Eletrnica Bsica

ELETRNICA BSICA
ELETRNICA BSICA
ESSE CURSO TM POR OBJETIVO TRANSMITIR AOS PROFISSIONAIS

DA REA DE ELTRICA NOES BSICAS DE CIRCUITOS DIGITAIS
LARGAMENTE UTILIZADAS NA AUTOMAO DE SISTEMAS DE
CONTROLE EM QUE SEJAM UTILIZADOS PLCs, INVERSORES DE
FREQUNCIA E EQUIPAMENTOS AFINS.
PORTANTO, AO FINAL DO CURSO, O(S) ALUNO(S) TER O
ENTENDIMENTO COMPLETO DO FUNCIONAMENTO DOS CIRCUITOS E
SISTEMAS LGICOS UTILIZADOS NA AUTOMAO DOS MAIS
DIVERSOS PROCESSOS INDUSTRIAIS DE CONTROLE.
TODO O CONTEDO TRANSMITIDO AO LONGO DO CURSO BUSCA
UMA ABORDAGEM SIMPLES E DIRETA DE SISTEMAS E
EQUIPAMENTOS INSTALADOS NA DIGUINHO.
O CURSO FOCADO EM CONCEITOS E RECURSOS OFERECIDOS
PELAS FERRAMENTAS E SISTEMAS ABORDADOS; PORTANTO NO
SER VISADO O ASPECTO DE PROGRAMAO DO MATERIAL EM
ESTUDO.
Elaborado por Fernando Ze

metek - Eng Eletrnico
ELETRNICA BSICA
INTRODUO
A Eletrnica um ramo da Fsica onde se estudam os fenmenos das cargas

eltricas elementares ( eltrons, ftons, ondas eletromagnticas, etc ) atravs
da abordagem de seu comportamento e propriedades.
Seu objetivo traduzir para as leis fsicas e matemticas tudo aquilo que
acontece no universo dos tomos e molculas, quando esses so submetidos
a quaisquer fontes externas de energia.
CONCEITOS BSICOS
RESISTNCIA
ELTRICA
RESISTOR
LEI
DE OHM
POTNCIA ELTRICA
EFEITO JOULE
RESISTNCIA ELTRICA
Resistncia eltrica a capacidade de um corpo qualquer se opor passagem

de corrente eltrica pelo mesmo, quando existe uma ddp ( diferena de
potencial ou tenso ) aplicada.
Quando uma corrente eltrica estabelecida em um condutor metlico, ocorre
o deslocamento de um nmero elevado de eltrons livres. Nesse movimento, os
eltrons colidem entre si e tambm contra os tomos que constituem o metal;
encontrando uma certa dificuldade para se deslocar, isto , existe uma
resistncia passagem da corrente no condutor. Para medir essa resistncia,
os cientistas definiram uma grandeza que denominaram resistncia eltrica.
Fatores que influenciam no valor da resistncia:
A resistncia de um condutor tanto maior quanto maior for seu
comprimento.
A resistncia de um condutor tanto maior quanto menor for a rea de sua
seo reta, isto , quanto mais fino for o condutor.
A resistncia de um condutor depende do material de que ele feito.
A 2 Lei de OHM comprova as informaes supracitadas.( R=*L/A )
Quando a corrente eltrica flui em um condutor, parte da energia potencial
eltrica convertida em energia trmica; assim, sua resistncia est
associada tambm ao desenvolvimento da energia trmica no condutor.

RESISTOR
Um componente especificamente
projetado para possuir resistncia
chamado resistor. Dependendo do
material utilizado, e de suas
caractersticas fsicas e construtivas, os
resistores podem ser de carbono, de fio,
de filme,etc.
A maioria dos materiais apresenta um
aumento da resistncia com o aumento da
temperatura e so ditos que possuem um
coeficiente positivo de temperatura. Os
tipos mais comuns so fio, para altas
potncias, e carbono ou filme, para baixas
potncias.
Os resistores de fio so feitos
normalmente de nquel-cromo ou nquelcobre enrolados em tubo de cermica e
protegidos contra choques mecnicos
com uma capa de silicone ou esmalte.
Os resistores de carbono so mistura de
carbono e ligas aplicada como uma capa
em um tubo de vidro ou moldada em uma
estrutura densa.
O valor de resistncia dos resistores de
carbono especificado por um conjunto
de cdigo de cores que aparecem
impressos em seu corpo. Cada cor
representa um dgito de acordo com a
Tabela ao lado.

LEI DE OHM
Nos materiais condutores a relao entre a tenso aplicada e a corrente que flui
por ele, a uma dada temperatura, constante. Neste caso dizemos que o
condutor obedece a lei de Ohm, que pode ser formalizada pela equao que se
segue:
R = V/I; onde:
R a resistncia eltrica do condutor, V a ddp aplicada e I a corrente eltrica

(intensidade) drenada pelo condutor.
Trata se de uma relao linear entre a tenso e a corrente. Entretanto, uma
resistncia cujo valor no permanece constante definida como uma
resistncia no-linear (filamento da lmpada incandescente, por exemplo).
Ento, a LEI de OHM

pode ser expressa
graficamente pela
equao de uma reta,
conforme ilustrado ao
lado:

