Estructura y Propiedades de Los Materiales

Estructura de los materiales
2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Ciencia e Ingeniera de materiales.
Metales y aleaciones
Cermicos, vidrios y vitrocermicos
Polmeros
Semiconductores
Materiales compuestos
Biomateriales
Ejemplos de
Aplicaciones
Propiedades
Metales y Aleaciones Herramientas, chasis

Aceros Aleados
de automviles
Se endurece bastante
con tratamiento
trmico
Cermicos y vidrios
Slice
Fibras pticas para

tecnologa de la
informacin
ndice de refraccin,
bajas prdidas pticas
Polmeros
Polietileno
Empaque de alimentos
Se moldea con
facilidad en lminas
delgadas
Semiconductores
Silicio
Transistores y circuitos
integrados
Comportamiento
elctrico nico
Materiales
Compuestos
Grafito-resina epxica
Componentes de
aviones
Alta relacin de
resistencia a peso
Estructural
es
Aceros,
aleaciones
de aluminio,
concreto
plstico
reforzado
Aeroespaci
ales
Materiales
compuestos
C-C, silicio
amorfo
CLASIFICAC
IN DE LOS
MATERIALE
S
FUNCIONAL
ES
Inteligente
s
Aleaciones
de Ni-Ti con
memoria de
forma
pticos
SiO2, GaAs,
vidrios
Magnticos
Fe,
Fe-Si,
NiZn
y
ferritas entre
otros
Biomdicos
Hidroxiapatit
a, aleaciones
de
titanio,
aceros
inoxidables
Electrnico
s
Si, GaAS, Ge,
BaTiO3
Tecnologa
de energa
y ambiente
UO2, Ni-Cd
ENLAZAMIENTO ATMICO
Enlace
Enlace
Enlace
Enlace
metlico
covalente
inico
de van der Waals
Los elementos metlicos tienen

tomos ms electropositivos, los
cuales ceden sus electrones de
valencia para formar una nube
de electrones que rodea los
tomos
Presentan mdulo de elasticidad
relativamente
ductilidad
alto
buena
Comparten
valencia
electrones
entre
dos
de
ms
tomos.
Los enlaces covalentes son muy
fuertes, por lo tanto materiales
con este tipo de enlaces son
muy duros, ej.: diamante
Altamente direccionales
Presentan ductilidad reducida.
Se presenta ms de una clase de

tomos,
unos
pueden
donar
sus
electrones de valencia a otros para

completar su octeto.
Los
slidos
con
frecuencia
son
resistentes debido a la fuerza de los

enlaces.
Su conductividad elctrica es muy
limitada (mov. Lento de iones)
2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
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Origen de las fuerzas de van der waals

es de naturaleza de mecnica cuntica
Molculas polares
Es la fuerza de atraccin entre las
molculas o tomos que tienen un
momento
permanente
dipolar
inducido
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Fuerzas de Keesom, dadas por las interacciones entre molculas polares en

forma permanente
En el agua, los electrones del O2 se concentran alejados del hidrgeno
Papel importante en la determinacin de la microestructura y

propiedades de los materiales
Orden de corto alcance (SRO): el arreglo especial de tomos
existe en la vecindad inmediata. Distancia corta, generalmente
uno o dos espaciamientos atmicos.
Orden de Largo Alcance (LRO): es un arreglo regular repetitivo de
tomos en un slido, el cual se extiende sobre una larga distancia
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Gases
Monoatmi
cos
No orden
Ej: Ar
Materiales
Amorfos
Solo orden de
Corto Alcance
Ej: Si amorfo,
vidrios, plsticos
Cristales
lquidos
Orden de Corto y
de largo Alcance
en pequeos
volmenes
Materiales
Cristalinos
Orden de
corto y largo
alcance
Cristales
Sencillos
Ej: Si, GaAs
Policristalin
os
Ej: metales,
aleaciones
Red: coleccin de puntos de red ordenados en un patrn peridico, de tal forma

