1 ELT Diodo Semicondutor v2

ELETRNICA
Diodo Semicondutor
Prof.Lourival Moreira
Prof.Orlando Saboya
CTC
Eletrnica
ELETRNICA
1. DIODO SEMICONDUTOR
2. APLICAES DO DIODO EM CIRCUITOS ELETRNICO
3. TRANSISTORES
4.- O TRANSISTOR EM DC
5.- O TRANSISTOR EM AMPLIFICAO DE PEQUENOS SINAIS
6.- AMPLIFICAO DE GRANDES SINAIS
7.- AMPLIFICADORES OPERACIONAIS E DIFERENCIAIS
8.- REALIMENTAO E OSCILADORES SENOIDAIS
9.- CIRCUITOS ESPECIAIS E TIRISTORES
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ELETRNICA
1. DIODO SEMICONDUTOR
2. Aplicaes do diodo em circuitos eletrnico
3. TRANSISTORES
4.- O TRANSISTOR EM DC
5.- O TRANSISTOR EM AMPLIFICAO DE PEQUENOS SINAIS
6.- AMPLIFICAO DE GRANDES SINAIS
7.- AMPLIFICADORES OPERACIONAIS E DIFERENCIAIS
8.- REALIMENTAO E OSCILADORES SENOIDAIS
9.- CIRCUITOS ESPECIAIS E TIRISTORES
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ELETRNICA
1.- DIODO SEMICONDUTOR
1.1 - Semicondutores, estrutura cristalina e portadores de

corrente;
1.2 - Bandas de energia, condutores, isolantes e
semicondutores;
1.3 - Dopagem do semicondutor, juno PN e polarizao da
juno;
1.4 - Especificaes do diodo semicondutor e limites de
operao; e
1.5 - Diodo tnel, diodo emissor de luz, foto-diodo, diodo
varicap, clula fotoeltrica, clula solar, termistor, laser e
fibras ticas.
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ELETRNICA
1.- DIODO SEMICONDUTOR
1.1 - Semicondutores, estrutura cristalina e portadores de

corrente;
1.2 - Bandas de energia, condutores, isolantes e
semicondutores;
1.3 - Dopagem do semicondutor, juno PN e polarizao da
juno;
1.4 - Especificaes do diodo semicondutor e limites de
operao; e
1.5 - Diodo tnel, diodo emissor de luz, foto-diodo, diodo
varicap, clula fotoeltrica, clula solar, termistor, laser e
fibras ticas.
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MAPA CONCEITUAL
Semicondutores
Conceitos Bsicos Diodos
Materiais Dopagem
Bandas de Tipos Dopagem

Semicondutores
Energia
P N
BC BP BV Isolantes Condutores
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Juno PN
FIGURA 1-1 Diodo ideal: (a) smbolo; (b) curva caracterstica.
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FIGURA 1-2 Estados de (a) conduo e (b) no conduo do um diodo
ideal
determinados pela polaridade da tenso aplicada.
Curto circuito
I D (limitado pelo circuito)
Circuito aberto
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FIGURA 1-3 Estados de (a) conduo e (b) no conduo do diodo ideal
determinados pelo sentido da corrente convencional
estabelecida
pelo circuito.
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FIGURA 1-4 Definio das unidades mtricas de resistividade.
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FIGURA 1-5 Estrutura cristalina simples do Ge (Germnio) e Si (Silcio).
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FIGURA 1-6 Estrutura atmica: (a) do germnio; (b) do silcio.
Camadas
Ncleo
Eltrons
orbitando
Eltrons
de valncia
(4 para
cada)
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FIGURA 1-7 Ligao covalente do tomo de silcio.
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FIGURA 1-8a Nveis de energia: nveis discretos nas estruturas atmicas
isoladas.
Energia
Nvel de valncia (camada mais