POTNCIA ELTRICA
Em geral, todo equipamento eltrico transforma energia eltrica em outras
formas de energia. Por exemplo: em um motor eltrico, a energia
transformada em energia mecnica de rotao do motor; em um aquecedor, a
energia eltrica transformada em calor; em uma lmpada incandescente, a
energia eltrica transformada em energia luminosa, etc.
Uma corrente eltrica realiza trabalho fazendo funcionar um motor, aquecendo
um fio e de outras maneiras. A potncia de uma corrente, ou o trabalho que ela
realiza por segundo, depende de sua intensidade e da tenso. Um watt a
potncia de uma corrente de 1 ampre, quando a diferena de potencial 1
volt. Para calcular a potncia eltrica podemos usar a equao P = V*I .
Conhecendo a diferena de potencial V e a corrente I que passa pela
resistncia, determina se a potncia dissipada nessa resistncia (P = V*I).
Outras formas da Potncia Eltrica (vide LEI de OHM):
P = V2/R
e
P = R*I2.
EFEITO JOULE
oUm condutor metlico, ao ser percorrido por uma corrente eltrica, se aquece. O
calor produzido pela corrente que atravessa um fio metlico. Esse fenmeno,
chamado efeito Joule, deve-se aos choques dos eltrons contra os tomos do
condutor. Em decorrncia desses choques dos eltrons contra os tomos do
retculo cristalino, a energia cintica mdia de oscilao de todos os tomos
aumenta. Isso se manifesta como um aumento da temperatura do condutor.

ESTRUTURA ATMICA
DA MATRIA
Toda a matria ( madeira, plstico, vidro, metais, etc ) constituda de

molculas, s quais so formadas por tomos de diferentes elementos
qumicos ( Oxignio, Hidrognio, Fsforo, Ferro, Ouro, Carbono, Cobre, etc ).
Os tomos so a parte elementar da matria e sua estrutura se assemelha de
um planeta com seu(s) satlite(s) natural(is) movimentando se em rbita ao
seu redor ( p. ex: Terra Lua ).
O ncleo do tomo, a parte onde se concentra sua massa, constitui se,
basicamente, de prtons ( partculas com carga eltrica positiva ) e nutrons
( partculas desprovidas de carga eltrica ).
O papel de satlite(s) natural(is) exercido pelos eltrons ( partculas com
carga eltrica negativa ) que movimentam se ao redor do ncleo.
Todo tomo possui o mesmo n de prtons e eltrons; ou seja: possui carga
neutra em seu estado natural.
As cargas eltricas das partculas elementares valem:
Prtons: qp = +1,6*10-19 Coulombs , Nutrons: qn = 0 Coulombs
Eltrons: qe = - 1,6*10-19 Coulombs.
taxa de deslocamento temporal de cargas eltricas d se o nome de
corrente eltrica; ou seja: I = dq / dt. Note que so os eltrons que se deslocam.

ESTRUTURA ATMICA
DA MATRIA
Os eltrons se encontram em nveis de energia ( camadas ), conforme o modelo

de Bohr, mostrado abaixo.
Cada camada pode ter um nmero mximo de eltrons.
Os eltrons da ltima camada (camada de valncia) tomam parte nas reaes
qumicas e tambm na transmisso de energia.
A estrutura estvel quando o tomo apresenta 8 eltrons na camada de
valncia.
Para obter este nmero de eltrons, pode ocorrer uma eletrovalncia (doao)
ou uma covalncia (compartilhamento de seus eltrons de valncia).
Simplificao da estrutura
atmica da matria

ESTRUTURA ATMICA DA
MATRIA
Os materiais podem ser classificados como: condutores, isolantes e

semicondutores.
CONDUTORES: Os eltrons de valncia esto fracamente ligados ao ncleo.
Os eltrons de valncia ao serem submetidos a uma fonte de energia externa
migram facilmente para a banda de conduo.
Ex: cobre (K=2, L=8, M=18, N=1) .
ISOLANTES: Os eltrons de valncia se encontram fortemente ligados ao ncleo
e mesmo com um potencial elevado, liberam poucos eltrons.
Ex: borracha, mica, teflon.
SEMICONDUTORES: Possuem caractersticas intermedirias entre os
condutores e os isolantes;
Principais representantes deste grupo so o Germnio (Ge) e o Silcio (Si).
Ge - (K=2, L=8, M=8, N=4)
Si - (K=2, L=8, M=4)
So tomos tetravalentes ( 4 eltrons na ltima camada );
OBS. Para adquirirem mais estabilidade, participam de ligaes covalentes entre
si. Esta estrutura chamada de intrnseca ou pura.

10
ESTRUTURA ATMICA DA
MATRIA
tomo de Silcio
tomo de Cobre
Cristal de Silcio

11
SEMICONDUTORES TIPO P
e TIPO N
Semicondutor tipo P:
Adiciona-se um elemento de impureza que tenha trs eltrons de valncia
(elemento trivalente), como o boro, glio ou o ndio.
Observa-se que existe um nmero insuficiente de eltrons para completar
as ligaes covalentes da estrutura atmica e, portanto tem-se ligaes
covalentes incompletas chamada de lacunas.
Esta nova estrutura resultante eletricamente neutra e forma um material
semicondutor do tipo P.
Semicondutor tipo N:
Adiciona-se, a uma base de germnio ou silcio um elemento que tenha
cinco eltrons de valncia (pentavalente) como o fsforo, arsnio ou
antimnio.
Quatro eltrons do fsforo formaro uma ligao covalente e o quinto ficar
fracamente ligado ao ncleo.
A estrutura como um todo continua eletricamente neutra.
Com a dopagem necessrio menos energia externa para desencadear um
fluxo de eltrons livres.
Tem-se desta forma um material semicondutor tipo N