que los alrededores de cada punto son idnticos. Puede ser uni, bi o 3D
Base, motivo: grupo de tomos ubicados en una forma determinada.
Estructura Cristalina: Red + Base
Celda Unitaria: subdivisin de la red que conserva las caractersticas generales
de la red.
SISTEMAS CRISTALINOS
Cbico, Tetragonal, Hexagonal,
Ortorrmbico,
Rombodrico,
Monoclnico, Triclnico
Existen 14 arreglos cristalinos,
Redes de Bravais
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Los parmetros de red describen la forma y el tamao de la celda

unitaria, incluyen las dimensiones de las aristas y los ngulos
entre estas.

Learning

Learning
SC (ao = 2r); BCC (ao = 4r /3); FCC (ao = 4r/2)

Las direcciones de empaquetamiento compacto o
direcciones compactas, son las direcciones en la cuales
estn en contacto los tomos

Learning
Es la cantidad de tomos que tocan a determinado tomo, o

sea la cantidad de vecinos ms cercanos a ese tomo en
particular. Es una medida de que tan compacto y eficiente es
el empaquetamiento de los tomos.
Es la fraccin de espacio ocupada por los tomos suponiendo

que estos sean esferas duras que tocan a su vecino ms
cercano.
(# atomos / celda)(vol _ de _ atomos )

Factor _ de _ empaquetamiento
vol _ de _ la _ celda _ unitaria
La densidad terica del material se puede calcular con las

propiedades de su estructura cristalina.
(# atomos / celda)(masa _ atomica)

Densidad _
(vol _ celda _ unitaria )(# avogadro )
CALCULO DE LA DENSIDAD TERICA

DEL HIERRO BCC
El parmetro de red para el hierro BCC es 0.2866 nm.
(number of atoms/cell)(atomic mass of iron)

Density
(volume of unit cell)(Avogadro' s number)
(2)(55.847)
3

7
.
882
g
/
cm
(23.54 10 24 )(6.02 10 23 )
La densidad medida es 7.870 g/cm3. La pequea
discrepancia entre las densidades obedece a los
defectos presentes en el material.
ESTRUCTURA HEXAGONAL COMPACTA

HCP

Learning
PROPIEDADES DE LA ESTRUCTURA
CRISTALINA DE ALGUNOS METALES
TRANSFORMACIONES ALOTRPICAS O
POLIMORFAS
Los materiales que pueden tener ms de una estructura

cristalina se llaman alotrpicos, polimorfos o polimrficos. El
termino alotropa suele reservarse para este comportamiento
en los elementos puros, mientras que polimorfismo se usa
para los compuestos.
Para estudiar el comportamiento del hierro a altas temperatura se quiere

disear un instrumento (exactitud 1%) para detectar el cambio en
volumen de un cubo de hierro de 1-cm3 cuando es calentado a travs de
su transformacin polimrfica. T = 911C, Fe es BCC con un parmetro
de red de 0.2863 nm. A 913C,el hierro es FCC, con un parmetro de
red de 0.3591 nm. Determinar la exactitud requerida del instrumento de
medicin
SOLUCION
El volumen de una celda unitaria BCC del hierro antes de
transformacin:
3
VBCC = a0= (0.2863 nm)3 = 0.023467 nm3
El volumen de la clda unitaria FCC de hierro:

