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TOLESO SARAVIA CATHERINE

PAJUELO LUIS
QUISPE SONCCO JUSTO
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO
Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en
la base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los
Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se
controla mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran
una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada.
Caractersticas generales:
Por el terminal de control no se absorbe corriente.
Una seal muy dbil puede controlar el componente
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico
Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de
transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de
unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan
menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los
circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate),
Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser
de canal P o de canal N. Sus smbolos son los siguientes:

Sus smbolos son los siguientes:
CURVA CARACTERSTICA

Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la
siguiente figura:
La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona
este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas
importantes:
Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor
depende de la tensin V
GS
.
Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en
esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de
corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y
Fuente o surtidor (S) , V
GS
.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.
Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones
tpicas: Surtidor comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta
comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la
equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares.
Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se
encuentra en la amplificacin de seales dbiles.

CARACTERSTICAS DE SALIDA
Al variar la tensin entre drenador y surtidor varia la
intensidad de drenador permaneciendo constante la
tensin entre puerta y surtidor.
En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la
tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de
drenador.
En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre
drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente
de drenador que hace que esta sea constante. Cuando
este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta
zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad
de drenador nula.
La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar
el transistor entre drenador y surtidor.
Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y
surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima.

CARACTERSTICAS DE
TRANSFERENCIA
Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la
tensin de puerta.
HOJAS DE CARACTERSTICAS DE
LOS FET
En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs
encontrars los siguientes parmetros (los ms
importantes):
V
GS
y V
GD
.- son las tensiones inversas mximas
soportables por la unin PN.
I
G
.- corriente mxima que puede circular por la unin
puerta - surtidor cuando se polariza directamente.
P
D
.- potencia total disipable por el componente.
I
DSS
.- Corriente de saturacin cuando V
GS
=0.
I
GSS
.- Corriente que circula por el circuito de puerta
cuando la unin puerta - surtidor se encuentra polarizado
en sentido inverso.

Ventajas y desventajas del FET
Las ventajas del FET pueden resumirse como
sigue:
Son dispositivos sensibles a la tensin con alta
impedancia de entrada (del orden de 107 W ).
Como esta impedancia de entrada es
considerablemente mayor que la de los BJT, se
prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada
de un amplificador multietapa.
generan un nivel de ruido menor que los BJT.Los
FET so ms estables con la temperatura que los BJT.
Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que
los BJT pues suelen requerir menos pasos de
enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar
un mayor nmero de dispositivos en un circuito
integrado (es decir, puede obtener
una densidad de empaque mayor).
Los FET se comportan como
resistores variables controlados por tensin
para valores pequeos de tensin de drenaje
a fuente.La alta impedancia de entrada de los FET
les permite almacenar carga el tiempo suficiente
para permitir su utilizacin como elementos
de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia
mayor y conmutar corrientes grandes.

L


Existen varias desventajas que limitan
la utilizacin de los FET en algunas
aplicaciones:
Los FET exhiben una
respuesta en frecuencia pobre
debido a la alta capacitancia
de entrada.
Algunos tipos de FET
presentan una linealidad muy
pobre.
Los FET se pueden daar al
manejarlos debido a la
electricidad esttica.



Tipos de FET
Se consideran tres tipos principales de FET:

1. FET de unin (JFET)
2. FET metal xido semiconductor de empobrecimiento
(MOSFET de empobrecimiento)
3. FET metal xido semiconductor de eriquecimiento (MOSFET
de enriquecimiento)

Con frecuencia el MOSFET se denomina FET de compuerta
aislada (IGFET, insulated-gate FET).



Variacin de la tensin
compuerta a fuente en el FET
Polarizacin de los FET
Anlisis de un amplificador FC
PROBLEMAS
SOLUCION:
EJERCICIOS:
Ejemplo 5
EJERCICIO 6
EJERCICIO 7
Respuesta en frecuencia de los
amplificadores con FETs
RESPUESTA A BAJAS FRECUENCIAS
RESPUESTA A ALTAS FECUENCIAS
DRENADOR COMUN
RESPUESTA A BAJAS FRECUENCIAS
RESPUESTA A ALTAS FRECUENCIAS
PUERTA COMUN
RESPUESTA A BAJAS FRECUENCIAS
RESPUESTA A ALTAS FRECUENCIAS
Los amplificadores con transistores de efecto de campo
proporcionan una ganancia de voltaje excelente con la
caracterstica adicional de una alta impedancia de entrada.
Adems son considerados como configuraciones de bajo
consumo de potencia con un adecuado rango de frecuencia y
un tamao y peso mnimos.

