Diodos

y
Transistores
Jos Gerardo Rocha lvarez

Organic Light
Emitting
Diode
Diodo Orgnico de Emisin de Luz

Introduccin
La estructura bsica del OLED (Diodo Orgnico de Emisin de Luz) fue reportada
por Ching W. Tang y Steven Van Slyke en Eastman Kodak en 1987. Este fue un
estudio innovador y poco despus se le refiri como el primer papel electrnico
OLED. Ahora 27 aos ms tarde, hay un gran mercado para dispositivos
electrnicos con pantallas OLED. Despus la primer active-matrix-driven OLED
(AMOLED) presentada por SK Diplays (empresa conformada por Eastman Kodak y
Sanyo Electronics), el primer dispositivo que uso pantallas AMOLED fue la cmara
digital Kodak LS633, despus de esto fue seguida una amplia produccin de
dispositivos que utilizaban pantallas OLED tales como: Smartphone, reproductores
de msica, dispositivos GPS, que ahora aportan una gran calidad de imgenes con
gran contraste y brillo.

Kodak LS633

Sony Walkman
NW-X-1050

Portarretratos
OLED de Kodak

Definicin
El origen de la tecnologa OLED, la cual es basada en las tempranas observaciones
de la electroluminiscencia. En los principios de los aos 50, un grupo de
investigadores en la Universidad Nancy de Francia aplico campos de alto voltaje de
corriente alterna (AC) en aire a acridina naranja y quinacrina, los cuales fueron
disueltos o depositados en una capa delgada de celulosa o celofn. Un mecanismo
identificado en este proceso involucra la excitacin de electrones. Despus en 1960
un grupo de investigadores de la universidad de Nueva York (NYU) el mtodo de
inyeccin de electrodos hmicos (ohmic dark-injecting electrode contacts) a cristales
orgnicos y describieron la necesidad
de funciones de trabajo para huecos e
inyeccin de electrones, contactos electrodos. Estos contactos son el recurso de
inyeccin de carga en todas las pantallas OLED de hoy en da.

La NYU tambin estudio la electroluminiscencia de corriente

directa (DC) al vaco en cristales puros de antraceno y cristales
de tetraceno dopado en pequeas reas de un electrodo de plata
a 400V. El mecanismo propuesto para esta reaccin fue
denominado excitacin de electrones acelerados por el campo de
la fluorescencia molecular. El grupo de la NYU observo despus
que en la ausencia de un campo elctrico externo, la
electroluminiscencia en cristales de antraceno resulta de
recombinaciones de electrones y huecos, y que el nivel de
energa de conductancia del antraceno es mas alto que el del
nivel excitn.

Gracias a la asociacin entre electroluminiscencia y mas tarde con desarrollo de

OLED con las bases de otros estudios de la electroluminiscencia, el termino
electroluminiscencia orgnica gradualmente emergi y se sigue usando hoy en
da.
La electroluminiscencia incluye dos fenmenos bsicos:
1. Emisin de luz durante la presencia de molculas excitadas causadas por la
aceleracin de electrones (electrones que son acelerados aun nivel energtico
mas alto).
2. Emisin de luz durante la recombinacin de electrones y huecos tal como lo
hacen todos los LED.
El fenmeno numero 1 es la definicin mas cercana a los dispositivos OLED
actuales, despus de del primer papel electrnico OLED desarrollado por Tang y
Van Slyke.

Semiconductores Orgnicos
En la bsqueda de iluminacin amigable con el medio ambiente, los materiales
orgnicos proporciona una opcin ejemplar. Estos materiales representa un gran
conjunto de compuestos qumicos en los cuales uno o mas tomos de carbn estn
covalentemente unidos a tomos de otros elementos, los ms usuales hidrogeno,
oxigeno, o nitrgeno. Siendo estos compuestos qumicos de lo seres vivos, estos son
conocidos como compuestos orgnicos por su asociacin con las creaturas y los
organismos. La ilimitada libertad de diseo de molculas orgnicas ha atrado a las
investigaciones electrnica de materiales inorgnicos a orgnicos. Complejas
arquitecturas orgnicas moleculares son formadas por la unin distintiva de carbn,
involucrando orbitales hibridas sp^3,sp^2 y sp. Estas arquitecturas tiene extensas
funciones en un amplio surtido de organismos y productos industriales. Entre los
materiales orgnicos, los semiconductores orgnicos son una clase de solidos que
tienen caractersticas semiconductoras basadas en compuestos orgnicos
conteniendo tomos en secuencias de carbono e hidrogeno , ocasionalmente tambin
nitrgeno, oxigeno, sulfuro u otros tomos enganchados en esta secuencia. Estos no
estn relacionados con comida orgnica o agricultura ni tampoco contienen ningn
metal peligroso. Estos constituyen una tecnologa ecolgica y de igual forma son
biodegradables.