12
DIODO POLARIZAO e
CIRCUITOS
Unindo um material tipo P a um material tipo N, de maneira a constituir um nico

cristal, esta juno denominada de juno P-N ou diodo semicondutor de juno.
Num estgio seguinte a juno, ocorre um processo de difuso de eltrons do lado
N para o lado P .
Nesse processo, os eltrons que esto mais prximos juno iro se combinar com
as lacunas, formando novamente uma ligao completa ou mais estvel e por
conseqncia deixaram prximas juno ons positivos e negativos.
Estrutura bsica
do diodo

13
DIODO POLARIZAO e
CIRCUITOS
POLARIZAO DIRETA:
Nesse tipo de polarizao aplica
se tenso positiva ao material
tipo P do diodo ( anodo ),
fazendo com que a barreira de
potencial ( ou de depleo ) seja
diminuda.
Ento, os eltrons da fonte so
injetados na regio N, fazendo
com que os eltrons desta
transpassam essa barreira para
se recombinar com as lacunas
da regio P.
Aps a recombinao,
estabelece se um fluxo
constante de eltrons pelo
diodo. ( Chave Fechada )
SIMBOLOGIA do DIODO

14
DIODO POLARIZAO e
CIRCUITOS
POLARIZAO REVERSA:
Nesse tipo de polarizao aplica
se tenso positiva ao material
tipo N do diodo ( catodo ),
fazendo com que a barreira de
potencial aumente.
Ento, os eltrons dessa regio
so atrados pelo polo positivo
da fonte e parte dos eltrons se
recombinam com a regio P do
diodo.
Com o aumento substancial da
regio de depleo praticamente
no h fluxo de eltrons atravs
do diodo. ( Chave Aberta )

15
DIODO POLARIZAO e
CIRCUITOS
Vpico
Vmed
Vmed
RETIFICADOR DE MEIA ONDA

Vpico = Vef*2 // Vmed = Vpico/

16
DIODO POLARIZAO e
CIRCUITOS
Vpico = Vef*2
//
Vmed = 2*Vpico/
RETIFICADOR ONDA COMPLETA
SINAL de SADA VO

17
DIODO POLARIZAO e
CIRCUITOS
CIRCUITOS CEIFADORES

18
DIODO POLARIZAO e
CIRCUITOS
CIRCUITOS LGICOS DIGITAIS

19
TRANSISTOR BIPOLAR de
JUNO ( BJT )
O transistor bipolar um dispositivo

semicondutor de 3 terminais, no qual
uma pequena corrente em um terminal
(BASE) pode controlar uma corrente
muito maior que flui entre o segundo
(COLETOR) e o terceiro terminal
(EMISSOR). Isto significa que o transistor
bipolar pode funcionar tanto como
amplificador (de corrente) quanto como
interruptor (chave).
Os transistores bipolares podem ser
classificados em NPN ou PNP, de acordo
com a concentrao de impurezas
(dopagem) contida nas suas trs regies.
A dimenso do semicondutor na regio
da Base muito menor do que a regio
de semicondutor nas regies do Emissor
e do Coletor.
Transistor NPN
Transistor PNP

20
JUNO ( BJT )
C COLETOR: coleta cargas eltricas dopagem intermediria;
E EMISSOR: emite cargas eltricas alto nvel de dopagem;
B BASE: controla o fluxo de cargas baixo nvel de dopagem.
oEm eletrnica analgica o BJT comporta-se como uma fonte controlada
( amplificadores );
oEm eletrnica digital comporta-se como um interruptor controlado comutadores
ON/OFF ( chaves ).
SIMBOLOGIA
ASPECTO FSICO
ESTRUTURA INTERNA em CORTE

21
JUNO ( BJT )
Operao do transistor como chave
Considere o circuito da figura. Uma tenso

positiva, denominada Vcc, aplicada aos
terminais do coletor e do emissor do transistor
NPN atravs de um resistor R. O circuito recebe
energia eltrica de uma fonte de alimentao que
pode ser uma bateria.
Ao se aplicar base do transistor um sinal
pulsado (onda quadrada), o transistor ir operar
como uma chave eletrnica.
Quando a tenso aplicada na base do transistor
for nvel baixo (zero volts) o transistor no
conduzir corrente, no havendo, portanto
corrente em R e a tenso de sada igual a
tenso da bateria (Vcc) chave aberta (CORTE).
Quando a tenso aplicada na base do transistor
for nvel alto ( 12 volts, p.ex. ) o transistor
conduz e a tenso de sada ser igual a tenso
de referncia (terra), ou seja, 0 volts chave
fechada (SATURAO).
Transistor NPN como chave digital

22
JUNO ( BJT )
Polarizando se reversamente as junes base-coletor e base-emissor, o

transistor entra em CORTE.
Polarizando se diretamente as junes base-coletor e base-emissor, o
transistor entra em SATURAO.
Transistor em corte

Transistor saturado
23
JUNO ( BJT )
Parmetros do Transistor ( BC548 NPN ):
VBEsat = 0,7 (V) VCEsat = 0,3 (V) =IC/IB = 150 .. 900
( sat = 20 )
ICmax = 200 (mA)
VCEmax = 80 (V)
Parmetros do LED:
VD = 1,5 (V)
ID = 25 (mA)
Simplificao do Circuito de Comutao Transistor NPN

