1

IMPERFEIES CRISTALINAS
- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha (deslocaes)
- Defeitos de interface (gro e
maclas)
- Defeitos volumtricos (incluses,
precipitados)
2
O QUE UM DEFEITO?

uma imperfeio ou um "erro" no arranjo
peridico regular dos tomos num cristal.
Podem envolver uma irregularidade
na posio dos tomos
no tipo de tomos

O tipo e o nmero de defeitos dependem do
material, do meio ambiente, e das
circunstncias sob as quais o cristal
processado.
3
IMPERFEIES ESTRUTURAIS

Apenas uma pequena frao dos stios
atmicos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
Mesmo sendo poucos eles influenciam
muito as propriedades dos materiais e
nem sempre de forma negativa

4
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
- IMPORTNCIA-
DEFEITOS
INTRODUO
SELECTIVA
CONTROLE
DO NMERO
ARRANJO
Permite desenhar e criar novos materiais
com a combinao desejada de propriedades
5
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Exemplos de efeitos da presena
de imperfeies

o O processo de dopagem em semicondutores visa
criar imperfeies para mudar o tipo de
condutividade em determinadas regies do material
o A deformao mecnica dos materiais promove a
formao de imperfeies que geram um aumento
na resistncia mecnica (processo conhecido como
endurecimento)
o Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo
deslocaes) apresentam resistncia maior que
70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a
aproximadamente 270MPa.
6
IMPERFEIES ESTRUTURAIS


So classificadas de acordo com sua
geometria ou dimenses
7
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2
posies atmicas

Defeitos lineares uma dimenso

Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras) duas
dimenses

Defeitos volumtricos trs dimenses
8
1- DEFEITOS PONTUAIS

Lacunas ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Frenkel
Ocorrem em slidos inicos
9
LACUNAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um
tomo
So formados
durante a
solidificao do
cristal ou como
resultado das
vibraes atmicas (os
tomos deslocam-se
de suas posies
normais)
10
LACUNAS OU VAZIOS
O nmero de lacunas aumenta
exponencialmente com a temperatura

Nv = N exp (-Qv/KT)
Nv = nmero de lacunas
N = nmero total de locais atmicos
Qv = energia requerida para formao de lacunas
K = constante de Boltzman = 1,38x10
23
J/at.K ou
8,62x10
-5
eV/ at.K

11
INTERSTICIAIS
Envolvem um tomo
extra no interstcio (do
prprio cristal)
Produz uma distoro no
reticulado, j que o tomo
geralmente maior que o
espao do interstcio
A formao de um defeito
intersticial implica na
criao de uma lacuna,
por isso este defeito
menos provvel que uma
lacuna
12
INTERSTICIAIS
tomo intersticial pequeno
tomo intersticial grande
Gera maior distoro na rede
13
FRENKEL

Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um io
sai de sua posio
normal e vai para um
interstcio
14
SCHOTTKY

Presentes em
compostos que tem
que manter o balano
de cargas
Envolve a falta de um
anio e/ou um catio
15
CONSIDERAES GERAIS
Vazios e Schottky favorecem a difuso
Estruturas de empilhamento forte tem um menor
nmero intersticiais e Frenkel que de vazios e
Schottky


Porque necessria energia adicional
para forar os tomos para novas
posies
16
IMPUREZAS NOS SLIDOS
Um metal considerado puro sempre tem
impurezas (tomos estranhos) presentes

99,9999% = 10
22
-10
23
impurezas por cm
3

A presena de impurezas promove a
formao de defeitos pontuais
17
LIGAS METLICAS
As impurezas (chamadas elementos
de liga) so adicionadas
intencionalmente com a finalidade:
- aumentar a resistncia mecnica
- aumentar a resistncia corroso
- Aumentar a condutividade elctrica
- Etc.
18
A ADIO DE IMPUREZAS
PODE FORMAR
Solues slidas < limite de
solubilidade
Segunda fase > limite de
solubilidade

A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de impureza
Concentrao da impureza

19
Termos usados

Elemento de liga ou Impureza
soluto (< quantidade)


Matriz ou solvente
Hospedeiro (>quantidade)

20
SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que
actua como matriz mantida e no se
formam novas estruturas
As solues slidas formam-se mais
facilmente quando o elemento de liga
(impureza) e matriz apresentam
estrutura cristalina e dimenses
electrnicas semelhantes
21
SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas podem
ser:

