DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

CAPITULO III
El Diodo Semiconductor
Formacin del diodo
Polarizacin de un diodo.
Caractersticas de Tensin - Corriente.
Smbolo Modelos del Diodo.

ING. GERSON LA TORRE GARCIA

FORMACION DEL DIODO

P

300
0
K K

Ipdif

Ipdes

Indes

Indif
V0

r
E

Xp

Xn

A temperatura ambiente, los

huecos de la zona p pasan por
difusin hacia la zona n y los ede la zona n pasan a la zona p.
En la zona de la unin, huecos y
e- se recombinan, quedando una
estrecha zona de transicin
con una distribucin de carga
debida a la presencia de los
iones de las impurezas y a la
ausencia de huecos y e-.
Se crea, entonces un campo
elctrico que produce
corrientes de desplazamiento,
que equilibran a las de
difusin.

FORMACION DEL DIODO

Regin de Empobrecimiento

Los lmites de la zona de empobrecimiento (transicin) se limitan por Xp y Xn

y es donde se establecen; el campo elctrico, el potencial de contacto
(potencial de barrera) y las corrientes de difusin y desplazamiento

FORMACION DEL DIODO

Diagramas de Energa de la unin PN

Las impurezas trivalentes ejercen bajas fuerzas sobre los electrones de capa externa
que las impurezas pentavalentes.
Los electrones libres superiores de la regin n se difunden en la regin p y
luego caen a la banda de valencia de la regin p.
Existe un gradiente de energa , que acta como colina de energa que un electrn de
la regin n debe escalar para llega a la regin p

FORMACION DEL DIODO

Regin de Empobrecimiento
pp0 NA

nn0 ND

E
Xp

np0

Xn

pn0

Distribucin de las concentraciones

de portadores de carga
qND

Xp

Campo elctrico en el diodo

Xn

-qNA

Distribucin de carga

V0
Xp

Diferencia de potencial

Xn

FORMACION DEL DIODO

Regin de Empobrecimiento
V0 Vxn Vxp VT ln

pp 0
pn0

nn0
VT ln
np0

VT = 0.026 V a 300 K

Sustituyendo los valores de las concentraciones de impurezas:

V0 Vxn Vxp VT ln

NAND
ni

V0 se llama Potencial de contacto y representa la diferencia de

potencial entre los extremos de la zona de transicin con la unin en
circuito abierto y en equilibrio.
V0 = 0.7 V para diodos de Si y V0 = 0.3 V para diodos de Ge, a 20 C

POLARIZACION DEL DIODO

Polarizacin en Directa

La fuente de tensin proporciona energa a los electrones libres de la regin n

para vencer el potencial de barrera (Si: 0,7 V Ge: 0.3 V) y atravesar a la regin p.
Los electrones en la regin p caen a la banda de valencia y atreves de los
huecos se desplazan hacia la izquierda atrados por el potencial positivo.
La regin de empobrecimiento se reduce debido ala disminucin de iones
positivos y negativos durante el proceso de desplazamiento de los electrones de
una regin a otra.

POLARIZACION DEL DIODO

Polarizacin en Inversa
Los electrones de la regin n se desplazan a la
derecha, los huecos en la regin p se desplazan
ala izquierda; ensanchando la regin de
empobrecimiento

La corriente inversa es
provocada
por
los
portadores minoritarios
en las regiones n y p
Si la tensin en inversa aumenta
hasta la tensin de ruptura, la
corriente
en
inversa
se
incrementar drsticamente.
La velocidad de los electrones
en la regin p permite arrancar
electrones de valencia a la
banda de conduccin

EL DIODO
Caracterstica V-I para Polarizacin Directa

EL DIODO
Caracterstica V-I para Polarizacin Directa

r
E

V0
V0 - VD

VD

VD crea un campo elctrico opuesto al de la unin, disminuye el Etotal en la unin

y la barrera de potencial: V=V0-VD, y aumenta la corriente de mayoritarios por
difusin.

EL DIODO
Caracterstica V-I para Polarizacin Directa

EL DIODO
Caracterstica V-I para Polarizacin Inversa

r
E

V0 + VI
V0
VI

I0 <<<<

VI crea un campo elctrico en el mismo sentido que el de la unin, aumenta el Etotal,

aumenta la diferencia de potencial: V=V0+VI, y disminuye la corriente de
mayoritarios. Favorece el desplazamiento de huecos hacia la zona p y de e- hacia la
zona n, ensanchndose la zona de transicin. Pero estos h+ y e- provienen de zonas
donde son minoritarios. El resultado es que fluye una pequea corriente I0, debida
nicamente a los pares e-h+ que se generan por agitacin trmica llamada
CORRIENTE INVERSA DE SATURACIN.

EL DIODO
Caracterstica V-I para Polarizacin Inversa
Ruptura en Inversa Efecto
avalancha
La
alta
tensin
en
inversa
proporciona energa a los electrones
minoritarios y colisiona con tomos
sacando los electrones de valencia a
la banda de conduccin y estos
ltimos
repiten
el
proceso
continuamente, luego los electrones
pasan a la regin n generando el
incremento de la corriente en
inversa,
produciendo
el
calentamiento del dispositivo

EL DIODO
Caracterstica V-I
Completa
El potencial de
barreda se reduce
2mV por cada
grado de
incremento de
temperatura

EL DIODO
Ecuacin de la Curva Caracterstica Completa
V VT

I I0 e
1

I (mA)

0,15

VT

0,05

Io

I0 < mA
0,2

0,4

0,6

kT
e

0,8

-0,05
V (V)

VT(300 K) = 25.85 mV

I0: Corriente inversa de saturacin

k (Constante de Boltzmann) = 1.3810-23 JK-1

EL DIODO
Simbolo del Diodo
La regin n se llama ctodo y la regin p
nodo. La "flecha" en el smbolo apunta
en la direccin de la corriente convencional
(opuesta al flujo de electrones).

EL DIODO
Modelo Ideal del Diodo

VF = 0

EL DIODO
Modelo Practico del Diodo

EL DIODO
Modelo Completo del Diodo

EL DIODO
Ejercicios

EL DIODO
Tipos de Encapsulado

PRUEBA DEL DIODO