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CIRCUITOS ELECTRONICOS

INDUSTRIALES
Ing. Carlos Quilla Paredes

1
Duracin: 42 horas
17 sesiones
Sistema de evaluacin K1: NF = 0.6L + 0.4EF
7 Prcticas de Laboratorio
Bibliografa:
Electrnica Industrial Moderna, Timothy J.
Maloney. PEARSON EDUCACION, Mxico 2006

Sistemas Electrnicos de Potencia en el Buque,
Alberto Pigazo Lpez, Victor M. Moreno S.

Electrnica de Potencia. Daniel W. Hart. Ed.
Prentice-Hall


CIRCUITOS ELECTRONICOS INDUSTRIALES
Objetivos del curso
3
Describir el principio de construccin y funcionamiento
de los dispositivos electrnicos de disparo y conmutacin
de potencia.
Utilizar circuitos electrnicos discretos e integrados para
el disparo de tiristores y triacs
Implementar circuitos de control de potencia con
tiristores triacs y dispositivos de disparo.

Contenido:

Tiristores
Tiristores trodos bidireccionales Triacs
Procedimiento de disparo
Control de fase
Convertidores de potencia no controlados
Convertidores de potencia controlados
CIRCUITOS ELECTRONICOS
INDUSTRIALES
TIRISTORES

Ing. Carlos Quilla Paredes
Objetivos
6
Describir el diodo de cuatro capas
Explicar el funcionamiento de un SCR
Explicar el control de fase y analizar como se aplican a
los Tiristores.

DIODO DE CUATRO CAPAS
Diodo de cuatro capas
Llamado diodo PNPN, posee cuatro capas de semiconductores que
constituyen tres uniones PN
Esencialmente es un dispositivo interruptor.
Al aplicar una tensin positiva entre nodo y
ctodo se puede observar que la unin J1 y J3
esta polarizada en directa, y la unin J2
polarizada en inversa.
En estas condiciones nicamente circula una
corriente muy baja (despreciable) y el
dispositivo se encuentra cortado.
Aumentando la tensin positiva se llega a
una tensin V
b0
donde la corriente crece en
forma abrupta y la cada de tensin decrece
de la misma manera. En este momento, el
diodo ha conmutado desde el estado de corte
a conduccin.
Estructura del Diodo de cuatro capas
Funcionamiento
Su estructura equivalente esta formada por dos transistores. La mitad
izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha un PNP.
En el transistor pnp con ganancia en corriente
1
se puede escribir:
I
B1
= I
E1
- I
C1

donde I
C1
=
1
I
E1
+ I
C01

Reemplazando I
C1
en I
B1
se obtiene:
I
B1
= I
E1
(1-
1
) - I
C01


En el transistor npn, de ganancia en corriente
2
se puede escribir
para su corriente de colector:
I
C2
=
2
I
E2
+ I
C02
,

Igualando I
B1
a I
C2
, se obtiene:
I
E1
(1-
1
) - I
C01
=
2
I
E2
+ I
C02
;
donde I
E1
= I
E2
= I
Entonces: I(1-
1
) - I
C01
=
2
I + I
C02


Funcionamiento
Las ganancias en corriente aumentan con la corriente I. Para bajo nivel
de corriente I ambas ganancias
1
y
2
son mucho menores que la
unidad y la corriente I slo est formada por las pequeas corrientes de
prdidas I
C01
e I
C02
.
Cuando la tensin aplicada aumenta lo har I y las ganancias
1
y
2
.
Habr un momento en el cual (
1
+
2
) se aproxime a la unidad
haciendo aumentar I bruscamente, es el momento en que el dispositivo
est en estado de conduccin.
Funcionamiento
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Curva caracterstica
TIRISTORES
Tiristores
Aunque a toda la familia de semiconductores de cuatro capas se les
llama Tiristor, es al SCR al que normalmente se le aplica el nombre
de Tiristor, siendo tambin el ms usado y desarrollado.
El SCR est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La
conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un
elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi
ideal, rectificador y amplificador a la vez.

Tiristores
Esquema de circuito equivalente de un tiristor controlado por el lado del ctodo, con
los dos modos de operacin:
a) Esquema de circuito equivalente
b) Anodo positivo con respecto al ctodo
c) Anodo negativo con respecto al ctodo
CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TIRISTOR
Cuando la tensin V
ak
es nula, tambin lo es la intensidad de
corriente I
a
. Al aumentar dicha tensin en sentido directo, con
corriente de puerta nula, si se supera la tensin V
b0
, la transicin de
estado OFF a ON deja de ser controlada. Si se desea que el paso al
estado "ON" se realice para tensiones V
ak
inferiores a V
b0
, ser
necesario dotar al dispositivo de la corriente de puerta (I
g
) adecuada
para que dicha transicin se realice cuando la intensidad de nodo
supere la intensidad de enganche (I
L
).

Por el contrario, si el dispositivo esta en conduccin, la transicin al
estado "OFF" se produce cuando la corriente de nodo caiga por
debajo de la intensidad de corriente de sostenimiento (I
H
).
Funcionamiento
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Curva caracterstica
Disparo de Puerta
Como la puerta de un SCR esta conectada a la base de un transistor, se
necesita al menos 0.7V para disparar un SCR.