Todos los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo
decremental pueden emplearse para disear amplificadores
que cuenten con ganancias similares de voltaje sin embargo el
circuito MOSFET decremental tiene una impedancia de entrada
mucho mayor que la de una configuracin JFET similar.
Gracias a las caractersticas de impedancia de entrada alta de los FETs
el modelo equivalente de AC para de alguna forma ms simple que el
utilizado por los BJTs. mientras que el BJT cuenta con factor de
amplificacin (beta), el FET cuenta con un factor de
transconductancia gm.

El FET puede emplearse como un amplificador lineal o como un
dispositivo digital en circuitos lgicos. De hecho el MOSFET
incremental es muy popular en los circuitos digitales, especialmente
en los circuitos CMOS que requieren un consumo de potencia muy
bajo. Los dispositivos FET tambin se utilizan ampliamente en
aplicaciones de alta frecuencia y en aplicaciones de circuitos de
interfaz para computadoras.

La A
V
en los FETs con frecuencia menor que la obtenida para un BJT,
pero la Z
i
es mucho mayor que los del BJT, en cambio la Z
0
de salida
son equivalente para ambos. La A
i
ser una cantidad indeterminada
debido a que la corriente de entrada en los FETs es 0A.

Modelo de pequea seal para el FET
2
1
(

=
P
GS
DSS D
V
V
I I
V gm I
D
A = A
Recuerde que en DC, el voltaje de compuerta-fuente contra el nivel de la corriente de
drenaje mediante la ecuacin de SHOCKLEY.
El cambio en la corriente del drenador que se ocasiona por el cambio en el voltaje
compuerta-fuente puede determinarse mediante el uso del factor de
transconductancia gm de la siguiente forma:
gm=transconductancia
DETERMINACION GRAFICA DE gm
GS
D
V
I
gm
A
A
=
Pendiente en el
punto Q
Pto Q=(-2.5 ; 3)
ms gm
V
I
gm
GS
D
8 . 1
1
8 . 1
=
=
A
A
=
I
D
(mA)
V
GS

I
DSS

V
p

Q
3 2
2
4
I
D

V
GS

Curva obtenida mediante
2
1
|
|
.
|

\
|
=
p
GS
DSS D
V
V
I I
DEFINICION MATEMATICA DE gm
|
|
.
|

\
|
=
(

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
(

|
|
.
|

\
|
= =
A
A
=
P
GS
P
DSS
P P
GS
DSS
P
GS
GS
DSS
P
GS
DSS
GS GS
D
PtoQ
GS
D
V
V
V
I
gm
V V
V
I gm
V
V
dV
d
I
V
V
I
dV
d
dV
dI
V
I
gm
1 2
1
1 2
1 2 1 |
Donde |V
p
| denota solo la magnitud parar asegurar un valor positivo de gm
Cuando V
GS
=0 gm alcanza su valor maximo gm
0
, entonces:

0
2 0
1
2
gm
V
I
V V
I
gm
P
DSS
P P
DSS
=
(

=
En las hojas de especificaciones proporcionan gm como Y
fs
donde
Y parmetro de admitancia.
f parmetro de transferencia directa (forward)
s revela que la terminal de la fuente es la referencia del modelo
FS
Y gm =
Para el JFET varia desde 1000 hasta 5000s o de 1-5 ms
Grafica de gm en funcin de V
GS
(

=
P
GS
V
V
gm gm 1
0
Si V
GS
=0 gm=gm
0
Si V
GS
=V
P
gm=O

(

=
P
GS
V
V
gm gm 1
0
Por lo tanto
gm(s)
V
p
V
GS
(V)
gm
0

(

P
GS
V
V
1

Debido a que el factor es < 1 para cualquier V
gs
0, la magnitud

de gm disminuir a medida que V
gs
se aproxime a V
p
y que el cociente se

incremente en magnitud.

p
gs
V
V

IMPACTO DE I
D
SOBRE gm

DSS
D
P
GS
P
GS
DSS
D
P
GS
DSS D
I
I
V
V
V
V
I
I
V
V
I I
=
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
1 1
1
2
2