24
JUNO ( BJT )
EXEMPLO1:
CIRCUITO de COMUTAO ON / OFF
Dimensionamento de RB e RC, dados:
Vcc = 12V // IC = 10mA // VBEsat = 0,7V // VCEsat = 0,2V // sat = 20 // VDLED
= 1,5V
Calculando RC:
VRC = VCC ( VD + VCEsat ) ; RC = VRC / IC
Logo, RC = ( VCC VD - VCEsat ) / IC = ( 12,0 1,5 0,2 ) / 0,01 = 1030 ohms
Portanto, adota se RC = 1000 ohms ( 1k ) valor comercial mais prximo.
Calculando RB:
VRB = VCC VBEsat ; RB = VRB / IBsat ; IBsat = IC / sat
Logo, RB = ( VCC VBEsat ) * sat / IC = 12,0 0,7 ) * 20 / 0,01 = 22600 ohms
Portanto, adota se RB = 22000 ohms ( 22k ) valor comercial mais prximo.
Elaborado
TRANSISTOR em CORTE: IB=0
por Fernando
Ze
25
TRANSISTOR
SATURADO: IB=IBsat
JUNO ( BJT )
PORTA LGICA AND
PORTA LGICA OR
TABELA VERDADE OR
TABELA VERDADE AND

26
ELETRNICA DIGITAL
SISTEMAS de NUMERAO
INTRODUO:
Os computadores utilizam um sistema com dois algarismos 1 e 0 para
representar os programas e dados. Esse sistema conhecido como Sistema
Binrio, onde cada algarismo chamado de BIT, BInary Digit.
Essa numerao usa a base dois (2) para representar qualquer nmero.
Analogamente, utilizamos no nosso dia a dia a base dez (10), cujos smbolos
( ou algarismos representativos ) so: 0,1,2,3,4,5,6,7,8,9.
SISTEMA DECIMAL
Independente do Sistema de Numerao adotado, os algarismos encontram se

dispostos do Mais Significaticativo para o menos Significativo, sendo o seu valor
representado pelos dgitos e sua posio. O sistema decimal um Sistemas
Posicional composto de dez (10) dgitos, de 0 a 9, cuja base o n 10, utilizando
um conjunto de smbolos cujo significado depende fundamentalmente da sua
posio relativa ao smbolo vrgula.
O teorema fundamental da numerao corresponde seguinte representao:
Xn*10n + Xn-1*10(n-1)+Xn-2*10(n-2)+...+X2*102+X1*101+X0*100; onde Xn..X0 representam os
diferentes dgitos atribudos ao n, sendo n o n de dgitos aplicados.
Exemplo2: Sejam n=5 / X5=2 / X4=1 / X3=0 / X2=7 / X1=2 / X0=3.
Ento: 2*105 + 1*104 + 0*103 + 7*102 + 2*101 + 3*100
= 2*100000 + 1*10000 + 0*1000 + 7*100 + 2*10 + 3*1
= 200000 + 10000 + 0 + 700 + 20 + 3 = 210723

27
ELETRNICA DIGITAL
o
o
o
o
o
o
o
o
o
SISTEMAS BINRIO
O sistema binrio um sistema de numerao formado por apenas dois
algarismos: 0 (zero) e 1 (um). Ou seja, s admite duas possibilidades, sempre
antagnicas, como: tudo / nada; ligado / desligado; presena / ausncia, direito
/ esquerdo, alto / baixo, verdadeiro / falso, aceso / apagado...
Os microprocessadores percebem somente sinais eltricos, de corrente
contnua, distinguindo-os em dois nveis de voltagem:
- nvel alto (1), "high", H , correspondente a tenso eltrica alta, e
- nvel baixo (0), "low", L, tenso eltrica baixa.
No sistema binrio so utilizados os dgitos 1 (alta tenso) ou 0 (baixa
tenso) para a representao de quantidades.
O conjunto de de dgitos binrios so classificados da seguinte forma:
Byte: 8 bits / Word: 16 bits
Kilobyte: 1024 bytes = 210 bytes
Megabyte: 1024 kilobytes = 210 * 210 bytes
Gigabyte: 1024 megabytes= 210 * 210 * 210 bytes
Terabyte: 1024 gigabytes = 210 * 210 * 210 * 210 bytes
Exemplo3: 8(10) = 1000(2) = 1*23 + 0*22 + 0*21 + 0*20.

Representao por Byte: 8(10) = 00001000(2).
Representao por Word: 8(10) = 0000000000001000(2).

28
ELETRNICA DIGITAL
Converso de base decimal p/
sistema binrio
Deve-se dividir o nmero, em decimal,

sucessivamente pela base destino
escolhida (2) at que no seja mais
possvel realizar a diviso (o dividendo
seja menor que o divisor resto menor
que a base, 2 nesse caso).
Ento se toma o ltimo quociente e
todos os restos das divises anteriores,
no sentido da direita para esquerda e
compe-se o nmero na base destino.
Exemplo4: 10(10) = X(2) = 1010(2) = 1010b.
Converso de base decimal

fracionrio p/ sistema binrio
Para converter um numero fracionrio

de base decimal para binrio, multiplicase o numero fracionrio por 2. A parte
inteira ser o primeiro digito do numero
fracionrio. Repete-se o processo at
que a parte fracionria do ultimo
produto seja zero.
Exemplo5: 0,1875(10) = 0,0011(2)
= 0*20 + 0*2-1 + 0*2-2 + 1*2-3 + 1*2-4
= 0 + 0 + 0 + 1/8 + 1/16 = 3/16 = 0,1875.
X(2) = 1*23 + 0*22 + 1*21 + 0*20.
Converso Decimal Fracionrio p/ binrio

Converso Decimal Inteiro Elaborado
p/ binrio
por Fernando Ze
29
ELETRNICA DIGITAL
FUNES LGICAS BOOLEANAS
Funo Identidade (Buffer): Y = f(A) Y = A

