MATERIALES SEMICONDUCTORES

UN POCO DE HISTORIA
Los primeros semiconductores utilizados para
fines tcnicos fueron pequeos detectores
diodos empleados a principios del siglo 20 en
los primitivos radiorreceptores, que se
conocan como de galena. Ese nombre lo
tom el radiorreceptor de la pequea piedra
de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca
la funcin de diodo y que tenan instalado para
sintonizar las emisoras de radio. La
sintonizacin se obtena moviendo una aguja
que tena dispuesta sobre la superficie de la
piedra. Aunque con la galena era posible
seleccionar y escuchar estaciones de radio
con poca calidad auditiva, en realidad nadie
conoca que misterio encerraba esa piedra
para que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los
Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos
cristales se le aada una pequea
cantidad de impurezas su conductividad
elctrica variaba cuando el material se
expona a una fuente de luz. Ese
descubrimiento condujo al desarrollo de las
celdas fotoelctricas o solares.
Posteriormente, en 1947 William Shockley,
investigador tambin de los Laboratorios
Bell, Walter Brattain y John Barden,
desarrollaron el primer dispositivo
semiconductor de germanio (Ge), al que
denominaron transistor y que se
convertira en la base del desarrollo de la
electrnica moderna.
 LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los "semiconductores" como el silicio (Si), el

germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo,
constituyen elementos que poseen
caractersticas intermedias entre los cuerpos
conductores y los aislantes, por lo que no se
consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo,
bajo determinadas condiciones esos mismos
elementos permiten la circulacin de la corriente
elctrica en un sentido, pero no en el sentido
contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar
corriente alterna, detectar seales de radio,
amplificar seales de corriente elctrica,
funcionar como interruptores o compuertas
utilizadas en electrnica digital, etc.
 SEMICONDUCTOR INTRNSECO

Se dice que un semiconductor es

intrnseco cuando se encuentra en
estado puro, o sea, que no contiene
ninguna impureza, ni tomos de otro
tipo dentro de su estructura. En ese
caso, la cantidad de huecos que dejan
los electrones en la banda de valencia
al atravesar la banda prohibida ser
igual a la cantidad de electrones libres
que se encuentran presentes en la
banda de conduccin.
 DIODOS
Qu es?
Dispositivo electrnico de dos
electrodos por el que circula la
corriente en un solo sentido.

Para que es?

se utilizan como rectificadores en

aparatos electrnicos de pequeo
tamao.

Aplicaciones?

Se utiliza como puente

rectificadores uncircuito
electrnicousado en la
conversin decorriente
alternaencorriente continua.
 SEMICONDUCTOR EXTRNSECO

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del

germanio se le introduce cierta alteracin, esos
elementos semiconductores permiten el paso de la
corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin.
Para hacer posible, la estructura molecular del
semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o
de germanio con pequeas cantidades de tomos de
otros elementos o "impurezas".

Generalmente los tomos de las impurezas

corresponden tambin a elementos semiconductores que,
en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima
rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen
cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el
antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el
silicio o el germanio se convierten en
semiconductores extrnsecosy sern capaces de
conducir la corriente elctrica
 SEMICONDUCTOR TIPO N
Un Semiconductor tipo N se obtiene
llevando a cabo un proceso de dopado
aadiendo un cierto tipo de tomos al
semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en
este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta
sus electrones ms dbilmente vinculados a
los tomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es tambin conocido
como material donante, ya que da algunos
de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo N es el de
producir abundancia de electrones
portadores en el material.
 SEMICONDUCTOR TIPO P
Un Semiconductor tipo P se obtiene
llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al
semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en
este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante
libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del
semiconductor. Este agente dopante es
tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor
que han perdido un electrn son
conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de
crear abundancia de huecos.