TRANSISTORES BJT

Introduccin a los
transistores
Construccin
de
transistores
bipolares
Los diodos se construyen uniendo dos tipos distintos de

semiconductores: uno llamado tipo N

N y el otro tipo P.
P El
primero constituye el ctodo,
ctodo mientras que el segundo el
nodo.
nodo As, el diodo est polarizado directamente cuando el
material tipo P tiene un potencial ms positivo que el
material tipo N:
VD

+A

+
ID
Smbolo del diodo

N
R

Transistor BJT
Transistor bipolar de unin (BJT = Bipolar Junction
Transistor)
Dispositivo semiconductor formado por 3 regiones dopadas alternativamente:
npn (o pnp)
Accin transistor: Captacin de portadores mayoritarios procedentes de una unin
p-n polarizada en directa que los emite por otra unin p-n inversamente polarizada y
muy cercana a la anterior
Dos tipos:

BJT npn

BJT pnp

Transistor BJT

Introduccin

Tres terminales: E = Emisor, B = Base, C = Colector

No es simtrico: la concentracin de portadores en E es generalmente
bastante mayor que en C
La regin central (B) es estrecha
Slo 2 tensiones y 2 corrientes independientes (leyes de Kirchhoff)

N D ~ 1017

N A ~ 1016
N D ~ 1015

1 ~ 5m

5 ~ 10m
~ 0.1m

Construccin de transistores
Se utilizan tres capas semiconductoras, con dos de tipo P y
una de tipo N (transistor PNP),
PNP o dos tipo N y una tipo P
(transistor NPN),
NPN conformando lo que se conoce como
transistor bipolar.
bipolar
Transistor NPN
Transistor PNP

EMISOR

COLECTOR

B
C

BASE

B
E

COLECTOR

EMISOR

Smbolo del transistor

BASE

B
E

Polarizacin de los transistores

Un transistor puede pensarse como compuesto por dos diodos:
el diodo Emisor-Base y el diodo Base-Colector.
Base-Colector
La forma normal de alimentar un transistor es aplicando una
polarizacin directa a la unin o juntura Emisor-Base y una
polarizacin inversa a la juntura Base-Colector:

Polarizacin
Directa

E N

P C

Transistor PNP

Polarizacin
Inversa

N C

Transistor NPN

Polarizacin de los transistores

Aunque podra pensarse que ambos terminales pueden operar
indistintamente uno de otro, no es as, ya que la capa
semiconductora utilizada en el Colector est especialmente
preparada para manejar una gran corriente, a pesar de estar
polarizada inversamente.
Llamando VEE al voltaje aplicado a la unin Emisor-Base, y
VCC al aplicado a la unin Base-Colector, la circulacin de
corriente para un transistor PNP ser:
E
IE

VEE

N
IB

C
VCC

IC

I E I B IC

Polarizacin del transistor

Esta es la configuracin ms tpica de un transistor, y se
muestra en el siguiente circuito esquemtico para un Tr. NPN:
B
IB

IC

E I
E

Para analizar el efecto que tiene la polarizacin sobre este

circuito, pueden determinarse las caractersticas de entradasalida.

Curvas caractersticas
IC [mA]

VCE =1V
VCE =10V

80

VCE =20V

60

Caractersticas
de base

40
20

4
2

REGIN DE SATURACIN

IB
[A]

IB =90A I =70A
B
IB =50A

ZONA DE I =30A
OPERACIN
COMO AMPLIF. I =10A
LINEAL
B

Caractersticas
de colector

IB =0A

0
0

0,2

0,4

0,6

0,8

VBE [V]

10

15

20

REGIN DE CORTE

VCE [V]

Ganancia esttica
Se cumplen las siguientes relaciones:
I E I B IC ; IC I E
El factor se conoce como ganancia de corriente
continua en base comn.
comn
De las expresiones anteriores se deduce que (despreciando la
corriente de inversa de polarizacin):

IC I E (I B IC ) IC
IB IB
IC I
1
B
El factor se conoce como ganancia de corriente
continua en emisor comn,
comn y en las especificaciones
tcnicas se lo suele denominar hFE.