Funo Negao (NOT): Y = f(A) Y = A ( ou Y = , onde l se A
barrado )
Funo Conjuno (AND ou E): Y = f(A,B) Y = A.B
Funo Disjuno (OR ou OU): Y = f(A,) Y = A+B
Funo Ou Exclusivo (XOR): Y = f(A,B) Y = A + B
Funo Coincidncia (XNOR): Y = f(A) Y = A . B
Funo Conjuno Negada (NAND): Y = f(A,B) Y = A . B
Funo Disjuno Negada (NOR): Y = f(A,B)
Y = A+ B
TABELA VERDADE
Mtodo sistemtico para apresentar as possveis interpretaes

(possibilidades ou combinaes) de uma frmula (Equao Booleana).
A tabela-verdade ainda ter um nmero de linhas correspondente ao
nmero de atribuies de valor-verdade para os smbolos proposicionais
(entradas) distintos que aparecem na frmula.
Para k smbolos proposicionais na frmula haver 2k possibilidades de
valor-lgico para estes smbolos proposicionais.
Se k=2 (2 entradas) 22=4 // Se k=3 (3 entradas) 23=8 possibilidades.

30
ELETRNICA DIGITAL
Exemplo6: Qual a tabela verdade das seguinte frmulas:
a) C = A + B ( C = f(A,B); C = A OU B // C = A OR B );
b) D = A . B ( D = f(A,B); D = A E B // D = A AND B );
c) E = A . B + . C ( E=f(A,B,C; E = A E B OU E C // E = A AND B OR A
BARRADO AND C ).
a) Resoluo A OR B:
b) Resoluo A AND B:
A.B
.C
AB+C
c) Resoluo A AND B OR AND C:

31
ELETRNICA DIGITAL
TEOREMAS de DE MORGAN:
Uma funo combinacional ( ou Booleana ) pode ser escrita de vrias

maneiras, sem ser alterada, fazendo-se uso dos Teoremas da lgebra de
Boole. Por exemplo, (A . B)' = A' + B' ( A E B BARRADOS = A OU B )
Os principais teoremas da lgebra Booleana so:

32
ELETRNICA DIGITAL
PORTAS LGICAS:
NOT a porta inversora. Seu

smbolo e tabela-verdade so:
OR A porta OR mais simples possui,

tambm, 2 entradas e 1 sada.
AND A mais simples possui 2

entradas e 1 sada.
NAND equivalente 1 (uma) porta

AND seguida de 1 (uma) porta NOT.

33
ELETRNICA DIGITAL
PORTAS LGICAS:
NOR equivalente 1 (uma) porta
OR seguida de 1 (uma) porta NOT.
XOR o OU exclusivo, onde o

resultado verdadeiro quando apenas
uma das entradas verdadeira.
XNOR Equivalente porta XOR

seguida da porta NOT.

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ELETRNICA DIGITAL
MAPA de KARNAUGH:
O Mapa de Karnaugh uma ferramenta de auxlio minimizao de

funes booleanas. O prprio nome mapa vem do fato dele ser um
mapeamento biunvoco a partir de uma tabela-verdade.
Mapa p/ 2 variveis
Mapa p/ 4 variveis
Mapa p/ 3 variveis

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ELETRNICA DIGITAL
7400 4 NAND 2 entradas
7402 4 NOR 2 entradas
7404 6 INVERSORAS
7408 4 AND 2 entradas

7432 4 OR 2 entradas
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ELETRNICA DIGITAL
PROJETOS de CIRCUITOS DIGITAIS:
Exemplo7: Considere um Sistema de Controle

de Nvel de um Reservatrio, constiudo dos
seguintes componentes:
S1 Sensor de Nvel Mnimo;
S2 Sensor de Nvel Mximo;
S3 Sensor de Transbordamento;
Y1 Motor da Bomba dgua;
Y2 Solenide da Vlvula de Purga
(Ladro); e
Y3 Sinaleiro Defeito / Manuteno.
Quando o Nvel dgua for mnimo, o Motor Y1
acionado p/ encher o Reservatrio.
Quando o Nvel dgua for mximo, o Motor
Y1 desligado. Caso haja Transbordamento
do Reservatrio, deve se acionar a
Solenide de Purga Y2 e o Sinaleiro de
Defeito Y3. Caso haja 2 ou mais sensores
acionados simultaneamente, o Sinaleiro de
Defeito Y3 deve ser acionado.
Y3
Y1
S3
S2
Y2
S1
Esquemtico do Sistema de
Controle de Nvel do Reservatrio

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ELETRNICA DIGITAL
PROJETOS de CIRCUITOS DIGITAIS:
Exemplo8: Considere um Sistema de Sincronizao do Farol de uma Avenida

Principal P c/ o Farol de uma Rua Secundria R; sendo:
P1 Farol Verde Avenida Principal;
P2 Farol Amarelo Avenida Principal;
P3 Farol Vermelho Avenida Principal;
R1 Farol Verde Rua Secundria;
R2 Farol Amarelo Rua Secundria;
R3 Farol Vermelho Rua Secundria.
P1 permanece aceso por 5 segundos. Aps P1 apagar, P2 acende por 2
segundos. Aps P2 apagar, P3 acende durante 5 segundos. Ento reinicia se
o ciclo do Farol da Av. Principal.
Quanto Rua Secundria, R1 acionado simultaneamente P3, permanecendo 3
segundos aceso. R2 acende aps R1 apagar, pemanecendo aceso por 2
segundos. J R3 acionado concomitantemente P1 e apaga se quando P2
apaga. Ento, reinicia se o ciclo.
Como as Lmpadas de Farol Vemelho ( tanto da Av. Principal P quanto da Rua
Secundria R ) permanecem acesos enquanto as Lmpadas Verde e Amarela
do outro Farol estiverem acesas, sero consideradas quatro entradas e,
obviamente, 6 sadas ( uma p/ cada Lmpada dos Faris ), sendo:
S1 Sensor P1 aceso // S2 Sensor P2 aceso // S3 Sensor R1 aceso // S4
Sensor R2 aceso // Y1 Sada Lmpada P1 // Y2 Sada Lmpada P2 // Y3
Sada Lmpadas P3 // Y4 Sada Lmpada R1 // Y5 Sada Lmpada R2 //
Y6 Sada Lmpada R3.

