Semicondutores Diodos 131007104258 Phpapp01

Semicondutores:
Diodos
Diodos
+ -
+
No concordo com o acordo
ortogrfico
24-10-15
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
Semicondut
ores
De que material so feitos os diodos?

O silcio (Si) e germnio (Ge) so os dois elementos mais comuns que so usados
fabricar diodos.
para
Um composto
que tambm utilizado arsenieto de glio (GaAs), especialmente
usado para fabricar diodos emissores de luz (LEDs), devido sua maior zona
proibida.
Silcio e germnio so ambos elementos do grupo
Si
Si
Si
+4
+4
+4
4, o que significa que tem 4 electres de valncia. A
sua estrutura permite-lhes crescer de forma
estrutura de diamante.
Si
Si
Si
chamada
Glio um elemento do grupo 3, enquanto que o
+4
+4
+4
arsnio um elemento do grupo 5. Quando
colocados juntos como um composto, GaAs, criam
Si
Si
Si
uma estrutura cristalina zincblend.
+4
+4
+4
Tanto na estrutura de diamante como na de
zincblend, cada tomo partilha os seus electres de
valncia com seus quatro tomos vizinhos mais
O diagrama mostra a estrutura 2D do
prximos. Essa partilha de electres o que afinal cristal de silcio. As linhas azul
permite a construo de diodos. Quando as representam as ligaes electrnicas
impurezas dos grupos 3 ou 5 (na maioria dos casos) feitas quando os electres de valncia
so partilhados. Cada tomo de Si
so adicionadas ao Si, Ge ou GaAs, altera as partilha um electro com cada um dos
propriedades do material, de modo que so seus quatro vizinhos mais prximos,
capazes de formar os materiais tipo-P e tipo-N, que pelo que a sua banda de valncia ter
um total de 8 electres.
24-10-15
2
Por : Lus Timteo
formaro o diodo.
Semicondutores:
Diodos
Semicondutores Extrnsecos
Semicondutores Extrnsecos :Silcio dopado:

Quando os electres de valncia extra, so
introduzidos num material como o Silcio,
produz-se um material do tipo-n. Os electres
de valncia extra so introduzidos, colocando
impurezas ou dopantes no silcio. Os dopantes
usados para criar um material de tipo-n so
elementos do Grupo V. Os dopantes mais
utilizados partir do Grupo V so Arsnio,
Antimnio
O diagrama
2D .direita mostra o electro
e Fsforo
extra que estar presente quando um dopante
do Grupo V introduzido um material como o
silcio. Esse electro extra muito mvel
(livre).
24-10-15
Por : Lus Timteo
Material
tipo-N
+4
+4
+4
+4
+5
+4
+4
+4
+4
Semicondutores:
Diodos
Semicondutores Extrnsecos :Silcio dopado:
Material de tipo-P produzido quando um

dopante que introduzido de Grupo III.
Elementos do grupo III tm apenas trs
electres de valncia e, portanto, h uma falta
de electres. Isso cria um buraco ou lacuna (h
+), ou uma carga positiva, que pode mover-se
neste material. Os dopantes do Grupo III mais
usados, so o Alumnio, Boro e Glio.
O diagrama 2D direita mostra o buraco (ou
lacuna), que estar presente quando um
dopante do Grupo III introduzido num
material como o Silcio. Este buraco
bastante mvel, da mesma forma que o
electro extra mvel num material do tipon.
24-10-15
Por : Lus Timteo
Material
tipo-P
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
+4
+4
Semicondutores:
Diodos
Semicondutores Extrnsecos :Germnio dopado com Arsnio (Tipo-n)
300K
Electres livres
Sb
Sb
Sb
+
+
Sb
+
+ Sb
Sb
+
+
Sb
Sb
+
+ Sb
Sb
+
+
Sb
+
Sb
Sb
Sb
Sb
+
+ Sb
+ +
+
tomos de impurezas ionizado

Os portadores maioritrios de
carga num semicondutor tipo
N so electres livres.
Crista\l.swf
24-10-15
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
Semicondutores Extrnseco
Semicondutores Extrnsecos : Tipo P

TIPO P
Al
Al
-
Al
-
Al
Al
-
Al
Al
-
Lacunas livres
Al
-
Al
-
Al
-
Al
Al
-
Al
Al
-
Al
-
Impurezas grupo III
Al
-
300oK
tomos de impurezas ionizados
Os portadores maioritrios de carga num semicondutor tipo P so Lacunas.

Actuam como portadores de carga positiva.
Num semicondutor extrnseco do tipo P as lacunas esto em maioria
designando-se por portadores maioritrios da corrente elctrica. Os electres, por
sua vez, esto em minoria e designam-se por portadores minoritrios da corrente
elctrica.
Num semicondutor extrnseco do tipo N os electres esto em maioria
designando-se por portadores maioritrios da corrente elctrica. As lacunas (que
so a ausncia de um electro), por sua vez, esto em minoria e designam-se por
portadores minoritrios da corrente
.
24-10-15
6
Por : elctrica
Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N
Juno P-N: Em equilbrio

-
+
+
Semicondutor tipo P
+
+
Semicondutor tipo N
Ao unir um semicondutor tipo P com um de tipo N, aparece uma zona de

carga espacial denominada zona de transio.
transio
24-10-15
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N

-
Zona de transio
Semicondutor tipo P
+
+
+
+
Semicondutor tipo N
- + juno P-N, os electres do material

Quando nenhuma voltagem est aplicada
tipo-N preenchem as lacunas do material tipo-P ao longo da juno entre as
camadas, formando uma zona carga espacial. Que actua como uma barreira
passagem dos portadores maioritrios de cada zona. O material semicondutor
volta ao seu estado isolante original - todas as lacunas esto preenchidas, de
modo que no h electres livres logo no flui corrente
Tipo P
24-10-15
Tipo N
Por : Lus Timteo
Zona de
Carga
espacial
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N

Na Juno MetalrgicaNd
Aceitadore
s
ionizados
+ +
+
+ +
+
+ +
+
Regio+ de+ +
Carga Espacial +
+
Campo
E
Deriva h+ = Difuso h+
24-10-15
+ +
+
Dadores
ionizados
Difuso =Deriva -e
-e
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N
Dadores
Ionizados
Aceitadores
ionizados
Juno
+
+
+
+
N
+
+
+
+
Zona de Carga espacial

(OU)
Zona de Deplexo
Barreira
Potencial (V0)
Largura da barreira
de Potencial
24-10-15
Por : Lus Timteo
10
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N

Na
Aceitador
es
ionizados
Juno
Metalrgica
Nd
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Regio de
+
+
Carga Espacial
+
+
+
E-Field +
Deriva h+
= Difuso h+
+
n
+
+
Dadores
ionizado
s
+
_
Difuso
e-
Quando
nenhuma
fonte
externa est ligada juno
p-n em equilbrio, a difuso
e deriva entre buracos e
electres
compensam-se
mutuamente .
= Deriva e-
Regio de Carga Espacial: Tambm chamada de regio de deplexo.

