

Presentado por Daniel Raydan

Corresponde al articulo: J.E. Flores-Mena, L.A. Jurez Morn, J. Daz Reyes y H. Coyotecalt Azucena, Caracterizacin electrica de una celda solar de Silicio monocristalino, Internet electron journal Nanociencia et Moletrnica, Diciembre 2010, Vol8, N2, pp.1571-1584.

Contenido
1. Breve explicacin del funcionamiento de una celda solar: Semiconductores extrnsecos N y P y efecto fotovoltaico 2. Circuito equivalente que representa a una celda solar. 3. Ecuacin no lineal que caracteriza la corriente en una celda solar. 4. Modelo de optimizacin no lineal que permite determinar el voltaje , la corriente y la potencia mxima. 5. Objetivos prcticos o experimentales del articulo.

Principio de funcionamiento de las celdas solares

Una clula solar es un dispositivo capaz de convertir la energa proveniente de la radiacin solar en energa elctrica. Las celdas solares basan su funcionamiento en el aprovechamiento del efecto fotovoltaico que se produce al incidir la radiacin solar (fotones) sobre los materiales que son semiconductores. La energa que reciben estos, proveniente de los fotones, provoca un movimiento catico de electrones en el interior del material que produce energa elctrica.

Semiconductores extrnsecos tipo N

Considere la estructura cristalina del Silicio (Si) dotado con Antimonio (Sb ) o fsforo (P), al introducir un tomo de impurezas de este elemento.

Entonces el tomo de Sb no solo cumple con los cuatro enlaces covalentes, sino que le sobra un electrn, que tiende a salirse de su rbita para que quede estable el tomo de Sb. Por cada tomo de impurezas aadido aparece un electrn libre en la estructura, por lo que se dice que es este es un semiconductor extrnseco tipo N.

Semiconductores extrnsecos tipo P

Considere la estructura cristalina del Silicio (Si) dotado con Aluminio (Al), o boro (b), al introducir un tomo de impurezas trivalente de este elemento. Esto genera en la estructura la falta de un electrn (hueco).

Este semiconductor tiene mayor numero de cargas positivas o huecos (portadores mayoritarios) y por lo tanto recibe el nombre de semiconductor extrinseco tipo P, siendo neutro el conjunto de la estructura, al igual que suceda con el TIPO N.

Unin de semiconductores tipo N y P

La unin p-n (diodo) se realiza uniendo una barra de material de tipo n con una barra de material de tipo p. Los electrones libres en el material n vern a la izquierda una regin en la que no existen electrones libres y, por tanto, habr un flujo de estos portadores hacia la izquierda en el intento de restablecer el equilibrio. De forma anloga, los huecos vern a su derecha una regin en la que no hay huecos y habr, por tanto, un flujo de cargas positivas hacia la derecha. Con el avance de este proceso de difusin, en el lado izquierdo se tendr un exceso de cargas negativas mientras en el lado derecho habr un exceso de cargas positivas.

Por consiguiente, en la regin de unin de los dos materiales se ha creado un campo elctrico que se hace cada vez ms grande a medida que los huecos y los electrones continan difundindose hacia lados opuestos. El proceso contina hasta que el potencial elctrico alcanza un tamao que impide la posterior difusin de electrones y huecos. Cuando se alcanza este equilibrio se habr creado un campo elctrico permanente en un material sin la ayuda de campos elctricos externos.

Celdas solares y efecto fotovoltaico

Consiste en la unin de dos semiconductores extrnsecos uno positivo y otro negativo, que forman un campo elctrico que permite el flujo de electrones cuando se expone a la luz solar. Cuando incide energa luminosa sobre la celda solar, los electrones son golpeados y extrados de los tomos del material semiconductor. Con la disposicin de conductores elctricos en forma de una rejilla que cubre ambas caras de los semiconductores, los electrones circulan para formar una corriente elctrica que aporta energa. La unin de varias celdas solares forman los paneles solares.

Modelado de una celda solar

Un modelo elctrico para una celda solar de silicio se puede representar por un circuito elctrico, donde la unin P-N se representa por un diodo, cuyo comportamiento elctrico es conocido, y la corriente fotogenerada se representa por una fuente de corriente dispuesta en paralelo.

Circuito 1

Modelado de una celda solar

La corriente en dicho circuito viene dada por las corrientes:
Corriente de iluminacin: producida por los electrones liberados (portadores) en la interaccin fotn-electrn a la iluminacin.

Corriente de oscuridad: debida a la recombinacin de portadores que produce el voltaje externo necesario para poder entregar energa a la carga.