Lnea de Tiempo del Desarrollo

de la Tecnologa OLED
Ao

Evento

1960 amed-1970 Molculas de cristal OLED, antraceno, etc.

Compaa/Instituto
NRC (Canad), RCA

1987

Estructura de papel electrnico OLED

Eastman Kodak

1990

El primer papel electrnico PLED en la naturaleza.

Cambridge Univ.

1996

La primera demostracin AMOLED (QVGA)

TDK

1998

La primera fosforescencia OLED

Princeton Univ.

1999

El primer dispositivo pasivo OLED

Pioneer

2001

Pantalla AMOLED de 0.72 montada en lentes.

eMagin

2001

Prototipo de pantalla AMOLED de 13.

Sony

2001

Prototipo de pantalla AMOLED 2.1

Seiko Epson

2002

Prototipo de pantalla OLED 15 1280 x 720

Eastman Kodak/Sanyo

2003

Cmara Digital con pantalla AMOLED de 2.2

Eastman Kodak

************ONCE AOS DESPUES************

2014

TV OLED 4K de 77 Flexible

LG/ IFA 2014

Estructura Bsica OLED

La emisin de luz de todos los dispositivos OLED sea de la familia de los polmeros o
molculas pequeas, pueden ser explicados por el mismo principio. A travs de la
recombinacin electrn-hueco, un estado molcula con alta energa es formado. A
este estado se le hace llamar excitn, se comporta como una nica molcula con alta
energa. Este excitn genera luz despus de un perodo de tiempo de vida del mismo.
El ancho de onda de esta emisin de luz corresponde a la energa del excitn, es
posible de controlar el color de la emisin ajustando el diseo molecular del centro de
color. Esta caracterstica es muy ventajosa para las aplicaciones del OLED.
En experimentos usando tetraceno dopado, cristales de antraceno y otros materiales,
la emisin del luz en los OLED han sido observados en el ya muy llamado papel
electrnico OLED en 1987.

El voltaje y los niveles de eficiencia fueron insuficientes para las actales

aplicaciones en la imagen abajo mostrada y descrito en el papel electrnico Tang-Van
Slyke representa concepto avanzados que sigues validos hoy en da:
1. Una mejora significativa en recombinacin mas
eficiente por la estructura de las capas usando
diferentes materiales.
2. Fabricacin de dispositivo con bajo voltaje, buena
calidad, a travs de la evaporacin.
3. Seleccin apropiada de inyeccin de materia
electrn-hueco y funciones de trabajo para
electrodos ctodo/nodo.
4. Un alto campo elctrico obtenido por la
formacin una capa ultra delgada.
Dispositivos OLED podran emitir luz muy tenue antes de estos acontecimientos,
pero la operacin de alta luminancia se logr poco despus del primer papel
electrnico OLED.

Funcin de cada capa de los OLED

El triunfo de estos dispositivos es atribuida a la circunspecta y prudente seleccin de
materiales para diferentes capas constituyentes. Para entender estas operaciones,
tenemos que conocer primero la estructura genrica de un LED de pequea
estructura que consiste en una secuencia de capas mostradas en la figura. En esta
estructura cada capa tiene una funcin asignada.

