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GARZA DE LA TORRE OMAR ALEJANDRO

RAMIREZ OLVERA YOSHI


ROMUALDO RAMIREZ JESUS ANTONIO
Un fotodiodo es un semiconductor construido con
una unin PN, sensible a la incidencia de la luz
visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea
correcto se polariza inversamente, con lo que se
producir una cierta circulacin de corriente
cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construccin, los fotodiodos se comportan como
clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz
exterior generan una tensin muy pequea con el
positivo en el nodo y el negativo en el ctodo.
Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el
nombre de corriente de oscuridad.


Cuando una luz de suficiente energa llega al diodo,
excita un electrn dndole movimiento y crea un
hueco con carga positiva.

Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de
la unin, o a una distancia de difusin de l, estos
portadores son retirados de la unin por el campo
de la zona de agotamiento, produciendo una foto
corriente.

Los diodos tienen un sentido normal de circulacin
de corriente, que se llama polarizacin directa.

En ese sentido el diodo deja pasar la corriente
elctrica y prcticamente no lo permite en el
inverso.

En el fotodiodo la corriente (que vara con los
cambios de la luz) es la que circula en sentido
inverso al permitido por la juntura del diodo. Es
decir, para su funcionamiento el fotodiodo es
polarizado de manera inversa.

Se producir un aumento de la circulacin de
corriente cuando el diodo es excitado por la luz.

El material empleado en la composicin de un
fotodiodo es un factor crtico para definir sus
propiedades. Suelen estar compuestos de silicio,
sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta
1m); germanio para luz infrarroja (longitud de
onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro
material semiconductor.

Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos
para su uso en el campo de los infrarrojos medios
(longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos
requieren refrigeracin por nitrgeno lquido.
Un fotodiodo de unin consiste bsicamente en
una unin NP polarizada en sentido inverso
(campo elctrico en sentido contrario al propio
de la unin), de manera que se cree una zona
de difusin desprovista de portadores, cuya
anchura depende del potencial aplicado.
Cuando no llega ninguna radiacin luminosa a
esta regin, los electrones no tienen energa
suficiente para atravesarla y por ello la
corriente ser prcticamente nula. Cuando la
radiacin luminosa es de la longitud de onda
adecuada e incide en la zona de difusin, se
crean pares electrn - hueco que son atrados
por el campo elctrico aplicado, resultando una
corriente inversa por la unin NP proporcional
a la energa absorbida y por lo tanto al flujo
luminoso que incide sobre la unin, tal y como
se muestra en la siguiente curva caracterstica
de un fotodiodo genrico:

El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la
generacin de pares electrn - hueco debido a la energa
luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo
rectificador de silicio en el que, solamente existe generacin
trmica de portadores de carga. La generacin luminosa,
tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios,
que son los responsables de que el diodo conduzca
ligeramente en inversa.
Detector de luz:

Algunos ejemplos ms cotidianos de su aplicacin:
En la aplicacin de la figura 7 el fotodiodo se emplea en un
sistema de alarma. La corriente inversa continuar fluyendo
mientras el rayo de luz no se corte. En este caso la corriente
inversa caer al nivel de la corriente de oscuridad y har sonar la
alarma.

En la aplicacin de la figura 8 se usa un fotodiodo para contar
artculos en una banda transportadora. Cuando pasa cada artculo,
el rayo de luz corta y la corriente inversa cae a nivel de corriente
de oscuridad y el contador aumenta en uno.
En la figura 9 se muestra el esquema de un fototransistor