Aplicando las leyes de Kirchoff se tiene el siguiente modelo para la corriente de una celda solar:

I IL ID IL

eV I 0 (exp( ) 1) A0 KTc

(1)

Modelado de una celda solar real

El circuito 1 y el modelo descrito por la ecuacin (1) resulta insuficiente para representar una clula solar real, ya las corrientes de fuga en la unin no estn representadas. Adems, existe una cada de potencial proporcional a la intensidad que circula debido a la resistencia de los contactos y cables de conexin. Para solventar dicha situacin se modifica el circuito 1 aadiendo una resistencia en serie ( Rs ) que representa las corrientes de fuga y una resistencia ( R p ) que representa la resistencia de los contactos.

Rs

IL

ID

I Sh R p

Circuito Equivalente
I I L I D I Sh e(V IRs ) V IRs I L I 0 (exp( ) 1) A0 KTc Rp
(2)

Modelo no lineal para la corriente de una celda solar en funcin del voltaje
I I L I D I Sh e(V IRs ) V IRs I L I 0 (exp( ) 1) A0 KTc Rp

Problema de optimizacin no linear para la determinacin de la potencia mxima de una celda solar
Maximizar P(I,V)= Maximizar I.V e(V IRs ) V IRs H ( V , I ) I I I (exp( ) 1 ) Tal que 1 L 0 A KT R
0 c p

Este es un problema no lineal con restricciones de igualdad. La teora de Lagrange dice que las soluciones de dicho problema deben satisfacer:

L(V , I ) 0 V
H 1 (V , I ) I I L I 0 (exp(

e(V IRs ) V IRs ) 1) 0 A0 KTc Rp

L(V , I ) 0 I

donde, L es la funcin Lagrangiana y viene dada por:

L(V , I ) I .V H1 (V , I )

Sistema no lineal a resolver para determinar el voltaje y la corriente mxima

qI 0 Rs q (V IRs ) R L(V , I ) V (1 exp( ) s ) 0 (3) I A0 KT A0 KT Rp qI 0 q (V IRs ) L(V , I ) 1 I ( exp( ) )0 V A0 KT A0 KT Rp
H1 (V , I ) I I L I 0 (exp(
Despejando

(4)

e(V IRs ) V IRs ) 1) 0 A0 KTc Rp

(5)

de la ecuacin (3) y sustituyndola en la ecuacin (4) se obtiene:

qI 0 q(V IRs ) qI 0 Rs q (V IRs ) Rs 1 V( exp( ) ) I (1 exp( ) )0 A0 KT A0 KT Rp A0 KT A0 KT Rp

Sistema no lineal a resolver para determinar el voltaje y la corriente

mxima
Finalmente, el voltaje y la corriente mxima se obtienen resolviendo el siguiente sistema de ecuaciones no lineales de 2 incgnitas y 2 ecuaciones, donde una viene de las condiciones de optimalidad y la otra corresponde a la regin de factibilidad.

H1 (V , I ) I I L I 0 (exp(
H 2 (V , I ) V (

e(V IRs ) V IRs ) 1) 0 A0 KTc Rp

qI 0 q (V IRs ) qI R q(V IRs ) R 1 exp( ) ) (1 0 s exp( ) s ) 0 A0 KT A0 KT Rp A0 KT A0 KT Rp

(6)

Objetivos Experimentales del rticulo

Resolver el sistema de ecuaciones no lineales (6) para determinar el voltaje, la corriente y la potencia mxima, para una celda CS-1 construida por Cinvestav. Comparar los resultados con los medidos para dicha celda. Para datos medidos de V-I correspondientes a una celda solar CS-3 construida por Cinvestav, hacer un ajuste por mnimos cuadrados con un polinomio de grado 6 para obtener I6(V). Derivar I6 con respecto a V e igualar a cero para obtener el voltaje mximo y por consiguiente la corriente y la potencia mxima. Graficar la curva I6(V) y los puntos medidos para ver el ajuste:

Polinomio I(v)

Objetivos Experimentales del rticulo

Con los datos medidos de V-I para la celda CS-3, hacer un ajuste por mnimos cuadrados para obtener un polinomio de grado 4 para la potencia en funcin del voltaje (P4(V)). Derivar dicha funcin con respecto a V e igualar a cero para obtener el voltaje y la potencia mxima. Graficar los datos P-V y la funcin de ajuste P4(V).

Polinomio P(V)

Circuito equivalente a celda solar y las curvas I-V y P-V

Curva I- V para el circuito 1.

La curva I-V de una clula fotovoltaica correspondiente al circuito 1 representa pares de valores de tensin e intensidad en los que puede encontrarse funcionando la clula.