3
VFCC = a0 = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3

FCC (4 atomos celda). Se debe comparar con dos celdas BCC y
obtenemos un volumen (2*(0.023467) = 0.046934 nm 3) con cada
FCC.
El porcentaje de cambio durante la transformacin:
(0.046307 - 0.046934)
Cambio de volumen
100 1.34%
0.046934
El cubo de 1-cm3 se contrae 1 - 0.0134 = 0.9866 cm3 despus
de la transformacin; por lo tanto para asegurar una exactitud de 1%,
el instrumento debe detectar un cambio de:
V = (0.01)(0.0134) = 0.000134 cm3
PUNTOS EN LA CELDA UNITARIA
DIRECCIONES EN LA CELDA
UNITARIA
Los ndices de Miller de las direcciones son la notacin
abreviada para describir esas direcciones. El procedimiento
para determinarlos es el siguiente:
Determinar las coordenadas de dos puntos que estn en la
direccin.
Restar las coordenadas del punto cola de las coordenadas
de las del punto cabeza.
Reducir a mnimos enteros.
Encerrar los nmeros entre corchetes [ ]. Si se produce un
signo negativo, se representa con una barra o raya sobre el
nmero.
Determinar los ndices de Miller para las siguientes

direcciones:

Learning
SOLUCIN
Direccin A:
1. Dos puntos son 1,0,0 y 0,0,0.
2. 1,0,0 0,0,0 = 1,0,0.
3. No hay que reducir a mnimos enteros.
4. [100]
Direccin B:
1. Dos puntos son 1,1,1 y 0,0,0.
2. 1,1,1 0,0,0 = 1,1,1.
3. No hay que reducir a mnimos enteros.
4. [111]
SOLUCIN
Direccin C:
Dos puntos son 0,0,1 y , 1,0.
0,0,1 ,1,1 = -,-1,1.
2(-,-1,1) = -1,-2,2.
CARACTERSTICAS DE LOS NDICES

DE MILLER PARA DIRECCIONES
Una direccin y su negativa no son idnticas; [100] no es
igual que [100]; representan la misma lnea, pero en
direcciones opuestas.
Una direccin y su mltiplo son idnticos; [100] es igual que
[200].
Ciertos grupos de direcciones son equivalentes; tienen sus
ndices particulares por la forma en que se definen las
coordenadas. Por ejemplo, en un sistema cbico, una direccin
[100] es una direccin
coordenadas.
[010] si redefinimos el sistema de
Los grupos de direcciones equivalentes se pueden indicar o

presentar como una familia. Se usan los parntesis < >
para indicar este conjunto de direcciones.
Conjunto
de
tomos
en
una
direccin
determinada.
Determinan la direccin de deformacin de los

metales
Determinan
materiales
el
crecimiento
de
los
ciertos
Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes x, y y z en

funcin de los parmetros de red. Si el plano pasa por el origen,
hay que mover el origen del sistema de coordenadas.
Sacar los recprocos de las intersecciones
Simplificar fracciones, pero NO reducir a enteros mnimos.
Encerrar entre ( ) los nmeros que resulten. Los nmeros

negativos se deben escribir con una raya sobre ellos
Determinacin de ndices de Miller de Planos
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SOLUCION
Plano A
1. x = 1, y = 1, z = 1
2. 1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1
3. No hay fracciones para eliminar
4. (111)
Plano B
1. El plano no intercepta el eje z x = 1, y = 2, and z =
2. 1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0
3. Eliminando fracciones:
1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0
4. (210)
Plano C
1. Se debe cambiar el origen, puesto que el plano pasa por 0, 0, 0. Entonces,
se mueve un parmetro de red en direccin y, x = , y = -1, and z =
2. 1/x = 0, 1/y = -1, 1/z = 0
3. No hay fracciones para eliminar.
4. (0 1 0)
Los planos y sus negativos son idnticos (caso

contrario con las direcciones). Por lo tanto
(010) (0 1 0)
Los planos y sus mltiplos no son idnticos (caso

contrario con las direcciones)(densidad planar)
En cada celda unitaria, los planos de una

forma
(o familia) representan grupos de
planos equivalentes que tienen sus ndices
particulares
En los sistemas cbicos, una direccin que

tiene los mismos ndices que un plano es
perpendicular al plano

Learning
Densidad planar (010)
atomos por plano atomos por cara 1 atomo por cara
area del plano

area de la cara
(0.334) 2
8.96 atomos/nm 2 8.96 1014 atomos/cm 2
area de atomos por cara (1 atomo) (r 2 )