Gap de energia externa)
Segundo nvel (prxima camada
Gap de energia interna)
Terceiro nvel (etc.)
Ncleo
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FIGURA 1-8b Nveis de energia: bandas de conduo e valncia de um
isolante, semicondutor e condutor.
Energia Eltrons Energia Energia

Banda de livres
conduo para
Banda de Banda de
estabelec
conduo conduo
er Sobreposi
conduo o das
Eltrons bandas
de Banda de valncia
valncia
Banda de valncia
ligados
Banda de valncia estrutura
atmica
Isolante Semicondutor Condutor
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Energia em eV e Joules
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RESISTIVIDADES
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FIGURA 1-9 Impureza de antimnio no material tipo n.
Quinto eltron
de valncia do
antimnio
Impureza do
antimnio
(Sb)
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FIGURA 1-10 Efeito das impurezas doadoras na estrutura da banda de
energia.
Energia
Banda de
conduo
Nvel de energia do doador

como
antes
Banda de valncia
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Material Semicondutor Intrnseco x Extrnseco
Intrnsecos
Extrnsecos
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FIGURA 1-11 Impureza de boro no material tipo p.
Vazio
Impureza
do boro (B)
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FIGURA 1-12 Fluxo de eltron versus buraco.
Fluxo de buraco
Fluxo de eltron
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FIGURA 1-13 (a) material tipo n; (b) material tipo p.
ons doadores ons

aceitadores
Portadores
majoritrios
Portadores Portadores
minoritrios majoritrios
Portadores
tipo n tipo p minoritrios
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FIGURA 1-14 Juno p-n sem polarizao externa.
Fluxo de portador minoritrio
Fluxo de portador majoritrio
Regio de depleo
(sem polarizao)
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FIGURa 1-15 Condies de no polarizao para um diodo semicondutor.
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FIGURA 1-16 Juno p-n polarizada inversamente.
Fluxo de portador minoritrio

I majoritrio = 0
Regio de
depleo
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FIGURA 1-17 Condies de polarizao reversa para um diodo
semicondutor.
(Oposto)
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FIGURA 1-18 Juno p-n polarizada diretamente.
ID = Imajoritrio - IS
Imajoritrio
Regio de
depleo
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FIGURA 1-19 Curva caracterstica do diodo semicondutor de silcio.
Dispositivo real
disponvel
comercialmente
Polaridade e sentido
definidos para o grfico
Regio de polarizao direta

