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MATERIALES

SEMICONDUCTORES

ESTRUCTURA DEL TOMO


El tomo est compuesto de ncleo que
contiene subpartculas tales como el protn y
los neutrones. En su periferia los electrones
con mucha menor masa que las del ncleo.
Estos electrones pueden ser de dos tipos:

Electrones

ligados al
interiores del tomo.

ncleo:

orbitan

capas

Electrones de valencia: orbitan en capas exteriores

del tomo, en niveles superiores de energa y


pueden escapar en determinadas condiciones del
tomo. Los electrones de valencia determinan las
propiedades qumicas de los materiales.

ESTRUCTURA DEL TOMO


Los electrones de valencia determinan las propiedades elctricas
de un material como en:
Materiales conductores: Los electrones de valencia de los
mismos estn tan dbilmente atados a sus respectivos
tomos. Por ello se forma un nube electrnica cuyos
electrones son compartidos por toda la estructura.

Materiales

aislantes: Los electrones de valencia estn ligados


fuertemente a sus respectivos ncleos atmicos. Los
electrones de uno de sus tomos no son compartidos con otros
tomos.

ESTRUCTURA DEL TOMO


Materiales semiconductores:
Estos materiales se comportan
como
aislantes
a
bajas
temperaturas pero a temperaturas
ms altas se comportan como
conductores. Los electrones de
valencia estn ligeramente ligados
a
sus
respectivos
ncleos
atmicos, pero no lo suficiente, al
aadir
energa
elevando
la
temperatura son capaces de
abandonar el tomo para circular
por la red atmica del material.

MATERIALES
SEMICONDUCTORES
Los
materiales
semiconductores
ms
conocidos son: Silicio (Si) y
Germanio (Ge), los cuales
poseen cuatro electrones de
valencia en su ltimo nivel.
Por otra parte, hay que decir
que tales materiales forman
tambin estructura cristalina.

SEMICONDUCTORES
INTRNSECOS
Es un semiconductor puro. A
temperatura ambiente se
comporta como un aislante
porque solo tiene unos pocos
electrones libres y huecos
debidos a la energa trmica.

SEMICONDUCTORES
EXTRNSECOS
Se
caracterizan,
porque
tienen
un
pequeo
porcentaje de impurezas,
respecto a los intrnsecos;
esto es, posee elementos
trivalentes o pentavalentes,
o lo que es lo mismo, se dice
que
el
elemento
est
dopado.

SEMICONDUCTORES
EXTRNSECOS
Segn el tipo de dopaje que se le
realice al material existen dos tipos:

Tipo

N: En este caso se contamina


el material con tomos de valencia
5, como son Fsforo (P), Arsnico
(As) o Antimonio (Sb). Al conjunto
de estos electrones se les llama
electrones
mayoritarios.
Al
material tipo N se le denomina
tambin donador de electrones.

SEMICONDUCTORES
EXTRNSECOS
Tipo P: En este caso se contamina el
material semiconductor con tomos
de valencia 3, como son Boro (B),
Galio (Ga) o Indio (In). Si se introduce
este tomo en el material, queda un
hueco donde debera ir un electrn.
Este hueco se mueve fcilmente por
la estructura como si fuese un
portador de carga positiva. Se le
denomina donador de huecos (o
aceptador de electrones).

SEMICONDUCTORES
EXTRNSECOS
El
diodo
es
un
componente
electrnico
que
consiste
simplemente en la unin de dos
cristales
semiconductores
extrnsecos, uno tipo N y otro tipo P.

SEMICONDUCTORES
EXTRNSECOS
Polarizacin directa:
En este caso se conecta el polo
positivo al cristal P y el polo
negativo al cristal N. Esto hace
que la zona de transicin se
haga mucho ms estrecha,
rompiendo
la
barrera
y
permitiendo libremente el paso
de la corriente. En este caso, el
diodo conduce.

SEMICONDUCTORES
EXTRNSECOS
Polarizacin inversa:
En este caso el polo positivo se
conecta al cristal N y el polo
negativo al cristal P. Esto hace
que la zona de transicin se
haga
mucho
ms
ancha,
reforzando
la
barrera
que
impide el paso de la corriente.
En este caso el diodo no
conduce.

SEMICONDUCTORES
EXTRNSECOS
Un transistor de unin bipolar est formado por dos
Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar


fuertemente dopada, comportndose como un metal.
Su nombre se debe a que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el


emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

SEMICONDUCTORES
EXTRNSECOS
Uniones NPN:
Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales
las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.
La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son
NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la
movilidad de los "huecos" en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.

SEMICONDUCTORES
EXTRNSECOS
Uniones NPN:
Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el
NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado
P. Los transistores PNP son comnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de
la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica
externa.

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