Fraccin de Emp. (010)
area por cara

(a 0) 2
r 2
0.79
2
( 2r )
Como en la cara (020) no hay tomos, su densidad

planar y su factor de empaquetamiento es cero; de
esta forma queda demostrado que un plano y su
mltiplo no son iguales.
(a) direccin
[1 2 1] (b) el plano [ 2 10] en una celda cbica

Learning
Debido a la simetra exclusiva del sistema hexagonal se ha

desarrollado un conjunto especial de ndices Miller Bravais
para las celdas unitarias hexagonales; usando cuatro ejes de
coordenadas en lugar de tres.
Se pueden relacionar entre si

los dos sistemas de tres y
cuatro coordenadas, mediante
las
siguientes
formulas,
donde h,k,l, hacen referencia

a
un
sistema
de
tres
coordenadas; y h,k,i,l, a uno

de cuatro:
1
h (2h'k ' )
3
1
k (2k 'h' )
3
1
i (h' k ' )
3
l l'

Learning
Plane A
1. a1 = a2 = a3 = , c = 1
2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
4. (0001)
Plane B
1. a1 = 1, a2 = 1, a3 = -1/2, c = 1
2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
(1121)
4.
Direccin C
1. Los dos puntos son 0, 0, 1 and 1, 0, 0.
2. 0, 0, 1, - 1, 0, 0 = -1, 0, 1
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [101] _ _[2113]
Direccin D
1. Los dos puntos son 0, 1, 0 and 1, 0, 0.
2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [110] _ _[1100]

Learning

Learning
Las direcciones de deslizamiento se presentan

siempre en la direccin de empaquetamiento
compacto.
El deslizamiento ocurre usualmente sobre la mayora

de los planos compactos
El deslizamiento se produce primero sobre el

sistema de deslizamiento que tiene el mayor
esfuerzo de corte a lo largo de su direccin de
deslizamiento
Un material es anisotrpico si sus propiedades dependen de la

direccin cristalogrfica en la cual se mide la propiedad. Por
ejemplo el modulo de elasticidad del Al es 75.9 GPa, en las
direcciones <111>, pero solo de 63.4 GPa en las direcciones
<100>.
Si las propiedades son idnticas en todas las direcciones, el
material es cristalograficamente isotrpico, un ejemplo de este
tipo de material son los cristales cbicos, como el granate.
En las estructuras cristalinas hay espacios o huecos entre los

tomos normales en los cuales se pueden ubicar tomos mas
pequeos, a esos lugares se les llama sitios intersticiales.
Sitios
Octadricos
Sitios
Tetradricos
FCC
BCC
12
Los materiales inicos deben tener estructuras

cristalinas que aseguren su neutralidad elctrica
y que permitan el empaquetamiento eficiente de
iones de diferentes tamaos.
Los aniones forman tetraedros u octaedros y
permiten a los cationes entrar en los sitios
intersticiales adecuados y viceversa.

Learning
En esta estructura el sitio

intersticial cbico esta
lleno con el anin.
La
relacin de radios es
0.92, por lo tanto tiene
un
numero
de
coordinacin de ocho; la
estructura posee por lo
tanto dos iones uno de
Cs+ y uno de Cl-. Esta
estructura
es
posible
cuando ambos tienen la
misma valencia.
La relacin de radios en
este caso es de 0.536,
por lo tanto para cumplir
con el equilibrio de cargas
y la relacin de radios,
cada anin y catin debe
tener un nmero de
coordinacin de seis, la
estructura
que
cubre
estas condiciones es la
FCC, con los tomos de
Na+ ubicados en los sitios
octadricos.