Esta regio engloba o equilbrio de regies carregadas positivamente e
negativamente. A regio de carga espacial no tem nenhuns portadores
livres. A largura da regio de carga espacial denotado por W na
frmula de juno p-n.
Juno Metalrgica: interface onde se encontram os materiais tipo-p e
Na & Nd : Representam a quantidade de dopante positivo e negativo
em nmero de portadores por cm3. Normalmente, no intervalo de 10151020.
24-10-15
Por : Lus Timteo
11
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N
Quando materiais semicondutores tipo N e tipo P

so unidos pela primeira vez, existe uma densidade
gradiente muito grande entre os dois lados da
Difuso
juno, de modo algum dos electres livres dos
E
tomos das impureza dadoras comeam a migrar
Regio - N
Regio - P
+ atravs desta juno recentemente formada, para
preencher as lacunas (ausncia de electres) no
de tipo
P, produzindo
ies
material
No entanto,
porque
os electres
senegativos.
movem atravs
da juno do silcio tipo N para o silcio tipo P, eles
deixam para trs os ies doadores carregados
positivamente (ND) no lado negativo e agora os
buracos da impureza receptora migram atravs da
Camada
juno, na direco oposta regio em que h um
de
Como
resultado,livres.
a densidade de carga
grande nmero
de electres
Deplex
Volts
Electres
livres
o
do tipo-P ao longo da juno
Io dador positivo enchida com os ies carregados
negativamente aceitadores (NA), e a
Diferena de
Io
aceitador
negativo
densidade de carga do tipo N ao longo
potencial na
juno
da juno torna-se positiva. Esta
+ Lacunas ou buracos
transferncia de carga dos electres e
Este processo continua em ambos os sentidos at que o nmero de electres que atravessou
lacunas,
atravs
da
juno
a juno tem uma carga elctrica suficiente para repelir

ou
prevenir
que
mais
portadores
de
conhecida como difuso
carga de cruzem a juno. Finalmente, o estado de equilbrio (situao electricamente
neutra) ir ocorrer, produzindo uma " barreira de potencial" zona em torno da rea de
juno, com os tomos doadores a repelirem as lacunas e os tomos aceitadores repelirem
os electres. Esta rea em torno da juno agora chamada de Camada de deplexo.
24-10-15
Por : Lus Timteo
12
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N
Juno P-N: Em equilbrio Longitude da Juno

E
Regio - N
Regio - P
Se a regio da camada de depleo tem

uma distncia D, que, por conseguinte, deve
penetrar no silcio por uma distncia de Dp
para o lado positivo, e uma distncia de Dn
para o lado negativo, dando uma relao
NA Aceitador entre os dois Dp.NA = Dn. ND, a fim de
ND Dador
manter a neutralidade de cargas em
DN DP
D
equilbrio.
Como o material do tipo N perdeu electres e o de tipo P perdeu lacunas, o
material do tipo N, tornou-se positivo no que diz respeito ao de tipo-P. Ento, a
presena de ies das impurezas em ambos os lados da juno, criam um campo
elctrico entre esta regio com o lado de N com uma tenso positiva em relao
ao lado P. O problema agora que as cargas livres precisam de um pouco mais
Este
de energia
para
superarem
a barreirade
dedifuso
deplexo
queuma
existe
na regiodeda
campoextra,
eltrico
criado
pelo processo
criou
diferena
juno. "built-in " atravs da juno, em circuito aberto (bias zero) de:
potencial
N D .N A
Onde: Eo voltagem da juno a zero bias.
Eo VT .ln
2
ni
VT Voltagem trmica da juno temperatura
ambiente de 26mV.
ND e NA so a concentrao de impurezas dopantes.
24-10-15
13
Por : Lusdo
Timteo
ni a Concentrao intrinseca
semicondutor
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N
Juno P-N: Polarizada

Contacto Metal
Contacto Ohmico
(Rs~0)
Campo elctrico
aplicado
I
+
Vaplicada
A juno p-n considerado polarizada, quando uma voltagem externa

aplicada. Existem dois tipos de polarizao:
Polarizao directa,
Polarizao inversa.
24-10-15
Por : Lus Timteo
14
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N
Juno P-N: Polarizada inversamente
+
+
+
+
+
+
+
A zona de transio ou de carga espacial torna-se ainda maior. Com
polarizao inversa no h circulao de corrente.
Vaplicada 0: Sob polarizao inversa a regio de deplexo alarga-se.
Isso faz com que o campo elctrico produzido pelos ies, cancele a
tenso de polarizao inversa aplicada. Uma pequena corrente de fuga,
em condies de polarizao inversa. Esta corrente constituda por
pares de electro-lacuna, que se produzem na regio de deplexo
tambm influenciada pela temperatura da juno.
24-10-15
15
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N
Juno P-N: Polarizada directamente
+
+
+
+
+
+
+
A zona de transio torna-se mais pequena. A corrente comea a
circular a partir de um certo nvel de tenso directa.
Vaplicada 0: Com polarizao directa, a regio de deplexo diminui ligeiramente
em largura. Com esta diminuio, a energia necessria para os portadores de
carga atravessarem a regio de deplexo, diminui exponencialmente. Portanto,
medida que aumenta a tenso aplicada, a corrente comea a fluir atravs da
juno. O potencial de barreira do diodo a tenso em que a corrente comea a
fluir atravs do diodo em quantidade aprecivel . O potencial de barreira16varia
24-10-15
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N
Juno P-N: Polarizada directamente
+
+
+
+
Concentrao de Lacunas Concentrao de electres

+
A recombinao electro-lacuna faz com que a concentrao de

electres na zona P e de lacunas na zona N diminuam ao
aproximarem-se da zona de unio.
24-10-15
Por : Lus Timteo
17
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Passagem de bloqueio a Conduo
24-10-15
Por : Lus Timteo
19
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno
24-10-15
http://content.tutorvista.com/physics_12/content/media/p
n_junct_diode.swf
Por : Lus Timteo
20
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno
Um diodo um dos mais simples dispositivos semicondutores, que tem a

caracterstica de passagem de corrente numa nica direco. No entanto, ao
contrrio de uma resistncia, um diodo no se comporta linearmente com
respeito tenso aplicada. Como o diodo tem uma relao I-V exponencial, o
seu funcionamento no pode descrito utilizando simplesmente uma equao
como a lei de Ohm.
Se uma tenso positiva adequada (a polarizao) aplicada entre as duas
extremidades da juno PN, pode fornecer electres livres e lacunas com a
energia extra que necessitam, para atravessar a juno, uma vez que a largura
da camada de deplexo em torno da juno PN diminuda.
Atravs da aplicao de uma voltagem negativa (polarizao inversa) resulta que
as cargas livres so puxadas para fora da zona da juno, o que resulta na largura
da camada de deplexo a ser aumentada. Isto tem o efeito de aumentar ou
diminuir a resistncia efectiva da prpria juno permitindo ou bloqueando o fluxo
de corrente atravs do diodo.
A camada de deplexo aumenta com o aumento da aplicao de uma tenso
inversa e diminui com o aumento da aplicao de uma tenso directa. Isto
devido s diferenas nas propriedades elctricas dos dois lados da juno PN,
resultando das mudanas fsicas que ocorrem.
24-10-15
Por : Lus Timteo
21
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno
nodo
Smbolo
Encapsulado
nodo
(cristal ou resina
sinttica)
Contacto metalmetal
semiconductor
P
N
Ctodo
Material
semiconducto
r
Contacto metalmetal
semiconductor
Marca
assinalando o
ctodo
Ctodo
24-10-15
Por : Lus Timteo
22
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Propriedades - Barreira de potencial
Uma tenso positiva adequada (forward bias) aplicada entre as duas

extremidades da juno PN, pode fornecer os electres livres e lacunas
com a energia extra. A tenso externa necessria para superar esta
barreira de potencial que existe agora, muito dependente do tipo de
material semicondutor utilizado, e a sua temperatura real. Tipicamente,
temperatura ambiente, a tenso atravs da camada de deplexo para
o silcio de cerca de 0,6-0,7 volts e para o germnio de cerca de
0,3-0,35 volts. Esta barreira de potencial existir sempre, mesmo que o
dispositivo no esteja ligado a qualquer fonte de energia externa.
O significado desta barreira de potencial built-in, atravs da juno,
que ela se ope tanto o fluxo de lacunas ou buracos, como de electres,
atravs da juno e por isso que chamado de barreira de
potencial.
Na prtica, uma juno PN formada dentro de um cristal nico de
material, em vez de simplesmente aderir ou fundir duas peas
separadas. Os contatos eltricos tambm so fundidos em ambos os
lados do cristal, para permitir a ligao elctrica a um circuito externo.
O dispositivo resultante, chamado um diodo de juno PN ou diodo
de sinal.
24-10-15
23
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Sem polarizao (Zero Biased Junction
Juno PN
Quando um diodo ligado numa condio de

