Tiri Stores

CONTENIDO:
Introduccin

Definicin: El tiristor (SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado
de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones
PN con la disposicin PNPN. Est formado por tres terminales, llamados Anodo,
Ctodo y Puerta. El instante de conmutacin, puede ser controlado con toda
precisin actuando sobre el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional,
conmutador casi ideal y rectificador.

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS
Estructura
y caracteristica V-I

En la fabricacin se emplean tcnicas de difusin y
crecimiento epitaxial. El material bsico es el Si.
Conduccin
Bloqueo directo
Bloqueo inverso
TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA
Y CARACTERSTICAS
Estructura

( )
S
kt qv
S S3 S1 A
I 1 e I I I I ~ = = =
CO E C
I I I + =o
( )
CO E B
I I 1 I = o
( )
CO1 A 1 B1
I I 1 I = o
CO2 K 2 C2
I I I + =o
G A K
I I I + =
( )
2 1
CO2 CO1 G 2
A
1
I I I
I
o o
o
+
+ +
=
La caracterstica real V I del tiristor est representada
en la figura:

Caractersticas estticas:

Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y
son los valores mximos que colocan al elemento en en lmite de
sus posibilidades: V
RWM
, V
DRM
, V
T
, I
TAV
, I
TRMS
, I
R
, T
j
, I
H
.
Identifica estos parmetros en la hojas de caractersticas de los
SCR adjuntos

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA
Y CARACTERSTICAS
Caractersticas de control:

Determinan la naturaleza del cto de mando que mejor responde a las condiciones de disparo.

Para la regin puerta - ctodo los fabricantes definen entre otras las siguientes caractersticas:
V
GFM
, V
GRM
, I
GM
, P
GM
, P
GAV
, V
GT
, V
GNT
(V
GD
), I
GT
, I
GNT
(I
GD
)

V
GNT
(VGD) e I
GNT
(IGD) que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en
condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo
indeseado.

TEMA :TIRISTORES
Caractersticas de control
Construccin de la curva
caracterstica de puerta
TEMA: TIRISTORES
Caractersticas de control
Dentro de esta zona encontramos una
parte en la cual el disparo resulta
inseguro Esta corriente mnima
disminuye al aumentar la temperatura:
GM
G(AV)
P
P
= o
Observar las curvas y parmetros de puerta de las
hojas de caractersticas adjuntas( SKT10 de Semikron)

Caractersticas de
conmutacin:

Los tiristores necesitan un
tiempo para pasar de
bloqueo a conduccin y
viceversa.

A.- Tiempo de Encendido
(t
ON
)

El tiempo de encendido (paso
de corte a conduccin) t
ON
, lo
dividimos en dos partes:

A1.- Tiempo de retardo. (t
d
)
A2.- Tiempo de subida. (t
r
)


B.- Tiempo de Apagado (t
OFF
)
Es el tiempo de paso conduccin a corte
Dividimos el tiempo de apagado en dos:
B1.- T de recuperacin inversa. (t
rr
).
B2.- T de recuperacin de puerta. (t
gr
).
gr rr off
t t t + = =
q
t

Caractersticas de conmutacin:

Es aconsejable tratar de indentificar
los parmetros de conmutacin en las
hojas de caractersticas

TEMA :
TIRISTORES: ESTRUCTURA
Y CARACTERSTICAS

La extincin del tiristor se producir por dos motivos: Por
reduccin de la corriente de nodo por debajo de la corriente
de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo.

Parmetros que influyen sobre t
off
:

Corriente en conduccin (I
T
).

Tensin inversa (V
R
).

Velocidad de cada de la corriente de nodo dI/dt.

Pendiente de tensin dV
D
/dt.

Temperatura de la unin T
j
o del contenedor T
c
.

Condiciones de puerta.

Angulo de Conduccin

La corriente y la tensin media de
un tiristor variarn en funcin del
instante en el que se produzca el
disparo, es decir, todo va a
depender del ngulo de
conduccin. La potencia entregada
y la potencia consumida por el
dispositivo, tambin dependern de
l: cuanto mayor sea ste, mayor
potencia tendremos a la salida del
tiristor
Cuanto mayor es el ngulo disparo,
menor es el de conduccin:

180 = ng conduccin + ng
disparo

Cuanto mayor es el
ngulo disparo, menor
es el de conduccin:
180 = ng conduccin
+ ng disparo

El cto de la figura representa un control simple de potencia con
carga resistiva, calcular:

1.- Tensin de pico en la carga.
2.- Corriente de pico en la carga.
3.- Tensin media en la carga.
4.- Corriente media en la carga.
5.- Realizar un estudio mediante PsPice, obteniendo las formas de
onda para un ngulo de conduccin u = 60. Comprobar que los
apartados calculados en el ejercicio, coinciden con las
simulaciones.
Datos: V
e (RMS)
= 120V f = 50Hz o = 60 R
L
= 10O

169.7V 2 V V V
e(RMS) mx p(carga)
= = =
16.97V
10
169.7
R
V
I
L
p(carga)
p(carga)
= = =
( ) V 5 . 40 cos60 1
2
7 . 169
V
med
= +
|
.
|
\
|
=
t
( ) A 051 . 4 cos 1
2
I
I
mx
med
= +
= o
t
TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURAY CARACTERSTICAS
Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin
deber circular una corriente mnima de valor I
H
, marcando el paso del
estado de conduccin al estado de bloqueo directo.

Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:
7.6.1.- Por puerta.
7.6.2.- Por mdulo de tensin. (V)
7.6.3.- Por gradiente de tensin (dV/dt)
7.6.4.- Disparo por radiacin.
7.6.5.- Disparo por temperatura.
El modo usado es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de
tensin son modos no deseados.
Mtodos de disparo:
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe
estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un
tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un
valor de corriente de nodo mayor que I
L
, corriente necesaria para permitir
que el SCR comience a conducir.
Disparo por puerta:
Disparo por dc
Disparo por impulso Disparo por puerta:
Disparo por gradiente de tensin:
Disparo indeseado
En ctos donde el valor de dV/dt sea superior al valor dado por el
fabricante, se pueden utilizar ctos supresores de transitorios. Se
conectan en bornes de la alimentacion, en paralelo con el
semiconductor o en paralelo con la carga.

Una solucin muy utilizada en la prctica es conectar en paralelo con
el tiristor un cto RC (Red SNUBBER), para evitar variaciones bruscas
de tensin en los extremos del semiconductor:
Limitaciones del tiristor

Las ms importantes son debidas a:

Frecuencia de funcionamiento.
Sobretensiones y pendiente de tensin (dV/dt).
Pendiente de intensidad (dI/dt).
Temperatura.

Limitaciones del tiristor
Limitaciones del tiristor: frecuencia
Ejemplo de calculo rpido red RC:

El SCR del cto de la figura puede soportar una dV
AK
/dt = 50V/s. La
descarga inicial del condensador sobre el SCR debe ser limitada a 3A.
En el momento en que se cierra el interruptor S es conectada la fuente
de tensin V
S
al circuito.
Si en ese momento se aplica un impulso apropiado a la puerta del
elemento, calcular:

1) Valor del condensador de la red de proteccin.
2) Valor de la resistencia de proteccin.

Datos: dV/dt = 50V/s; R = 20O; I
mx
= 3A

5.55A 1
20
311V
R
V
(0) I
L
mx S
C
=
O
= =
F 311 . 0
s / V 50
15.55A
dt
dV
C I
C

= = = C
O = = = 100 103.6
3A
311V
R
MTODOS PARA EL CLCULO DE LOS ELEMENTOS DE
PROTECCIN:
A.- Mtodo de la constante de tiempo (ms utilizado).
B.- Mtodo resonante.

A.- Mtodo de la constante de tiempo

Con ste mtodo tratamos de buscar el valor mnimo de la constante de
tiempo (t) de la dV/dt del dispositivo. Para ello, nos basamos en la figura:
min
DRM
dt
dV
V 0.63
(

= t
L
R
C
t
=
( ) K I I
V
R
L TSM
Amx

=
K= F de seguridad. (0.4 ... 0.1)
C
dt
dI
V
R
Amx
min
|
.
|
\
|
=
La misin de la resistencia calculada es proteger al SCR cuando se produce la
descarga instantnea del condensador al inicio de la conduccin.
Limitaciones de la pendiente de intensidad (dI/dt)

Una variacin rpida de la intensidad puede dar lugar a una
destruccin del tiristor.(creacin de puntos calientes)

Un procedimiento posible es aadir una inductancia L para conseguir que la
pendiente de la intensidad (dI/dt) no sobrepase el valor especificado en las
caractersticas del estado de conmutacin.

|
|
.
|
\
|
=

L
t R
A
e 1
R
V
I
mx
A
dt
dI
V
L =

Supongamos que el tiristor est
colocado segn la figura. Calcular
aplicando el mtodo de la cte de tiempo
el cto de proteccin contra dV/dt y
dI/dt.