Learning
DIFRACCIN DE RAYOS X
Cuando un haz de rayos X de una longitud de onda
especifica del mismo orden de magnitud de las
distancias interatmicas del material llega a este
Ley de Bragg:
sen
2d hkl
INTERACCIONES DESTRUCTIVA Y
CONSTRUCTIVA ENTRE LOS RAYOS X Y EL
MATERIAL CRISTALINO
Determinar la densidad planar y la fraccin de

empaquetamiento del Nquel FCC en los planos (100),
(110) y (111) ao = 3.5167. Cul de esos planos, si es
que lo hay, es compacto?
atomos _ por _ plano

Densidad _ planar
rea _ del _ plano
rea _ de _ atomos _ por _ plano
Fraccin _ de _ empaquetamiento
rea _ del _ plano
SOLUCIN
IMPERFECCIONES EN LOS ARREGLOS

ATMICOS E INICOS
El arreglo de tomos o de iones en los materiales
diseados tiene imperfecciones o defectos.
Frecuentemente estos defectos tienen una gran
influencia sobre las propiedades de los materiales.
Los defectos pueden ser
(dislocaciones) o superficiales
puntuales,
lineales
Son interrupciones localizadas en arreglos atmicos

o inicos
Estos defectos pueden ser utilizados para mejorar

propiedades (dopantes) por ejemplo P y B mejoran
las propiedades elctricas del Si puro
Un defecto puntual implica en general uno o dos

tomos o iones.
Defectos puntuales: (a) vacancia, (b) tomo intersticial, (c) sustitucional con tomo
pequeo, (d) sustitucional con tomo grande, (e) defecto de Frenkel , (f) Defecto de
Schottky.
VACANCIAS
Se produce cuando falta un tomo o in en su sitio
normal de la estructura cristalina.
Todos los elementos cristalinos presenta este tipo de
defecto.
Q
n n exp
RT
nv = cantidad de vacancias por cm3

n = cantidad de tomos por cm3
Qv = energa necesaria para producir un mol de
vacancias, cal /mol o joule /mol
R = cte de los gases
T = temperatura en Kelvin
SUSTITUCIONAL
Se presenta cuando un tomo o in es sustituido con un tipo distinto
de tomo o ion.
Los tomos o iones sustitucionales ocupan el sitio normal en la red;

pudiendo ser de mayor tamao que los originales, reduciendo los
espacios interatmicos vecinos, o pueden ser de menor tamao
presentndose mayores distancias interatmicas
INTERSTICIAL
Se presenta cuando un tomo idntico a los
puntos normales de red est en una posicin
intersticial.
Este defecto se presenta en estructuras
cristalinas con bajo factor de empaquetamiento
FRENKEL
O par de Frenkel se presenta un par
vacancia-intersticial, formada cuando un
ion salta de un punto normal de red a uno
intersticial y deja atrs una vacancia.
SCHOTTKY
Exclusivo de materiales inicos. Se
presenta un par vacancial, manteniendo
la neutralidad elctrica.
DISLOCACIONES
Son imperfecciones lineales de un cristal, las cuales aparecen
durante la solidificacin del material o cuando este se deforma
permanentemente
En todos los materiales, incluyendo cermicos y polmeros, hay
dislocaciones. Los metales las poseen en un orden de 10 6 a 109
Las dislocaciones son tiles para explicar la deformacin y
endurecimiento de los materiales metlicos. Se mueven en
planos y direcciones de deslizamiento
Las dislocaciones se pueden clasificar
(helicoidal), de borde (escaln) y mixta
en:
de
tornillo
DISLOCACIN DE TORNILLO
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