polarizao zero, nenhuma energia potencial
Regio - N Regio - P
externa aplicada juno PN.
No entanto, se os terminais de diodos so curtocircuitados,
algumas
lacunas(portadores
maioritrios) no material do tipo P tm a energia
suficiente para ultrapassar a barreira de potencial,
e iro mover-se atravs da juno, contra a
Volts
IR
barreira de potencial. Isto conhecido como o
corrente directa "Forward current" e referida
como IF.
Potencial
Built-in 0,3
0,7V
IF
24-10-15
Do mesmo modo, as lacunas geradas no material do

tipo N (portadores minoritrios), atravs desta situao
favorvel, movem-se atravs da juno na direco
oposta. Isto conhecido como o "corrente inversa"
(reverse current) e referenciada como IR. Esta
transferncia de electres e lacunas atravs da juno
PN conhecida como difuso.
24
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Sem polarizao (Zero Biased Junction D
Juno PN
Regio - N Regio - P
A barreira de potencial que existe agora

desencoraja a difuso de
mais quaisquer
portadores maioritrios atravs da juno. No
entanto, a barreira de potencial ajuda os
portadores minoritrios (poucos electres livres da
regio - P, e alguns buracos da regio - N,
deriva, atravs da juno.
Depois, estabelecer-se- um "equilbrio" que ser estabelecido
quando se moverem em direces opostas, os portadores
maioritrios em igual nmero, de modo que o resultado lquido
corrente zero a fluir no circuito. Quando isto ocorre, a juno dita
estar num estado de "equilbrio dinmico".
Os portadores minoritrios so constantemente gerados devido
energia trmica, pelo que, este estado de equilbrio pode ser quebrado
por aumento da temperatura da juno PN, causando um aumento da
gerao de portadores minoritrios, resultando assim num aumento da
corrente de fuga, mas uma corrente elctrica no pode fluir uma vez
que nenhum circuito est ligado
juno
PN.
24-10-15
25
Por : Lus
Timteo
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Polarizao inversa (Reverse Biased Jun
Juno PN

Regio - N Regio - P
polarizao inversa, uma tenso positiva
aplicada ao material do tipo N, e uma tenso
negativa aplicado ao material de tipo P. A
voltagem positiva aplicada ao material do tipo N
atrai electres para o elctrodo positivo e
aumenta a distncia a partir da juno,
Maior camada de Deplexo
enquanto as lacunas tambm so atradas para
elctrodo negativo da fonte afastando-se assim
O da
resultado
juno. lquido que a camada de deplexo
Voltagem de Polarizao
Inversa
cresce mais, devido a uma falta de electres e
lacunas e apresenta um caminho de alta
impedncia, quase um isolante. O resultado
criar uma alta barreira de potencial impedindo
assim o fluxo de corrente atravs do material
Esta circunstncia d um valor elevado de resistncia
semicondutor.
juno PN e praticamente zero a corrente fluir atravs do
dodo de juno com um aumento na tenso de
polarizao inversa.
24-10-15
Por : Lus Timteo
26
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Polarizao inversa (Reverse Biased Jun
Juno PN
No entanto, uma pequena corrente de fuga flui

atravs da juno, e que pode ser medida, na
ordem de microamperes (A). Se a tenso de
polarizao inversa VR aplicada ao diodo for
elevada para um valor suficientemente alto, far a
juno PN superaquecer e falhar devido ao efeito
de avalanche em torno da juno. Isto pode fazer
Maior camada de Deplexo
com que o diodo entre em curto-circuito e ir
resultar
na
passagem
daVoltagem
corrente mxima no
VZ
Voltagem de Polarizao Inversa
Inversa ((-VR)
VR)
circuito.
Por vezes, este efeito de avalanche
Regio - N Regio - P
tem
aplicaes
prticas
em
Regio de
circuitos estabilizadores de tenso Regio de
Polariza
em que uma limitadora em srie Reverse
o Inversa
utilizada com o diodo a limitar a Breakdow
n
corrente a um valor mximo prestabelecido, e assim, produzir
uma sada de tenso fixa atravs
do diodo de ruptura inversa. Estes
tipos de diodos so comumente
24-10-15
: Lus Timteo
conhecidos como Diodos ZenerPor
.
27
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Polarizao directa (Forward Biased Jun
Juno PN

polarizao directa, uma tenso negativa
aplicada ao material do tipo N, e uma tenso
positiva aplicada ao material do tipo P. Se esta
tenso externa se tornar maior do que o valor da
Camada de Deplexo
barreira de potencial, aprox. 0,7 volts para o silcio
(muito pequena)
e 0,3 V para o germnio, o potencial da barreira
de
oposio,
superada
e a negativa
corrente elctrica
Isto
aconteceser
porque
a tenso
empurra
Voltagem de Polarizao
Directa
comear
a
fluir.
R
ou repele os electres em direco juno,
I max.
dando-lhes energia para a atravessar e
+
combinarem-se com as lacunas, que so tambm
empurradas na direco da juno, na direco
oposta, pela tenso positiva. Isso resulta numa
curva de caractersticas de fluxo de corrente zero,
at ao ponto de tenso, o chamado "joelho" nas
curvas estticas, e em seguida um elevado fluxo
de corrente atravs do diodo com um pequeno
24-10-15
Por : Lus
Timteo
aumento
na tenso
externa, a partir de 0,328 07
Regio - N Regio - P
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Polarizao directa (Forward Biased Jun
Juno PN
Curva caracterstica de um diodo de juno com

polarizao directa
Regio - N Regio - P
Corrente
Directa (I
(IF
mA)
mA)
Joelho
Diodo de
Silcio
Camada de Deplexo
(muito pequena)
Regio de
Polariza
o Directa
Voltagem de Polarizao Directa
Voltagem de Polarizao Directa (V

(VF vo
A aplicao de uma tenso de polarizao directa na juno do diodo, resulta na

camada de deplexo se tornar muito fina e estreita, o que representa um trajecto
de baixa impedncia atravs da juno, permitindo assim altos fluxos de corrente.
O ponto em que este aumento sbito da corrente tem lugar, est representada na
I-V esttica caracterstica, acima do ponto de "joelho".
curva
Uma vez que o diodo pode conduzir corrente "infinita" acima deste ponto joelho
pois torna-se efectivamente um curto-circuito, so usadas, resistncias em srie
com o diodo afim de limitar o seu fluxo de corrente. Ultrapassar o valor de corrente
directa mxima especificada, resulta em http://www.electronicssobreaquecimento e posterior falha do
dispositivo.
tutorials.ws/diode/diode_3.html
24-10-15
29
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Propriedades- Smbolo e caractersticas
+I (mA)Corrente
Corrente Directa
N
Ctodo
(K)
P
nodo
(A)
Sentido convencional da
corrente
Voltage
m
inversa
ruptura
Voltagem Inversa
-V
Zener
Breakdown ou
regio de
avalanche
Joelho Polariza
o Directa
Silcio -20 mA
Germnio -50
mA
Polariza
+
V
Voltagem
Directa
0,7V Silcio
0,3V Germnio
o Inversa
-I ( A)
Corrente inversa
Existem duas regies de operao e trs possveis condies "de polarizao"

para o dodo de juno padro e estes so os seguintes:
1. Sem polarizao (Zero Bias) Nenhum potencial de voltagem externo aplicado
juno PN.
PN
2. Polarizao inversa (Reverse Bias) - O potencial de voltagem negativo ( -) est ligado
ao material do tipo P e o a positivo (+) ligado ao material de tipo N do diodo, que tem o
efeito de aumentar a largura juno PN.
3. Polarizao Directa (Forward Bias) - O potencial de tenso positiva, ( +) est ligado
24-10-15
30 tem
Por(-:) Lus
Timteo
ao material de tipo P e o negativo
est ligado
ao material de tipo N do diodo, que
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
+ID (mA)
VD = Voltagem aplicada.
ID = Corrente atravs do
VBR
Voltage
m
inversa
ruptura
diodo.
IS = Corrente inversa ou de
Joelho
fuga.
Voltagem Inversa
-V
VD
IS Corrente inversa
Zener Breakdown
ou regio de
avalanche
Silcio -20 mA
Germnio -50 mA
Vd
VBR = Voltagem de ruptura.

