Les transistors et leurs applications

PLAN
1.

Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3.
3.1.
3.2.
3.3.

Les transistors effet de champs

Dfinition
La commutation
Lamplification

4.

Comparaison des deux technologies

5
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
5.6.
5.7.
5.8.

Les applications
La gnration de courant
La charge active
La paire diffrentielle
Lamplification de puissance
Lamplificateur oprationnel
Lalimentation linaire
Ladaptation de tension
Les montages non linaires

Fabrice Mathieu

1.

Les amplificateurs

PLAN
1.

Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3.
3.1.
3.2.
3.3.

Les transistors effet de champs

Dfinition
La commutation
Lamplification

4.

Comparaison des deux technologies

5
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
5.6.
5.7.
5.8.

Les applications
La gnration de courant
La charge active
La paire diffrentielle
Lamplification de puissance
Lamplificateur oprationnel
Lalimentation linaire
Ladaptation de tension
Les montages non linaires

Fabrice Mathieu

1.

Les amplificateurs

Modle Quadriple dun amplificateur

Un amplificateur peut tre reprsent de faon gnrale par :
Son impdance dentre (Zin), son gain en tension (Av) ou en courant (Ai)
et son impdance de sortie (Zout).
Le quadriple dun amplificateur peut tre dtermin par les diffrentes matrices classiques
(admittance, impdance et hybride)
Zin, Av, Ai et Zout peuvent tre exprim avec les paramtres des diffrentes matrices.
La reprsentation la plus utilise pour un amplificateur est la suivante:

Important :
- Faire attention au sens des courants
- Vrifier si ltude du quadriple est effectue vide ou en charge.

Fabrice Mathieu

1.

Les amplificateurs

Lamplificateur de tension charg

Zoutn-1
Zinn-1

Avn-1.Vinn-1

Zoutn+1

Zoutn
Vinn

Zinn

Avn.Vinn

Zin+1

Le chainage des amplificateurs peut avoir une influence sur le comportement.

- La tension dentre Vinn de lamplificateur An est dpendante des impdances Zoutn-1 et
Zinn avec la relation :
Zin n
Vin n Av n 1

Zin n Zout n 1

- La tension de sortie Voutn de lamplificateur An est dpendante des impdances Zoutn et

Zinn+1 avec la relation :
Zin n 1
Vout n Av n

Zin n 1 Zout n

En conclusion, pour rendre un amplificateur indpendant de ces conditions il faut que

Zin soit la plus grande possible et Zout la plus faible possible.
Fabrice Mathieu

Avn+1.Vinn+1

2.

Les transistors bipolaires

PLAN
1.

Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3.
3.1.
3.2.
3.3.

Les transistors effet de champs

Dfinition
La commutation
Lamplification

4.

Comparaison des deux technologies

5
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
5.6.
5.7.
5.8.

Les applications
La gnration de courant
La charge active
La paire diffrentielle
Lamplification de puissance
Lamplificateur oprationnel
Lalimentation linaire
Ladaptation de tension
Les montages non linaires

Fabrice Mathieu

2.
2.1.

Les transistors bipolaires

Dfinition
Transistor NPN

Transistor PNP
E

IC I B
C

V
I C I S 1 CE
VA

VBET
e 1

V
I C I S 1 CE
VA

VTBE
e
1

IS : Courant de saturation inverse de la jonction metteur base ~ 10 -14A

Gain en courant, Trs peut reproductible dun composant lautre,

Dfini par sa valeur minimale ( 20 << 500 ).
VA : Tension dEarly, paramtre technologique ~ 100V

VA

Fabrice Mathieu

IC
I C

VCE

VCE
VBE

I E IC I B

VT

kT
q

2.
2.2.

Les transistors bipolaires

La commutation

Le transistor bipolaire est trs utilis en commutation. Le principe de base peut tre
reprsent par le montage inverseur.

Vcc

Condition de blocage (interrupteur ouvert)

Condition de saturation (interrupteur ferm)

I b 0 Vbe Vbesat

I b

IC
min

Dans ce cas, les paramtres importants sont les temps de

commutation louverture et la fermeture ainsi que la
rsistance en circuit ouvert Roff et en circuit ferm Ron (Rcesat).

Doc : 2N3904 Philips

Doc : 2N3904 Fairchild

Ron

Fabrice Mathieu

Vcesat
5
Ic

Roff

VCEbloqu
I CEcutoff

108

2.
2.3.

Les transistors bipolaires

Lamplification

Diffrentes classes damplificateurs

A,B, AB,C Amplification analogique
D, E, F
Amplification dcoupage (MLI)

La polarisation
Pour fonctionner en amplificateur, un transistor doit tre aliment de faon ce quil soit en
rgime linaire. Pour cela un circuit de polarisation doit lui tre appliqu.

Le circuit form par le transistor et lensemble des lments

doit vrifier les quations de dfinition
- Le rapport des diffrents courants Ic, Ib et IE
- Les diffrentes tensions VBE et VCEsat<VCE<VCEmax

Fabrice Mathieu

2.
2.3.

Les transistors bipolaires

Lamplification

Droite de charge statique

IC

1
VCC VCE
R E RC

Droite de charge dynamique

- Passe par le point de repos
- Coefficient directeur :
VCE RC // RU I C
I C
RC // RU
VCE

Caractristique de transfert dun transistor

mont en Emetteur commun
Fabrice Mathieu

2.
2.3.

Les transistors bipolaires

Lamplification

Modle petit signal simplifi

Autour du point de polarisation, si les signaux damplification sont faibles (pas de distorsion),
on linarise le fonctionnement avec le montage suivant

Avec :

rbe Rin
rce Rout

dVBE
V
T
dI B
IC
dVCE V A VCE

dI C
IC

Et gm la transconductance :
Fabrice Mathieu

gm

dI C
I
C ;
dVBE VT

g m vbe ib

2.
2.3.

Les transistors bipolaires

Lamplification

Modle petit signal rel

Schma tenant compte des lments parasites, permettant ltude en frquence.

A noter, la contre raction ralis par les lments r et C qui provoquent un effet Miller.
Effet Miller : l'influence du gain d'un amplificateur inverseur sur ses propres caractristiques d'entre.
(dans le cas d'un amplificateur non-inverseur, le mme effet conduit la gnration d'impdances ngatives).
Consquences : Diminutions de limpdance dentre et de la bande passante du montage
Fabrice Mathieu

2.
2.3.

Les transistors bipolaires

Lamplification

Emetteur commun

Les montages de base

Collecteur commun

Base commune

u
u

Re R p // rbe

Re R p // rbe 1 rce // RE // RU

rce // RC // RU
rbe

AV

AV

Avec :

R p R1 //,R2

1 rce // RE // RU 1
rbe 1 rce // RE // RU

RS rce // RE //

RS RC // rce RC

gm

IC
VT

// R p rbe

rbe

VT
IC

et RG : Impdance de sortie du gnrateur.

Fabrice Mathieu

Re

1
r
be
gm

1
AV g m rce // RC // RU
rce

RS RC // rce g m rce 1 rbe // RE // RG

rce

VA VCE
IC

2.
2.3.

Les transistors bipolaires

Lamplification

Emetteur commun

Les montages de base

Collecteur commun

Base commune

u
u

Gain damplification en tension

important Av ~100

Gain damplification en tension

proche de lunit

Gain damplification en tension

quivalent lEC

Impdance dentre faible

Ze ~ k

Impdance dentre leve

Ze ~ fois lEC

Impdance dentre faible

Ze ~ quelque dizaines d

Impdance de sortie leve

Zs ~ Rc ~ k

Impdance de sortie faible

Zs ~ 1/fois lEC

Impdance de sortie assez leve

Zs ~ quelque dizaine de k

Conclusions
Le montage en metteur commun est utilis en amplificateur. Par contre, pour amliorer ses caractristiques
dentre et de sortie, on peut lui associer un montage en collecteur commun en amont et en aval.
Le montage base commune est peu utilis. Cependant, il apporte un intrt dans les montages haute
frquence, car leffet de la capacit Miller est fortement diminu, ce qui permet une bande passante plus
importante.
Fabrice Mathieu

3.

Les transistors effet de champs

PLAN

1.

Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3.
3.1.
3.2.
3.3.

Les transistors effet de champs

Dfinition
La commutation
Lamplification

4.

Comparaison des deux technologies

5
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
5.6.
5.7.
5.8.

Les applications
La gnration de courant
La charge active
La paire diffrentielle
Lamplification de puissance
Lamplificateur oprationnel
Lalimentation linaire
Ladaptation de tension
Les montages non linaires

Fabrice Mathieu

3.
3.1.

Les transistors effet de champs

Dfinition

Il existe plusieurs types de transistors effet de champs. Les deux types les plus utiliss sont:
les transistors JFET canal N et P et les transistors MOSFET enrichissement et
appauvrissement canal N ou P. Soit 6 types de transistors.
Le JFET
Cest un transistor FET jonction. Le canal de conduction
correspond la rgion n, encadre par deux rgion p connectes
llectrode de grille. Cette grille sert polariser la jonction pn
en inverse de faon moduler la largeur du canal.
Le JFET conduit si VGS V p , Vp est la tension de pincement
(pinch voltage), cest une tension inverse ngative.
Cette tension est trs peu reproductible dun transistor lautre.

V
V
I D I DSS 1 GS 1 DS

V p
V AJ

O 0 VGS etV p

Fabrice Mathieu

VDS .IDSS
VGSest
Vlep courant VGS nul

3.
3.1.

Les transistors effet de champs

Dfinition

Le JFET
Le courant de grille IG correspond au courant de fuite de la jonction pn, il nest donc pas
compltement nul. Cependant il est ngligeable compar au courant de base existant
dans le bipolaire.
La tension VAJ est un effet comparable la tension dEarly, elle est due la modulation
de la longueur du canal de conduction par la tension VDS. (~150V)

Canal N

I D

VGS

gm

VDS

I D

VDSconst

rds

Fabrice Mathieu

VGS con st

2
VP

I DSS . I D repos

V AJ VDS
ID

Canal P

3.
3.1.

Les transistors effet de champs

Dfinition

Le MOSFET
Le canal de conduction est ralis par
lapplication dun potentiel de grille VGS.
Lorsque ce potentiel de grille atteint la
tension de seuil VT le transistor se met
conduire.
Cette tension VT, est lie la tension dinversion de
population dans le canal. Elle dpend des paramtres
technologiques. Elle est trs peu reproductible dun
transistor lautre.
En rgle gnrale, le substrat (bulk) est reli la source
Loxyde (SiO2) tant isolant, le courant de grille est quasiment nul et correspond au
courant de fuite de la capacit MOS. Donc la rsistance dentre tend vers linfini.

Fabrice Mathieu

3.
3.1.

Les transistors effet de champs

Dfinition

Le MOSFET
Rgime bloqu : VGS < VT ID ~ 0
Rgime linaire (Mode Triode)

2
I D K 2VGS VT V DS V DS

Avec VGS > VT et VDS < VGS -VT

Rgime satur (Mode pentode)

eff : Mobilit des porteurs dans le canal

V
2
I D K VGS VT 1 DS
VA

Cox : Capacit du condensateur de grille

W : Largeur du canal

Avec VGS > VT et VDS > VGS -VT

VA : Tension dEarly

VA

Fabrice Mathieu

ID
I D

VDS

1
W
eff Cox
2
L

L : Longueur du canal

VDS
VGS

I DSS K .VT2

3.
3.2.

Les transistors effet de champs

La commutation

Le transistor MOS est trs utilis en commutation. Son norme intrt davoir un courant de
grille quasiment nul, donc un courant de commande nul.
Dans ce cas, les paramtres importants sont les temps de commutation louverture et la
fermeture ainsi que la rsistance en circuit ouvert Roff et en circuit ferm Ron.
Ron : correspond la rsistance du canal en conduction.
Elle dpend donc beaucoup de la technologie utilise
Elle est de quelque dixime dohm quelque dizaines dohm.
Roff : correspond la rsistance du canal hors conduction.
Quelque centaines de mgohms.

Ron

VDS
I D

VDS 0

2 K VGS VT

Exemple : Interrupteur base de transistors MOS complmentaires

permettant un comportement dinterrupteur analogique.

Doc : AN-251 Analog Device

Doc : BSS123 Fairchild
Fabrice Mathieu

3.
3.3.

Les transistors effet de champs

Lamplification

Le MOSFET

Rgime satur:

MOSFET enrichissement
Canal N

Fabrice Mathieu

Canal P

gm

I D
2ID
2 K .I D
VGS
VGS VT

rds

VDS VA VDS

I D
ID

MOSFET appauvrissement
Canal N

Canal P

3.
3.3.

Les transistors effet de champs

Lamplification

Source commune

Drain commun

Re

Re

Gain damplification en tension

Impdance dentre trs grande

Impdance de sortie leve

Re

1
1
// RL
gm
gm
1
AV
1
1
1
g m RL

AV g m rds // RL g m RL

Grille commune

1
gm

RS rds 1 g m RS

RS

RS RL // rds RL

Fabrice Mathieu

Les montages de base

AV

g m RL
1 g m RS

Gain damplification en tension

unitaire

Impdance dentre trs grande

Impdance dentre faible

Impdance de sortie faible

Impdance de sortie faible

Gain damplification en tension

unitaire

4.

Comparaison des deux technologies

PLAN

1.

Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3.
3.1.
3.2.
3.3.

Les transistors effet de champs

Dfinition
La commutation
Lamplification

4.

Comparaison des deux technologies

5
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
5.6.
5.7.
5.8.

Les applications
La gnration de courant
La charge active
La paire diffrentielle
Lamplification de puissance
Lamplificateur oprationnel
Lalimentation linaire
Ladaptation de tension
Les montages non linaires

Fabrice Mathieu

4.

Comparaison des deux technologies

Gnralits
Les effet de champs
JFET & MOSFET canal N ou P
enrichissement ou appauvrissement

Les bipolaires
Transistors NPN et PNP
-

Contrle par courant.

Contrle en tension.

En commutation, rsistance srie faible

si Ic important.

Rsistances Ron faible (plus forte que le

bip mais moins dpendante du courant).

Tension dearly Ic = f(Vbe) non plat dans

la zone linaire.

Effet Early existant mais moins marqu que le bip

Impdance dentre faible (vue de la base).

Impdance dentre trs forte (vue de la grille).

Consommation de courant en rgime tout ou rien.

Pas de consommation en dehors des

transitions en rgime tout ou rien.

Tension de seuil trs reproductible en

composants discret Vbe = f (Ic,Ib)
dfini par sont minimum.

Fabrice Mathieu

Peut de reproductibilit en composant discrets

Vgsth = f (Vds,Id) varie dun rapport deux

4.

Comparaison des deux technologies

La commutation

Phototransistor

Les points importants : - Temps de commutation

- La rsistance srie rapporte
- Le type de commande
- Tensions et courants mises en jeux

Relai solide

TCMT1100

LH1532

- Fonctionne en tension
flottante
- Rapide, fonction de IF
tcommutation < 20 s

- Fonctionne en tension
flottante
- Lent tcommutation > ms

- Unidirectionnel
- Vce fonction de Ic

- bidirectionnel
- Rsistance srie faible
1<Ron<100

Trs fortes variations

dpend de IF

Indpendante de IF
dpend de T, Id

Fabrice Mathieu

Transistor MOS

BSS123

- Fonctionne en tension
rfrence
- tcommutation < 20 ns
dpend de Id
- Bidirectionnel
Vgs > Vgs(th)
- Rsistance srie faible
100m<Ron<100
Indpendante de Id
dpend de T, Vgs

Transistor Bipolaire

FMMTL618

- Consommation de la base
- Fonctionne en tension
rfrence
- tcommutation < 400 ns
dpend de Ic
- Unidirectionnel
- Rsistance srie faible
10m< Vcesat/Ic < 1
dpend de Ic

5.

Les applications

PLAN

+VC C

1.

Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3.
3.1.
3.2.
3.3.

Les transistors effet de champs

Dfinition
La commutation
Lamplification

4.

Comparaison des deux technologies

5
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
5.6.
5.7.
5.8.

Les applications
La gnration de courant
La charge active
La paire diffrentielle
Lamplification de puissance
Lamplificateur oprationnel
Lalimentation linaire
Ladaptation de tension
Les montages non linaires

Fabrice Mathieu

T3

T4
Io u t
I1

VE1

I2

T1

VE2

T2

I
T5

T6

R I
-V C C

5.
5.1.

Les applications

La gnration de courant

Gnration dun courant pilots en tension avec prcision

Points Importants :
- la stabilit
- lgalit des courants

Rc

Rc

Transistors identiques
I

V-

Valeur du courant :
I

V-

Vbase V Vbe 1

Re

! Attention !

Sensible la temprature

1 k I c T 2 .10 3
.
ln

T
Re
q I s Re

Fabrice Mathieu

Re
V-

Re

Re

Re

Re

Re

Vbase

Vbase

kT I c
Vbe
ln
q
Is

V-

5.
5.1.

Les applications

La gnration de courant le miroir de courant

Copier un courant avec prcision

Permet la modulation
Sensibilit rduite la temprature

Vcom Vbe

I out I in

Rcom
Iin

1
2
1

I in

Iout

! Attention !
Il faut respecter la symtrie parfaite des transistors
Utiliser des composants spcifiques
Utiliser des levs

2Vbe 2

Compensation en temprature

Vcom

kT I c
ln
q
I s Potentiel flottant

Rcom

1
Iin
Iout

I out I in

Fabrice Mathieu

5.
5.2.

Les applications

La charge active

Elle est utilise dans la majeure partie du temps pour limiter lutilisation des rsistances qui sont trs
difficilement intgrables dans les circuits intgrs. Elles peuvent galement dans certains cas augmenter le
gain damplification en jouant sur la rsistance dynamique.

RC // rce g m .RC 40.RC I C

rbe
AV 240 et rs RC 3k
AV

si

RC I C

V
6V ;
2

I C 2mA

Ici le gain est limit par la tension de polarisation.

Il faut que limpdance vue du collecteur soit trs forte, avec une polarisation identique.
Dans ce cas, limpdance vue du collecteur est : rc rce 2 1 g m 2 R1
Donc, si VA = 100V et IC=2mA
R1

Vbe
300
IC

rc rce 1 g m R1

VA
IC

IC
R1 1.2 10 6
VT

Donc le gain en tension est ici limit par la rsistance dynamique

de sortie du transistor1 : rce1 50 K
I

Soit un gain de : AV RC // rce C rC // rce1 4000 ; rs rce1

rbe

Fabrice Mathieu

VT

5.
5.2.

Les applications

La charge active

Utilisation en polarisation.

Dans ce montage, lamplificateur en metteur commun ralis

par le transistor T1.
Si on se rfre au rsultat prcdent, T1 est charg par le
transistor T2, et la rsistance de charge correspond rce2 .
Le courant de polarisation est ralis grce au miroir de
V V
courant
Ic be3
R1
T2 ,T3 et vaut :
On peut donc valuer le gain en tension de cet amplificateur :
AV

IC
RC // rce I C rce I C VA VA 2600
VT
VT 2 VT 2 I C 2VT

On peut donc charger une branche damplification sans rsistance en amliorant le gain damplification.
Ceci, en pilotant la polarisation de la branche damplification en intgrant un miroir de courant.

Fabrice Mathieu

5.
5.3.

Les applications

La paire diffrentielle

Elle est utilise pour amplifier la diffrence deux tensions dentre. Cest un lment essentielle en
lectronique.
+VC C
T3

Les transistors T5 et T6 sont monts en miroir de courant.

V Vbe6
Le courant I du collecteur T5 vaut : I CC
RI

T4
Io u t
I1

VE1

Les transistors T3 et T4 sont monts en miroir de courant.

I2

T1

VE2

T2

Ils imposent lgalit des courants IC3 et IC4 et donc I1=Iout +I2
de plus, le montage impose que : I=I1+I2.
Les transistors T1 et T2 composent la paire diffrentielle
Si VE1 =VE2

I
T5

T6

T1 et T2 ont le mme Vbe, donc I1 et I2 sont identiques,

R I
-V C C

Alors Iout =0

Si VE1 VE2 (VE2 = VE1 + ve1)

T1 et T2 nont plus le mme Vbe , donc I1 et I2 sont diffrents car : ic=gm .vbe
Comme Iout +I2=I1 Alors Iout = gm (VE1-VE2)

! Attention !
Ceci nest vrai que pour de trs petites variations autour du point de polarisation VE1-VE2< VT
Fabrice Mathieu

5.
5.4.

Les applications

Lamplification de puissance, ltage push Pull

Cest un montage amplificateur classe B. Cest--dire quune demi priode est amplifi par le transistor
correspondant mont en collecteur commun. Le gain est unitaire, il permet surtout une amplification de la
puissance en sortie.
Les diodes liminent leffet de la distorsion due la jonction base metteur. (fonctionnement en classe AB)

E+
Q 2
V in

Vin

V o u t1
R L1
100

Q 3

E-

Vout1

E+
R D 1
Q 4
V in

D 1

V o u t2

D 2
Q 5

R L2

R D 2

0
E-

Fabrice Mathieu

Vout2

5.
5.5.

Les applications

Lamplificateur oprationnel
Impdance dentre
Bande passante
Tension dalimentation
Consommation
Courant de sortie
Niveau de bruit
Tension doffset

106 1012
1MHz 250MHz
<5v qq dizaines de volts
qq 100A >10mA
10mA 2A
3.5 nv/Hz 80 nV /Hz
qq 10 V 10mV
Etage damplification
Emetteur commun

Charge active

Etage de sortie
Push pull
Miroir de courant

Paire diffrentiel dentre

Fabrice Mathieu

5.
5.6.

Les applications

Lalimentation linaire Le montage en ballast

Permet dobtenir en sortie de montage une puissance importante en

tension stabilise.
Principe du rgulateur linaire
I

Augmenter le courant disponible

dun composant dfinie

R
Vin

Vout = Vz+Vbe
Vz

Ncessite une tension Vce minimale

de fonctionnement
Rendement globale de mauvaise qualit
Perte de puissance dans le transistor

Fabrice Mathieu

Rgulateur
Vin

Vout = Vreg+Vbe

5.
5.7.

Les applications

Ladaptation de tension

Dans les systme multi tensions

Permet dadapter les tensions de fonctionnement

Montages Inverseurs
VCC2

Porte logique

VCC2

Porte logique

VCC1

VCC1

Vout

R
Vout

Vin

Vrifier que le courant de sortie soit compatible

Fabrice Mathieu

Vin

Vrifier que la tension Vgs(th) soit infrieur VCC1

Faible consommation

5.
5.8.

Les applications

Utilisation de la non linarit tension/courant

! Attention !

Amplificateur logarithmique

Trs sensible la temprature

Utiliser des circuit monolithiques compenss
Respecter les niveaux de tensions compatibles

+
-

Vin

Vout

Iin

kT Vin
ln
q
R.I s

Multiplieur (Mixeur)

Amplificateur anti-logarithmique
ou exponentiel
R

V1

Fabrice Mathieu

Vin

+
-

Vout

R.I s exp
Vin
k .T

+
-

V2

Vout K .V1.V2

Annexes
Bibliographie
Cours dlectronique analogique trs complet : http://philippe.roux.7.perso.neuf.fr/
Cours sur les transistors effet de champs : http://www.montefiore.ulg.ac.be/~vdh/supports-elen0075-1/notes-chap6.pdf
Cours de circuits lectrique et lectronique : http://subaru2.univ-lemans.fr/enseignements/physique/02/cours2.html
Article dcrivant certains critres de choix entre bipolaire et MOSFET : http://www.diodes.com/zetex/_pdfs/5.0/pdf/ze0372.pdf
Cours sur les transistors effet de champ : http://leom.ec-lyon.fr/leom_new/files/fichiers/MOS.pdf
Cours sur les transistors bipolaire : http://leom.ec-lyon.fr/leom_new/files/fichiers/BJT.pdf
Cours sur les blocs lmentaires base de transistor : http://leom.ec-lyon.fr/leom_new/files/fichiers/Bloc_elem.pdf
Cours sur lamplificateur diffrentiel : http://claude.lahache.free.fr/mapage1/ampli-differentiel.pdf
Cours dintroduction llectronique analogique : http://www.famillezoom.com/cours/electronique/electronique-analogique.pdf
Article prsentant la modulation de Ron dans les MOS :
http://www.analog.com/static/imported-files/application_notes/413221855AN251.pdf

Disponible ladresse suivante : http://www.laas.fr/~fmathieu

Fabrice Mathieu