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Sigue un plano cristalogrfico durante una revolucin respecto al

eje de torcimiento del cristal , recorriendo distancias
interatmicas iguales en cada direccin, y termina en una
distancia atmica debajo del punto de partida
El vector necesario para terminar el circuito y regresar al punto de partida

es el vector de Burgers b y este es paralelo a la dislocacin de tornillo
DISLOCACIN DE BORDE
Este tipo de dislocacin se puede observar como: imaginar un
cristal perfecto, el cual se abre y en el punto de corte se llena
con un plano adicional de tomos. Su orilla inferior representa
este tipo de dislocacin.
El vector necesario para terminar el circuito y regresar al punto

de partida es el vector de Burgers b y este es perpendicular a la
dislocacin
DISLOCACION MVIL
CRISTAL
SISTEMA DE
DESLIZAMIE
NTO
Vector de
Burgers
Plano de
Deslizamie
nto
FCC
[110] (111)
a/2[110]
(111)
FCC
[111] (110)
a/2[111]
(110)
FCC
[111] (211)
a/2[111]
(211)
FCC
[111] (321)
a/2[111]
(321)
HCP
(0001)
a/3
HCP
a/3
HCP
a/3
(0001)
DISLOCACIN MIXTA
Este tipo de dislocacin tiene componentes de borde y de
tornillo, con una regin de transicin entre ellas.
El vector de Burgers se mantiene igual para todas las porciones

de la dislocacin mixta.
Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin

del vector de Burgers a un cristal que contenga una
dislocacin, sta se puede mover, rompiendo los
enlaces atmicos
El desplazamiento hace que la dislocacin se mueva

una distancia atmica hacia el lado.
El desplazamiento de una dislocacin es anlogo al

de una oruga, pero en los metales, estas se
desplazan a la velocidad del sonido.
Es el proceso por el cual se mueve una dislocacin y hace

que se deforme un material metlico
La direccin a lo largo de la cual se presenta el

deslizamiento se conoce como direccin de deslizamiento.
En el deslizamiento, la dislocacin de borde recorre el

plano formado por el vector de Burgers (direccin de
deslizamiento) y ella misma, recibiendo el nombre de
plano de deslizamiento
La combinacin de la direccin de deslizamiento y el

plano de deslizamiento forman el conjunto sistema de
deslizamiento
En una dislocacin de tornillo, la dislocacin se

mueve perpendicularmente al vector de Burgers,
aunque el cristal se deforma en direccin paralela a
este vector.
Como el vector de Burgers de una de tornillo es

paralelo a la lnea de dislocacin, no se define un
plano de deslizamiento
Durante un deslizamiento se necesita del esfuerzo

de
Peirls-Nabarro para mover la
dislocacin desde un lugar de equilibrio hasta el
siguiente:
= esfuerzo cortante par mover

la dislocacin
d = distancia interplanar, entre
planos
de
deslizamiento
adyacentes
b = magnitud del vector de
Burgers
c y k = constantes del material
Al aplicarse un esfuerzo
cortante:
a)Los tomos se desplazan
y hacen que la dislocacin
se mueva un vector b
b)El movimiento continuo de
la dislocacin crea un
escaln final
c)El cristal queda deformado
Determinar la longitud del vector de

Burgers, de una dislocacin del MgO
Parmetro de red: 0.396 nm
b es el vector de Burgers y tiene la
direccin
[110],
debe
ser
perpendicular a los planos {110}
La lontidud de b entre planos
(110) adyacentes es:

Learning
El cobre tiene una estructura FCC. Parmetro de red 0.36151 nm

Direcciones de empaquetamiento son las del vector de Burgers <110>
La distancia de repeticin a lo largo de las direcciones

<110> es la mitad de la diagonal de la cara, porque los
puntos estn en los vrtices y en los centros de las caras
Diagonal de la cara = a02 = (2)(036151) = 0.51125 nm
La longitud del vector de Burgers, o la distancia de
repeticin, es:
b = (0.51125nm) = 0.25563 nm

Learning
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Fr=F cos
r = cos cos
r = Fr / A =
donde:
esfuerzo cortante en la direccin de
deslizamiento
= F / A0 =
esfuerzo unidireccional aplicado al cilindro
Se desea producir una barra de monocristal de aluminio puro, el cual tiene un

esfuerzo cortante crtico resuelto de 148psi. Desearamos que la barra est
orientada de tal modo que cuando e le aplique un esfuerzo axial de 500 psi, se
deforme por deslizamiento a 45 respecto a su eje y acte sobre un sensor que
detecte la sobrecarga. Disee la barra y un mtodo para poder producirla.
SOLUCIN:
Las dislocaciones comienzan a moverse cuando el cortante resuelto es igual al
cortante crtico, 148 psi.
r = cos cos ;
148 psi = (500 psi) cos cos
Como se desea deslizamiento en un ngulo de 45 respecto al eje de la barra,

