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ECTRONICOS I
CAP I
INTRODUCCIN A DIODOS
SEMICONDUCTORES
2.- Semiconductores
SEMICONDUCTORES: Materiales que poseen un nivel de conductividad sobre algn punto
entre los extremos de un aislante y un conductor.
COBRE: = 10-6-cm
MICA:
= 1012-cm
SILICIO = 50 x 103-cm
GERMANIO: = 50 -cm
Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda prohibida
Eg > 5 eV
Banda prohibida
Eg = 1.1, 0.67, 1.41 eV
Banda de conduccin
Banda de valencia
Banda de valencia
Banda de valencia
Aislante
Semiconductor
Conductor
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Material Intrinseco
Materiales extrinsecos
Antimonio
Arsnico
Fsoforo
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
TIPO n
Boro
Galio
Indio
TIPO p
TIPO n
Io n e s
d o n a d o re s
Io n e s
a c e p t o re s
P o rta d o re s
m a y o rit a rio s
P o rta d o re s
m a y o rit a rio s
P o rta d o re s
m in o rit a rio s
P o rta d o re s
m in o rit a rio s
Tip o p
T ip o n
R e g i n d e
a g o t a m ie n t o
Sin polarizacin
Polarizacin inversa
Polarizacin directa
ID
VT
Is
VD
DIODO
Es un elementos de dos terminales formado por una unin p-n
+
nodo
Ctodo
ID=IS(ekVD/Tk-1)
IS Corriente de saturacin inversa
K 11600/
Tk TC + 273
Regin Zener:
Bajo polarizacin negativa existe un punto en el cual bajo un voltaje negativo lo
suficientemente alto, da como resultado un agudo cambio en las caractersticas del
diodo.
A este voltaje se le conoce como voltaje pico inverso (PRV PIV )
RD=VD/ID
Resistencia en ac dinmica:
rD=VD / ID=(dID /dVD)-1=26mA /ID
Resistencia en ac promedio:
Ejemplo
C (p f )
15
10
5
-1 5
-5
0 .5
0 .2 5
Tt
Modelado de diodos
ID
Modelo Ideal:
VD
Modelo Simplificado:
ID
VT
VT
VD
ID
rav
VT
Ejemplos
VD
1k
E = RID+VD
1N4001
1.-
ID=IS(ekVD/Tk-1)
ANALISIS:
1.Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminacin del circuitos de
la red y el clculo del voltaje de circuito abierto resultante
2.Sustituir el circuitos equivalente adecuado y resolverlo para las incgnitas
deseadas.
R 1
B T1
D 1
R 2
Si
Ge
Ge
5.6k
2.2K
Si
12V
R3
V R.
V R, I R
3.3K
12V
Si
Si
5.6k
20V
R3
Ambos casos
4.7K
10V
IR1, IR2,
2.2K
+
V0
E=8V, 0.5
5V
R3=2.2k, 1.2k
VD, ID, V0.
Si
5.6K
Si
Si
Si
10V
330
V0
-
2.5 Aplicaciones
Rectificadores: Su principal uso es en sistemas electrnicos encargados de
realizar una conversin de potencia de ac, en potencia de dc.
DE MEDIA ONDA:
20V
0V
D2
V1
1k
-20V
V1(V2)
20V
0V
SEL>>
-20V
0s
1ms
2ms
3ms
4ms
5ms
6ms
7ms
8ms
9ms
10ms
8ms
9ms
10ms
V(D1:2)
Time
20V
0V
120
1k
-20V
V1(V2)
20V
0V
SEL>>
-20V
0s
1ms
2ms
3ms
4ms
5ms
V(R1:1)
Time
6ms
7ms
DE ONDA COMPLETA:
1
20V
10V
2 2
1 1
1k
0V
-10V
-20V
0s
0.5ms
1.0ms
1.5ms
V(V2:+)
Time
CON TRANSFORMADORES:
Si
1
T1
5
6
Si
2.0ms
2. 5ms
3.0ms
Recortadores:
Tienen la capacidad de recortar una porcin de la seal de entrada sin
distorisionar la parte restante de la forma de onda alterna.
SERIE:
20V
D2
5V
0V
1k
-20V
V(V10:+)
20V
0V
SEL>>
-20V
0s
0.5ms
1.0ms
1.5ms
2.0ms
2.5ms
3.0ms
V(R1:2)
Time
20V
10V
1k
0V
4V
-10V
-20V
0s
V(D1:2)
0.5ms
V(V1:+)
1.0ms
1.5ms
Time
2.0ms
2.5ms
3.0ms
C1
V1
5V
Detectores de seal:
Vin
-
2
C1
Vout
-
Reguladores de voltaje:
El objetivo de este circuito es mantener un voltaje de salida constante sobre un rango de
resistencia de carga. El resistor en serie con la fuente se selecciona para que una caida de
voltaje apropiada aparezca cuando la resistencia de carga est en su valor mnimo. El
diodo debe ser capaz de disipar una gran gantidad de potencia cuando la resistencia de
carga est en su valor mximo.
1k
Vi
Vz
+
1k
- Pzm
V = VL=RLVi/R + RL
VL=Vz
Iz = I R + I L
Pz= Vz IL
2.- Sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las incongnitas deseadas.
Vz
Vz
Vz
Reguladores de voltaje:
R
Vi
Vz
+
- Pzm
RL
R=1k
VZ=10V
Vi=16V.
PZM= 30mW
RL=1.2k
=3k
Compuertas lgicas:
In1
D1
In2
Vo.
D2
1k
In1
D1
In2
D2
Vo.
1k
5V
In1
In2
In1
In2
V0
V0