V d = Voltagem da Barreira
Potencial.
0,7V Silcio
0,3V Germnio
Polarizao
Inversa
-I ( A)
24-10-15
Por : Lus Timteo
31
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
A curva de transcondutncia (ID) no slide anterior caracteriza-se pela

seguinte equao:
I D I S (eVD /VT 1)
ID representa a corrente atravs do diodo, IS a corrente inversa ou de

fuga, e VD a tenso de polarizao aplicada.
VT a tenso trmica equivalente e cerca de 26 mV temperatura
ambiente. A equao para determinar a vrias temperaturas VT :
K T k = 1.38 x 10-23 J/K
VT
T = temperatura em Kelvin
q
q = 1.6 x 10-19 C
o coeficiente de emisso do diodo. determinado pela forma e
material de que o diodo construdo. Pouco varia com a corrente de
diodo. Para um diodo de Silcio de cerca de 2, e 1 para os de
Germnio.
24-10-15
Por : Lus Timteo
32
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Diodo Ideal
nodo
ID
Em polarizao directa, a
queda de tenso nula, seja
qual for o valor da corrente.
VD
Ctodo
ID
RD=0
curva caracterstica
Em polarizao inversa, a corrente
nula, seja qual for o valor da

tenso inversa aplicada.
Vd=0,7v
VD
O diodo projectado para permitir que a corrente flua numa nica

direco. O diodo perfeito seria um condutor perfeito numa direo
(polarizao directa) e um isolante perfeito na outra direco
(polarizao inversa). Em muitas situaes, utilizando a aproximao o
diodo ideal aceitvel.
24-10-15
33
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Diodo Ideal Modelo DC
VD
Vd
RD
ID
ID
Parte linear da
curva de
transcondutncia
Diodo ideal
VD
RD
I D
ID
VD
VD
Este modelo o mais preciso . Inclui uma resistncia linear de

polarizao directa, que calculada a partir do declive da poro linear
da curva de transcondutncia. No entanto, isso geralmente no
necessrio, pois o valor de rd (resistncia directa) muito constante.
Para diodos de Silcio ou Germnio, de baixa potncia, normalmente
na gama de 2 a 5 ohms, enquanto que para diodos de potncia superior
tm um valor de rd mais prximo
de 1Timteo
ohm.
24-10-15
34
Por : Lus
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Diodo Ideal Modelo DC
VD
ID
ID
Curva caracterstica
real
Curva caracterstica
ideal
Curva caracterstica
assinttica
declive = 1/RD
VD
0 Vd
ID
VD
Vd
RD
0,7V
Diodo ideal
real (assinttico)
Circuito equivalente
assinttico.
24-10-15
Por : Lus Timteo
35
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Diodo Ideal Modelo DC - Exerccio
VD
+
_
RS = 50 Exemplo: Suponha que o diodo um diodo de

baixa potncia, com um valor de
resistncia directa (rD) de 5 ohms. O
ID
potencial de tenso de barreira
ainda: Vd = 0,3 volts (tpica para um
dodo de germnio) Determinar o valor
+
Vd
da corrente ID, se a tenso aplicada for
VD = 5 volts.
RD
Soluo
Usando KVL a equao para o circuito :
VD IDRS - Vd - IDrD = 0
5 0.3 = 85.5 mA
=
50 + 5
R S + rD
ID = V D - V d
24-10-15
Por : Lus Timteo
36
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Diodo Ideal Modelo DC O ponto Q
O ponto Q ou ponto de funcionamento no estado de repouso do diodo,

ou na ausncia de sinal.
O ponto Q obtido graficamente e realmente necessrio apenas
quando a tenso aplicada muito prxima da tenso da barreira de
potencial do diodo. O exemplo abaixo, que continua no prximo slide,
mostra como o ponto Q determinado atravs da curva da
transcondutncia
e da
linha de carga.
RS = 1000
Primeiro,
a linha de carga encontra-se por
substituio dos diferentes valores de Vd na

ID
equao da corrente ID o usando modelo de
diodo ideal com o da barreira de potencial. Com
+
RS com o valor de 1000
od valor de rD no tem
ID = VD ,- V
_
+
VD=6V
muito impacto sobre os resultados.
RS
Vd
Usando valores de Vd de 0 volts e 1,4 volts,
obtemos os valores de ID de 6 mA e 4,6 mA,
respectivamente. Em seguida, vamos desenhar
a linha que liga estes dois pontos no grfico com
a curva de transcondutncia. Esta linha a linha
24-10-15
37
: Lus Timteo
de Por
carga.
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Diodo Ideal Modelo DC O ponto Q
ID(mA)
12
10
Ponto Q : A interseco da
linha de carga e a curva
da transcondutncia.
6
5.3
4.6
RD
0.2
0.4
0.6
0.7
0.8
1.0
1.2
1.4
VDQ
I DQ
VD (volts)
A curva de transcondutncia de um dodo de silcio. O ponto Q,

neste exemplo, est localizado a 0,7 V e 5,3 mA.
24-10-15
Por : Lus Timteo
38
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
1
nodo Ctodo
p
A
Ge
Si
V [Volt.]
Smbolo
Silcio
Germnio
-0.25
I D I S (eVD /VT 1)
I D I S e
24-10-15
i [mA]
VD q
K T
0.25
0.5
IS = Corrente inversa de
fuga.
K = Cte. Boltzman
VD = Tenso aplicada ao
diodo
q = carga do electro
T = temperatura (K)
ID = Corrente do diodo
Por : Lus Timteo
39
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: funcionamento Resposta
Ge: melhor em conduo
Si: melhor em bloqueio
i [mA]
1
Ge
Si
Conduo
i [mA]
30
Ge
Si
V [Volt.]
-0.25
0.25
-4
0.5
i [A]
V [Volt.
Bloqueio
i [pA]
V [Volt.]
0
-0.5
Ge
24-10-15
V [Volt.]
0
-0.5
Si
-0.8
-10
Por : Lus Timteo
40
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Propriedades- Resistncia dinmica rd
_
+
VD
A
resistncia
dinmica
do
diodo
matematicamente determinada como o inverso

do declive da curva de transcondutncia.
Portanto, a equao
VT para a resistncia dinmica
rd
:
i
D
ID
(mA)
20
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
iD
rd
Diodo ideal
A resistncia dinmica usada para determinar a queda de tenso atravs

do diodo na situao em que uma fonte de tenso o fornece um sinal
sinusoidal, sobre uma polarizao DC.
Tangente Q A componente AC da tenso do diodo
encontrada
utilizando
a
seguinte
1
D
equao:
rd
r
d
Ponto Q
ID
0.6
RS rd
A queda de tenso atravs do diodo

uma combinao dos componentes
de corrente AC e de corrente DC e
igual a:
vd(t)
0.4
Vrd Vac
id(t)
0.8
VD Vrd Vd
0.2
0
Vd
0.55
24-10-15
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
VD (V)
Por : Lus Timteo
41
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Propriedades- Resistncia dinmica rd -
Exemplo: Usando o mesmo circuito utilizado, como exemplo, para o

clculo do ponto Q, mas alterando a fonte de tenso, que por isso
passa a ter uma componente AC. A fonte de tenso agora, Vin = 6 +
sin (t) Volts. um dodo de silcio, de modo que o potencial de tenso
RS = 1000
de barreira
(Vd) ainda de 0,7 volts.
A componente DC do circuito o mesmo do
0.7 V = 5.3 mA
exemplo anterior e, por6V
conseguinte
ID
1000
+
rd = VT = 1
= 4.9
vin
x26 mV
+
Vd
= 1 uma boa aproximao
ID
se a corrente
VD=6 V
DC maior do
5.3 que
mA 1 mA, como o caso
+ sin (t) V
v x rd
4.9 sin(t) V = 4.88 sin(t) mV
neste
vrd = acexemplo.
=
rd + RS 4.9 + 1000
A queda de tenso total no diodo ser:
VD = Vd + Vrd V
D = 700 + 4.9 sin ( t)
24-10-15
Por : Lus Timteo
42
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo de juno: Propriedades- Resistncia dinmica rd
Alternativamente:
VD
RD
I D
24-10-15
Por : Lus Timteo
43
Semicondutores:
Diodos
Diodo de
Sinal
O diodo semicondutor de sinal, um pequeno dispositivo semicondutor