= 45o
Son los lmites o los planos que separan un material en regiones; cada regin
tiene la misma estructura cristalina, pero de distinta orientacin.
SUPERFICIE DEL MATERIAL
Lmites de grano: es la superficie que separa dos o mas granos individuales. En
estas zonas los tomos no tienen las distancias correctas. En ciertas posiciones
pueden estar generando fuerzas de compresin y en otras de tensin.
Grano: porcin de material dentro de la cual el arreglo de los tomos es casi
idntico. Pero la orientacin de los tomos o estructura cristalina es diferente en
cada grano vecino.
El tamao de grano indica la cantidad de granos que se distribuyen en una

pulgada cuadrada. Determina las propiedades mecnicas de los materiales.
N 2
n 1
aumento
N
X
100
Se determina con 100X de aumento

Un No de grano grande, indica muchos granos, o un tamao de partcula, y se
correlaciona con mayores resistencias en los metales
FALLAS DE APILAMIENTO
Estas fallas, son un error en la secuencia de apilamiento, especialmente en los
planos con empaquetamiento compacto
LMITES DE MACLA
Es un plano a travs del cual hay una desorientacin especial de imagen
especular de la estructura cristalina
Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante, que acta a lo largo
del lmite de macla, hace que los tomos se desplacen de su posicin.
Micrografa de maclas dentro de un grano de latn (250X)

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Ciencia e Ingeniera de materiales.

Metales y Aleaciones Herramientas, chasis

Fibras pticas para

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Los elementos metlicos tienen

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Se presenta ms de una clase de

electrones de valencia a otros para

resistentes debido a la fuerza de los

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Origen de las fuerzas de van der waals

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Fuerzas de Keesom, dadas por las interacciones entre molculas polares en

Papel importante en la determinacin de la microestructura y

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Red: coleccin de puntos de red ordenados en un patrn peridico, de tal forma

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Los parmetros de red describen la forma y el tamao de la celda

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SC (ao = 2r); BCC (ao = 4r /3); FCC (ao = 4r/2)

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Es la cantidad de tomos que tocan a determinado tomo, o

Es la fraccin de espacio ocupada por los tomos suponiendo

(# atomos / celda)(vol _ de _ atomos )

La densidad terica del material se puede calcular con las

(# atomos / celda)(masa _ atomica)

CALCULO DE LA DENSIDAD TERICA

(number of atoms/cell)(atomic mass of iron)

ESTRUCTURA HEXAGONAL COMPACTA

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Los materiales que pueden tener ms de una estructura

Para estudiar el comportamiento del hierro a altas temperatura se quiere

VBCC = a0= (0.2863 nm)3 = 0.023467 nm3

El volumen de la clda unitaria FCC de hierro:

VFCC = a0 = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3

PUNTOS EN LA CELDA UNITARIA

Determinar los ndices de Miller para las siguientes

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CARACTERSTICAS DE LOS NDICES

[010] si redefinimos el sistema de

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Los grupos de direcciones equivalentes se pueden indicar o

Determinan la direccin de deformacin de los

Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes x, y y z en

Sacar los recprocos de las intersecciones

Simplificar fracciones, pero NO reducir a enteros mnimos.

Encerrar entre ( ) los nmeros que resulten. Los nmeros

Determinacin de ndices de Miller de Planos

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Los planos y sus negativos son idnticos (caso

Los planos y sus mltiplos no son idnticos (caso

En cada celda unitaria, los planos de una

En los sistemas cbicos, una direccin que

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Densidad planar (010)