( VD > 0 V, ID > 0 mA )
Sem polarizao
Regio de ( VD = 0 V, ID = 0 mA )
polarizao inversa
( VD < 0 V, ID = -IS )
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FIGURA 1-20 Grfico de ex.
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FIGURA 1-21 Condies de polarizao direta para um diodo semicondutor.
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FIGURA 1-22 Regio Zener.
Regio
Zener
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FIGURA 1-23 Comparao dos diodos semicondutores de Si and Ge.
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FIGURA 1-24 Variao nas curvas caractersticas do diodo com a mudana
na
temperatura.
(ponto de
ebulio
da gua)
(temperatura
ambiente)
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FIGURA 1-25 Determinao da resistncia dc (Resistncia Esttica) de um
diodo em
um ponto de operao particular.
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FIGURA 1-26 Exemplo 1.1.
Silcio
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SOLUO EXEMPLO 1-1
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FIGURA 1-27 Definio da resistncia ac (Resistncia Dinmica) em uma
regio.
Curva caracterstica do
diodo
Reta
tangente
Ponto Q
(operao
dc)
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FIGURA 1-28 Determinao da resistncia ac no ponto Q.
ponto Q
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FIGURA 1-29 Example 1.2.
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SOLUO EXEMPLO 1-2
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SOLUO EXEMPLO 1-2
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FIGURA 1-30 Determinao da resistncia ac mdia entre os limites
indicados.
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FIGURA 1-31 Definio do circuito equivalente linear, usando-se segmentos
de reta
para aproximar a curva caracterstica.
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FIGURA 1-32 Componentes do circuito equivalente linear.
Diodo ideal
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FIGURA 1-33 Circuito equivalente simplificado para o diodo semiconductor
de silcio.
Diodo ideal
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FIGURA 1-34 Diodo ideal e sua curva caracterstica.
Diodo ideal
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FIGURA 1-35 Caractersticas eltricas dos diodos de alta tenso e baixa fuga.
(Cortesia da Fairchild Camera and Instrument Corporation)
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FIGURA 1-36a Caractersticas dos diodos de alta tenso BAY73 BA129.
(Cortesia da Fairchild Camera and Instrument
Corporation)
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FIGURA 1-36b Caractersticas dos diodos de alta tenso BAY73 BA129.
(Continuao)
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FIGURA 1-36c Caractersticas dos diodos de alta tenso BAY73 BA129.
(Continuao)
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FIGURA 1-37 Capacitncia de transio e difuso versus polarizao
aplicada para um
diodo de silcio.
Polarizao reversa
(CT)
Polarizao direta
(CD)
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FIGURA 1-38 Incluso do efeito da capacitncia de transio ou difuso no
diodo
semicondutor.
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FIGURA 1-39 Definio do tempo de reestabelecimento reverso.
Mudana de estado
de on para off
Idireta exigida para t = t1
Resposta desejada
Ireversa
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FIGURA 1-40 Notao de diodo semicondutor.
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FIGURA 1-46 Vrios tipos de diodos de juno. [(a) Cortesia da Motorola
Inc.; e (b) e
(c) Cortesia International Rectifier Corporation.]
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FIGURA 1-42 Medidor de visor digital com capacidade de verificar o estado
do diodo.
(Cortesia Computronics Technology, Inc.)
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FIGURA 1-43 Verificao do diodo no estado de polarizao direta.
ponta ponta
de teste de teste
vermelha preta
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FIGURA 1-44 Teste do diodo com um ohmmetro.
R
relativamente
Ponta de baixo Ponta de
teste vermelha teste preta
R relativamente
alto
Ponta de Ponta de
teste preta teste vermelha
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FIGURA 1-45 Traador de curva. (Cortesia da Tektronix, Inc.)
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FIGURA 1-46 Resposta do traador de curva para o diodo de silcio 1N4007.
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FIGURA 1-47 Anlise da regio Zener.
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FIGURA 1-48 Sentido de conduo: (a) diodo Zener; (b) diodo
semicondutor.
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FIGURA 1-49 Circuito equivalente Zener: (a) completo; (b) aproximado.
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FIGURA 1-50 Caractersticas de teste do Zener (Fairchild 1N961).
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FIGURA 1-51a Caractersticas eltricas de um diodo Zener a 10-V, 500-mW.
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FIGURA 1-51b Caractersticas eltricas de um diodo Zener a 10-V, 500-mW.
(Continuao)
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FIGURA 1-52 Identificao dos terminais do Zener e smbolos.
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FIGURA 1-53 Diodos Zener. (Cortesia Siemens Corporation.)
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FIGURA 1-54 (a) Processo de eletroluminescncia no LED; (b) smbolo
grfico.
Luz visvel
emitida
Contato Contato
metlic metlic
o o
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FIGURA 1-55a-c Lmpada miniatura vermelha de estado slido de alta
eficincia luminosa axial da Hewlett-Packard: (a) aparncia; (b) valores
mximos absolutos; (c) caractersticas elctricas/pticas. (Cortesia Hewlett-
Packard Corporation.)
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FIGURA 1-55d Lmpada miniatura vermelha de estado slido de alta
eficincia luminosa axial da Hewlett-Packard: intensidade relativa versus
comprimento de onda (Cortesia da Hewlett-Packard Corporation.)
(Continuao)
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FIGURA 1-55e Lmpada miniatura vermelha de estado slido de alta
eficincia luminosa axial da Hewlett-Packard: corrente direta versus tenso
direta (Cortesia da Hewlett-Packard Corporation.) (Continuao)
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FIGURA 1-55f Lmpada miniatura vermelha de estado slido de alta
eficincia luminosa axial da Hewlett-Packard: intensidade luminosa versus
corrente direta (Cortesia da Hewlett-Packard Corporation.) (Continuao)
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FIGURA 1-55g Lmpada miniatura vermelha de estado slido de alta
eficincia luminosa axial da Hewlett-Packard: eficincia relativa versus
corrente de pico (Cortesia da Hewlett-Packard Corporation.) (Continuao)
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FIGURA 1-55h Lmpada miniatura vermelha de estado slido de alta
eficincia luminosa axial da Hewlett-Packard: corrente de pico mxima
versus durao do pulso (Cortesia da Hewlett-Packard Corporation.)
(Continuao)
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FIGURA 1-55i Lmpada miniatura vermelha de estado slido de alta
eficincia luminosa axial da Hewlett-Packard: intensidade luminosa versus
deslocamento angular (Cortesia da Hewlett-Packard Corporation.)
(Continuao)
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FIGURA 1-56 Display de sete segmentos Litronix.
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FIGURA 1-58 Arranjo de diodos monoltico.
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FIGURA 1-59 Esquema do encapsulamento TO-96 para o arranjo de diodos
FSA 1410M. Todas as dimenses esto em polegadas.
Forma de
isolante
pode variar
Plano de
base
Notas:
Vidro Condutores Kovar,
revestidos a ouro
selados hermeticamente
Peso de 1,32 gramas.
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FIGURA 1-60 Arranjo de diodos monoltico. Todas as dimenses esto em
polegadas.
Encapsulamento
TO-116-2
Diagramas de Conexo
FSA2500M
Notas:
Liga de 42 pinos,
revestidos de estanho
Plano Pinos revestidos,
de encapsulamento de
base cermica selado
hermeticamente.
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FIGURA 1-61a Software aplicativo Mathcad 200.
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FIGURA 1-61b Software aplicativo PSpice Design.
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FIGURA 1-61c Software aplicativo Electronics Workbench, Verso 6.2.
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FIGURA 1-62a Tela bsica Multisim (Electronics Workbench).
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FIGURA 1-62b Barra de ferramentas de famlia de componentes no Multisim
(Electronics Workbench).
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FIGURA 1-63 Problema 49
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DIODO A VCUO
Evoluo
1904 - Fleming Diode
John Ambrose Fleming