Ec. de SHOCKLEY:
Entonces
DSS
D
I
I
gm gm
0
=
Se puede graficar gm(s) en funcin de I
D
(mA) con los siguientes datos:

a) Si I
D
= I
DSS

0 0
gm gm
I
I
gm gm
DSS
DSS
= =
b) Si I
D
= I
DSS
/2
0 0
707 . 0
2
gm gm
I
I
gm gm
DSS
DSS
= =
b) Si I
D
= I
DSS
/4
0 0
5 . 0
4
gm gm
I
I
gm gm
DSS
DSS
= =
Ejemplo :
Con I
DSS
=8mA y V
p
=-4V. Graficar gm Vs. I
D
mS
V
I
gm
P
DSS
4
4
8 * 2 2
2
0
= = =
Con I
DSS
=4; gm=2.83ms
Con I
DSS
=2; gm=2ms
gm(ms)
I
D
(mA)
gm
0
=
IMPEDANCIA DE ENTRADA Z
i
DEL FET

En forma de ecuacin:
O = o
i
Z
Para un JFET se tom un valor tpico de 10
9
(1000M), mientras
que a los MOSFETs se tom un valor tpico de 10
12
a 10
15


IMPEDANCIA DE SALIDA Z
0
DEL FET

Es de magnitud similar a la del BJT.
En las hojas de especificaciones se representa como Y
S.

S
d
y
r Z
u
1
0
= =
Q Pto
d
ds
d
I
V
r
.
A
A
=
Con V
GS
constante

En forma de ecuacin:
I
D
(mA)
Q
I
D

V
ds

V
ds

V
GS
=0V
V
GS
=-1V
V
GS
=-2V
V
GS
=-3V
CIRCUITO EQUIVALENTE DE AC PARA EL FET
gm V
GS
r
d
G

S

D

S

CIRCUITO DE POLARIZACIN PARA EL JFET
POLARIZACIN FIJA
Datos:
V
DD
=20v
R
D
=2k
R
G
=1M
V
G
=2V
I
DSS
=10mA
V
P
=-8V
Asumiendo que el Pto Q:
s Y
mA I
V V
S
DQ
gs

u
40
625 . 5
2
=
=
=
Pto. Q
Z
i
Z
0
Vi

V
DD
C
i
R
D
V
G
R
G
Del anlisis DC
mS
V
I
gm
P
DSS
5 . 2
8
10 * 2 2
0
= = =
mS
V
V
gm gm
P
GS
88 . 1
8
2
1 5 . 2 1
0
=
(

=
(

=
O = = = k
S y
r
S
d
25
40
1 1

u
Anlisis AC
MO = = 1
G i
R Z
D d
R r Z //
0
=
Si r
d
10R
D
Z
0
=R
D
2510(2) 1
Z
0
=2k Z
0
=25k//2k= 1.85k
Z
i Z
0
Vi

R
D
R
G
V
0
+
-
G

D

( )
0
0
//
V gs d D
i
V
A V gmV r R
V
= =
Como Vgs = Vi
( )
0
//
i d D
V gmV r R =
Reemplazando valores
( )( )
1.88 1.85
V
A mS k =
( )
D d
i
V
R r gm
V
V
A //
0
= =
( )( )
1.88 2 3.76 3.48
V D V V
A gmR A A = = = ~ =
Autopolarizacin
D d
R r Z //
0
=
i G
Z R =
D d
R r Z //
0
=
; si r
d
10R
D

( )
//
V d D V D
A gm r R A gmR = =
Z
0
V
i
R
D
R
G
V
0
+
G

D

Z
i
-
G

i G
Z R =
0
0
0
i
i
V V
V
Z
V
=
=
Con V
i
=0VV
RG
=0V (cortocircuito)

( )
;
gs D gs gs D
gmV I I V gmV R
u
= + =
( )( )
gs D S
V I I R
u
= +
Por lo tanto en 1: gmVgs=I
D
+I
0
( )( )
D D S
I I gm I I R
u u
+ = +
0 0 D D S S
I I gmI R gmI R + =
| | | |
0
1 1
S D S
I gmR I gmR + = +
0 D
I I =
0
0 0
0
D D
V
Z V I R
I
= =
Y como I
D
=-I
0
0 0 D
V I R =
0
0
0
D
V
Z R
I
= =
Sin considerar r
d
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0
G