Datos: V
RMS
= 208V; I
L
= 58A; R = 5O;

SCR: V
DRM
= 500V; I
TSM
= 250A;dI/dt =
13.5 A/s; dV/dt = 50V/s

294V 2 208 V
Amx
= =
s 3 . 6
dt
dV
V 0.63
min
DRM
t =
(

=
F 26 . 1
R
C
t
= =
( )
O =

= 83 . 3
K I I
V
R
L TSM
Amx
S
O =
|
.
|
\
|
= 15 . 4
C
dt
dI
V
R
Amx
min
H 7 . 21
dt
dI
V
L
Amx
= =
sobreintensidades
El fusible debe de conducir la
corriente nominal del dispositivo
La energa permitida para el
fusible i
2
t < i
2
t dispositivo
Limitaciones de la temperatura

Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la
potencia media disipada en un tiristor ser:

puerta. de Potencia dt I V
T
1
P
T
0
A AK AV
+ =
}
}
=
2
1
t
t
A AK AV
dt I V
T
1
P
R I V V
A 0 AK
+ =
Podemos decir que las prdidas con una tensin de
alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el
ngulo de conduccin (o).
Si la conduccin se inicia en t
1
y termina en t
2
, la potencia
media de perdidas ser:
( )
2
A(RMS) A(AV) 0 AV
I R I V P + =

Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms
importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada
tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms
desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador ms
apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento
semiconductor al medio ambiente.


Un SCR (BTY 91) con R
jc
= 1.6C/W y con R
cd
= 0.2C/W, alimenta
a una carga resistiva de 10O a partir de una seal alterna de
220V
RMS
. Si la conduccin del SCR es completa (o = 0). Calcular
el disipador para una temperatura ambiente de 40C utilizando la
grfica representada en la figura.

( ) A 10 cos 1
R 2
2 220
I
TAV
= +
= o
t
Extincin del tiristor. Tipos de conmutacin.

Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que
estaba en conduccin a pasar a corte. En el momento en que un tiristor empieza a
conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo.

Conmutacin Natural

-a.-) Libre
-b.-) Asistida

Conmutacin Forzada

-a.-) Por contacto mecnico
-b.-) Por cto resonante
-Serie
-Paralelo

-c.-) Por carga de condensador
-d.-) Por tiristor auxiliar

intensidad por el tiristor
se anula por si misma
Secuencia lgica de la
fuente primaria
Conmutacin forzada.

Para provocar la conmutacin del tiristor, ser necesario anular la
corriente andica durante un tiempo suficiente para que el tiristor pueda
pasar a corte. Este intervalo de tiempo tiene una gran importancia, puesto
que si su duracin es inferior a un valor determinado por t
off
(valor intrnseco
al tiristor utilizado) no tendr lugar la conmutacin del dispositivo.

Sea el circuito de la figura. Para un tiempo de apagado del tiristor de t
off
= 15s, determinar si se podr producir la conmutacin ptima del
mismo para el valor de capacidad adoptado.

Datos: E = 100V; R
0
= 5O; C = 5F
( )
( )
|
|
.
|
\
|
+ + =
|
|
.
|
\
|
+ = =
+ =
|
|
.
|
\
|
+ =
C R
tq
C
C R
t
C C C C C
C
C R
t
C
0
0
0
e -E ) ( V
e ) ( V ) 0 ( V ) ( V ) ( V ; A ) ( V
B A ) 0 ( V ; e B A ) ( V
E E t
t
t
|
|
.
|
\
|
+ =

C R
t
0
q
e E 2 E 0
C R 0.693 t
0 q
=
toff s 33 . 17 10 5 5 0.693 C R 0.693 t
-6
0 q
> = = =
Fundamento de conmutacin por cto resonante

LC 2
1
t
= f
}
= = + + 0 0) (t v idt
C
1
dt
di
L
C
senwt
L
C
V i(t)
C
+ =
coswt V (t) v
C C
+ =
Conmutacin por carga de conden-sador
La extincin del tiristor se consigue con el circuito de
la figura:

En el cto anterior podemos distinguir 2 partes: cto de potencia constituido
por la fuente E, el tiristor T
1
y la carga R
O
(resistiva pura); y el cto auxiliar
de bloqueo formado por R, C y un tiristor auxiliar T
2
.

El cto puede se comparado con un biestable asimtrico de potencia, en el
que los tiristores conducen de forma alternada.
TRIAC GTO ZTO FOTOTIRISTORES SITH ASCR MCT
TRIAC
Dispositivo de tres terminales con capacidad de
controlar el paso de corriente en ambas direcciones
(dispositivo bidireccional), muy utilizado en la
regulacin de corriente alterna.
GTO (Gate - Turn - Off)
Dispositivo semiconductor de potencia que combina caractersticas de un
tiristor convencional con las de un transistor bipolar, presentando la ventaja
de poder pasar de conduccin a bloqueo mediante la aplicacin de un
impulso negativo a la puerta
Es equivalente a una resistencia la cual es
incapaz de bloquear voltaje. Para continua
el dispositivo no presenta ningn
problema, no obstante, si queremos
bloquear cualquier voltaje inverso,
deberemos conectar en serie con el GTO
un diodo. Si deseamos que pase la
corriente, deberemos conectar un diodo en
antiparalelo con el dispositivo.
GRACIAS POR SU
ATENCIN

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