38
ELETRNICA DIGITAL
Resoluo Ex.7:
1 PASSO: Montando a Tabela Verdade
S1 S2 S3 Y1 Y2 Y3
0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 1 1
0 1 0 0 1 0
0 1 1 0 0 1
1 0 0 1 0 0
1 0 1 0 0 1
1 1 0 0 0 1
1 1 1 0 0 1
2 PASSO: Montando o Mapa de

Karnaugh p/ Y1
S1S2
S3/
00 01 11 10
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
3 PASSO: Escrevendo a
Funo Booleana de Y1
Y1 = S1.S2.S3 Logo, Y1 = S1 . ( S2 + S3 )
4 PASSO: Montando o
Circuito Lgico p/ Y1
S1
Y1
S2
S3

39
ELETRNICA DIGITAL
Karnaugh p/ Y2
S1S2
S3/

Karnaugh p/ Y3
00 01 11 10
0
1
0
1
1
0
0
0
S1S2
S3/
0
0
0
1
Funo Booleana de Y2
Y2 = S1.S2.S3 + S1.S2.S3
Logo, Y2 = S1 . ( S2.S3 + S2.S3 )
7 PASSO: Montando o
S1
S2
S3
S1
S2
S3
0
1
0
1
1
1
0
1
Funo Booleana de Y3
Y3 = S3 + S1.S2
Y2
S2.S3
00 01 11 10
S2.S3 + S2.S3
10 PASSO: Montando o
S1
S1.S2
Y3
S2
S3
S2.S3

40
ELETRNICA DIGITAL
Resoluo Ex.8:
2 PASSO: Montando o Mapa de Karnaugh p/ Y1
1 PASSO: Montando a Tabela Verdade

S1
S2
S3
S4
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
S3S4
S1S2/
00
01
11
10
00
01
11
10
3 PASSO: Montando a Equao Booleana de Y1:

Y1 = S1.S2.S3.S4
S3S4
S1S2/
00
01
11
10
00
01
11
10
5 PASSO: Montando a Eq. Booleana de Y2:

Y2 = S1.S2.S3.S4

41
ELETRNICA DIGITAL
S3S4
S1S2/
00
01
11
10 PASSO: Mapa de Karnaugh p/ Y5

S3S4
S1S2/
10
00
01
11
10
00
00
01
01
11
11
10
10

Y3 = S1.S2.S3.S4 + S1.S2.S3.S4
Y3 = S1.S2.(S3.S4+S3.S4)
S3S4
S1S2/
00
01
11
10
00
01
11
10

Y4 = S1.S2.S3.S4
Elaborado

Y5 = S1.S2.S3.S4
S3S4
S1S2/
00
01
11
10
00
01
11
10

Y6 = S1.S2.S3.S4 + S1.S2.S3.S4
Fernando Y6
Ze= S3.S4.(S1.S2+S1.S2) 42
por
ELETRNICA DIGITAL
CIRCUITOS LGICOS SINCRONIZAO DE FARIS:
Y1 = S1.S2.S3.S4
S1
Y4 = S1.S2.S3.S4
S1.S2
S2
S1
Y1
S1.S2
S2
S3
S4
Y4
S3
S4
S3.S4
S3.S4
Y2 = S1.S2.S3.S4
S1
Y5 = S1.S2.S3.S4
S1.S2
S2
S1
Y2
S1.S2
S2
S3
S4
Y5
S3
S4
S3.S4
S3.S4
Y6 = S3.S4.(S1.S2 + S1.S2)
Y3 = S1.S2.(S3.S4 + S3.S4)
S1
S1
S1.S2
Y3
S2
S2
S3
S4
S1.S2
S1.S2
S3.S4
S3
S4
S3.S4
Y6
S3.S4

43
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
Visando a simplificao dos Sistemas de Controle Rel, surgiu o CLP,

proporcionando um controle flexvel e interativo, aplicvel em, praticamente,
todos os ramos da Indstria Moderna. Sua estrutura bsica permite Automatizar
qualquer Sistema, vide Figura abaixo:
Processo Sistema que se
deseja controlar;
Etapas do Processo no PLC:
CPU Hardware onde so
processadas todas as
informaes necessrias
execuo do Software;
Medio Executada por
Sensores e Dispositivos
diversos acoplados s
Entradas do PLC;
Atuadores Dispositivos,
acoplados s Sadas do PLC,
responsveis pelas
intervenes automticas
requeridas pelo Processo.

44
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
Funes Bsicas da CPU:

Coletar os dados dos cartes de entrada do CLP, efetuar o processamento
conforme o programa armazenado na memria, e enviar aos cartes de sada como
resposta ao processamento.
Armazenar Parmetros das Entradas e Programas em Memria Voltil ;
Permitir ao Usurio Monitorar o Processo, Modificar e Descarregar o Programa, via
Porta Serial, ao PC e vice-versa.
Caractersticas Bsicas do CLP:

Alta tenso e alta corrente presente nos sinais de entrada e sada (I/O);
Deve ser robusto para manuseio em Ambiente Industrial e flexvel, permitindo
expanso de suas I/Os;
Deve possuir Hardware de Controle, de tamanho reduzido e baixo consumo de
energia, simples para (Re)Programao do Software com mnima Interrupo
da Produo;
Compatibilidade com Diversos Tipos de Sinais de Entrada;
Custo Competitivo em Relao aos Sistemas de Controle Convencionais.