D

S

+
-
R
G
R
S
gm V
GS
I
0
I
D
S

Vi

R
D
V
0
G

+
-
R
G
R
S
gm V
GS
I
0
I
D
S

Considerando el efecto de r
d
0
0
0
0
i
D D
i
V V
V I R
Z
V I
=
= =
0
d
r
D gs
d
V
I I gmV I I
r
' '
+ = + =
0 0
0
d d
gs r r gs
gmV V V V V V + = = +
0
0 0
0
0 0
gs
gs
d
gs
gs
d d
V V
I gmV I
r
V
V
I gmV I
r r
+
= +
= + +
Z
i
Z
0
Vi

R
D V
0
G

D

S

+
-
R
S
I
0
I
D
S

R
G
+
-
I

I
0+
I
D

( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
0
0 0
0 0
0 0
0
0 0
0
0 0
1
1
1
1 1
D D
gs D
d d
D D
D S D
d d
D D
S D S D
d d
D D
S D S D
d d d
D D S D D
S D S D
d d d
D
S
I R
I V gm I
r r
I R
I gm I I R I
r r
I R
I gm I R I R I
r r
I R
I gm I R gm I R I
r r r
I R I R I R
I gm I R gm I R I
r r r
I R
I gm I R
r
(
= +
(

(
= + +
(

(
= + + + +
(

( (
= + + + + +
( (

= + + + + +

( )
0
1 1
D S D D
D S D
d d d
S S D
S D S
d d d
I R I R
gm I R I
r r
R R R
I gmR I gmR
r r r
= + + +
( (
+ + = + + +
( (

0
1
1
S D
D S
d d
S
S
d
R R
I gmR
r r
I
R
gmR
r
(
+ + +
(

=
(
+ +
(

0
0 0
1
1
1
1
1
S D
S
D D S
S
d d
d
D
S D
i
S D
S
D S
d d
d d
S
S
d
R R
R
I R gmR
gmR
r r
V r
Z Z R
R R
V
R R
gmR
I gmR
r r
r r
R
gmR
r
(
+ + +
+ +
(

= = =
(
+ + +
+ + +
(

(
+ +
(

Si r
d
10R
D
, entonces
0 D
Z R =
d
D
d
S
S
r
R
r
R
gmR >> + + 1
Para ganancia de voltaje
0
V
i
V
A
V
=
0 D D
V I R =
RS D S
V I R =
;
d
RS
gs gs D
d
RS
gs S D RS i gs RS gs i
r
V V
gmV I gmV I
r
V V
I
V R I Vi V V V V V V

+ = + =

=
= = =
0
0
'
'
0
Sustituyendo tenemos
| |
( ) ( )
i
d
S
d
D
S D
d
S
D
d
D
D S D i D
d
S D D D
S D i D
gmV
r
R
r
R
gmR I
r
R
I
r
R
I R gmI mgV I
r
R I R I
R I V gm I
=
(

+ + +
=

+ =
1
d
S D
S
D i
D D
d
S D
S
i
D
r
R R
gmR
R gmV
R I V
r
R R
gmR
gmV
I
+
+ +
=
+
+ +
=
1
1
0
d
S D
S
D
i
r
R R
gmR
gmR
V
V
+
+ +
=
1
0
; Si r
d
10(R
D
+R
S
)

S
D
V
gmR
gmR
A
+
=
1
3) Divisor de voltaje
2 1
// R R Z
i
=
D D d
R Z R r = >
0
10
Si
V V
D d
i
R r Z
0
0
//
=
=
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0
R
S
R
1
R
2
R
S
2 1
// R R Z
i
=
D D d
R Z R r = >
0
10
; Si
V V
D d
i
R r Z
0
0
//
=
=
Con desvo
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0
G

R
1
R
2
+

S

( )
( )
D d V
gs
D d
V
R r gmVgs A
V
R r gmVgs
A
//
//
=

=
D d
R r 10 >
Si
D V
gmR A =
i
V
V
V
A
0
=
( )
D d gs gs i
R r gmV V V V //
0
= . =
Sin Desvo
2 1
// R R Z
i
=
El circuito es de forma similar al anterior con el efecto de
d
r
D
d
D
d
S
S
d
S
S
R
r
R
r
R
gmR
r
R
gmR
Z
+ + +
+ +
=
1
1
0
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0 G