Tensin de entrada
En la figura se muestra el circuito bsico
para cerrar el SCR.
Cundo la tensin VG sea mayor que VGT,
el SCR conducir y la tensin de salida
caer desde +Vcc a un valor bajo.
La resistencia RG limita la corriente de
puerta.
La tensin de entrada necesaria para
disparar el SCR tendr que ser mayor a:


Despus de que se ha cebado el SCR, permanece as incluso si se reduce Vin a
cero.
Para reiniciar el SCR se debe reducir su corriente a un valor menor a I
H
, esto se
consigue reduciendo Vcc. El valor mnimo de Vcc ser:
Reiniciar el SCR
El alterna se bloquea en cada cruce por
cero
Ejemplos
En el diodo de la figura tiene una tensin de cebado de 10V, si la tensin
de entrada se incrementa a 15V Cul es la corriente por el diodo?
I= (15-1)/100 = 140mA
Si el diodo de la figura tiene una corriente de mantenimiento de 4mA
Cul es la tensin de entrada que abre al diodo?
V= 1 + (4mA)(100) = 1.4V
Ejemplos: generador de diente de sierra
En el circuito de la figura, el condensador se carga hasta la tensin de
alimentacin. Cuando el diodo alcanza +10V entra en conduccin, lo que
descarga el condensador. Cul es la frecuencia de la seal diente de sierra si
su periodo es el 20% de la constante de tiempo?
T = RC = (2K)(0.02uF) = 40us
Ts = 40us (0.2) = 8us
fs = 125KHz
Ejemplos
En el SCR de la figura tiene una tensin de disparo de 0.75V y una
corriente de disparo de 7mA Cul es la tensin de entrada que cierra el
SCR?
Si la corriente de sostenimiento es 6mA Cunto vale la tensin de
alimentacin que lo abre?
Vin = 0.75 + (7mA)(1K ) = 7.75V

Vcc = 0.7 + (6mA)(100) = 1.3V
SCR como interruptor
El siguiente circuito se utiliza para proteger una carga contra
sobretensiones.
En condiciones normales Vcc es menor a la tensin de ruptura del zener y el
SCR permanece abierto.
Cuando Vcc es demasiado grande, el zener conduce y aparecer una tensin
en R, cebando el SCR.
La tensin que dispara el SCR es:
Calcular la tensin de alimentacin que cierra el SCR. Tenga en cuenta que el
1N752 tiene una tolerancia de 10%.
Ejemplo
Vcc = Vz + VGT = 5.6 + 0.75 = 6.35
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Diagrama de disparo caracterstico para tiristores
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Comportamiento en direccin directa de los
tiristores
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Valores caractersticos
Datos caractersticos:
Corriente de
mantenimiento /
H
Corriente de disparo /
GT

Corriente de bloqueo /
D
y
corriente inversa /
R
Tensin directa U
T
Tensin de disparo U
GT

Datos lmites:
Tensiones de pico
repetitivo U
DRM
y u
RRM

Tensiones de pico no
repetitivo U
RSM
y U
DSM

Corriente limite
permanente /
TAV

Corriente directa de pico
repetitivo /
TRM

Corriente directa /
TRMS


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Para operacin con tensin
continua:
P
T
= /
T
U
T

En tensin alterna, P
T
depende del ngulo de
conduccin
La potencia de prdidas total
se aproxima por:
P
pr
P
T
+ 0.1 P
T



Potencia de prdidas
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Medidas de proteccin
Para proteger contra
sobrecorrientes se
usan fusibles
superrpidos
Contra
sobretensiones se
usan elementos RC
(snubber)
PROCEDIMIENTO DE
DISPARO del SCR
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DISPARO EN AC
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Disparo simple
Cuando SW1 esta abierto, el SCR nunca se dispara.
Cuando SW1 se cierra existir una corriente I
G
cuando el
voltaje de alimentacin sea positivo.
El ngulo de retardo de disparo depende de R2.
El ngulo de retardo de disparo es ajustable de 0 a 90.


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Disparo simple
Cuando I
GT
alcanza la corriente de compuerta necesaria para
disparar el SCR, el V
AK
cae cerca a cero.


9/19/2014 37
Disparo simple
En el circuito de la figura, se pretende disparar el SCR a 90 a
que valor se debe ajustar R3? Cul es la potencia promedio
que consume el SCR?


I
GT
= 15mA
V
GT
=1.5V
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DISPARO EN CC
Se aplica una
corriente positiva en
el gate
R
lim
limita la corriente
a valores seguros en
el gate.
Luego de disparado
el tiristor es necesario
cortar U para
bloquear la corriente.
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DISPARO Y APAGADO POR PULSOS
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Disparo con control de fase
En el circuito de la figura se ha
incluido un capacitor el cual
proporciona un rango mayor de
ajuste del ngulo de retardo de
disparo.
La resistencia R3 requiere que C
cargue mas alto para disparar el
SCR.



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DIODO UNIDIRECCIONAL
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DISPARO CON DIODO
UNIDIRECCIONAL