no-linear, geralmente utilizado em circuitos electrnicos, onde pequenas
correntes ou altas frequncias esto envolvidas, como em rdio,
e circuitos lgicos digitais.
televiso
O diodo de sinal, que s vezes tambm conhecido, por Diodo de Vidro,
fisicamente muito pequeno em tamanho, em comparao com seus
primos, os diodos rectificadores ou de potncia.
Geralmente, o diodo de sinal, encapsulado em vidro para proteger a
juno PN, e tm geralmente uma marca a preto ou vermelho numa das
extremidades do corpo, para ajudar a identificar o terminal de ctodo. O
mais utilizado de todos os diodos de vidro sinal o bem comum 1N4148
equivalente 1N914.
e
Asseu
caractersticas
do diodo de sinal so diferentes para os dois tipos de
silcio e germnio, e so dadas por:
1.Germnio - diodos de sinal - Estes tm um valor de resistncia inversa baixo,
dando uma queda de tenso menor atravs da juno, tipicamente de 0,2-0.3V,
mas tm um valor de resistncia directa mais elevado, devido sua pequena rea
de juno.
2.Silcio - diodos de sinal - Estes tm um valor muito alto de resistncia inversa e
do uma queda tenso directa de cerca de 0,6 volt-0.7V atravs da juno. Eles
tm valores bastante baixos de resistncia directa, dando-lhes altos valores
de
24-10-15
44
Por : Lus Timteo
picos de tenso e corrente directa e inversa.
Semicondutores:
Diodos
Diodo de
Sinal
Curva I-V
A seta aponta para a direco do fluxo convencional

da corrente l, atravs do diodo, o que significa que o
diodo apenas conduzir quando alimentao positiva
est ligada ao nodo (a) e uma alimentao negativa
est ligada ao terminal do ctodo (k), permitindo
apenas que a corrente possa fluir atravs dele numa
nica direco (Condio polarizado).
No entanto, sabemos que se se
conectar a fonte de energia externa em
polaridade inversa, o diodo bloqueia
qualquer corrente de fluir atravs dele,
e age como um interruptor aberto.
24-10-15
Por : Lus Timteo
45
Semicondutores:
Diodos
Diodo de
Sinal
Parmetros
1. Mxima corrente directa (Maximum Forward Current)

(IF(max)) como o seu nome indica a corrente mxima permitida a fluir
atravs do dispositivo. Quando o diodo est a conduzir na condio de
polarizao directa, tem uma resistncia "ON, muito pequena atravs
da juno PN, mas, ainda assim, h energia dissipada atravs desta
juno (Lei de Ohm), sob a forma de calor.
Ento, excedendo o seu valor (IF(max)
F(max)) far com que mais calor seja
gerado atravs da juno e o diodo falhar devido a sobrecarga trmica,
geralmente com consequncias destrutivas. Quando estiver operando
diodos em torno de seus valores mximos, sempre melhor
proporcionar resfriamento adicional para dissipar o calor produzido pelo
diodo.
Por exemplo, o pequeno diodo de sinal 1N4148 tem uma classificao
de corrente mxima de cerca de 150 mA com uma dissipao de
500mW de potncia a 25oC. Em geral, devem ser usadas resistncias
em srie com o dodo para limitar a corrente para valores abaixo de
(IF(max)
F(max)) .
24-10-15
Por : Lus Timteo
46
Semicondutores:
Diodos
Diodo de
Sinal
Parmetros
2.
Voltagem de pico inverso (Peak Inverse Voltage)
(PIV) ou Maximum Reverse Voltage (VR(max)

R(max)), a tenso de operao inversa
mxima permitida, que pode ser aplicada atravs do diodo, sem ocorrer ruptura
ou danos no dispositivo. Esta classificao, geralmente menor do que a
"avalanche de ruptura, nvel na curva caracterstica de polarizao inversa.
Os valores tpicos de VR(max) abrangem uma gama que vai de alguns volts a
milhares de volts, e deve ser considerado quando se for substituir um diodo.
O pico de tenso inversa um parmetro importante, e usada principalmente
para diodos rectificadores nos circuitos de corrente alternada, tendo em
referncia amplitude da tenso da onda sinusoidal que altera de valores
positivos para valores negativos em cada ciclo.
3.
Dissipao Total de Potncia (Total Power Dissipation)
Os Diodos de sinal tem uma classificao na dissipao total de potncia, (PD(max)).

Esta a dissipao de potncia mxima possvel do diodo quando polarizado
directamente (condutor). Quando a corrente flui atravs do diodo de sinal, a
polarizao da juno PN no perfeita, e oferece alguma resistncia ao fluxo de
corrente, resultando em potncia dissipada (perdida) no diodo sob a forma de
Como
calor. os diodos de Sinal so Dispositivos no-lineares e a resistncia da Juno PN
no constante, uma propriedade dinmica, pelo que no podemos usar a lei de
Ohm. Para calcularmos a potncia dissipada temos que multiplicar a queda de
tenso, pela corrente: PD = VxIPor : Lus Timteo
24-10-15
47
Semicondutores:
Diodos
Diodo de
Sinal
Parmetros
4.
Mxima temperatura de funcionamento (Maximum Operating Te
A temperatura mxima de funcionamento, na verdade se relaciona com

a temperatura da juno (TJ) do diodo e est relacionada com a
dissipao de potncia mxima. Trata-se da temperatura mxima
permissvel antes que a estrutura do diodo se deteriore e expresso em
unidades de graus centgrados, por Watt (OC / W).
Este valor est relacionado intimamente com a corrente mxima directa
do dispositivo, de modo a que at este valor de temperatura a juno
funciona. No entanto, a corrente mxima directa, tambm depender da
temperatura ambiente em que o dispositivo est a funcionar, de modo
que o mximo de corrente directa geralmente citado por dois ou mais
valores de temperatura ambiente, como a 25 C ou 70 C.
Portanto, h trs parmetros principais que devem ser considerados a
quando duma seleco ou substituio de um diodo de sinal. E estes
so:
Pico de tenso inversa
Mxima corrente directa.
Dissipao total de potncia
24-10-15
Por : Lus Timteo
48
Semicondutores:
Diodos
Diodo de
Sinal
Parmetros: Fornecidos pelos fabricantes
I
D
IOmax
VR =
1000V
mxima
IOMAX (AV)=
directa mxima
VF =
1V
directa
IR =
50 nA
VR =
100V
IOMAX (AV)=
VF =
1V
IR =
25 nA
24-10-15
Tenso inversa
1A
Corrente
VR
IS
VD
Queda de Tenso
Corrente inversa
NOTA:
Sugiro o uso de um motor de busca
para obter a ficha de dados para
Tenso inversa mxima
um diodo (1N4007 por exemplo).
150mA Corrente directa mxima
aparecem
vrios
Queda de Tenso directa Geralmente
fabricantes
para
o
mesmo
Corrente inversa
componente.
Por : Lus Timteo
49
Semicondutores:
Diodos
Diodo de
Sinal
Matrizes de diodos (Signal Diode Arrays)
Quando o espao limitado, ou so necessrios pares

de diodos de comutao de sinal, as matrizes de diodos
podem ser muito teis.
Geralmente consistem de diodos de baixa
capacitncia de silcio e de alta velocidade, tais
como o 1N4148 ligados entre si em vrios
pacotes, chamados de matrizes, para utilizao
na comutao e limitao em circuitos digitais.
Eles so empacotados em linha simples (SIP), que
contm
quatro
ou
mais
diodos
ligados
internamente para dar uma configurao quer de
uma matriz individual isolada, ctodo comum,
AS Matrizes de diodos de sinal tambm podem
(CC), ou de um nodo comum (AC)
ser usadas em circuitos de computadores
digitais, para proteger as linhas de dados de
alta velocidade ou outras portas de entrada /
sada
paralelas,
contra
descargas
electroestticas, (EDS) e transitrios de tenso.
24-10-15
Por : Lus Timteo
50
Semicondutores:
Diodos
Diodo de
Sinal
Matrizes de diodos (Signal Diode Arrays)
Ao ligar dois diodos em srie entre as linhas de