(a) Configuracin del OLED

(b) and (c) estructura molecular del Alq3 (Tris(8hydroxuquinolinato) de aluminio) emisor verde y diamina
aromtica terciaria, portadora de huecos.

nodo (A): Inyecta los huecos dentro de la capa de inyeccin de huecos(HIL); este es un
materia potencial altamente ionizado tal como el calcio y el magnesio para inyectar
huecos en la HIL. Este es un material transparente como ITO (oxido de indio) para ser
capas de transmitir la luz a travs de el.
Capa de inyeccin de huecos: Facilita la inyeccin
de huecos del nodo a la capa transportadora de
huecos (HTL) escogiendo los niveles de energa de el
HOMO para estar entre HOMO de la HTL y la
ionizacin potencial del nodo.
Capa transportadora de huecos: facilita la
transferencia de huecos gracias a su gran
caracterstica de movilidad de huecos; esta tambin
se opone a la transferencia de electrones del ctodo
hacia el nodo ya que causa una deviacin del flujo
de corriente.
Capa de emisin: hace la inyeccin de huecos y electrones de las capas adyacentes por
posiciones convenientes de HOMO y LUMO de la capa de emisin; esta deber tener una
gran fotoluminiscencia eficiente con emisiones red-shifted (en la parte roja final de
espectro) para absorcin.
Capa transportadora de electrones (ETL): Complementaria a HTL.
Capa de inyeccin de electrones (EIL): Complementaria a HIL.
Ctodo (K): Inyecta electrones en la EIL; esto es generalmente hecho con materia con
poca funcin de trabajo tal como el calcio o magnesio.

Diagrama de la Banda de Energa del OLED

La figura muestra el diagrama de la banda de energa de un dispositivo OLED
consistiendo de una o mas pelculas delgadas de semiconductores orgnicos empalmados
entre dos electrodos. Cuando se polariza en directa, los electrones son inyectados del
ctodo hacia el LUMO de el semiconductor orgnico mientras huecos son colocados del
nodo hacia el HOMO del mismo.
Una gran inyeccin de electrones es posible, pareando el nivel
LUMO de el
semiconductor orgnico con la funcin de trabajo del metal ctodo,
CM , que es la
energa Fermi, EF . La paridad de energa entre el ctodo y LUMO previenen la perdida
de energa durante la inyeccin de electrones.

Diagrama de la banda de energa (a) para operaciones OLED, (b) interface del
Del semiconductor nodo e interface del semiconductor ctodo.

Metales que requieren poca funcin de trabajo son a menudo altamente reactivos y
vulnerables a la corrosin en entornos hmedos en la presencia de oxigeno, haciendo
una seleccin restringida, Ca o Mg normalmente usados, desde que la poca funcin de
trabajo del Ca o Mg, los electrones son capases de convertirse en barreas entre el nivel
Fermi (Ca o Mg) y el nivel LUMO el semiconductor orgnico. Un contacto hmico es por
tanto establecido.
Igualmente, para lograr una buena emisin de luz, es esencial una gran proporcin de
inyeccin de huecos, por lo que esto es necesario para parear la funcin de trabajo de el
metal nodo AM , que es, la energa Fermi EF , con el nivel HOMO del semiconductor
orgnico. Debido a la alta funcin de trabajo de mucho metales, este pareo es fcil. Pero
no nicamente metales, sino tambin muchos xidos de metal, tales como el ITO
transparente, GaInO3 o ZnInSnO (xidos conductores transparentes) tambin tiene una
gran funcin de trabajo que estn cerca al nivel HOMO del semiconductor orgnico tal
como la diamina, hacindolos apropiados para el nodo.

Similitudes con Semiconductores

Inorgnicos

Semiconductor Inorgnico

Semiconductor Orgnico

Banda de valencia

HOMO

Banda de conduccin

LUMO

Banda Prohibida

Banda Prohibida

Aplicaciones

Videos

Conclusiones

Una doble-heteroestructura de molculas OLED es un dispositivo

que consiste de mltiples capas de xidos de metal transparente
como nodo y ctodo y tres capas orgnicas empalmadas entre
estos electrodos, la HTL, las capas de emisin (EML), y ETL. Las
capas orgnicas adjuntas al nodo es la HTL y la adyacente al
ctodo es ETL. El EML usualmente consiste en emisin de luz
colorante o agentes dopados en materiales adecuados, los cuales
son frecuente mente el mismo como materiales HTL o ETL.
El mtodo de fabricacin para molculas pequeas OLED es
deposicin de vapor a alto vaco. Pero esto incrementa la
complejidad de fabricacin.

Bibliografas
Fundamentals of Solid-State Lightning Vionod Kumar Khanna
OLED Displays Fundamentals and Applications Takatoshi
Tsujimura.