45
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
LGICA de PROGRAMAO
Uma linha vertical esquerda representa um barramento energizado. Uma outra

linha paralela direita representa uma barra de terra. Os elementos constitudos
por contatos N.A., N.F., Bobinas de rels, etc, so dispostos na horizontal
formando as malhas dos circuitos lgicos.
A corrente eltrica (ou de potncia) sempre flui da esquerda para a direita. O
diagrama final se parece com uma escada em que as laterais so as linhas de
alimentao e os degraus representam a lgica. Essa lgica denominada
LADDER (escada) e as linhas horizontais (ou degraus) so as RUNGs. A Lgica
Ladder comumente conhecida como Lgica de Contatos.
Circuito de Comando em Lgica Ladder

46
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
Cada contato est associado ao estado de uma varivel lgica;

P. ex., se a varivel associada a um contato normalmente aberto (NA) est em TRUE
ento o contato estar ativo e se fechar deixando fluir a energia. Se a varivel
associada a um contato normalmente aberto (NA) est em FALSE, ento o contato
estar aberto e o circuito ser interrompido;
Quando todos os contatos de uma linha horizontal esto fechados, ento a corrente
fluir at a bobina que o ltimo elemento da linha ou degrau. A bobina ser
energizada e os contatos a ela associados, passaro para os seus estados ativos,
aberto ou fechado dependendo de sua natureza (NF ou NA);
Este diagrama equivalente ao seguinte trecho de programa em Texto estruturado:
BombaDesligada := (DrenoFechado AND PortaFechada) OR Manual;
Cada lgica associada a uma bobina denominada ladder rung ou degrau.
Bobina Energizada
Chaves acionadas

47
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
REPRESENTAO dos ELEMENTOS em LADDER:
BOBINAS
CONTATOS

48
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
CLP OMRON (CJ1M) MQ4 CPU & Mdulos de I/Os

CPU CLP MQ4 Aspecto Fsico

49
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
Mdulo de Sada Digital CLP OMRON CJ1M

Mdulo de Entrada Digital CLP OMRON CJ1M

50
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
Para ilustrao supe se estejam instaladas uma ID212 ( Input Digital 24Vcc
sada a transistor ) no 1 RACK ( ou SLOT ) e uma OD212 ( Output Digital 24Vcc
sada a transistor ) no 2 RACK.
Ento, as Entradas Digitais correspondem WORD 1 e as Sadas Digitais
correspondem WORD 2.
Portanto, as 10 chaves de entrada seriam assim endereadas:
ENDEREAMENTO dos MDULOS de I/Os
1.00 Chave ligada Entrada 0 (Borne 0) do 1 RACK;

1.01 Chave ligada Entrada 1 (Borne 1) do 1 RACK; e, sucessivamente ...
1.09 Chave ligada Entrada 9 (Borne 9) do 1 RACK.
Analogamente, os displays seriam assim endereados:
2.00 Bit D0 do 1 Display Sada 0 (Borne 0) do 2 RACK;

2.01 Bit D1 do 1 Display Sada 1 (Borne 1) do 2 RACK; e, sucessivamente ...
2.07 Bit D3 do 2 Display Sada 7 (Borne 7) do 2 RACK.
importante observar que o comum das Chaves de Entrada

positivo e que, portanto, ao acion las, a entrada Digital
correspondente recebe um sinal de 24Vcc!

51
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
Exemplo9 Projeto de Furadeira Automtica, em PLC, que executada um rasgo

descentralizado de 45 em peas de ferro, conforme condies e diagrama
abaixo:
S1 Sensor de Presena da pea na Mesa Giratria 45;
S2 Limitador de Curso Recuo Furadeira (Subida);
S3 Limitador de Curso Avano Furadeira ( Descida);
B0 Boto START (N.A.) Inicia o Ciclo Automtico;
B1 Boto STOP/RESET (N.F.) Pra o Sistema e retorna todos os
Dispositivos ao Estado de Repouso;
M1 Motor de Giro da Furadeira (Broca);
M2 Motor Sobe/Desce Furadeira;
Y1 Solenide de Giro Mesa Giratria 45.
M1
Sistema Furadeira Automtica

Pea pronta c/ Rasgo 45 Vista Superior Pea pronta
M2
S2
S3
S1
Y1

52
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
Funcionamento do Sistema:
O Sistema iniciado ao pressionar se o boto B0 (START). Inicialmente, coloca se o
Eixo Vertical da Furadeira (M2) em Repouso ( Eixo Recuado ). O Motor do Eixo Vertical
desligado ao ser atingida a Posio Inicial do mesmo (S2). Deve se ento posicionar
corretamente a Pea (S1) a ser trabalhada na Mesa Giratria 45.
Em seguida acionado o Motor da Broca (M1) e aps 2 segundos, o Eixo Vertical (M2)
extendido ( Avano do Eixo ) p/ iniciar a furao da pea. Chegando o Eixo Vertical no
Limitador de Avano (S3) desliga se o Avano do Eixo Vertical para que seja feito o rasgo
na Pea. Para tal, a Mesa Giratria (Y1) inicia seu movimento, permanecendo acionada
durante 5 segundos. Ao trmino desse tempo, a Mesa retorna automaticamente Posio
Inicial (Retorno por Mola) e inicia se o Retorno do Eixo Vertical ( Recuo do Eixo ) para
que se encerre o ciclo.
Para a repetio do Ciclo Automtico do Sistema deve se retirar a Pea Acabada e Inserir
na Mesa Giratria uma nova Pea. Para interromper o Funcionamento do Sistema deve se
acionar B1, sendo que todos os Dispositivos so levados ao Estado de Repouso.
Consideraes:
Entradas: B0 Boto Start (1.00) (N.A.) // B1 Boto Stop/Reset (1.01)

(N.F.) // S1 Presena Pea Mesa giratria (1.02) // S2 Limitador Recuo Eixo
Vert. (1.03) // S3 Limitador Avano Eixo Vert. (1.04).
Sadas: M1 Broca Furadeira (2.00) // M2 Avano Avano Eixo Vert.