alimentao , com a linha de fornecimento de dados,
conectando a sua juno, como mostrado, os transientes
indesejveis so dissipados e como os diodos de sinal esto
disponveis em matrizes de 8, eles podem proteger oito
linhas de dados com um nico pacote (chip).
Sabemos que a queda de voltagem atravs de um diodo de silcio de cerca de
0,7 V e por ligar entre si, um certo nmero de diodos em srie, a queda de tenso
total ser a soma das quedas de tenso individuais de cada diodo. No entanto,
quando os diodos de sinal esto ligados conjuntamente em srie, a corrente ir
ser a mesma em ambos os diodos de modo que a corrente mxima directa no
dever ser excedida.
Diodos de sinal, ligados em srie
Diodos de sinal, ligados em srie
Outra aplicao para o pequeno diodo de sinal o de criar

uma fonte de tenso regulada. Diodos so ligados juntos
em srie, para proporcionar uma tenso contnua
constante em toda a combinao de diodos. A voltagem
de sada atravs dos diodos permanece constante, apesar
das alteraes na corrente de carga tirada da combinao
em srie ou qualquer alterao da tenso da fonte de
energia DC que os alimenta.
24-10-15
Por : Lus Timteo
51
Semicondutores:
Diodos
Diodo de
Proteco
Diodos de proteco roda-livre (Freewheel Diodes)
Os Diodos de sinal tambm podem ser usados

numa variedade de circuitos de limitao, de
proteco, demoduladores, etc., mas o mais
comum o circuito de proteco, que utiliza um
diodo ligado em paralelo com uma bobina ou de
carga indutiva, para evitar danos ao circuito de
comutao, por amortizao dos picos de tenso
e / ou transientes que so gerados quando as
cargas indutivas vo subitamente a "OFF".
Os dispositivos semicondutores de potncia modernos, de comutao rpida,
requerem diodos para proteg-los das cargas indutivas, tais como bobines do
motor ou enrolamentos de rels. Toda a vez que o dispositivo de comutao acima
for desligado para OFF", o efeito de contra reaco das bobines, provoca um
de polaridade no diodo, que conduzindo, protege o dispositivo.
inverso
Anteriormente, a velocidade de funcionamento dos dispositivos semicondutores
de comutao, transistor MOSFET, IGBT ou outro digital, era prejudicada pela
adio de um diodo de proteco entre a carga indutiva, tendo sido usados em
sua substituio, nalgumas aplicaes, diodos Schottky ou Zener. Mas, durante os
ltimos anos, no entanto, os diodos de proteco (Freewheel )recuperaram
importncia, devido principalmente s suas melhores caractersticas de
recuperao inversa e ao uso de materiais semicondutores super rpidos,
capazes de operar em frequncias de comutao muito elevadas.
24-10-15
52
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Rectificadores (Power Diodes as Rectifiers)
O diodo de sinal s vai conduzir a corrente em uma direco. Do seu nodo para o
ctodo (polarizao directa), mas no no sentido inverso. A aplicao amplamente
utilizado desta caracterstica a converso de uma tenso alternada (AC) para
uma tenso contnua (DC). Em outras palavras, a rectificao.
Os pequenos diodos de sinal tambm podem ser usados como retificadores, em
retificadores ou aplicaes de baixa potncia, (menos de 1 amp), mas quando
maiores correntes e superiores tenses de bloqueio de polarizao inversa esto
envolvidas, a juno PN de um pequeno diodo de sinal acabaria por superaquecer
e derreter, pelo que sero usados diodos de potncia, maiores e mais robusto para
essa funo.
Os Diodos de potncia fornecem uma rectificao no controlada de tenso, e
so usados em aplicaes: como a carregadores de baterias, fontes de
alimentao DC, bem como conversores e inversores de AC.
Apesar das suas caractersticas de elevado nvel de corrente e tenso, tambm
podem ser utilizados como diodos de proteco (free wheel) e redes de
(snubbers).
amortecimento
Diodos de potncia so projectados para ter uma resistncia, quando polarizados
directamente, na ordem de fraces de um Ohm, sendo com polarizao inversa,
na ordem dos megaohms. Alguns diodos rectificadores de potncia de elevado
valor, so projectados para serem montados" em dissipadores de calor
reduzindo a sua resistncia trmica de entre 0,1 a 1oC/Watt.
24-10-15
53
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
A juno
P-N
Diodo Semicondutor
Concluses:
Aplicando tenso inversa no h conduo de corrente.
Ao aplicar tenso directa na juno, possvel a circulao de
corrente elctrica.
DIODO SEMICONDUCTOR
P
N
24-10-15
Por : Lus Timteo
54
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador

Encapsulados
DO 201
DO 204
+ B380
B380 C3700 C1500
(Si)
(Si)
1N4007
(Si)
BYT16P-300A
+
(Si)
24-10-15
1N4148
(Si)
HSMS2827
(Schottky Si)
Por : Lus Timteo
55
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
DO
35
24-10-15
DO
41
DO
15
Por : Lus Timteo
DO 201
56
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
DO 5
B
44
24-10-15
Por : Lus Timteo
57
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Pontes Rectificadoras
24-10-15
Por : Lus Timteo
58
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Diodos de Potncia: Rectificadores (Power Diodes as R
Se uma tenso alternada aplicada atravs de um diodo de potncia, durante a

metade positiva do ciclo, o diodo vai conduzir a corrente e durante a metade
negativa do ciclo, o diodo no ir conduzir, fazendo bloqueio do fluxo de corrente.
A corrente atravs do diodo, s ocorre durante o semiciclo positivo, da tenso
aplicada, sendo a corrente num nico sentido, isto unidirecional ou DC, como
mostrado, (pulsante DC neste caso).
Os Diodos rectificadores de alimentao podem ser usados individualmente ou

ligados entre si, para produzir uma variedade de circuitos rectificadores: tais como
"meia onda", "de onda completa" ou como "ponte Rectificadora". Cada tipo de
circuito rectificador pode ser classificado como no controlado, meio
controlado, totalmente controlado. Os circuitos rectificadores no controlados
usam apenas diodos de potncia retificadores, um circuito rectificador totalmente
controlado usa tirstores (SCRs), e um circuito rectificador meio controlado usa
uma mistura de ambos, diodos ePor
tirstores.
24-10-15
59
: Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Diodos de Potncia: Rectificao de Meia-onda (Half

Wave Rectifier Circuit)
Um retificador um circuito que

converte a energia de corrente alternada
de entrada (AC) numa tenso de sada
de corrente directa (DC).
A fonte de alimentao de entrada
pode ser uma nica fase ou de
multi-fase para alimentar, o circuito
rectificador mais simples de todos,
o circuito retificador de meia onda.
O diodo de potncia em circuito rectificador de meia-onda passa

apenas uma metade de cada onda sinusoidal completa da fonte de
alimentao AC, para convert-lo numa corrente contnua. Ento este
tipo de circuito chamado de rectificador de "meia onda" porque, s
meia-onda, da tenso AC de entrada que convertida em DC.
24-10-15
Por : Lus Timteo
60
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Wave Rectifier
Circuit)um s diodo, pelo que num semiciclo o diodo conduz e no
utilizado
outro no conduz.
Semi-ciclos Positivos
Semi-ciclos
Negativos
24-10-15
Por : Lus Timteo
61
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador

Wave Rectifier Circuit)
Muito Frequentemente, quando se rectifica uma tenso alternada,

queremos produzir uma tenso DC "constante" e contnua, livre de
grandes variaes ou tenso de ondulao. Uma maneira de fazer isso
conectar um condensador de grande capacidade aos terminais de
sada, em paralelo com a carga, como mostrado abaixo. Este tipo de
condensador, conhecido como um condensador
de filtragem.
Condensador
Diodo
de Filtragem
RL
Sada
carga
Com Condensador
de Filtragem
Sem Condensador
de Filtragem
0v
24-10-15
Por : Lus Timteo
62
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Diodos de Potncia: Rectificao de Onda Completa