R
1
R
2
+

S

R
S
D

Si
; entonces
d
D
d
S
S
r
R
r
R
gmR >> + + 1
D
R Z =
0
d
D S
S
D
V
r
R R
gmR
gmR
A
+
+ +
=
1
D d
R r 10 >
Si ( )
S D d
R R r + >10
; entonces
S
D
V
gmR
gmR
A
+
=
1
Fuente Seguidor (Drenaje Comn)
G i
R Z =
Z0 al hacer V
i
=0V
se obtiene el
siguiente circuito.
gs
V V =
0
LCK en el nodo S
S d
R r
R
V
r
V
gmVgs I
I I gmVgs I
S d
0 0
0
0
+ = +
+ = +
Z
i
Z
0
Vi

R
S
V
0 G

R
G
+

S

D

+

-

V
gs
V
0
+

-

Z
0
R
S
r
d
gmV
gs
V
gs
I
0
+

-

S

(

+ + =
=
(

+ =
gm
R r
V I
V Vgs gmVgs
R r
V I
S d
S d
1 1
;
1 1
0 0
0 0 0
gm
R r
gm
R r
V
V
I
V
Z
S d
S d
1
1 1 1
1
1 1
0
0
0
0
0
+ +
=
(

+ + /
/
= =
La cual tiene el formato que la
resistencia total de 3 resistencias
en paralelo
;
gm
R r Z
S d
1
// //
0
=
;Si r
d
10R
S


gm
R Z
S
1
//
0
=
i
V
V
V
A
0
=
( )
( )( ) ( ) ( )
( ) | | ( )
S d i S d
S d S d i S d i
i
S d
R r gmV R r gm V
R r gmV R r gmV R r V V gm V
V V Vgs
R r gmVgs V
// // 1
// // //
//
0
0 0 0
0
0
= + =
= =
=
=
( )
( )
S d
S d
i
V
R r gm
R r gm
V
V
A
// 1
//
0
+
= =
Si no hay r
d
r
d
10R
S
S
S
V
gmR
gmR
A
+
=
1
Compuerta Comn
Impedancia de entrada Z
i
I
V
Z
'
'
=
'
V V Vgs
i
'
= =
;
d
Ir gmVgs I = +
'
gmVgs Ir I
d
=
'
gmVgs
r
R I V
I
d
D

'

'
=
'
| | V gm
r
R I
r
V
I
d
D
d
'

'

'
=
'
(

+
'
=
(

+
'
gm
r
V
r
R
I
d d
D
1
1
d
D d
i
d
d
D
i
gmr
R r
Z
r
gm
r
R
I
V
Z
+
+
=
(

+
(

+
=
'
'
=
'
1
1
1
d
D d
i
d
d
D
i
gmr
R r
Z
r
gm
r
R
I
V
Z
+
+
=
(

+
(

+
=
'
'
=
1
1
1
Si r
d
10R
S


gm
Z
i
1
=
'
gm
R Z
S i
1
// =
.
V V
i
I
V
Z
0
0
0
0
=
=
Impedancia de salida

d D
r R Z //
0
=
Si rd 10RS
D
R Z =
0
GANANCIA DE VOLTAJE
i
V
V
V
A
0
=
- +
r
d
gm V
GS
R
D
Z
0
Z
i
R
S
G

-S

D

+
-
V
0
V
i
d
i
r
i r
D D
gs i
r
V V
I
V V V
R I V
V V
d
d

=
=
=
=
0
0
0
(

+ =
(

+ =
+ =
(

=
+

=
(


=
= + +
D
d
D
i
d
D
d
D
i
d
D i
D i
d
i
i
d
i
sg
d
i
D
D gs r
gmR
r
R
V
r
R
V
r
R V
gmV
r
R V
R gmV
r
V V
V
gmV
r
V V
gmV
r
V V
I
I gmV I
d
1
0
0
0 0
0
0 0
d
D
d
D
D
i
V
r
R
r
R
gmR
V
V
A
+
+
= =
1
0
Si r
d
10R
D
+
-
+
-
A
v
=gmR
D

MODELO AC PARA MOSFETs DEL TIPO DECREMENTAL
El hecho e que la ecuacin de Schockley sea tambin aplicable a los
MOSFETs de tipo decremental da por resultado una misma ecuacin
para gm. De hecho el modelo equivalente de Ac para los MOSFETs
decremental es EXACTAMENTE el mismo que el utilizado para los FETs.

