Dispositivos Electrnicos

Semiconductores
1. Introduccin
2. Conductores, Semiconductores y Aislantes
3. Movimiento de la carga elctrica para el metal
4. Movimiento de la carga elctrica para el semiconductor
5. Anlisis del semiconductor intrnseco
6. Concentracin intrnseca
7. Nivel de Fermi
8. Semiconductores extrnsecos
9. Nivel de Fermi para cristal extrnseco

Introduccin
Sin lugar a dudas, el estudio de las propiedades fsicas
de los materiales semiconductores y sus sorprendentes
aplicaciones en el desarrollo tcnico de dispositivos
elctricos, representan una de las revoluciones
cientfico-tecnolgicas de mayor impacto sobre nuestra
sociedad. Para tener una idea de la real magnitud de
esta revolucin pensemos por un momento en los
transistores, probablemente la aplicacin tecnolgica
ms importante de los semiconductores. Cualquier
habitante del mundo moderno se encuentra rodeado
cotidianamente por millones de transistores. Estn en el
televisor, en el equipo de msica, en la mquina de
lavar, en el reloj de pulsera, en el telfono celular. Un
computador personal puede llegar a tener algunos miles

Conductores, Semiconductores y
Aislantes
Existen enfoques, basados en la teora
de bandas, que nos permiten entender
los fenmenos de conductividad
elctrica y trmica en los materiales
slidos. Estos enfoques son capaces de
explicar, por ejemplo, las diferencias
tan enormes en las resistividades
elctricas de tales materiales.

Formacin de bandas de energa como

funcin de la separacin de los tomos. Si
existen muchos tomos cada nivel de
energa se divide en un conjunto casi
continuo de niveles que constituyen una

 Conductor es toda sustancia en que la energa del primer estado

electrnico vaco se encuentra inmediatamente adyacente a la
energa del ltimo estado electrnico ocupado. En otros trminos,
un conductor es un material en el cual la ltima banda ocupada no
est completamente llena.
Aislador es toda sustancia en que la energa del primer estado
electrnico vaco se encuentra separada, por una brecha finita, de
la energa del ltimo estado electrnico ocupado.
Semiconductor es un material aislador en que el ancho de banda
prohibida es menor que 1eV.

Metales, semiconductores y aisladores

desde el punto de vista de la teora de
bandas.

Movimiento de la carga elctrica

En ausencia de un campo elctrico externo: movimiento
aleatorio (colisiones con el entorno) sin direccin espacial
preferente.

Movimiento aleatorio de electrones

En presencia de un campo elctrico externo, E: la carga

elctrica se desplaza por el material por medio de
colisiones con el entorno y en una direccin resultante
paralela a E.

Velocidad de arrastre

La velocidad de arrastre tambin es:

Considerando el conductor, se tiene:
De (1) y (2) :
Donde :

J: densidad de corriente
n: concentracin de libres /
e: carga del electrn
: velocidad de arrastre
: movilidad de los electrones
: conductividad elctrica

Para el semiconductor:
A

se genera un par de Electrn Hueco

n: concentracin de libres /
p: concentracin de libres /

Anlisis del Semiconductor Intrnseco

Los elementos semiconductores por excelencia son el
silicio y el germanio, aunque existen otros elementos
como el estao, y compuestos como el arseniuro de galio
que se comportan como
tales.
Silicio en modelo
Bidimensional
Vemos como cada tomo de silicio se
rodea de sus 4 vecinos prximos con
lo que comparte sus electrones de
valencia.

Ahora bien, si aumentamos la temperatura, aumentar por

consiguiente la energa cintica de vibracin de los tomos de la
red, y algunos electrones de valencia pueden absorber de los
tomos vecinos la energa suficiente para liberarse del enlace y
moverse a travs del cristal como electrones libres. Su energa
pertenecer a la banda de conduccin, y cuanto ms elevada sea
la temperatura ms electrones de conduccin habr, aunque ya a
temperatura
ambiente
podemos
decir que el semiconductor acta
Si un electrn
de valencia
se
como
conductor.
convierte
en electrn de conduccin
deja una posicin vacante, y si
aplicamos un campo elctrico al
semiconductor, este hueco puede
ser ocupado por otro electrn de
valencia, que deja a su vez otro
hueco. Este efecto es el de una
carga +e movindose en direccin
del campo elctrico. A este proceso

Paralelamente
a este proceso se da el de recombinacin. Algunos

electrones de la banda de conduccin pueden perder

energa(emitindola en forma de fotones, por ejemplo), y pasar a
la de valencia ocupando un nivel energtico que estaba libre, o
sea , recombinndose con un hueco. A temperatura constante,
se tendr un equilibrio entre estos dos procesos, con el mismo
nmero de electrones en la banda de conduccin que el de huecos
en la de valencia.
Este fenmeno de la conduccin asociada a la formacin de pares
en el semiconductor se denomina conduccin intrnseca. Se
cumple que:

Donde:
p y n son las concentraciones de huecos y electrones

Densidad de portadores

Funcin de distribucin de Fermi - Dirac

Los electrones son fermiones, partculas que cumplen el principio de
exclusin de Pauli. As, vendrn gobernados por la estadstica de Fermi:

f(E) es la probabilidad que un estado

de energa E est ocupado, EF es el
nivel de Fermi, k es la constante de
Boltzmann y T es la temperatura
Unabsoluta.
estado con energa E>EF tendr mas posibilidades de ser ocupado a
mayor temperatura. A una temperatura T, la probabilidad de ocupacin
disminuye si aumenta la energa Para cualquier T, la probabilidad de
encontrar un electrn con una energa EF es 1/2. A T=0, la probabilidad
de encontrar un electrn con E>EF es 0 y con E

Nos indica como varia

las probabilidades de
distribucin de Fermi
para un semiconductor
intrnseco

Semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se forman aadiendo pequeas
cantidades de impurezas a los semiconductores puros. El objetivo es
modificar su comportamiento elctrico al alterar la densidad de portadores
de carga libres.
Estas impurezas se llaman dopantes.
As, podemos hablar de semiconductor
es dopados. En funcin del tipo de
dopante, obtendremos
semiconductores dopados tipo p o tipo n.
Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de la columna V, y tipo
p los de la III

Semiconductores tipo n y tipo p

Tipo n:
En general, los elementos de la
columna V convierten al Si en tipo
n. Estos elementos tienen cinco
electrones de valencia en su ltima
capa y se les llama impurezas
dadoras

Tipo p:
En general, los elementos de la
columna III convierten al Si en
tipo p. Estos elementos tienen
tres electrones de valencia en su
ltima capa y se les llama
impurezas aceptoras.

Densidad de carga en semiconductores

extrnsecos
En los semiconductores tipo n, los electrones son los portadores
mayoritarios. En los semiconductores tipo p, los huecos son los
portadores mayoritarios. La ley de accin de masas se cumple
para semiconductores extrnsecos, en equilibrio trmico.

Para cumplir la neutralidad de la carga:

De las ecuaciones anteriores:

Para un semiconductor tipo n:

Para un semiconductor tipo p:

Nivel de Fermi para material extrnseco

Bibliografa:
http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.html
http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925813.html
http://www.sabelotodo.org/electrotecnia/dispossemicond.html
http://www4.ujaen.es/~egimenez/FUNDAMENTOSFISICOS/semicon
ductores.pdf
http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.pd
f
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/fermi.html
http://www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-02.pdf
http://depa.fquim.unam.mx/amyd/archivero/condsemicondais2_2
7505.pdf
http://www.uclm.es/profesorado/maarranz/Documentos/Materiales
T7.pdf
Apuntes en clase