1849-1945
Britnico
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DIODO A VCUO
Evoluo

1849-1945
Britnico
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DIODO A VCUO
Evoluo

1849-1945
Britnico
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PLACA ou
DIODO A VCUO ANODO
Evoluo
CATODO

1849-1945
Britnico
FILAMENTO
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DIODO A VCUO
Evoluo

1849-1945
Britnico
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DIODO A VCUO
Evoluo

1849-1945
Britnico
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DIODO A VCUO
Evoluo

1849-1945
Britnico
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Referncias
BOYLESTAD e NASHELSKY. Dispositivos eletrnicos e teoria de

circuitos. New Jersey: Prentice Hall, 5a Ed., 1992.
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1.1 - Semicondutores, estrutura cristalina e portadores de

1.1 - Semicondutores, estrutura cristalina e portadores de

Conceitos Bsicos Diodos

Bandas de Tipos Dopagem

I D (limitado pelo circuito)

Nvel de valncia (camada mais

Terceiro nvel (etc.)

Energia Eltrons Energia Energia

Isolante Semicondutor Condutor

Nvel de energia do doador

ons doadores ons

Fluxo de portador minoritrio

Fluxo de portador majoritrio

Fluxo de portador minoritrio

Regio de polarizao direta

1904 - Fleming Diode

John Ambrose Fleming

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John Ambrose Fleming

John Ambrose Fleming

John Ambrose Fleming

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BOYLESTAD e NASHELSKY. Dispositivos eletrnicos e teoria de

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