La nica diferencia que presentan los MOSFETs decremental es que V
GS

que puede ser positivo para los dispositivos de canal n y negativo para
los de canal p. El resultado de esto es que gm puede ser mayor que
gm
0.


El rango de r
d
es muy similar al que se encuentra para los JFETs

gm V
GS
G

S

+
-
Configuracin DIVISOR DE VOLTAJE
18V
110M
10M 150
1.8K
Z
i
Z
0
Datos:
I
DSS
=6mA
V
P
=-3V
Y
OS
=10S

Del anlisis DC:
V
BSQ
=0.35V
I
DQ
=7.6mA


mS
V
I
gm
P
DSS
4
3
6 * 2 2
0
= = =
mS mS gm
V
V
gm gm
P
BSQ
47 . 4
3
35 . 0
1 4
1
0
=
(

=
(

=
O = = = k
S y
r
OS
d
100
10
1 1

Anlisis AC:
V
i
1.8K
10M
110M
Z
i
100K
-
+
-
+
-
V
0
G

S

D

4.47*10
-3
V
gs
MO =
M M =
17 . 9
10 // 110
i
i
Z
Z
0 0
0
8 . 1 77 . 1
8 . 1 // 100
Z R k k Z
k k Z
D
= = ~ O =
=
Porque r
d
10R
D
100k 10(1.8k) 1
( )
05 . 8
8 . 1 47 . 4
=
=
=
V
V
D V
A
k mS A
gmR A
MOSFET`S DE TIPO INCREMENTAL
CANAL P
CANAL N
G
fs
gm = ;
os
d
y
r
1
=
gm V
GS
Del anlisis DC: | |
2
th
gs gs D
V V k I =
Como:
gs
D
V
I
gm
A
A
=
| | ( )( ) 0 1 2
2
= =
th
gs gs
th
gs gs
gs
V V k V V k
dV
d
gm ( )
th
gs
Q
gs
V V k gm = 2
1) Configuracin de Retroalimentacin en Drenaje
Z
i
Z
0
V
0
Vi

R
D
R
F
V
DD
C
2
C
1
Z
i
V
i
V
0
Z
0
S

R
D
gm V
GS
+
-

+

I
i
I
i
R
F
G
D

Impedancia de entrada:
i
i
i
I
V
Z =
D d
gs i
R r
V
gmV I
//
0
+ =
( )( ) gmVi I R r V
R r
V
gmV I
i D d
D d
i i
= = //
//
0
0
;
i gs
V V =
( )( )
( ) ( )
( ) | | ( ) | |
D d i D d F i
i D d i D d i F i
F
i i D d i
F
i
i
R r gm V R r R I
gmV R r I R r V R I
R
gmV I R r V
R
V V
I
// 1 //
// //
//
0
+ = +
+ =

=

( )
( )
D d
D d F
i
R r gm
R r R
Z
// 1
//
+
+
=
Por lo general R
F
>> r
d
//R
D


( )
D d
F
i
R r gm
R
Z
// 1+
=
Si r
d
>> 10R
D

D
F
i
gmR
R
Z
+
=
1
Impedancia de Salida
V V
i
I
V
Z
0
0
0
0
=
=
A gmV V V
gs gs
0 0 = . =
Z
0
R
D
R
F
r
d
V
i
=V
p
=0V
D d F
R r R Z // //
0
=
Como: R
F
>> r
d
//R
D

D d
R r Z //
0
=
Y si r
d
>>10R
D
D
R Z =
0
Ganancia de Voltaje
?
0
= =
i
V
V
V
A
D d
gs i
R r
V
gmV I
//
0
+ = ;
i gs
V V =
e
F
i
i
R
V V
I
0

=
(

+ =
(

+ =
+ =

F D d F
i
D d
i
F F
i
D d
i
F
i
R R r
V gm
R
V
R r
V
gmV
R
V
R
V
R r
V
gmV
R
V V
1
//
1 1
//
//
0
0 0
0 0
F D d
F
i
V
R R r
gm
R
V
V
A
1
//
1
1
0
+

