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Fsica 4. Ing. Christian Aldaco.

El

primer transistor creado fue el de puntas de contacto en 1947 por John Bardeen

1948

Shockley propuso el transistor bipolar de unin (npn pnp)

1948 Shockley propuso el transistor bipolar de unin (npn pnp)

Zona de trabajo Directa-Inversa Activa Directa-DirectaSaturacin Inversa-InversaCorte Inversa-Directa Activa inversa


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1951

Teal, Spark y Buehler construyeron el primer transistor de union bipolar con posibilidades de comercio

1.

Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas) Oxidacin Litografa y Grabado Impurificacin

2. 3. 4.-

1.

El primer paso en la fabricacin de un dispositivo semiconductor es obtener materiales semiconductores, como germanio y silicio, del nivel de impurezas deseado. Los niveles de impurezas de menos de una parte en mil millones (1 en 1.000.000.000) se requiere para la mayor parte de la fabricacin de semiconductores de hoy da.

silicio

Germanio.

La materia prima se somete primero a una serie de reacciones qumicas y a un proceso de refinacin de zona para formar un cristal poli cristalino del nivel deseado de pureza. Los tomos del cristal poli cristalino se acomodan al azar, mientras que en el cristal deseado los tomos se acomodan en forma simtrica, uniforme, con estructura geomtrica en enrejado.

La

operacin final antes de que la fabricacin del semiconductor se lleve a cabo es la formacin de un solo cristal de germanio o silicio. Esto se puede lograr usando la tcnica de Czochralski o la de zona flotante, la ltima es la que se ha diseado recientemente. El aparato empleado en la tcnica de Czochralski se muestra en la siguiente diapositiva.

Este

mtodo es utilizado para la obtencin de silicio monocristalino mediante un cristal semilla depositado por un bao de silicio. Es de amplio uso en la industria electrnica para la obtencin de wafers u obleas, destinadas a la fabricacin de transistores y circuitos integrados.

El mtodo consiste en tener un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor fundido, por ejemplo germanio. La temperatura se controla para que est justamente por encima del punto de fusin y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeo monocristal del mismo semiconductor que acta como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, ste se agrega a la semilla, solidificndose con su red cristalina orientada de la misma forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando un monocristal cilndrico. Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la fusin por zonas para purificarlo.

Proceso de la creacin de los cristales

Crisol usado en el proceso

Crisol despus del proceso

Lingote de silicio monocristalino

El proceso parte de un cilindro de silicio policristalino Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a la semilla Una pequea zona del cristal se funde mediante un calentador por radio frecuencia que se desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla El Si fundido es retenido por la tensin superficial entre ambas caras del Si slido Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el silicio monocristalino se solidifica en el extremo inferior de la zona flotante y crece como una extensin de la semilla

Cristal de silicio en el inicio del proceso de crecimiento

Crecimiento del cristal de silicio

La

estructura del cristal simple producida puede cortarse en obleas algunas veces tan delgadas como 1/1000 ( 0.001) de pulgada

Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de apertura cilndrica calentado por resistencia T entre los 850 y 1100C

Dos tipos de oxidacin: Seca y hmeda Oxidacin Hmeda Se introduce vapor de agua en el horno Si(s) +2H2O(g) SiO2(s) + 2H2(g) Es mucho mas rpida y se utiliza para crear xidos gruesos

Oxidacin seca Se introduce gas de oxigeno puro Si(s) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g) Se consiguen xidos de mayor calidad pero es ms lenta
Esta tcnica no es apropiada para la creacin de xidos gruesos ya que se puede producir una redistribucin de las impurezas introducidas en los anteriores procesos

Tipos de Hornos
Horno vertical

Horno horizontal

Se cubre la oblea con una fotoresina +oSe hace incidir luz U.V. a travs de una mascara Se ablanda (+) o se endurece (-) la resina expuesta

Se elimina la fotoresina no polimerizada con tricloroetileno Grabado: se ataca con HCl o HF y se elimina el SiO2 no protegido por la fotoresina

Se elimina la fotoresina con un disolvente Sulfrico SO4H2

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Grabado
Hmedo y Seco

(a) Hmedo:
Bao de cido fluorhdrico o clorhdrico que ataca SiO2 no protegido, pero no ataca al Si. Gran selectividad Problema: ataque isotrpico igual en todas las direcciones

(b) Seco:
Se usa un plasma con un gas ionizado Grabado Fsico o qumico Ataque anistropo Menor selectividad
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4) Impurificacin (adicin de dopantes)

Dos mtodos: Difusin e implantacin inica

Difusin Se colocan las obleas en el interior de un horno a travs del cual se hace pasar un gas inerte que contenga el dopante deseado.

T entre 800 y 1200 C Para Si tipo P el dopante ms usual es el Boro y para tipo N se usa el Arsnico y Fsforo. Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango de temperatura de difusin.
Se puede distinguir entre dos formas al realizar la difusin:
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a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene concentracin de impurezas durante el proceso

la

misma

b) Con fuente limitada: se parte de una concentracin inicial y no se aaden mas dopantes Normalmente se usan los dos mtodos uno seguido del otro.

La profundidad de la difusin depender del tiempo y de la temperatura.


La concentracin de dopante disminuye montonamente a medida que se aleja de la superficie. La tcnica de difusin tiene el problema de que las impureza se difunden lateralmente

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