Configuracin emisor
Amplificador de polarizacin universal
comn
RC

R1

El esquema del circuito es el que se muestra a continuacin:

RE

R2

EC

El circuito est conformado

por un divisor resistivo,
compuesto por R1 y R2
(conectado a la base del
transistor) y una resistencia
RE (conectado al emisor).
En este caso, se define la
recta de carga por:
EC VCE I C ( RC RE )

El transistor como
Lmites de operacin
conmutador

En la siguiente
caracterstica se
muestra un aspecto de
lo indicado:

IC [mA]

Transistor como
conmutador
IB =90A

ICmx
8

REGIN DE SATURACIN

Para cada transistor,

existe una zona de
operacin, dentro de
la cual debe trabajar,
para que exhiba una
distorsin mnima.

IB =70A
IB =50A
IB =30A

ZONA DE
RECHAZO
IB =10A

ZONA DE
TRABAJO
COMO AMPLIFICADOR

ICEO

PCmx
VCEmx

IB =0A
0

VCEsat

10

15

REGIN DE CORTE

20

VCE [V]

Lmites de operacin
Todos los lmites de operacin para un transistor vienen
definidos en sus hojas de especificaciones tcnicas. Entre las
ms relevantes pueden citarse:
corriente mxima de colector:
colector Normalmente figura en las
especificaciones como corriente continua de colector.
voltaje mximo entre colector y emisor, VCEO: Indica el voltaje
mximo permitido entre el colector y el emisor, cuando la base
est desconectada o polarizada inversamente.
VCE mnimo: Indica el voltaje VCEsat o voltaje mnimo que se puede
aplicar para no caer en la zona de saturacin.
PC mx: Representa la mxima potencia de disipasin del colector
(y define la curva azul de la grfica anterior).

Caractersticas de operacin
Un transistor no slo puede trabajar como amplificador, sino
tambin como conmutador,
conmutador hacindolo trabajar entre las
regiones de corte y saturacin.
saturacin
Se dice que un transistor est en corte (para el caso del
circuito anterior) cuando :

I B 0; I C 0; VCE EC

y VBE 0,7V

Como se comporta como un circuito abierto, se dice que el

transistor est en estado de bloqueo.
bloqueo

Caractersticas de operacin
Por otra parte, se dice que un transistor est en saturacin
(para el mismo circuito) cuando :

VCEsat 0,2V ; VBE 0,7V

e I C hFE I B

El comportamiento de un transistor en saturacin es

equivalente al de un circuito cerrado. En este estado de
operacin, aunque aumente la corriente de base, la corriente
por el colector se mantiene constante.
Hay que tener en cuenta que los valores de VBE=0,7V y
VCEsat=0,2V son valores tpicos empleados en los clculos de
circuitos. De todos modos, es conveniente revisar las
especificaciones de cada transistor en particular.

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN: zonas de funcionamiento del
transistor ideal
IC
IC
+
VBE

IC

IB

Zona
activa

VCE

+
VBE

IB

IC

+
VBE

IB

IB

VCE

+
VBE

IC<IB VCE=0
IC=0

Zona de
corte

VCE

IB

Zona de
saturacin

IB

+
VCE
-

Funcionamiento en conmutacin de un transistor NPN

3A
12 V

12 V
36 W

3A

12 V

12 V
36 W

= 100
40 mA
IC

Sustituimos
el
interruptor
principal por un transistor.
La corriente de base debe ser
suficiente para asegurar la
zona de saturacin.
Ventajas:
No
desgaste,
sin
chispas,
rapidez, permite control desde
sistema lgico.
Electrnica
de
Potencia
Electrnica digital

IB = 40 mA

4A
(ON)

ON

3A
OFF

12 V
(OFF)

VCE

Funcionamiento en conmutacin de un transistor PNP

3A
12 V

12 V
36 W

= 100

40 mA
I

12 V

3A

12 V
36 W
IC

Al igual que antes, sustituimos

el interruptor principal por un
transistor.
La corriente de base (ahora
circula al reves) debe ser
suficiente para asegurar la zona
de saturacin.

IB = 40 mA

4A
(ON)

ON

3A
OFF

12 V
(OFF)

VEC

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20

TOSHIBA

El fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la
zona de base desempean el papel de corriente de base
C

El terminal de Base, puede estar presente

o no.
No confundir con un fotodiodo.

El fototransistor

El fototransistor

DISTINTOS
ENCAPSULADOS

El fototransistor
OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO:
Proporcionar
aislamiento
galvnico y
proteccin elctrica.
Deteccin de