Transistores

ELECTRONICA DE POTENCIA

LOPEZ LOPEZ JAIME ALEJANDRO

GARCIA PEREZ JOSE JUAN
RUIZ SARMIENTO MARTIN JULIN
 Transistores: Concepto
Dispositivo semiconductor que permite el control y la
regulacin de una corriente grande mediante una
seal muy pequea. El transistor es un dispositivo
electrnico semiconductor utilizado para entregar
una seal de salida en respuesta a una seal de
entrada.

Cumple funciones de amplificador, oscilador,

conmutador o rectificador.

El trmino transistor es la contraccin en ingls de

transfer resistor (resistor de transferencia).
Actualmente se encuentran prcticamente en todos
los aparatos electrnicos de uso diario: radios,
televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes,
tomgrafos, telfonos celulares, entre otros.
Transistor: Tipos
 1. Transistor de Contacto Puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el
primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en
1947 por John Bardeen y Walter Brattai.
Consta de una base de germanio, semiconductor para
entonces mejor conocido que la combinacin cobre-oxido
de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector.

La corriente de base es capaz de modular la resistencia

que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer
resistor. Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor
de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho
de banda. En la actualidad ha desaparecido.
 2. Transistor de Unin Bipolar
Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado
slido de tres terminales, ncleo de circuitos de conmutacin y
procesado de seal.

La zona N con elementos donantes de electrones

(cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos
(cargas positivas). Normalmente se utilizan como
elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al)
Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fosforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado
transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del
mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el
emisor est mucho ms contaminado que el colector).
 3. Foto-Transistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin
electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz
visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es,
en esencia, lo mismo que un transistor normal.

Es difcil definir las caractersticas de los materiales que se usan para hacer un fotodiodo, ya
que solo fotones con suficiente energa como para excitar a los electrones producirn una
fotocorriente significante. Este contenido tambin es accesible desde la pgina sobre
el fotodiodo. Los fotodiodos pueden ser de silicio, germanio, arseniuro de galio o sulfuro de
plomo.
Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero puede
trabajar de 2 formas:
Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn).
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de
base. Ip (modo de iluminacin).
Puede utilizarse de las dos en formas simultneamente, aunque el fototransistor se utiliza
principalmente con el pin de la base sin conectar.
 4. Transistor JFET
El transistor de efecto de campo
de unin (JFET), fue el primer
transistor de efecto de campo en
la prctica. Lo forma una barra de
material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales
de la barra se establece un
contacto hmico, tenemos as un
transistor de efecto de campo tipo
N de la forma ms bsica.
 5. Transistor MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-xido
semiconductor o MOSFET (Metal-oxide-
semiconductor Field-effect-transistor).

Es un transistor utilizado para amplificar o

conmutar seales electrnicas. Es el
transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en circuitos
analgicos o digitales, aunque el transistor de
unin bipolar fue mucho ms popular en otro
tiempo.

Prcticamente la totalidad de los

microprocesadores comerciales estn basados
en transistores MOSFET.
Transistores y Juntura Bipolar
1947 Laboratorios Bell AT&T Primer transistor

1949 W. Shockley Teoria William Shockley ;

John Barden, Walter Brattain.

1951 Fabricacin en serie.

Transistores Bipolares de Unin

El transistor es un
dispositivo
semiconductor de tres
capas que consiste de
dos capas materiales
tipo n y una tipo p
o bien de dos capas
materiales tipo p y
una tipo n
 BJT

Se refiere al hecho de que los huecos y los

electrones participan en el proceso de inyeccin
hacia el material polarizado de forma opuesta
 Construccin Bsica del BJT
El emisor tiene gran cantidad de impurezas. Su funcin es emitir o
suministrar los portadores de carga.
La base tiene muy pocas impurezas y es muy delgada.
La cantidad de impurezas en el colector es menor que en el emisor, pero
mayor que en la base. El rea del colector es la mayor de las 3, porque es
el colector el que disipa mayor cantidad de calor en el emisor o la base.

E : Emisor
C : Colector
B : Base
Operacin del Transistor

1.- Polarizacin Directa-Inversa

Para que el transistor funcione se debe
tener una unin pn polarizada
inversamente y la otra polarizada
directamente.
I = Ic + IB
E

Ic = Ic mayoritarios + Ico Minoritaria

Al componente de corriente minoritaria se
le denomina corriente de fuga y es Ico
(Corriente Ic con la terminal del Emisor
Abierta)
Polarizacin en DC de BJTs
El nivel DC de un transistor en operacin es
controlado por diversos factores incluyendo el
rango de pts de operacin posibles.
Las siguientes relaciones son importantes para un
transistor:
Vbe= 0,7V
Ie= (B+1)Ib
Ic= BIb.
Ptos de operacin
Para los amplificadores o transistores, el voltaje y
la corriente DC resultantes establecen un pto de
operacin sobre las caractersticas que definen una
regin que se utilizara para la amplificacin de la
seal aplicada, este pto de operacin es pto fijo
(PUNTO Q)
La operacin en las regiones de
corte, saturacin y lineal de las
caractersticas del BJT se ofrecen
de la siguiente manera:
 OPERACION EN LAS REGIONES

1.OPERACIN EN LA REGION LINEAL

1. Unin base-emisor con polarizacion directa.
2. Unin base-colector con polarizacion
indirecta.
2. OPERACIN EN LA REGION CORTE
1. Unin base-emisor con polarizacion inversa
3. OPERACIN EN LA REGION SATURACION.
1. Unin base emisor con polarizacion directa
2. Unin base colector con polarizacion directa.
Configuracin Base Comn
En base comn, entrada
emisor
salida colector
Se llama as porque el terminal de la Base es
comn tanto para el circuito de entrada como
para el de salida.

Regin Activa Juntura BE

directamente
BC
inversamente
Regin de Corte Juntura BE
Inversamente
BC
inversamente
Curva Caracterstica de Entrada para BC en
un npn
 El transistor PNP es el complemento del NPN, esto significa que todas las corrientes
circulan en sentido contrario y los voltajes son inversos.
NPN not pointing in
PNP pointing in
En base comn, entrada emisor, salida colector OJO
En emisor comn, entrada base, salida colector
En colector comn, entrada base, salida emisor
Regin Activa Juntura BE directamente
BC inversamente
Regin de Corte Juntura BE Inversamente
BC inversamente
Regin de Saturacin Juntura BE directamente
BC directamente
En el modo DC los niveles de Ic e Ie se encuentran
relacionados, para niveles prcticos (dispositivos)
podran sugerir que:

=Ic/Ie