- Intersticial
- Substitucional
Ordenada

Desordenada
22
SOLUES SLIDAS
INTERSTICIAIS
Os tomos de impurezas ou os elementos de
liga ocupam os espaos dos interstcios
Ocorre quando a impureza apresenta raio
atmico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metlicos tem geralmente
fator de empilhamento alto as posies
intersticiais so relativamente pequenas
Geralmente, no mximo 10% de impurezas
so incorporadas nos interstcios
INTERSTICIAL
23
EXEMPLO DE SOLUO
SLIDA INTERSTICIAL
Fe + C solubilidade mxima do C no
Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC)
O C tem raio atmico bastante pequeno
se comparado com o Fe

rC= 0,071 nm= 0,71 A
rFe= 0,124 nm= 1,24 A



24
Solubilidade do Carbono no Ferro
O carbono mais
solvel no Ferro CCC
ou CFC, considerando
a temperatura prxima
da transformao
alotrpica?
ccc

cfc

25
TIPOS DE SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
SUBSTITUCIONAL
ORDENADA
SUBSTITUCIONAL
DESORDENADA
26
EXEMPLO DE SOLUO SLIDA
SUBSTICIONAL
Cu + Ni so solveis em todas as
propores



Cu

Ni

Raio atmico

0,128nm=1,28 A

0,125 nm=1,25A

Estrutura

CFC

CFC

Eletronegatividade

1,9

1,8

Valncia

+1 (as vezes +2)

+2

27
2- DEFEITOS LINEARES:
DESLOCAES
As deslocaes esto associadas com a
cristalizao e a deformao (origem: trmica,
mecnica e supersaturao de defeitos
pontuais)

A presena deste defeito a responsvel pela
deformao, falha e ruptura dos materiais
28
2- DEFEITOS
LINEARES:DESLOCES
Podem ser:

- Cunha
- Hlice
- Mista
29
VETOR DE BURGER (b)
D a magnitude e a direco de distoro
da rede

Corresponde distncia de deslocamento
dos tomos ao redor da deslocao

30
2.1- DESLOCAO EM CUNHA
Envolve um SEMI-
plano extra de
tomos
O vetor de Burger
perpendicular
direo da linha da
deslocao
Envolve zonas de
traco e compresso


31
DESLOCAES EM CUNHA
Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ
32
DESLOCAES EM CUNHA
Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ
33
2.2- DESLOCAO EM HLICE

Produz distoro na
rede
O vector de Burger
paralelo direo da
linha de deslocao


34
DESLOCAO EM HLICE
35
2.2- DESLOCAO EM HLICE
Deslocao EM HLICE NA SUPERFCIE DE
UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS
SO DEGRAUS DE DESLIZAMENTO SUPERFICIAIS.
(Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
36
OBSERVAO DAS
DESLOCAES

Directamente TEM ou
HRTEM

Indirectamente SEM e
microscopia ptica (aps ataque
qumico selectivo)
37
DESLOCAES NO TEM
38
DESLOCAES NO HRTEM
39
DESLOCAES NO HRTEM
40
FIGURA DE ATAQUE PRODUZIDA NA
DESLOCAO VISTA NO SEM
Plano (111) do InSb Plano (111) do GaSb

41
CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das deslocaes podem
ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das deslocaes
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e
formao de deslocaes nicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em
torno das deslocaes formando uma atmosfera de
impurezas
42
CONSIDERAES GERAIS
O cisalhamento d-se mais facilmente nos
planos de maior densidade atmica, por
isso a densidade das mesmas depende da
orientao cristalogrfica
As deslocaes geram lacunas
As deslocaes influem nos processos de
difuso
As deslocaes contribuem para a
deformao plstica
43
3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS

Envolvem fronteiras (defeitos em duas
dimenses) e normalmente separam
regies dos materiais de diferentes
estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas
44
3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS

Superfcie externa
Fronteira de gro
Fronteiras entre fases
Maclas ou Twins
Defeitos de empilhamento
45
3.1- DEFEITOS NA
SUPERFCIE EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto
completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na
superfcie maior que no interior do cristal
Os materiais tendem a minimizar esta energia
A energia superficial expressa em erg/cm
2
ou
J/m
2
)

