TEORIA DOS

SEMICONDUTORES
Ana Isabela Arajo Cunha
Departamento de Engenharia Eltrica
Universidade Federal da Bahia

Tabela
Peridica

Silcio (Si):

1s22s22p63s23p2

Germnio (Ge):
1s22s22p63s23p64s23d104p2

Silcio (Si):

1s22s22p63s23p2

Germnio (Ge):
1s22s22p63s23p64s23d104p2
Configurao com 4 eltrons na camada de
valncia

No cristal:
ligaes covalentes
em estrutura
tetradrica

Si

Silcio Puro a 0 K (zero graus Kelvin)

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Funciona como isolante!

Silcio Puro temperatura ambiente

(300 K)
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Ocorrem quebras de ligaes covalentes: gerao

trmica

A gerao trmica d origem a dois tipos de

portadores:
Eltron livre:
eltron que conseguiu energia
suficiente para
migrar da camada de valnica para a de
conduo
Lacuna:
partcula que modela atravs da
mecnica
clssica o complexo movimento
dos eltrons de
valncia nos nveis
energticos vagos deixados
pelos eltrons
livres.
A lacuna tem massa e carga positiva
igual em mdulo do eltron.

Recombinao:
o fenmeno inverso ao da gerao, quando um
eltron livre retorna da banda de conduo para a de
valncia, fazendo desaparecer o par eltron-lacuna.

Gerao e recombinao ocorrem

dinamicamente no material !
Cristal semicondutor puro:
no de eltrons = no de
lacunas

COMPARAO
Metais
Semicondutores

Portadores
eltron e
de carga
Concentrao
de portadores
espao
de carga

1 tipo: eltron

2 tipos:
lacuna

uniforme

Tipos de corrente s deriva

varivel
no

deriva e difuso

Corrente de deriva ou conduo

Devida a uma diferena de potencial

ddp
sem ddp: movimento
movimento
aleatrio de mdia nula

com ddp:
aleatrio com mdia
no nula

Corrente de difuso
Devida a um gradiente de concentrao

iguais probabilidades de transpor

a linha divisria

Corrente de difuso
Fenmeno estatstico:

O movimento lquido do lado mais concentrado

para o menos concentrado

Como introduzir gradientes de

concentrao num semicondutor

Injeo de portadores
(trmica ou tica)

Dopagem

concentrao no uniforme

aumento da condutividade

A dopagem aumenta a concentrao

de um nico tipo de portador

Semicondutor dopado tipo N

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Impureza pentavalente: fsforo ou antimnio

Semicondutor dopado tipo N

Si

Si

Si

Si

Si

P+

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Um eltron no participa de ligao covalente:

fica livre para conduo

Semicondutor dopado tipo P

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Impureza trivalente: boro ou ndio

Semicondutor dopado tipo P

Si

Si

Si

Si

Si

B-

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Um eltron de valncia pode ocupar uma ligao

covalente incompleta causando deslocamento da
lacuna

n = concentrao volumtrica de eltrons (cm -3)

p = concentrao volumtrica de lacunas (cm -3)
Semicondutor puro:

n = p = ni

Semicondutor tipo N:

n>p
concentrao
intrnseca

eltrons: majoritrios
lacunas: minoritrios
Semicondutor tipo P:
eltrons: minoritrios
lacunas: majoritrios

n<p

depende de
T
no Si a 300
K:
1,45 x 1010
cm-3

Bandas de energia em cristais

N nveis

N tomos no cristal

banda de energia permitida

distncia entre tomos

nvel de
energia
da camada
de valncia

Materiais condutores

banda de valncia parcialmente

ocupada
distncia entre tomos

nvel de
energia
da camada
de valncia

Materiais condutores
banda de conduo

banda de valncia totalmente

ocupada superposta de
conduo
distncia entre tomos

nvel de
energia
da camada
de conduo

nvel de
energia
da camada
de valncia

Materiais isolantes
banda de conduo

grande
diferena banda proibida
energtica

banda de valncia

Materiais semicondutores

banda de conduo

banda proibida menor

banda de valncia

Semicondutores dopados tipo N

banda de conduo

nveis
doadores

banda de valncia
Cada tomo de impureza acrescenta um nvel
doador

Semicondutores dopados tipo P

banda de conduo

nveis
aceitadores

banda de valncia
Cada tomo de impureza acrescenta um nvel
aceitador

Lei de Ao das Massas

Taxa de gerao:

g(T)
(depende da

temperatura)
Taxa de recombinao:

r = KR.n.p

(KR constante)
No equilbrio em qualquer semicondutor:
r = g(T)

n.p = g(T)/KR

n.p = ni2(T)

No
equilbrio :

n.p = ni2(T)

Semicondutor tipo N:
diminui
Fortemente dopado:
concentrao de
impurezas
doadoras

Semicondutor tipo P:
diminui
Fortemente dopado:
concentrao de
impurezas
aceitadoras

n aumenta, p
ND >> ni
n ND
p ni2/ND

p aumenta, n
NA >> ni
p NA
n ni2/NA

Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de
deriva
fluxo de eltrons
fluxo de lacunas

corrente
convencional
condutivida
de
J = .E = JL + JE

JL

q.p. x.A
JL
A.t

Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de
deriva
fluxo de eltrons
fluxo de lacunas

JL

corrente
convencional
condutivida
de
J = .E = JL + JE
volum
e

q.p. x.A
JL
A.t

Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de
deriva
fluxo de eltrons
fluxo de lacunas

carga das
lacunas
atravs do
JL volume

corrente
convencional
condutivida
de
J = .E = JL + JE

q.p. x.A
JL
A.t

Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de
deriva
fluxo de eltrons
fluxo de lacunas
corrente
convencional

+
Jder
A

JL

condutivida
de
= .E = JL + JE

q.p. x.A
JL
A.t
velocidade mdia
das lacunas

JL

q.p. x.A
A.t

J L q.p.vL
velocidade mdia
dos portadores

Analogamente:
JE

q.n. x.A
A.t

J E q.n.vE

Para campo eltrico no muito alto:

v

vL =
L.E
vE =
E.E

vSAT
inclinao:
mobilidades da
lacuna e do eltron

ECRIT

JL = q.p. L.E
JE = q.n. E.E
Jder = q.(p. L.E +
n. E.E)
= q.(p. L + n. E)
A condutividade aumenta com a
temperatura

Densidade de corrente de
difuso

= lacuna

JA
Qual corrente
mais
intensa

JB

Densidade de corrente de
difuso

dp
dp

dx A dx B

JA

JA > JB
JB

J L qDL

dp
dx

dn
J E qDE
dx
constante de
difuso de
lacunas e
eltrons

dn
dp

J dif J L J E q DE
DL

dx
dx

Corrente Total
dp
dx
dn
J E qEnE qDE
dx
J L qLpE qDL

D KT

t
q

potencial
termodinmico
26 mV a 300 K