MEMORIAS Y ALMACENAMIENTO

PRESENTADO POR: ADRIAN OMAR BARON TORO

Bibliografa: FLOYD, Thomas. DIGITAL FUNDAMENTALS, 9th Ed., Prentice Hall, 2005. Captulo 10

FACULTAD DE INGENIERAS FSICO-MECNICAS ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES BUCARAMANGA

OBJETIVOS ESPECFICOS
Definir las caractersticas bsicas de las memorias. Explicar qu es una memoria RAM y cmo funciona. Explicar la diferencia entre RAM esttica (SRAM, Static RAM) y RAM dinmica (DRAM, Dynamic RAM). Explicar qu es una memoria ROM y cmo funciona. Describir los distintos tipos de memorias PROM. Estudiar las caractersticas de las memorias flash.

Principios de las memorias semiconductoras

La memoria es la parte de un sistema que almacena datos binarios en grandes cantidades. Las memorias semiconductoras estn formadas por matrices de elementos de almacenamiento que pueden ser latches(flipflops) o condensadores.
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 La unidad menor de datos binarios es, como ya sabemos, el bit. En muchas aplicaciones, se tratan los datos en unidades de 8 bits, denominadas bytes o en mltiplos de unidades de 8 bits. El byte se puede dividir en dos unidades de 4 bits, que reciben el nombre de nibbles. Una unidad completa de informacin se denomina palabra y est formada, generalmente, por uno o ms bytes.
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 MATRIZ DE MEMORIA
Cada elemento de almacenamiento en una memoria puede almacenar un 1 o un 0 y se denomina celda.

 La posicin de una unidad de datos en una matriz de memoria se denomina direccin.

DIRECCION Y CAPACIDAD DE LA MEMORIA

 La operacin de escritura coloca los datos en una posicin especfica de la memoria y la operacin de lectura extrae los datos de una direccin especfica de memoria.

Operaciones bsicas de las memorias

 Las RAM son memorias de lectura-escritura en las que los datos se pueden escribir o leer en cualquier direccin seleccionada en cualquier secuencia. Debido a que las memorias RAM pierden los datos almacenados cuando se desconecta la alimentacin, reciben el nombre de memorias voltiles.
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Memorias de acceso aleatorio (RAM, Random-Access Memory)

RAM esttica (SRAM)

Las RAM estticas utilizan generalmente latches (flipflops) como elementos de almacenamiento y, por tanto, pueden almacenar datos de forma indefinida siempre que se aplique una alimentacin continua.

RAM esttica (SRAM)

Para leer una unidad de datos, la lnea de lectura se lleva a su estado activo lo que causa que los 4 bits de datos almacenados en la fila seleccionada aparezcan en las lneas de I/O. Su operacin no esta sincronizada con el reloj del sistema. En modo lectura, los 8 bits de datos que estn almacenados en la direccin seleccionada, aparecen en las lneas de salida de datos. En modo escritura, los 8 bits de datos que se aplican a las lneas de entrada de datos, se almacenan en la direccin seleccionada.

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RAM esttica (SRAM)

Diagrama lgico para una SRAM Asncrona de 32k x 8

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SRAM sncrona de rfaga (SB SRAM)

La SRAM sncrona se sincroniza con el reloj del sistema. En una computadora, la SRAM sncrona opera con la misma seal de reloj que opera el microprocesador, con lo que se consigue una operacin mas rpida.
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Memoria cach
Memoria de alta velocidad y relativamente pequea que almacena los datos o instrucciones ms recientemente utilizados de la memoria principal, ms grande pero ms lenta. En conjunto, la memoria cach hace que el microprocesador pueda acceder a la informacin almacenada mucho ms rpido que si slo se empleara memoria DRAM de alta capacidad.

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Cachs L1 y L2
Las cachs de nivel 1 (cach L1) estn usualmente integradas en el chip del procesador y tienen una capacidad de almacenamiento muy limitada. Una cach de nivel 2 (cach L2) es un chip o conjunto de chips de memoria independiente, externo al procesador, y usualmente dispone de una capacidad de almacenamiento mayor que una cach L1.
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Memorias de slo lectura (ROM)

Una ROM almacena datos que se utilizan repetidamente en las aplicaciones, tales como tablas, conversiones o instrucciones programadas para la inicializacin y el funcionamiento de un sistema. Las ROM mantienen los datos almacenados cuando se desconecta la alimentacin y son, por tanto, memorias no voltiles.
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La familia de las memorias ROM

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La familia de las memorias ROM

La PROM, o ROM programable, es aquel tipo de ROM en la que el usuario, con ayuda de equipos especializados, almacena elctricamente los datos. La EPROM, o memoria PROM borrable (erasable PROM) es exclusivamente un dispositivo MOS.

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La familia de las memorias ROM

La UV EPROM puede ser programada elctricamente por el usuario, pero los datos almacenados deben borrarse mediante la exposicin a la luz ultravioleta durante un perodo de varios minutos. La PROM borrable elctricamente (EEPROM o E2PROM, Electrically Erasable PROM) se puede borrar en unos pocos milisegundos.
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Memorias flash Hay tres operaciones principales en una memoria flash: la operacin de programacin la operacin de lectura la operacin de borrado
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Memorias flash
Las memoria flash estn fabricadas con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los 0s 1s correspondientes.

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Memorias flash
Para modificar los valores de las celdas (borrar o escribir) se le debe aplicar una descarga elctrica (que va de los 0 a los 13 voltios) que transfiere (0) o no (1) electrones. Kingston es la compaa que en la actualidad tiene en el mercado la memoria flash USB con mayor capacidad (256Gb), aunque tiene un precio muy elevado 1.108 dlares.
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Comparacin de las memorias flash con otras memorias

Las memorias disponibles se pueden ampliar para incrementar la longitud de palabra (nmero de bits en cada direccin) o la capacidad de palabra (nmero de direcciones diferentes), o ambas. La expansin de memoria se consigue aadiendo el nmero apropiado de chips de memoria a los buses de direccin, datos y control.
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Expansin de memorias

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Expansin de la longitud de palabra

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Una ROM de 64k x 8 utilizando dos de las anteriores

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Una ROM de 64k x 16 utilizando cuatro de la primera figura

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Tipos especiales de memorias

Memorias FIFO (First In-First Out) Este tipo de memoria est formado por una disposicin de registros de desplazamiento. First In-First Out, primero en entrar primero en salir. el primer bit de datos que se escribe es el primero que se lee.
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Tipos especiales de memorias

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Tipos especiales de memorias

Memorias LIFO (Last In-First Out) Permiten almacenar datos y luego extraerlos en orden inverso; es decir, el ltimo byte de datos almacenado es el primer byte de datos que se recupera.

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Tipos especiales de memorias

Memorias CCD La memoria CCD (charge-coupled device, dispositivo de acoplamiento de carga) almacena los datos como cargas de condensador. Sin embargo, a diferencia de la RAM dinmica, la celda de almacenamiento no incluye un transistor. La principal ventaja de estas memorias CCD es su alta densidad.
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Tipos especiales de memorias

Memorias CCD

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GRACIAS!!!
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