46
3.2- FRONTEIRA DE GRO


Corresponde regio que separa dois ou
mais cristais de orientao diferente
um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto
arranjados segundo um nico modelo e nica
orientao, caracterizada pela clula unitria
47
Monocristal e Policristal

Monocristal: Material com apenas uma
orientao cristalina, ou seja, que contm
apenas um gro

Policristal: Material com mais de uma
orientao cristalina, ou seja, que contm
vrios gros

48
LINGOTE DE ALUMNIO
POLICRISTALINO
49
GRO
A forma do gro controlada:
- pela presena dos gros circunvizinhos

O tamanho de gro controlado
- Composio qumica
- Taxa (velocidade) de cristalizao ou
solidificao
50
FORMAO DOS GROS
A forma do gro
controlada:
- pela presena dos
gros
circunvizinhos




O tamanho de gro
controlado
- Composio
- Taxa de cristalizao
ou solidificao
51
CONSIDERAES GERAIS SOBRE
FRONTEIRAS DE GRO

H um empilhamento ATMICO menos eficiente
H uma energia mais elevada
Favorece a nucleao de novas fases
(segregao)
favorece a difuso
A fronteira de gro ancora o movimento das
deslocaes
52
Deslocaes e Fronteira de Gro
A passagem de uma deslocao atravs da
fronteira de gro requer energia
DESLOCAO
A fronteira de gro ancora o movimento das deslocaes pois
constitui um obstculo para a passagem das mesmas, LOGO
QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO
.........A RESISTNCIA DO MATERIAL
53
FRONTEIRA DE PEQUENO
NGULO
Ocorre quando a
desorientao dos
cristais pequena
formada pelo
alinhamento de
deslocaes
54
OBSERVAO DOS GROS E
FRONTEIRAS DE GRO

Por microscopia (TICA OU ELECTRNICA)
utiliza ataque qumico especfico para cada
material

A fronteira geralmente mais reactiva
55
GROS VISTOS NO
MICROSCPIO TICO
56
TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades dos
materiais
Para a determinao do tamanho de gro
utilizam-se normas


ASTM
ou
ABNT

57
DETERMINAO DO TAMANHO
DE GRO (ASTM)
Tamanho: 1-10
Aumento: 100 X

N= 2
n-1

N= nmero mdio de gros por polegada quadrada
n= tamanho de gro

Quanto maior o nmero menor o
tamanho de gro da amostra
58
Existem vrios softwares comerciais
de simulao e determinao do
tamanho de gro
59
CRESCIMENTO DO GRO com
a temperatura
Em geral, por questes termodinmicas (energia)
os gros maiores crescem em
detrimento dos menores
60
3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GEMEOS
um tipo especial de
contorno de gro
Os tomos de um lado da
fronteira so imagens
especulares dos tomos
do outro lado do contorno
A macla ocorre num
plano definido e numa
direco especfica,
dependendo da estrutura
cristalina
61
ORIGENS DOS TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GEMEOS
O seu aparecimento
est geralmente
associado com A
PRESENA DE:
- tenses trmicas e
mecnicas
- impurezas
- Etc.
62
4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS


So introduzidas no processamento do
material e/ou no fabrico do componente

63
4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
- Incluses Impurezas estranhas
- Precipitados so aglomerados de partculas
cuja composio difere da matriz
- Fases forma-se devido presena de
impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite
de solubilidade ultrapassado)
- Porosidade forma-se devido presena ou
formao de gases
64
Incluses
INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu
2
O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%)
LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800
o
C.
65
Incluses
SULFETOS DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.
66

Porosidade
As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu
processamento por metalurgia do
p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a
quantidade de poros bem como melhorado
a sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece
uma porosidade residual.
COMPACTADO DE P DE
FERRO,COMPACTAO
UNIAXIAL EM MATRIZ DE
DUPLO EFEITO, A 550 MPa
COMPACTADO DE P DE FERRO
APS SINTERIZAO
A 1150
o
C, POR 120min EM
ATMOSFERA DE HIDROGNIO
67
EXEMPLO DE PARTCULAS DE
SEGUNDA FASE
A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITE SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA.
CADA GRO DE PERLITE, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE
DUAS FASES: FERRITE (OU FERRO- a) E CEMENTITE (OU CARBONETO DE FERRO).
68
Microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas fases
precipitadas
69
Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso