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BIPOLAR
DE JUNO
Estrutura
TBJ NPN
estrutura
esquemtica
E
emisso
r
N
+
P-
N
+
smbolo
C
B
C
coletor
B
base
TBJ PNP
estrutura
esquemtica
E
emisso
r
P
+
N-
P
+
smbolo
C
C
coletor
B
base
B
E
Emissor e coletor:
dopadas do
regies fortemente
mesmo tipo
Base:
fracamente
tipo contrrio
regio estreita e
dopada do
estrutura real
B
C
Regimes de Operao
CORTE:
N
+
+
B
N
+
+
B
SATURAO:
diretamente
+
B
Regio Ativa
Juno E-B
diretamente
polarizada
Juno B-C
reversamente
polarizada
P+
P+
N-
E
IC
IE
IE = IC + IB
IB
+
Corrente de emissor
P+
IE
P+
N-
ILE
IC
IEE
IB
B
ILE
IEE <<
ILE
Corrente de coletor
P+
P+
N-
IE
ILE
IEE
IC0
IB
IC
IE
B
IC0
= 0,900 a
0,995
IC IE IC 0
P+
campo eltrico
C
+
N+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
da juno B-
P+
Corrente de base
N-
IEE
+
IB =
IE
ILE
IE
P+
IC0
IB
IC
P+
B
= (1-)IE - IC0
corrente de recombinao
Juno E-B
N-
P+
lacuna
eltron
recombina
o
Juno B-C
IB
P+
terminal
de base
P+
P+
Nlargur
a
efetiv
a
P+
Juno B-C
Nlargur
a
efetiv
a
VBC1
P+
VBC2 >
VBC1
P+
N-
P+
largur
a
efetiv
a
VBC1
P+
N-
P+
largur
a
efetiv
a
VBC2 >
VBC1
VBC1
VBC2
x
p
VBC1
dp
dx V
CB2
dp
dx V
VBC2
CB1
x
Largura da regio de
transio
Mdulo de
VCB
IC
IB
IE IEL = -qDLdp/dx
IC no
corte
IC IC 0
IE 0
Definio de
corte:
IE = 0
IE no
corte
Varia com:
IC = IC0
IB = -IC0
geometria
tecnologia
temperatura
ponto de polarizao (VCB e
IE)
Ganho
I I
C C0
IB IC 0
IC no
corte
IB no
corte
IE
1 IE 1
Ganho
I I
C C0
IB IC 0
menor e prximo a
1
IE
1 IE 1
da ordem de
centenas
depende das mesmas variveis que
IC IE0eVEB t IC 0 ISeVEB t IC 0
IC IC 0
ISeVEB t
IB
IC 0
IC 0
Transistor NPN:
IE IE0eVBE t
IC
IB
IC IE0eVBE t IC 0 ISeVBE t IC 0
IE
IC IC 0
ISeVBE t
IB
IC 0
IC 0
IC = IB + (+1) IC0
IC = IB
IC
IE
IE0 RIC0
IDE
IB
RIDC
IDE
E
IE
C
Transistor
PNP:
IDC
IDE
IB
IDE IE0 eVEB t 1
IDC IC 0 eVCB t 1
RIDC
IDE
E
1 I e
IC IE0 eVEB t 1 IC 0 eVCB t 1
IE IE0 VEB t
IC
R C0
VCB t
IE
Transistor
NPN:
IB
IC
IDC
IC
IDE
IB
B
RIDC
IDE
IE
E
IE
C
Transistor
NPN:
IDC
IDE
IB
t 1
RIDC
IDE
1 I e
IC IE0 eVBE t 1 IC 0 eVBC t 1
IE IE0 VBE t
IC
R C0
VBC t
IE
Caractersticas do TBJ
Configurao BASE
COMUM
IE
IC
P
+ VEB -
IC
N
sada
entrada
IE
- VCB +
comum
entrada
N
sada
+ VEB -
- VCB +
comum
Entrada:
emissor
Sada:
coletor
Referncia: base
a)
Caractersticas de entrada em BASE
COMUM
Efeito Early:
IE
VCB3
dependncia
de IE com VCB
VCB2
VCB1
Corte (IE =
0)
VEB (PNP)
VBE (NPN)
b)
Caractersticas de sada em BASE
COMUM
IC
IE3
Saturao
Regio ativa:
IE2
IC = IE + IC0
IE3
IE2
IE1
IE1
IC0
IE = 0
corte
VBC (PNP)
VCB (NPN)
Regio ativa:
Early
IE/VCB 0
Efeito
IC
+
VBE
entrada
VCE
IB
entrada +
VBE
- comum Entrada:
base
Sada:
coletor
Referncia: emissor
P
N
IB
+ sada
+ sada
VCE
- comum -
a)
Caractersticas de entrada em EMISSOR
COMUM
Efeito Early:
IB
VCE1
dependncia
de IB com VCE
VCE2
VCE3
VEB (PNP)
VBE (NPN)
b)
Caractersticas de sada em EMISSOR
COMUM
IC
Regio ativa:
IC = IB + (+1)IC0
IB3
Saturao
IB2
IB1
IB = -IC0
VCESAT
corte
VEC (PNP)
VCE (NPN)
Regio ativa:
Early
IC/VCE 0
Efeito
IE
+
VBC
entrada
VEC
IB
entrada +
VBC
- comum Entrada:
base
Sada:
emissor
Referncia: coletor
P
N
IB
+ sada
+ sada
VEC
- comum -
a)
Caractersticas de entrada em COLETOR
COMUM
IB
VEC3
VEC2
VEC1
VBC (PNP)
VCB (NPN)
b)
Caractersticas de sada em COLETOR
COMUM
IE
Regio ativa:
IE = IC = IB + (+1
IB3
Saturao
IB2
IB1
IB = -IC0
VECSAT
corte: IE = 0
VEC (PNP)
VCE (NPN)
Limites de Operao
avalanche ou
punchthrough
IC
ICmx
Pmx
VECmx
VEC (PNP)
VCEmx
VCE (NPN)