= =
Como: gm >> 1/R
F

D F d
V
R R r
gm
A
1 1 1
+ +

=
( )
D d F V
R r R gm A // // =
Por lo general R
F
>> r
d
//R
D
y r
d
>> 10R
D

D V
gmR A =
2) Configuracin de Divisor de Voltaje
D d
i
R r Z
R R Z
//
//
0
2 1
=
=
; si >>10
d
r
D
R Z =
0
) // (
0
D d
i
V
R r gm
V
V
A = =
; si
>>10
d
r
D V
gmR A =
Z
i
V
i
Z
0
V
0
G

S

r
d
R
D
R
1
R
2
gm
V
GS
+
Z
i
Z
0
R
1
R
2
V
0
C
1
C
S
R
S
DISEO DE REDES DE AMPLIFICADOR FET
Disee la red de polarizacin fija para que tenga ganancia AC de 10. Es decir
determine el valor de R
D
Debido a
que:

0
0 gm gm V V
gs
= =
( )
k r R
r R
mS
r R gm A
d D
d D
d D V
2 //
//
5
10
//
0
=
=

=
mS
V
I
gm
p
DSS
5
4
10 * 2 2
0
= = =
I
DSS
=10mA
V
p
=-4V
y
OS
=20S

V
DD
=30V
Vi
R
D
10M
0.1F
O =
= =
k r
S y
r
d
os
d
50
20
1 1

( )
k
R k
R k
D
D
2
50
50
=
+
k kR
kR k kR
D
D D
100 48
2 100 50
=
=
O = k R
D
08 . 2
( )( )
MO =
O = =
10
2 10 30
i
D D DD DSQ
Z
k mA R I V V
k k R r Z
D d
50 // 2 //
0
= =
O = ~ O = k R k Z
D
2 92 . 1
0
EJERCICIOS
LOS SIGUIENTES EJERCIOS SON
AMPLIFICADORES EN MULTIETAPA
LOS CUALES TIENEN LOS TRES
TIPOS DE TRANSISTORES VISTO
EN CLASE
20V
150k
V
i
8.6M
R
E
1k
Q
1
Q
2
I
D
I
D
Z
i
Z
0
Datos:
Q
1
: I
DSS
=10mA ; V
p
=-4V
Q
2
: I
DSS
=4mA ; V
p
=-5V
Q
3
: =50 ; V
BC
=0.7V

Calcule:
a) Puntos de Operacin,
b) Expresin literal para A
V
, Z
i
, Z
0
c) Evale del literal b
EJEMPLO
Anlisis DC:

Se obtiene:
Q
3
: I
BQ
=92.4A
Q
1
: V
gs1
=-1.44V
Q
2
: V
gs2
=0V

Anlisis AC:
150k
V
i
8.6M
Z
Mi
1k
R
3
R
1
R
E
G

B

S

D

C

E

V
0
Z
M0
I
BQ
gm V
gs1
hie
h
fe
+
-
V
B
Q
1
AV
1
AV
2
Q
1
mv
mA
gm
mv
mA
gm
V
V
V
I
gm
p
gs
p
DSS
6 . 1
5
0
1
5
4
2
2 . 3
4
44 . 1
1
4
10
2
1
2
2
1
=
(

=
=
(

=
(
(

=
O = = = k
A
mV
I
mV
hie
BQ
279 . 0
4 . 92
26 26

En Q
2
: V
gs2
=0 ; V
s2
=0
V
gs2
=0 ; gmV
gs
=0 Abierto
2
1
0
1
R Z
V
V
A
M
i
B
V
=
~ =
M = 2
0
M
Z
Datos:
Q
1
: I
DSS
=10mA ; V
p
=-4V
Q
2
: k=0.3mA/V
2
; V
TH
=1V ; V
gsq
=8V


Q
3
: =50 ; V
BC
=0.7V ; I
bq
=10A

i
V
i
V
V
V
A
V
V
A
02
1
01
1
=
=
i
Z
0
Z
; ;
R
1
+V
cc
R
4
R
2
R
3
R
5
V
i
8M

150M

2M

B

A

2
2
2
1
1
1
2k

1k

V
01
V
02
Z
i
Z
0
V
g1
=0
V
s1
=0


V
gs1
=0
Q
3
EJEMPLO
O = = = k
A
mV
I
mV
hie
bq
6 . 2
10
26 26

| |
( )| | mv gm
V V k gm
T gs
2 . 4 1 8 3 . 0 2
2
2
2
= =
=
mv
mA
gm
V
I
gm
V
V
gm gm
p
DSS
p
gs
5
4
0
1
4
10
2
2 1
1
0 0 1
=
(

