Transistores

Transistores
Transistores

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

El
El transistor
transistor bipolar
bipolar de
de unin
unin (BJT)
(BJT)
Emisor

Emisor

Base Colector

Colector

Base

--

Emisor

Emisor

Base Colector
P

Colector

Base

Base poco dopada

Emisor ms dopado que colector
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Configuraciones
Configuraciones del
del transistor
transistor
Hay 4 variables que dependen el tipo de conexin:
Vsalida, Ventrada, Isalida, Ientrada.
E

Variables:
VBE, VCB, IE, IC

Emisor comn
Variables:
VBE, VCE, IB, IC
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

E
C

Base comn

Colector comn
Variables:
VCB, VCE, IB, IE

Configuracin
Configuracin en
en emisor
emisor comn
comn
IC = 99 mA
RB

VBB

IB

RC

B
VBE

IC
VCE
E

VCC

RB

99 %

B p

1%

VCC

IB = 1 mA
100 %

RC

VBB

Ic
99
IE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

n
E

IE = 100 mA

Curva
Curva caracterstica
caracterstica de
de entrada
entrada
IB

RB

VBB

RC

B
IB

IC
VBE

VCE
E

VCC

0,7 V

VBE = VBB - IB RB
VBE 0,7 V
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

VBE

Curva
Curva caracterstica
caracterstica de
de salida
salida

RB

VBB

B
IB

IC
(mA)

RC
IC

VBE

VCE

IB = 40 A
VCC

IB = 60 A

IB = 20 A

VCE (V)

VCE = VCC - IC RC

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Emisor
Emisor comn:
comn: variables
variables
RC

Variables: VBE, VCE, IB, IC

VBE 0,7 V para silicio

RB
VBB

IC

IB

VBE

VCE

VBE = VBB - IB RB
+VCC
IC

IC = IB
RB

VCE = VCC - IC RC

Ventrada

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

IB

RC
Vsalida

VCC

IC ( mA)

Curvas
Curvas caractersticas
caractersticas del
del transistor
transistor CE
CE

IB = 80 A

Regin de saturacin

Regin activa

IB = 60 A

Regin de corte

IB = 40 A

Ruptura

IB = 20 A

RC

RB

IB = 0 A

VBB

VBE

VCE

VCE (V)

En regin activa: unin EB con polarizacin directa, BC con

polarizacin inversa. Aplicacin en amplificacin.
En regin de corte: las dos uniones polarizadas inversamente:
circuito abierto.
En regin de saturacin: las dos uniones polarizadas
directamente: cortocircuito.
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

VCC

Lnea
Lnea de
de carga
carga yy punto
punto de
de funcionamiento
funcionamiento
= 100

RC =1 k

VBE = -IB RB+ VBB

RB=16 k
VBB = 2 V

IB

VBE 0,7 V

IC
VBE

IB

VCE

VCC=10 V

VBB VBE 2 0,7

81,25 A
RB
16000

Ic = IB = 8,125 mA
IC

IB4

Q
IB2
IB1

IB3

ln
e

de

ca

rg

VBB (V)
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,3

VCE
V
=
10
V
CC
Presentacin
por Jos Quiles Hoyo

VCE (V)
10
9,375
8,75
8,125
6,875
5,625
4,375
3,125
1,875
0,625
0

Ic (mA)
0
0,625
1,25
1,875
3,125
4,375
5,625
6,875
8,125
9,375
10

IB (A)
0
6,25
12,5
18,75
31,25
43,75
56,25
68,75
81,25
93,75
100

Corte
Regin activa

VCC
RC

VCE = VCC - IC RC = 10 - 8,125 = 1,875 V

Saturacin

Lnea
Lnea de
de carga
carga yy punto
punto de
de funcionamiento
funcionamiento
VCE (V)

0,7 V

14

5,55 V

RB

RC
C

Ic (m A )

V BE

150
B

VB

Ic (mA)
0
12

12,00
0,00

5,550

6,450

12

V CC

10

12 V

6,49 mA

5V

43,00 A

6,45 mA

6
4

43,000
6,450
6,493
5,550
4,850

IB
Ic
IE
VCE
VCB

43,00 A
6,45 mA
6,49 mA
5,55 V
4,85 V

30,1 PEB
35,7975 PCE
PT

30,10 W
35,80 mW
35,83 mW

2
0
0

10

12

Vcc (V)

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

14

El
El transistor
transistor como
como conmutador
conmutador
Si VBB , IB = , IE IC = VCC/RC

zona de saturacin

IC

cortocircuito CE VCE = 0

B
B

Si VBB = 0 o < 0,7 V, IB = 0,

IE IC 0, VCE = VCC
Zona de corte
circuito abierto VCE = VCC

VCC

VCE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Circuito
Circuito inversor
inversor simple
simple
+VCC
RC
RB

Vsalida

Ventrada

VBB (V)
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,3

VCE (V)
10
9,375
8,75
8,125
6,875
5,625
4,375
3,125
1,875
0,625
0

INVERSOR

A
Ventrada

Vsalida
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Ic (mA)

IB ( A)

0
0,625
1,25
1,875
3,125
4,375
5,625
6,875
8,125
9,375
10

Y = not A
Y

0
6,25
12,5
18,75
31,25
43,75
56,25
68,75
81,25
93,75
100

Transistor
Transistor de
de unin:
unin: amplificador
amplificador
IE

P
Emisor

N
Base

P
Colector

IC

B
IB

RL
D

VEB

V
VAD = RLIC

(-IC) = gm VEB
gm : transconductancia

VAD
RL g m
VEB

Presentacin por Jos Quiles Hoyo