(Full Wave Rectifier Circuit)
Os rectificadores onda completa, tm algumas vantagens importantes

sobre os rectificadores de meia onda. A mdia (DC) da tenso de
sada, maior do que nos rectificadores de meia onda, a sada do
rectificador de onda completa tem muito menos ondulao, produzindo
um forma de onda mais suave do que nos de meia-onda.
O circuito rectificador de onda completa usa dois diodos, uma para
cada metade do ciclo da tenso de entrada. Usa-se um transformador
cujo enrolamento secundrio de duas sadas simtricas com ponto
central comum. Nesta configurao, resulta que cada diodo conduz,
quando o seu terminal de nodo positivo em relao ao ponto central
do transformador, produzindo uma sada tanto durante ambos os
semiciclos da tenso AC de entrada, sendo o seu rendimento duas vezes
maior que para o do rectificador de meia onda, como mostrado abaixo.
24-10-15
Por : Lus Timteo
63
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador

Semiciclos
Positivos
VL
Semiciclos
Negativos
24-10-15
Por : Lus Timteo
64
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador

2x12,6V
24-10-15
Por : Lus Timteo
65
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
v1
NS
V
NP

v2
NS
V
NP
t
D1
D2
V1
V2
Vmed
V1
V2
24-10-15
Vmed 2.
V 2( pk ) VD
0 ,636.V 2( pk ) VD
Para rectificao de onda

completa
com
dodos
discretos, necessrio um
transformador
com
secundrio duplo.
As voltagens nos secundrios
esto em oposio de fase e
cada dodo conduz semiciclos
positivos.
Mxima tenso inversa que o
dodo tem de suportar
2V2(pk)-VD.
O
sinal
rectificado
tem
frequncia dupla do sinal de
entrada
Por : Lus Timteo
66
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Diodos de Potncia: Rectificao em Ponte (The Diode

Bridge Rectifier Circuit)
Outro tipo de circuito rectificador que produz a mesma sada que o

circuito rectificador de onda completa que vimos anteriormente, de
rectificao de onda completa com ponte de Greatz.
Este tipo de rectificador usa quatro diodos rectificadores conectados
numa configurao de circuito fechado em "ponte" para produzir o
resultado desejado. A principal vantagem deste circuito, que no
necessita de um transformador com secundrio com tomada central,
reduzindo assim o seu tamanho e custo. Um nico enrolamento
secundrio est ligado a cada um dos lados da ponte de dodos e a
carga para o outro lado, como mostrado abaixo.
24-10-15
Por : Lus Timteo
67
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador

Com Ponte de Greatz
Para rectificao de onda completa no
necessrio o transformador ter secundrio
duplo.
Mxima tenso inversa que o dodo tem de
suportar V2(pk)-2VD(passa por dois dodos
por cada semiciclo).
Vmed 2.
V 2( pk ) 2VD
0,636.V 2( pk ) 2VD
O sinal rectificado tem

frequncia dupla do sinal de
entrada
Vmed
24-10-15
Por : Lus Timteo
68
Semicondutores:
Diodos
vs1
Np
NS
Diodo
Rectificador

Com Ponte de Greatz
Vmed 2.
vs2
Np
NS
0,636.V 2( pk ) 2VD
Com
transformador
de
secundrio duplo, e uma ponte
de Graetz consegue-se uma
fonte com tenses simtricas.
*VR1
0V
-VR2
V 2( pk ) 2VD
Vmed
Mxima tenso inversa que o

dodo tem de suportar
(2VPS-VD).
O sinal rectificado tem
frequncia dupla do sinal
da entrada AC.
24-10-15
Por : Lus Timteo
69
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Meia
Diodos de Potncia: Tenso Rectificada
Onda
T
V
f F=
V ef
V med
Como a rectificao de Meia-onda, assim

a frequncia da tenso rectificada igual
da Rede AC.
V 2( pk ) VD
Vmed
0 ,318.V( pk ) VD
t
f
Factor
de
forma, a relao
F
V 2( pk ) VD
entre o valor eficaz da tenso e o V ef =
2
valor DC; o valor ideal seria 1:
V ef ( V 2( pk ) VD ) /2
=
= = 1,57 (r) Factor de Ripple, mede a
fF=
percentagem de AC na tenso
V med ( V 2( pk ) VD ) / 2
rectificada. Sendo rectificao de

Meia-Onda,121% mostra que o nvel
2
r = f F - 1 = 1,57 2 - 1 = 1,21 de contnua muito baixo...
() O Rendimento, na ordem de
2
2
/R
2
de
40%,
tambm
= V med I med = V med2

= ( ) = 0,405 cerca
V ef I ef
relativamente fraco.
V ef /R
fraco
24-10-15
Por : Lus Timteo
70
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Diodos de Potncia: Tenso Rectificadac/ Tformador duplo
onda Completa
A rectificao de Onda Completa, assim a

frequncia da tenso rectificada dupla da
Rede AC.
Vmed 2.
V 2( pk ) VD
0 ,636.V 2( pk ) VD
Valor mdio:
Tenso inversa
T
VR
V 2( pk )VD
VVefef== V 2( pk )VD
V ef
22
V / 2
== Vmm / 2 == ==1,11
f fF == V efVVmed
F
22 med 22VVm /
22 22 1,11
/
m
t
2
2
2
rr== ffF 2--11== 1,11
0,483
1,11 --11==0,483
F
2
2/R
V
V
med I med
med
/R= 88 = 0,81
== V med I med== V med
2
= 2 = 0,81
VVefefIIefef
VVefef 2/R
/R 2
24-10-15
Por : Lus Timteo
71
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Diodos de Potncia: Tenso

Rectificada- Resumo
Meia-Onda
24-10-15
Onda Completa com Ponte Onda Completa com

transformador duplo
de Graetz
Fonte simtrica
Onda Completa com
Ponte Graetz
Por : Lus Timteo
Onda Completa com

transformador tomada
central
72
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
24-10-15

Rectificada- Resumo
Por : Lus Timteo
73
Semicondutores:
Diodos
VRL
Diodos de Potncia:
Diodo
Rectificada- Filtragem
Rectificador
Descarga/Carga
Anlise
Filtro
Filtro com
com condensador
condensador
Ideal
Vr Supe-se
VRmax
V(ac)min
T
VRmax
V(ac)min
Nvel DC
a
condensador
constante.
T
Vmed
V r
2
Vr
2
Vr
T
T
V
I = RL
RL
descarga
do
a
corrente
Vem
C =I.t
Vr
T = 1
f
Em que T o tempo de
conduo dos diodos para a
carga de C.
Rectificador
24-10-15
Tenso
vRL
RL
C
Por : Lus Timteo
74
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Diodos de Potncia:
Tenso
Filtro
Filtro com
com condensador
condensador
24-10-15
Por : Lus Timteo
75
Semicondutores:
Diodos