=
=
(
(

=
V
01
R
1
R
4
R
2
R
3
R
5
V
i
8M

150M

2M

A

2k

1k

V
02
Z
0
B

G
2
D
2
S
2
gmV
gs2

gmV
gs1

C
3
b
3
V
gs1

hie
h
fe
I
b3
e
3
I
b3
R
1
R
2
R
3
V
i
8M

150M

2M

A

B

gmV
gs2
V
gs2

+
-
I
i
I
1
I
2
I
3
V
01
R
4
2k

V
02
C
3
b
3
hie
h
fe
I
b3
e
3
i
A
A i
V
V
V
V
V
V
V
A = =
01 01
1
LCK nodo A

( )
( )
( )
(
(

+ +
+ = +
+ +
+ = +

+ = +
5 3
2 2
2 2
5 3
2
2
3
2
2 2
1
1 1
1
3
R h hie R
V V gm V gm
R
V
R
V
R h hie
V
R
V
V V gm
R
V V
I I V gm I
fe
A A i
A
fe
A A
A i
A i
b gs
i
I
b3
R
5
1k

+
-
V
A

(
(

+ + + =
|
|
.
|

\
|
+ gm
R RR R
V gm
R
V
b
A i
2 3
2
2
1 1 1 1
3
RR
b3
2
2 3
2
2
1 1 1
1
3
gm
R RR R
gm
R
V
V
b
i
A
+ + +
+
=
( )( ) 994 . 0 853 . 1
1 1 1
1
1
3
3
1
2
2 3
2
2
4
=
+ + +
+
=
V
b
b
fe
V
A
Evaluando
RR
gm
R R
gm
R
RR
R h
A
853 . 1
1
=
V
A
( )
( )
( )
( )
( )
853 . 1
01
3 3 3
3
01
3 3
3
01
4 4
4
=

=
=
=
A
A
V
V
Evaluando
RR
R h
RR I
R I h
V
V
RR I V
R I h V
b
fe
b b
b fe
b b A
b fe
994 . 0 =
i
A
V
V
Evaluando
( )
( )
( )
( )
( )
951 . 0
1 1
1
02
3 3 3
3
02
3 3
3 3
02
5 5
5 5
=
+
=
+
=
=
+ = =
A
A
V
V
Evaluando
RR
R h
RR I
R I h
V
V
RR I V
R I h R I V
b
fe
b b
b fe
b b A
b fe e
( )
( )( ) 994 . 0 951 . 0
1 1 1
1
1
2
3
3
2
2 3
2
2
5
=
+ + +
+
+
=
V
b
b
fe
V
A
Evaluando
gm
RR R R
gm
R
RR
R h
A
945 . 0
2
=
V
A
Impedancia de Entrada:
i
i
i
Z
V
Z =
LCK nodo B

M M M R
A
R R i
i
VA
i i
VA i i i
i
V
R
V
V
i i A i i
i
A i i
i
i
VA
i
i
A
I
V
R
A
R R
V I
R
A V
R
V
R
V
I
R
V
R
V
R
V
R
V
R
V
I
R
V V
R
V
I
I I I
2
994 . 0
2
1
8
1 1 1
2 2 1
2 2 1
2 1 2 2 1
2 1
2 1
1 1
1 1
2 2 1
2
+
=
+
=
|
|
.
|

\
|
+ =
+ =
+ = + =

+ =
+ =
| | MO = 8125 . 7
i
Z
Impedancia de Salida:
'
'
0
0
0
Z
V
Z =

cc
CA
I
V
Z
0
0
=
( )
i CA
A
CA
V
i
V V
V
V
A
V
V
853 . 1
0
0 01
1
= = =
3
'
b fe cc
I h I =
( ) ( ) 1
994 . 0
1
994 . 0

5 5
3
+ +
=
+ +

=
fe
i
fe
i A
b
h R hie
V
h R hie
V V
I
;
( )
( )
Evaluando
RR
h
RR
V
h
V
Z
b
fe
b
i
fe
i
994 . 0
853 . 1
994 . 0
853 . 1
3
3
0
=


=
k Z 999 . 1
0
=

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