(2.01) // M2 Recuo Recuo Eixo Vert. (2.02) // Y1 Avano Mesa Giratria (2.03).

53
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
Ligaes Borneiras E/S Ex.9
Sadas Digitais RACK2

0
1
8
Fonte
24Vcc
B0
B1
S1
S2
A2
COM
9 10 11 12 13 14 15
A1
M2
AV
M1
S3
A1
M2
RC
A2
A1
A1
Y1
A2
A2
COM
9 10 11 12 13 14 15
Entradas Digitais RACK1

54
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
Exemplo10 Projeto de Sincronizao Automtica Farol da Av. Principal P c/ Rua

Secudria R (j abordado em circuitos lgicos):
Consideraes:
Entrada: 1.00 Boto START (B0) (N.A) // 1.01 Boto Stop/Reset (B1) (N.F);
Sadas: 2.00 Verde Principal // 2.01 Amarelo Principal // 2.02 Vermelho
Principal // 2.03 Verde Secundria // 2.04 Amarelo Secundria // 2.05
Vermelho Secundria.
Fonte
24Vcc
B1
B0
1
8
COM
9 10 11 12 13 14 15
Entradas Digitais RACK1

55
CONTROLADOR LGICO
PROGRAMVEL - CLP
Sadas Digitais RACK2
0
1
8
X1
VD-P
X1
AM-P
X2
COM
X1
VD-R
X2
9 10 11 12 13 14 15
X1
VM-P
X2
X1
AM-R
X2
X1
VM-R
X2
X2
OBS: OS COMUNS DAS ENTRADAS e SADAS DIGITAIS DO CLP DEVEM SEMPRE ESTAR INTERLIGADOS!

56

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ELETRNICA BSICA

ESSE CURSO TM POR OBJETIVO TRANSMITIR AOS PROFISSIONAIS

Elaborado por Fernando Ze

A Eletrnica um ramo da Fsica onde se estudam os fenmenos das cargas

Resistncia eltrica a capacidade de um corpo qualquer se opor passagem

Elaborado por Fernando Ze

Elaborado por Fernando Ze

R a resistncia eltrica do condutor, V a ddp aplicada e I a corrente eltrica

Ento, a LEI de OHM

Elaborado por Fernando Ze

Elaborado por Fernando Ze

Toda a matria ( madeira, plstico, vidro, metais, etc ) constituda de

Elaborado por Fernando Ze

Os eltrons se encontram em nveis de energia ( camadas ), conforme o modelo

Elaborado por Fernando Ze

Os materiais podem ser classificados como: condutores, isolantes e

Elaborado por Fernando Ze

Elaborado por Fernando Ze

Tem-se desta forma um material semicondutor tipo N

Elaborado por Fernando Ze

Unindo um material tipo P a um material tipo N, de maneira a constituir um nico

Elaborado por Fernando Ze

Elaborado por Fernando Ze

Elaborado por Fernando Ze

RETIFICADOR DE MEIA ONDA

Elaborado por Fernando Ze

RETIFICADOR ONDA COMPLETA

Elaborado por Fernando Ze

Elaborado por Fernando Ze

Elaborado por Fernando Ze

O transistor bipolar um dispositivo

Elaborado por Fernando Ze

ESTRUTURA INTERNA em CORTE

Elaborado por Fernando Ze

Considere o circuito da figura. Uma tenso

Transistor NPN como chave digital

Elaborado por Fernando Ze

Polarizando se reversamente as junes base-coletor e base-emissor, o

Elaborado por Fernando Ze

Simplificao do Circuito de Comutao Transistor NPN

Elaborado por Fernando Ze

PORTA LGICA AND

TABELA VERDADE AND

Elaborado por Fernando Ze

Independente do Sistema de Numerao adotado, os algarismos encontram se

Elaborado por Fernando Ze

Exemplo3: 8(10) = 1000(2) = 1*23 + 0*22 + 0*21 + 0*20.

Elaborado por Fernando Ze

Deve-se dividir o nmero, em decimal,

Converso de base decimal

Para converter um numero fracionrio

X(2) = 1*23 + 0*22 + 1*21 + 0*20.

Converso Decimal Fracionrio p/ binrio

FUNES LGICAS BOOLEANAS

Funo Identidade (Buffer): Y = f(A) Y = A

Mtodo sistemtico para apresentar as possveis interpretaes

Elaborado por Fernando Ze

Exemplo6: Qual a tabela verdade das seguinte frmulas:

c) Resoluo A AND B OR AND C:

Elaborado por Fernando Ze

Uma funo combinacional ( ou Booleana ) pode ser escrita de vrias

Elaborado por Fernando Ze

NOT a porta inversora. Seu

Exemplo3: 8(10) = 1000(2) = 123 + 022 + 021 + 020.

X(2) = 123 + 022 + 121 + 020.