Diodo
Rectificador
Desenvolvimento das Expresses do Ripple
Vr
Descarga/Carga
Ideal
Vpk
V ( dc ) Vpk Vr (2pp )
V(dc)
T
V ( dc ) Vpk Vp
2 RC
Vr ( pp ) = VpkRC T
V ( dc ) Vpk 1
tc
tdes
T
2 fRC
T
Para efeitos de clculo do condensador, considera-se o tempo de
descarga ao perodo T, e o tempo de carga tc Instantneo,
desprezvel.
Para calcular o rms de uma sinusoide, dividiria por 2 a Vr(pp) e
multiplicaria por 2. Esta forma de onda aproxima-se mais duma dente
Vr ( rms )
de serra, cujo factor
VpkEnto:C = I T C = Vpk T
Vr ( PP ) rms 3.
Vr ( rms
24-10-15
2 3
Vr ( rms ) =
2 f 3 RC
Vr ( pp)
Por : Lus Timteo
R Vr ( pp)
r%
V ( DC )
76
100
Semicondutores:
Diodos
Diodos de Potncia:
Diodo
Rectificador
Tenso
Filtro
Filtro com
com condensador
condensador
Porque no se usa um condensador o maior possvel?
Principalmente para evitar um aumento desnecessrio do volume.
Alm disso h que ter em conta a influncia do valor do
condensador sobre a corrente que circula nos dodos. (Aumenta)
VR
vR
iD
C
24-10-15
T1
T
iD
Por : Lus Timteo
t
T1
T
77
Semicondutores:
Diodos
Diodos de Potncia: Max.
Diodo
Rectificador
Corrente nos diodos
Quando se aumenta a capacidade do condensador, verdade que se

diminui o Ripple, mas o tempo de carga do condensador diminui e o
tempo de descarga aumenta, ento, o condensador tem que carregar
mais energia em mais curto espao de tempo, o que vai originar um pico
muito intenso de corrente nesse espao de tempo, podendo at danificar
os
Osdiodos.
diodos s vo conduzir, no espao de tempo em que a voltagem de
sada menor que a de entrada, que quando se d a carga de C.
iDmed
iDmax
iDmedDC
24-10-15
V pk
RL
V pk
RL
(1
V pk
2Vr
(1 2
1 V pk V pk
[(
2 2Vr RL
vR
V pk
2Vr
)(1
iD
V pk
2Vr
)]
Por : Lus Timteo
T1
t
T
78
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Multiplicadores de
tenso:de tenso fornece na sada, duas vezes a tenso de pico
Um duplicador
da
entrada. de tenso de meia onda
Dobrador
Vin(pk)
Vin(pk)
of
VC2
O termo "meia-onda" reflecte o facto de a sada do condensador (C2)

ser carregado durante uma alternncia de cada ciclo de entrada
. e descarregado durante a outra.
Vin(pk)
of
VC2
Vin(pk)
Iin
Durante os semiciclos positivos, a fonte e C1, carregam C2 e alimentam

a carga. Durante os semiciclos negativosC1 carrega e C2 alimenta a
carga
24-10-15
79
Por : Lus Timteo
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Multiplicadores de
tenso
:
Dobrador
de tenso
de onda Completa
O termo "onda-completa", reflecte o facto de que os condensadores de
sada serem carregados durante semiciclos alternados do sinal de
entrada.
of on
Vin(pk)
40
of
24-10-15
on
Por : Lus Timteo
80
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Multiplicadores de
tenso
Triplicador
de: tenso
O triplicador de tenso fornece uma tenso de sada DC, que
aproximadamente trs vezes a tenso de pico da entrada.
Vin(pk)
on
on
on
3Vin
24-10-15
Por : Lus Timteo
81
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Multiplicadores de
tenso: de tenso
Quadruplicador
O quadruplicador de tenso fornece uma tenso de sada DC, que
aproximadamente quatro vezes a tenso de pico da entrada.
on
Vin(pk)
on
4Vin
on
on
24-10-15
Por : Lus Timteo
82
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Multiplicadores de
: polaridade
Fontetenso
com dupla
As tenses de sada pode ser +48 VDC sem referencia Terra, ou
24 VDC.
+24VDC
48 VDC
-24VDC
24-10-15
Por : Lus Timteo
83
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Perdas no Diodo de Potncia
2
Tipos
Perdas estticas
iD
iD
Estticas
Dinmic
as
ideal
rd
V
Vrd
Vd
PD (t) = vD (t)iD (t) = (V + rD

i(t))T i(t)
1
PD PD (t )dt
T0
I : Valor mdio
D
PD = VID + rD Ief2
24-10-15
Por : Lus Timteo
Ief : Valor eficaz

84
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Perdas Dinmicas: Comutao AB (Corte)
A
V1
i
+
V
-
B
V2
ts = Tempo de armazenamento
trr
ts
tf (i= -0,1V2/R
-V2/R
(storage time )
tf = Tempo de cada (fall time )
trr
V1/R
= tempo de recuperao inversa
24-10-15
(reverse recovery time )
-V2
Por : Lus Timteo
PD (t) = vD (t)iD (t)

85
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Perdas Dinmicas: Comutao B-A (Conduo)
A
V1
B
V2
OOprocesso
processode
deconduo
conduo
muito
muitomais
maisrpido
rpidodo
doque
queoo
de
decorte.
td = Tempo corte.
de atraso (delay time )
+
V tr = Tempo de subida (rise time )
t = t + t = Tempo de
fr
recuperao directa
(forward recovery
0,9V1/R
time )
0,1V1/R
td
tr
tfr
24-10-15
Por : Lus Timteo
86
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Perdas Dinmicas: Comutao em diodos de Potncia
As comutaes no so perfeitas
10 A
iD
As comutaes no so perfeitas
H instantes em que se tem que lidar com tenso e
corrente
A Maiorparte
Potncia
perdida nasada
sadadede
das instantnea
perdas so devidas
rr
conduo:
conduo
pDsc (t) = vD (t)iD (t) =
3A
0,8 V
VD
t
Potncia mdia num
trr
perodo:
PD
1
p Dsc ( t )dt
T
-200 V
24-10-15
Por : Lus Timteo
87
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Caractersticas
As perdas geram calor e este deve ser dissipado
Trmicas
O silcio perde as suas propriedades semicondutoras a

partir de 150oC.
Equivalente elctrico
RTHjc
RTHca
c
P
(W)
S
i
P (W)
a
ambien
Ta
te
Pastilha
c
encapsulad
Ta : Temperatura
ambiente
Tenses
Temperaturas
o
24-10-15
Por : Lus Timteo
Corrente Perdas
88
(W)
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Rectificador
Caractersticas
Trmicas
A resistncia trmica pastilha encapsulado baixa (

0.5 C/W).
A resistncia trmica encapsulado- ambiente alta (
50 oC/W).
Para reduzir a temperatura, pode-se colocar
um dissipador.
Conectamos uma resistncia em paralelo com
a RTHca
RTHjc
R
P
(W)
24-10-15
THca
c
RTH radiador
Ta
Por : Lus Timteo
89
Semicondutores:
Diodos
Diodo
Semicondutor
Diodo Check
Muitos multmetros possuem essa funo. Verifica-se a

continuidade do diodo.
nodo
P
N
Cto
do
24-10-15
Por : Lus Timteo
90
Semicondutores:
Diodos
24-10-15
Por : Lus Timteo
91
Semicondutores:
Diodos
24-10-15
Por : Lus Timteo
92
Semicondutores:
Diodos
Bibliografia
s
http://wwwlasmea.univ-
bpclermont.fr/Personnel/Francois.Berry/teaching/Microelectronics/composant.swf
http://www.williamson-labs.com/480_xtor.htm
http://www.powershow.com/view1/2291d5MTc1M/Chapter_3__BJTs_Bipolar_Junction_Transistors_powerpoint_ppt_presentation
http://www.learnaboutelectronics.org/Downloads/Fig316dl_bjt_operation.swf
http://www2.eng.cam.ac.uk/~dmh/ptialcd/
http://www.yteach.co.za/page.php/resources/view_all?
id=potential_resistance_voltage_semiconductor_conductor_insulator_n_type_p_type_p_n_junction_n_p_diode_t_
page_3
http://www.infoescola.com/quimica/dopagem-eletronica/
http://www.prof2000.pt/users/lpa
El transistor bipolar por - Javier Ribas Bueno -Escuela Universitaria de Ingenieras
Tcnicas de Mieres
http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_3.html
http://content.tutorvista.com/physics_12/content/media/pn_junct_
diode.swf
http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbase/electronic/photdet.html
http://www.thorlabs.com/tutorials.cfm?
tabID=31760
http://informatica.blogs.sapo.mz/671.html
Kristin Ackerson, Virginia Tech EE - Spring 2002
http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_4.html
24-10-15
Por : Lus Timteo
93

Semicondutores Diodos 131007104258 Phpapp01

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