ORIGEN

La fotorresistencia surgi como resultado de varios descubrimientos

entre los que cabe destacar la invencin de la resistencia por parte de George Ohm en 1827, posteriormente fueron investigadas las teoras de Albert Einstein sobre el efecto fotoelctrico, el cual tuvo como base las teoras anteriormente expuestas por Max Planck, ambos son considerados los padres de la teora cuntica. Por ltimo Willoughby Smith descubridor de la fotoconductividad lo que fue clave para que aos despus, mitad del siglo XX, se crearan y patentaran las primeras fotorresistencias en EEUU.

 Un fotorresistor o fotorresistencia es un componente electrnico cuya

resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente.

FOTORRESISTORES

La relacin entre la resistencia (R) de una fotorresistencia y la intensidad luminosa (L, en lux) recibida, no es lineal y viene dada por la ecuacin de la imagen siguiente, donde A es una constante que depende de la configuracin geomtrica del componente y propiedades internas y es una constante del material de fabricacin.

Los materiales fotosensibles ms utilizados en la fabricacin de una LDR son el sulfuro de talio, el sulfuro de cadmio, el seleniuro de cadmio y el sulfuro de plomo. Estos materiales se colocan encapsulados en vidrio o resina. Los valores tpicos de para fotorresistencias de SCd que trabajan en el espectro visible estn comprendidos en el intervalo 0.7 y 0.9. Algunas caractersticas importantes en estos componentes son el margen de longitudes de onda de luz a los que son sensibles o respuesta espectral (desde la luz infrarroja, posando por la luz visible, y hasta luz ultravioleta), la velocidad de variacin de su resistencia al ser expuesta a la luz y su disipacin mxima de potencia.

 Si bien los valores que puede tomar una LDR en total oscuridad y a
plena luz puede variar un poco de un modelo a otro, en general oscilan entre unos 50 a 1000 ohmios (1K) cuando estn iluminadas (por ejemplo, con luz solar) y valores comprendidos entre 50K (50,000 Ohms) y varios megohmios (millones de ohms) cuando est a oscuras.

Las LDR son fcil de implementar, baratos y sensibles pero presentan un

retardo en la variacin del valor resistivo, siendo diferente si pasa de oscuridad a luminisidad o de luminisidad a oscuridad. Debido a este retardo la LDR no se debera utilizar en aquellas aplicaciones donde la seal luminosa vare muy rpidamente (tiempos de respuesta inferiores a una dcima de segundo).

Principales caractersticas de las fotorresistencias:

Los valores tpicos varan entre 1 M, o ms, en la oscuridad y 50 con luz brillante. Voltaje mximo (600V). Respuesta Espectral. El tiempo de respuesta tpico de un LDR est en el orden de una dcimas

Ventajas de las fotorresistencias:

Alta sensibilidad (debido a la gran superficie que puede abarcar). Fcil empleo. Bajo costo. No hay potencial de unin. Alta relacin resistencia luz-oscuridad.

Desventajas de las fotorresistencias:

Estabilidad por temperatura baja para los materiales ms rpidos. La

variacin del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en aplicaciones en las que la seal luminosa vara con rapidez.

Respuesta lenta en materiales estables. Falta de linealidad entre resistencia e iluminacin.

Algunas de las principales aplicaciones de estos componentes son los
controles de iluminacin, troceador para amplificadores de corriente continua, control de circuitos con rels, en alarmas, luces de calles, etc

FOTODIODOS

 El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero

tiene una caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).

Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas

fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo

TIPOS DE FOTODIDOS

Fotodiodo PIN El fotodiodo PIN es un diodo semiconductor al que se le ha introducido una zona intermedia llamada intrnseca para que la eficiencia del fotodiodo sea alta.

El problema que presenta es que el tiempo de trnsito de los fotoportadores es mayor, aumentando el tiempo de respuesta. Por este motivo, el tamao de la zona intrnseca se escoge segn un compromiso entre eficiencia y tiempo de respuesta.

El fotodiodo APD o de avalancha es un fotodiodo con ganancia interna debido al efecto de avalancha. El par electrn-hueco inicial se crea por la absorcin de un fotn. Este par inicial provoca pares secundarios, la corriente secundaria.

Las diferencias del APD con respecto al PIN son:

Tiene una sensibilidad superior, lo que permite detectar niveles de potencia menores.

Tiene un mayor margen dinmico de entrada ptica, logrando ms fidelidad. Es ms complejo y caro. Introduce ms ruido. Consume ms potencia. La ganancia depende de la temperatura, por lo que necesita un control de

A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo.
Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.

Usados en fibra ptica

SENSOR CCD

Es un circuito integrado que contiene un nmero determinado de condensadores enlazados o acoplados. Bajo el control de un circuito interno, cada condensador puede transferir su carga elctrica a uno o a varios de los condensadores que estn a su lado en el circuito impreso. Los detectores CCD, al igual que las clulas fotovoltaicas, se basan en el efecto fotoelctrico, la conversin espontnea de luz recibida en corriente elctrica que ocurre en algunos materiales. La sensibilidad del detector CCD depende de la eficiencia cuntica del chip, la cantidad de fotones que deben incidir sobre cada detector para producir una corriente elctrica. El nmero de electrones producido es proporcional a la cantidad de luz recibida (a diferencia de la fotografa convencional sobre negativo fotoqumico). Al final de la exposicin los electrones producidos son transferidos de cada detector individual (fotosite) por una variacin cclica de un potencial elctrico aplicada sobre bandas de semiconductores horizontales y aisladas entre s por una capa de SiO2.

APLICACIONES EN LA FOTOGRAFA

Una forma de entender como funcionan es imaginarse al sensor como un arreglo (matricial) en dos dimensiones con miles (o millones) de celdas solares en miniatura, donde cada una de las celdas convierte la luz de una pequea porcin de la imagen (un pxel) en electrones. Lo siguiente es realizar la lectura del valor correspondiente a cada una de las celdas. En un sensor CCD, la informacin de cada una de las celdas es enviada a travs del chip hacia una de las esquinas del arreglo, y ah un convertidor anlogo a digital traduce el valor de cada una de las celdas. De esta manera, se mantiene simple la estructura del sensor, a costa de la necesidad de una circuiteria adicional importante que se encargue del tratamiento de los datos recogidos por el

Caractersticas

Es sensible a la luz y trabaja a manera de lneas de pixeles con una cobertura de los colores primarios (RGB). Es ms sensible a la luz que el CMOS. Consume ms energa, as que la batera puede agotarse ms rpido. Captura un rango ms amplio de tonos (luces brillantes, tonos medios y sombras) en las fotografas.