Diodo
Un diodo ( )es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor.
El Diodo es un componente elctrico que se desarroll como solucin al problema de transformacin de cualquier tipo de corriente alterna en corriente continua. Este permite el paso de la corriente en un solo sentido, a este proceso se le llama rectificacin. Para esto se inserta en el circuito un dispositivo conocido como rectificador, el cual es el que permite que solo pase la corriente en un sentido, bloqueando la corriente en el otro. Lado P y lado N del diodo: Los diodos estn compuestos por dos zonas de material semiconductor (silicio, germanio) formando lo que se denominada unin P-N. La zona P se caracteriza por poseer una escasez de electrones y corresponde a la parte del nodo (positivo). La zona N presenta un exceso de electrones y corresponde a la parte del ctodo (negativo). En el lugar de contacto de las zonas P y N en el diodo, se crea una regin denominada de transicin en donde se genera una diferencia potencial y se crean iones positivo e iones negativos en cada uno de los lados. Para que los electrones se puedan mover se necesita superar esta diferencia potencial, si esto es logrado se producir la corriente elctrica, circulando los electrones de la zona N a la P y la corriente de la P a la N.

Diodo
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es: I=Io(exp(Vd/nVT)-1) donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo Vd es la diferencia de tensin entre sus extremos. Io es la corriente de saturacin (aproximadamente ) n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85mV en 300K, una temperatura cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulacin de circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por: VT=KT/q Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unin pn, y q es la magnitud de la carga de un electrn (la carga elemental).

Efecto Fotovoltaico

El efecto fotovoltaico se produce al incidir la radiacin solar (fotones) sobre los materiales semiconductores extrnsecos. La energa que reciben estos provenientes de los fotones, provoca un movimiento catico de electrones en el interior del material. Al unir dos regiones de un semiconductor extrnseco al que artificialmente se haba dotado de concentraciones diferentes de electrones, se provocaba un campo electrosttico constante que reconduce el movimiento de electrones. De esta forma, cuando sobre la clula solar incide la radiacin, aparece en ella una tensin anloga a la que se produce entre las bornes de una pila. Mediante la colocacin de contactos metlicos en cada una de las caras puede extraerse la energa elctrica.

Diferencia de potencial generada por la unin de semiconductores tipo N y P

Al colocar el semiconductor TIPO P junto al semiconductor TIPO N, debido a la ley de difusin, se produce un intercambio entre los electrones de la zona N y los huecos de la zona P. Al encontrarse un electrn con un hueco desaparece el electrn libre, que pasa ocupar el lugar del hueco, y por lo tanto tambin desaparece este ltimo, formndose en dicha zona de la unin una estructura estable y neutra.

Aunque la zona N era en principio neutra, al colocarla junto a la zona P, pierde electrones libres, haciendo que esta cada vez sea ms positiva, mientras que la zona P, al llenar los huecos, se hace cada vez ms negativa. As aparece una diferencia de potencial entre las zonas N y P, separadas por la zona de unin que es neutra. La tensin que aparece entre las zonas, llamada barrera de potencial, se opone a la ley de difusin. Cuando ambas zonas han perdido cierta cantidad de portadores mayoritarios que se han recombinado, la barrera de potencial creada impide la continuacin de la difusin y por tanto la igualacin de las concentraciones de ambas zonas.

Efecto fotovoltaico
Con la informacin anterior, es posible explicar el efecto fotovoltaico. De hecho, hay que suponer que un fotn (partcula que constituye un rayo solar) entre en la regin de tipo p del material. Si el fotn tiene una energa mayor que la band gap -energa mnima necesaria para romper un enlace del retculo del silicio- ser absorbido y crear una pareja electrn-hueco. El electrn liberado se mover hacia la derecha a causa del potencial elctrico. En cambio, si un fotn entra en la zona n, el hueco creado se mover hacia la izquierda. Este flujo producir una acumulacin de cargas positivas en la izquierda y de cargas negativas en la derecha, dando origen a un campo elctrico opuesto al creado por el mecanismo de difusin. Cuantos ms fotones llegan a la unin, tanto ms los campos tienden a anularse el uno con el otro, hasta llegar al punto en el que ya no haya un campo interno que separe cada pareja electrn-hueco. Esta es la condicin que determina la tensin a circuito abierto de la clula fotovoltaica. Finalmente, poniendo unos electrodos (contactos metlicos) sobre la superficie de la clula se puede utilizar el potencial creado.

Celdas solares y efecto fotovoltaico

La luz recibida se debe considerar como una lluvia de partculas cunticas (fotones) que transmiten su energa a los electrones del metal irradiado. Si la energa que suministran es suficientemente grande como para que los electrones adquieran una energa superior a la energa de ligazn de la red cristalina, se liberan electrones de la estructura atmica, los que stos salen de la superficie del metal. Por su parte, en el efecto fotovoltico los electrones son desplazados a travs de una barrera en el slido, producindose as una diferencia de potencial.